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「A/P」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
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A/Pを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 7181



例文

An N well 12 is formed in a P type silicon substrate 10 and a P well 14 is formed in the N well.例文帳に追加

P型シリコンの基板10にNウェル12が形成され、NウェルにPウェル14が形成される。 - 特許庁

To achieve high performance of an oxide film as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加

p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。 - 特許庁

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子1は、p−n接合を含む。 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池10が、p型の第1の半導体層とp型の第2の半導体層16とを備える。 - 特許庁

例文

an inscribed mark of the Japanese language named a p-sound mark 例文帳に追加

半濁点という,日本の言語の表記記号 - EDR日英対訳辞書


例文

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

n型半導体基板上にn型バッファ層,n型第1クラッド層,活性層,p型の第1の第2クラッド層,p型エッチストップ層,p型の第2の第2クラッド層,p型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

To thin a p-i-n diode without its property deteriorated.例文帳に追加

p-i-nダイオードをその特性の劣化なしに薄くする。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

n型半導体基板上にn型バッファ層,n型第1クラッド層,活性層,p型の第1の第2クラッド層,p型エッチストップ層,p型の第2の第2クラッド層,p型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にP型不純物をドーピングする。 - 特許庁

例文

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

例文

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層13とp型クラッド層15との間に設けられたp型ガイド層14が、III族元素としてB(ホウ素)を含むIII−V族化合物半導体、具体的には、p型BInP、p型BGaAsまたはp型BAlPにより構成されている。 - 特許庁

To enhance operating speed of a p-channel MOS transistor.例文帳に追加

pチャネルMOSトランジスタの動作速度を向上させる。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板10の第1面11に、n型クラッド層21,活性層22,p型クラッド層23,p側コンタクト層24およびp側電極30をこの順に積層する。 - 特許庁

For example, a trench 13 is formed in a prescribed part of a p^- type region 12 as a p^- type body region.例文帳に追加

例えば、P型のボディー領域としてのP^−型領域12の所定部に、溝部13が形成されている。 - 特許庁

Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.例文帳に追加

また、GaN:Mnは常温でもp型を示すので半導体素子のp型層として用いることができる。 - 特許庁

A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加

p型基板51上に、反射層25、p型の第1層24、n型の第2層23、p型の第3層22、n型の第4層21が順次形成されている。 - 特許庁

In particular, a p-type ZnO nanowire or a p-type ZnO nanosheet can be formed as a p-type ZnO nanostructure by suitably selecting pressure and temperature.例文帳に追加

特に圧力及び温度を適宜選択することにより、p型ZnOナノ構造体として、p型ZnOナノワイヤやp型ZnOナノシートを形成することができる。 - 特許庁

As the drive means in the pitch direction, a P magnet and P yoke 29 are fixed to the Y guide base 24, and a P electromagnetic coil is fixed to a P guide base at an opposed position.例文帳に追加

ピッチ方向の駆動手段として、Yガイドベース24にPマグネット、Pヨーク29が固定され、対向する位置にP電磁コイルがPガイドベースに固定されている。 - 特許庁

A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.例文帳に追加

本発明に係るP−N結合素子は、P型有機複合層と、N型有機複合層と、を備える。 - 特許庁

The ridge includes part of a p-type guide layer 26, a p-type clad layer 27, a p-type contact layer 28, part of the insulating film 4 and part of the p-side electrode 5.例文帳に追加

リッジ部9は、p型ガイド層26の一部と、p型クラッド層27と、p型コンタクト層28と、絶縁膜4の一部と、p側電極5の一部とを含む。 - 特許庁

A p+ region 108 is formed at the bottom part of the trench 22 which leads to a p+ type silicon substrate 101.例文帳に追加

トレンチ溝22底部には、p+型領域108が形成され、p+型シリコン基板101に繋がっている。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

P型半導体基板1のN型ウェルにP型ソース領域8bに接続するようにストレージノードとして機能するP型拡散層15が形成されている。 - 特許庁

The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加

Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁

Thus, a p-type region 15 is formed (figure 1d).例文帳に追加

したがって、p型領域15が形成される(図1d)。 - 特許庁

The element 24 is a p-n diode, constituted of a p-type well and an n+-type diffused region 26 provided in the p-type well and allows negative charges to escape to a p-side substrate.例文帳に追加

