「Activation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An electrode for the electric double layer capacitor is obtained by forming an electrode composition layer including an electrode activation substance, a conductive material, a binder, and a polydibasic acid on a current collector and the electrode for the electric double layer capacitor is used for the electric double layer capacitor.例文帳に追加

電極活物質、導電材、結着剤およびポリ二塩基酸を含んでなる電極組成物層が集電体上に形成されてなる電気二重層キャパシタ用電極、並びに電気二重層キャパシタ用電極を用いることを特徴とする電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

To provide an easily available β-glucocerebrosidase activation agent and a skin care preparation effective for improving the formation of a cuticle layer transmission barrier by the activation of β-glucocerebrosidase and accordingly expectable to have an effect for ameliorating roughened skin.例文帳に追加

β−グルコセレブロシダーゼを活性化させることによって、角層透過バリアの形成が改善され、その結果として荒れ肌改善効果が期待される、容易に入手可能なβ−グルコセレブロシダーゼ活性化剤及び皮膚外用剤を提供する。 - 特許庁

This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加

本発明に係る面発光型半導体レーザは，第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上方に形成された第２ミラー１０６と、を含み、第１ミラー１０２および第２ミラー１０６のうちの少なくとも一方は，ＶＢＧ（Volume Bragg Grating）１８０を有する。 - 特許庁

Reducer is adsorbed by the reducer adsorption layer 20B at temperature lower than catalyst activation temperature and NOx conversion rate during the catalyst is not activated is improved by reducing and converting NOx desorbing from NOx adsorption layer 20B in addition to NOx in exhaust gas at temperature not lower than catalyst activation temperature.例文帳に追加

そして、触媒活性温度未満のときには、ＮＯｘ吸着層２０ＢでＮＯｘを吸着する一方、触媒活性温度以上のときには、排気中のＮＯｘに加え、ＮＯｘ吸着層２０Ｂから離脱したＮＯｘを還元浄化することで、触媒未活性時におけるＮＯｘ浄化率を向上させる。 - 特許庁

When the activation solution like ozone water is injected to the thin resin layer, a silicone resin or a modified silicone resin forming the thin layer is oxidized (activated) by active oxygen in atom state, and modified to an adhesive layer 14 with expressed adhesion.例文帳に追加

薄膜樹脂層にオゾン水などの活性化溶液が噴射されると、原子状の活性酸素が薄膜樹脂層を構成するシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂が酸化（活性化）され、接着性が発現した接着層１４に改質される。 - 特許庁

To provide an impurity activating method which increases the activation depth of a plurality of laser pulses each irradiated in suitable conditions onto a substrate including a semiconductor layer with an impurity added to its surface layer.例文帳に追加

表層部に不純物が添加された半導体層を含む基板に、複数のレーザパルスをそれぞれ適切な条件で照射して、活性化深さを深めることができる不純物活性化方法を提供する。 - 特許庁

A wiring width profile is acquired from image data to be measured, and the dimensions of a lower layer, such as, the width and pitch of the activation region are acquired from a design database; and an activation analysis region is set with the width and pitch acqired, and the position from an end of the image is denoted as (x).例文帳に追加

測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, which promotes electrical activation and has a large capacity per unit volume, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明は電気的賦活を促進し単位体積当たりの静電容量が大きい電気二重層コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an electrode active material for an electric double-layer capacitor having high capacitances per unit volume and unit mass at a low cost even without carrying out activation treatment.例文帳に追加

賦活処理を施さなくとも、単位体積および単位質量当たりの静電容量が高くて安価な電気二重層キャパシタ用電極活物質を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backside illumination type imaging device forming an impurity semiconductor layer on a semiconductor detection element by an activation heat treatment.例文帳に追加

活性化熱処理により半導体検出素子上に不純物半導体層を形成することが可能な裏面照射型撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A layer of thermal activation or a pressure sensitive adhesive is arranged between the patch and each segment, and thereby, the patch and each segment are mechanically further jointed during the reflow of the solder.例文帳に追加

