| 例文 (258件) |
Activation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 258件
To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The tubular film for hood stretching has a layer containing an ethylene-α-olefin copolymer (A) having a monomer unit based on ethylene and a monomer unit based on a 3-20C α-olefin and having an activation energy (Ea) of fluidity of ≥35 kJ/mol and also a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 5-25.例文帳に追加
エチレンに基づく単量体単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位とを有するエチレン−α−オレフィン共重合体であって、流動の活性化エネルギー（Ｅａ）が３５ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が５〜２５であるエチレン−α−オレフィン共重合体（Ａ）を含有する層を有するフードストレッチ用チューブ状フィルム。 - 特許庁
In a cell having positive and negative electrodes with an activation material particle layer, it is characterized in that a polymer of third dimension mesh shape in respective particle gap exists in the vicinity of at least surface of electrode by connecting from the gap to the gap as well as a porosity of polymer film of homogeneity or heterogeneity with the polymer is adhered to the surface of the positive body.例文帳に追加
活物質粒子層を有する正負の電極を有する電池において、前記活物質粒子層内の少なくとも電極本体表面付近に、個々の粒子間隙において三次元網目状をなすポリマーが間隙から間隙へと連なって存在するとともに、負極本体の表面には前記ポリマーと同質又は異質の多孔性ポリマー膜が固着していることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.例文帳に追加
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁
This method includes following steps for: preparing a unit having the tubular element and a layer of a fixing compound covering the whole outer periphery of the tubular element, at least over a fraction of its length; positioning the unit at an appropriate position along the inside wall of the cavity; and applying activation treatment to the compound in such a way that the tubular element is fixed on the inside wall.例文帳に追加
方法は以下のステップを含む：前記チューブ要素および前記チューブ要素の全外側表面を、少なくともその全長のある部分に渡って覆う固定用コンパウンドの層を備えるユニットを用意すること；前記ユニットを前記キャビティの内壁に沿って適切な場所に置くこと；および前記チューブ要素を前記内壁に固定するようなやり方で前記コンパウンドに活性化処理を行うこと。 - 特許庁
In this method of manufacturing an active carbon for electric double layer capacitor electrode, where the carbon material (including baking-treated carbon material) is size-controlled, mixed with the alkali activator agent and then activation-treated, the mixing treatment is controlled so that the particle diameter distribution value of the mixture of the size-controlled carbon material and the alkali activator agent having not less than 300 μm particle diameter becomes not higher than 5%.例文帳に追加
炭素材料（炭素材料の焼成処理物を含む）を粒度調整したのち、アルカリ賦活剤と混合し、次いで賦活処理して電気二重層キャパシタ電極用活性炭を製造する方法であって、粒度調整した炭素材料とアルカリ賦活剤の混合物の３００μｍ以上の粒度分布値が５％以下となるように混合処理することを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法。 - 特許庁
In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加
半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁
As electrolyte for an electric double layer capacitor that includes graphite alkaline activation activated charcoal for an electrode material, an electrolyte is used that is composed of solvent containing quaternary ammonium salt that excludes a chemical compound in which a carbon atom linking to a quaternary nitrogen atom links to another nitrogen atom, chain-like carbonate and/or ring-like carbonate, and carboxylate with a carbon number of five or more and having two or more carbonate bonds.例文帳に追加
電極材料として黒鉛質材のアルカリ賦活活性炭を含む電気二重層キャパシタの電解液として、四級窒素原子と結合している炭素原子が他の窒素原子と結合している化合物を除く四級アンモニウム塩、鎖状炭酸エステル又は／及び環状炭酸エステルと炭素数が５以上で且つ２個以上のカルボン酸エステル結合を有するカルボン酸エステルを含む溶媒からなる電解液を用いる。 - 特許庁
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