第1の保護素子は、pウエルと、pウエル内に設けられたn^+ 拡散領域26とから構成されたpnダイオードであって、負の電荷をp側基板に逃がす。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加

p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁

A diode constituted of a p^--region 5, a p^+-region 6, and an n^+-region 7 is formed on an SOI layer 3.例文帳に追加

SOI層3には、P^-領域5、P^+領域6、N^+領域7により構成されるダイオードが形成される。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、P型シリコン基板1と、P型不純物層2と、N型不純物層3と、P型不純物層4と、金属配線層5とを備えている。 - 特許庁

A newline alone in command-list is equivalent to a `p' command. 例文帳に追加

r command-list中の空行は、m pコマンドと同等に扱われます。 - JM

An n^+ epitaxial film, a p epitaxial film, and a p^+ epitaxial film are formed through epitaxial lateral growth.例文帳に追加

つぎに、エピタキシャル横方向成長によって、n^+エピタキシャル膜、pエピタキシャル膜、p^+エピタキシャル膜をそれぞれ形成する。 - 特許庁

A P type epitaxial layer 3 is entirely provided on a P type bulk substrate 2 in the semiconductor integrated circuit 1.例文帳に追加

半導体集積回路1において、P型バルク基板2上の全面にP型エピタキシャル層3を設ける。 - 特許庁

A p-type micelle solution is prepared similarly.例文帳に追加

p型も同様に分散させミセル溶液を作成する。 - 特許庁

The privileged instructions are marked with a “P" in the figure 例文帳に追加

図の中で,特権命令には“P"の印が付けられている - コンピューター用語辞典

The light receiving region 110 includes a p-type contact layer.例文帳に追加

受光領域110は、p型コンタクト層を備える。 - 特許庁

The FT_12 may be formed in a p-type well region 36.例文帳に追加

FT_12は、P型ウエル領域36に形成してもよい。 - 特許庁

A p-electrode 9 is connected to an upper surface of the ridge 5.例文帳に追加

リッジ5の上面にp電極9が接続されている。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第1のトレンチをp型半導体27で埋める。 - 特許庁

A trench 5 is formed in a P type body region 4.例文帳に追加

P型のボディ領域4には、トレンチ5が形成されている。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1上層にp型ウェル3を形成する。 - 特許庁

To provide a p-type MgZnO-based thin film which functions as a (p) type, and a semiconductor light-emitting element comprising the p-type MgZnO-based thin film.例文帳に追加

p型として機能するp型MgZnO系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a p-type impurity is activated by heat-treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により、p型不純物を活性化させる。 - 特許庁

Then, a P^+- type layer 9 is formed by diffusing a P-type impurity into the surface layer of the N^--type channel layer 8.例文帳に追加

その後、N^-型チャネル層8の表層部にP型不純物を気相拡散させることで、P^+型層9を形成する。 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

P型シリコン層21内にSiGe層24を形成する。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

p型の半導体基板1に設けられたn型埋め込み層2には、p型埋め込み層3´が設けられている。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor having photo-responsibility.例文帳に追加

光応答性を有するp型の半導体を提供する。 - 特許庁

A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加

P型基板の表面にPウエル2を形成し、平面視でPウエル2の内部にNウエル3を形成する。 - 特許庁

A P-type guard band layer 14 is formed so as to convolute with a P+-type guard band layer 13 while containing it.例文帳に追加

P−型ガードバンド層14がP+ガードバンド層13に重畳されこれを包含するように形成されている。 - 特許庁

A p-type well 22 is arranged on an n-type substrate 21.例文帳に追加

N型基板21上に、P型ウエル22が配置される。 - 特許庁

To enhance NBTI resistance of a p-type MOSFET.例文帳に追加

P型MOSFETのNBTI耐性を向上させる。 - 特許庁

例文

A p+ layer 10 is formed in a channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域4にはp+層10が形成されている。 - 特許庁




  
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