熱活性化または感圧接着剤の層がパッチと各セグメントとの間に配置され、はんだのリフロー中にパッチと各セグメントとを機械的に更に結合する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to increase an activation rate of impurities in a field stop layer formed in a region ≥1 μm deep from a backside surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏側の表面から深さ１μｍ以上の深い領域に形成されるフィールドストップ層の不純物の活性化率を高めることが困難である。 - 特許庁

The thermal activation head 11 asymmetrically activates the heat-sensitive adhesive layer to the center line in the width direction orthogonal to the conveying direction of the sheet material 3.例文帳に追加

また、熱活性化ヘッド１１は、シート材３の搬送方向に直交する幅方向の中心線に対して感熱性粘着層を非対称に熱活性化する。 - 特許庁

To provide a thermal activation device capable of suppressing the conveyance of a seat material in a meandering manner when a heat-sensitive adhesive layer is asymmetrically thermal-activated with respect to the center line in the width direction of the seat material.例文帳に追加

シート材の幅方向の中心線に対して感熱性粘着層を非対称に熱活性化する際に、シート材が斜行して搬送されることを抑制する。 - 特許庁

(a)A target value is set of activation depth of a semiconductor substrate in which impurities are added to a surface layer part used for manufacturing an IGBT or a MOSFET.例文帳に追加

（ａ）ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴの製造に用いられる、表層部に不純物が添加された半導体基板の活性化深さの目標値を決定する。 - 特許庁

The laminate is subjected to activation annealing to make the silicon film 221P integral with the silicon film 222A to form a polycrystalline silicon layer 22P in the gate trench 20 (step F).例文帳に追加

次に，活性化アニール処理を行うことで，シリコン膜２２１Ｐとシリコン膜２２２Ａとを一体化させ，ゲートトレンチ２０内に多結晶のシリコン層２２Ｐを形成する（Ｆ）。 - 特許庁

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

In the process for producing the electrode material of an electric double-layer capacitor by performing alkali activation of a mixture of a carbonaceous material and an alkali compound, the temperature region in a system for performing alkali activation is 600°C-900°C, and the inside of the system for performing alkali activation is under inert atmosphere having a pressure of 0.11 MPa or higher.例文帳に追加

炭素質物質とアルカリ化合物を含む混合物をアルカリ賦活してなる電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法において、アルカリ賦活を実施する系内の温度域が６００℃から９００℃であり、アルカリ賦活を実施する系内が圧力０．１１ＭＰａ以上の不活性雰囲気下である電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法。 - 特許庁

The nerve protecting agent or the astrocyte activation inhibitor and the food for nerve protection or inhibition of astrocyte activation contain a water-insoluble material obtained by a method containing a step to crush a citrus fruit, a step to treat the crushed material with water and a step to remove the aqueous layer of the water-treated material.例文帳に追加

柑橘類果実を破砕する工程、該破砕物を水処理する工程、その水層を除去する工程を含む方法により得られる水不溶物を含有する、神経保護剤またはアストロサイト活性化抑制剤、および神経保護またはアストロサイト活性化抑制用食品。 - 特許庁

This activation apparatus has the structure that an electrode layer including, for example, the catalyst fine particles of iron and nickel is formed on the surface of a ceramic base material and a carbon nano-tube in the external diameter of 1 μm or less is grown on this electrode layer.例文帳に追加

この活性化装置は、セラミック基体の表面に、例えば鉄やニッケルなどの触媒微粒子を含む電極層を形成し、この電極層上に外径が１μｍ以下のカーボンナノチューブを成長させた構成とされる。 - 特許庁

When the silicon oxide film 6 is employed as a cap layer, it plays the role as a cap layer effectively even under a high temperature and the surface roughening and abnormal composition ratio due to heat treatment for impurity activation can be suppressed.例文帳に追加

このように、シリコン酸化膜６からなるキャップ層を用いれば、高温でも有効にキャップ層としての役割を果たし、不純物の活性化のための熱処理による表面荒れと組成比異常を抑制することができる。 - 特許庁

