A/Pを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7181件
Then, a p-Alx1Ga1-x1As clad layer 21 and a p-GaAs contact layer 22 are formed.例文帳に追加
その後、p-Al_x1Ga_1-x1Asクラッド層21、p-GaAsコンタクト層22を形成する。 - 特許庁
a semiconductor that consists of a p-n junction 例文帳に追加
P−N接合の半導体 - 日本語WordNet
"C-a backspace" 0 "C-a h" "C-a p" "C-a C-p (prev)" Switch to the previous window (opposite of C-a n). 例文帳に追加
"C-a backspace"0"C-a h""C-a p""C-a C-p (prev)"前のウィンドウに切り替える (C-a n の反対)。 - JM
Then, a p-Ga1-z1 Alz1N/GaN superlattice second clad layer 27 and a p-GaN contact layer 28 are formed.例文帳に追加
p-Ga_1-z1Al_z1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。 - 特許庁
A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加
P型半導体基板7の表面にPウェル4が形成されている。 - 特許庁
a production control method called {an A P method} 例文帳に追加
AP方式という生産管理方法 - EDR日英対訳辞書
In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加
p型半導体層5は、p型電子バリア層21、p型ガイド層22、p型超格子クラッド層23、p型コンタクト層24が順次積層されている。 - 特許庁
A P-type impurity region 13b is formed simultaneously with a P-type well 13.例文帳に追加
まず、P型不純物領域13bを、P型ウェル13と同時に形成する。 - 特許庁
A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加
P型の低濃度アノード領域12は、P型半導体基板2に形成される。 - 特許庁
Converts an integer into a string representation using characters from the set [A .. P].例文帳に追加
整数を [A .. P] からなる文字集合を用いて表現した文字列に変換します。 - Python
All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加
予めp型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるp型キャップ層6,p型クラッド層7,p^-型コンタクト層8、およびp^+型コンタクト層9を、この順に成膜する。 - 特許庁
A P^- region 11 being a P-type body is derived onto the partial surface of a source side.例文帳に追加
P型のボディーであるP^-領域11はソース側の一部表面上に導出される。 - 特許庁
In this manufacture, a p- epitaxial layer 3a is formed on the main surface of a p+ silicon substrate 1a.例文帳に追加
p^+ シリコン基板1aの主表面上にp^- エピタキシャル層3aを形成する。 - 特許庁
A P wave detector 51 informs a P wave analyzer 52 of the fact that P wave has arrived.例文帳に追加
P波検知部51は、P波が到来するとその旨をP波解析部52に知らせる。 - 特許庁
A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加
p型炭化珪素エピタキシャル層3の表面層に、p^+コンタクト領域6を形成する。 - 特許庁
The conductivity type of pixel transistors is a P type.例文帳に追加
画素トランジスタの導電型をP型にした。 - 特許庁
a p-n junction has marked rectifying characteristics 例文帳に追加
p-n接合は整流特性の特徴がある - 日本語WordNet
If you're playing a musical instrument and you notice a p in the score例文帳に追加
楽器を弾いていて 楽譜に“p”があると - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
A p-side electrode 17 is in contact with a p-type diffused region 15 in the opening 19a.例文帳に追加
p側電極17は開口部19aにおいてp型拡散領域15にコンタクトしている。 - 特許庁
A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20.例文帳に追加
p型基板20上にフォトダイオードの光電変換部のp型ウェル22と、信号走査回路部のp型ウェル24が形成される。 - 特許庁
A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加
シリコン基板1上に、Pウエル2、Nウエル3を互いに隣接して形成する。 - 特許庁
A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加
シリコン基板200上に、P型拡散層201とP型半導体層202を備える。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加
p型半導体層12は、p型ガイド層16、p型AlGaN電子ブロック層17およびp型AlGaNクラッド層18を含む。 - 特許庁
The source 13s is composed of a P^- layer and a P^+ layer mutually adjacently contacting.例文帳に追加
ソース13sは互いに隣接して接触されたP^−層とP^+層から構成されている。 - 特許庁
On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加
p型SiC半導体基板101の主面上にp型SiC半導体層102が形成される。 - 特許庁
In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加
また、p仕切り領域とpウェル領域との間にn深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁
(3) A P position detection switch 44 detecting a P position is arranged on the ECU basic plate 30.例文帳に追加
(3)P位置を検出するP位置検出スイッチ44がECU基板30に配されている。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加
p型半導体層12は、p型AlGaN電子ブロック層16、p型GaNガイド層17、p型AlGaNクラッド層18およびp型AlInGaNコンタクト層19を有している。 - 特許庁
A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加
p型クラッド層150とp型ヘテロバッファ層160の間に、常に一定量の歪みを与えるp型AlAs層165を挿入する。 - 特許庁
The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加
埋め込み層70Aは、p型第1埋め込み層70a_1、p型第4埋め込み層70b_2及びp型第2埋め込み層70b_1を含む。 - 特許庁
The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加
p型炭化珪素基板11またはp型炭化珪素バッファ層12を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁
A P-type material is a disc-shaped liquid crystal material for forming columns 5 on a P-type surface layer 7.例文帳に追加
p型物質は、コラム5をp型表面層7上に形成する円盤状液晶物質である。 - 特許庁
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