Furthermore, with catalyst particles 6a formed in an activation process as nucleus, a thick Ni-P alloy layer 6b whose P-concentration is 4-8 wt.% is formed through nonelectrolytic plating, and an Au layer 3c is formed over it.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成された触媒粒子６ａを核として、無電解めっきにより、Ｐ濃度が４〜８ｗｔ％である厚いＮｉ−Ｐ合金層６ｂを形成し、さらに、その上にＡｕ層３ｃを形成する。 - 特許庁

Since the impurity can be replaced surely at the lattice positions when the surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 doped with the impurity, activation rate of impurities can be enhanced.例文帳に追加

このように、不純物がドーピングされたアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a heat treating method of a nitride compound semiconductor layer which enables a reduction in the resistance and activation of the semiconductor layer doped with p-type impurities at a temperature lower than that in a conventional technique.例文帳に追加

ｐ型不純物が添加された窒化物化合物半導体層の低抵抗化、活性化を、従来の技術におけるよりも一層低温にて行うことを可能とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A deposition layer is thin right after a surface activation process through an energy wave, and therefore, if the deposition layer is crushed for a joining operation, the joining interface is spread, and a regenerated surface appears on the joining surface, thus allowing relative members to be mutually joined.例文帳に追加

エネルギー波による表面活性化処理後、すぐには付着物層も薄いので、該付着物層を押しつぶして接合すれば、接合界面は広がり、接合表面に新生面が現れ、被接合物どうしが接合される。 - 特許庁

To provide a growth method of a semiconductor layer which can raise the doping amount (activation rate of Zn) at a saturation point of Zn when a p-type AlGaInP semiconductor layer is made to grow, and a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the growth method of the semiconductor layer is used.例文帳に追加

ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させるときのＺｎの飽和点におけるドーピング量（Ｚｎの活性化率）を上げることができる半導体層の成長方法と、この半導体層の成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation.例文帳に追加

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。 - 特許庁

Thus, the impurity layer is continuously irradiated with the pulses 10a and 10b so that effects similar to those to be obtained when the impurity layer is irradiated with a simple pulse whose half width is long can be obtained, and that high activation rate can be realized from the shallow region to deep region of the impurity layer.例文帳に追加

このようにパルス１０ａ，１０ｂを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for a heterobipolar transistor, including a collector layer 3, a base layer 4, and an emitter layer 5 on a semi insulating InP substrate 1, hydrogen atoms contained into the base layer 4 are consumed and the activation rate of carbon impurity is improved by using an organic phosphorous compound, such as trimethylphosphate as the raw material for epitaxial growth of all or a part of the emitter layer 5.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板１上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含むヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、エミッタ層５のすべてまたは一部のエピタキシャル成長の原料として、トリメチルリン等の有機リン化合物を用いることにより、ベース層４に取り込まれた水素原子を消費し、炭素不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

A polyethylene terephthalate layer (PET layer) is provided by coating on an outer peripheral surface of a conductor made of a copper metal for forming the halogen-free electric wire, the PET layer is covered with an insulator-coating layer containing a polypropylene of a polyolefin insulating resin as a main component, and activation of the conductor is prevented by the PET layer, to prevent the halogen-free wire from oxidizing and ionizing.例文帳に追加

ハロゲンフリー電線を形成する銅系金属からなる導体の外周面に、コーティングによりポリエチレンテレフタレート層（ＰＥＴ層）を設け、該ＰＥＴ層をポリオレフィン系絶縁樹脂のポリプロピレンを主成分とする絶縁被覆層で被覆しており、上記ＰＥＴ層で導体の活性化を防いで該ハロゲンフリー電線の酸化およびイオン化を防止する構成としている。 - 特許庁

A method for manufacturing activated carbon for the electrode of an electric double-layer capacitor includes subjecting a raw material to carbonization for an activated carbon mixed with a metal compound, followed by activation treatment.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの電極用活性炭を製造するに当り，金属化合物を配合させた活性炭用原料に炭化処理およびそれに次ぐ賦活処理を施す。 - 特許庁

Word activation blocks WA1 to WA4 are laid out in an X address decoder XDAI, and word active signals WS1 to WS4 are wired in parallel between main words in the same wiring layer as the main vords MWI to MW16.例文帳に追加

Ｘアドレスデコーダ（XDA1）内にワード活性化ブロック（WA1〜WA4）を配置し、ワード活性信号（WS1〜WS4）をメインワード（MW1〜MW16）と同層の配線層にてメインワード間に平行に配線したことを特徴としている。 - 特許庁

Firm anchor effect by the infiltration and fullness of a coating liquid owing to activation and porousness by the reduction and connection between the steel and the reduced layer or the like supports the coating with tight adhesion.例文帳に追加

還元による活性化と多孔質により塗装液の浸透・充満と、鋼と還元層の連接等による強固なアンカー効果が密着性の強固な塗装を支える。 - 特許庁

A receiving layer which is obtained by laminating the above composition and by curing the laminate by an activation energy beam and which enables recording with ink by an ink jet recording method is provided on the surface of an information recording medium.例文帳に追加

情報記録媒体の面に標記組成物を積層し活性エネルギー線で硬化してなる、インクジェット記録方法にてインキで記録可能な受容層を設けた情報記録媒体。 - 特許庁

Because the silver coated stainless steel is manufactured by a conventional method except the activation treatment of the nickel layer at 40-90°C for ≥3 sec, high productivity is attained.例文帳に追加

前記銀被覆ステンレス条は前記ニッケル層に４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理を施す以外は常法により製造できるので生産性に優れる。 - 特許庁

The CNT paste layer is printed on the cathode electrode 12 by a screen stencil method, and this CNT paste is calcined and applied surface activation to make an emission chip 13.例文帳に追加

カソード電極１２の上に、スクリーン印刷法により本発明のＣＮＴペースト層を印刷し、このＣＮＴペーストをエミッションチップ１３とするための焼成および表面活性化が施される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device eliminating an occurrence of a surface roughness of a bunching step or the like to sufficiently improve an activation rate of an impurity-injection layer.例文帳に追加

バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To activate carbon contained in a semiconductor layer at high activation rate and to form a tunnel-junction of high tunnel current peak density, so as to manufacture a multi-junction solar cell of high efficiency.例文帳に追加

半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which comprises an ohmic electrode having a high impurity activation rate and high electron mobility and having small contact resistance and small parasitic resistance in a contact layer.例文帳に追加

コンタクト層における不純物活性化率及び電子の移動度が高く、コンタクト抵抗及び寄生抵抗が小さいオーミック電極を備えた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To suppress warpage of a semiconductor wafer when an impurity activation layer is formed on the backside thereof in a process for fabricating a semiconductor device consisting of a vertical semiconductor element.例文帳に追加

縦型の半導体素子からなる半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの裏面側に不純物活性化層を形成する際、半導体ウェハの反りを抑制する。 - 特許庁

The rotating body for an image forming apparatus is provided with the substrate and the cover layer covering the surface of the substrate, and the surface of the substrate is processed by activation by silicate flames.例文帳に追加

基体と、該基体表面上に被覆された被覆層とを有し、該基体の表面がケイ酸化炎による活性化処理によって処理されている画像形成装置用の回転体。 - 特許庁

The photosensitive transfer material having at least the thermoplastic resin layer, the intermediate layer and the photosensitive recording layer on the temporary substrate in this order is characterized in that the thermoplastic resin layer is subjected to surface activation treatment by at least either of corona discharge treatment, plasma treatment, flame treatment and UV treatment.例文帳に追加

仮支持体上に、少なくとも熱可塑性樹脂層、中間層及び感光性記録層をこの順に有してなる感光性転写材料において、前記熱可塑性樹脂層が少なくともコロナ放電処理、プラズマ処理、火炎処理、UV処理のいずれかにより表面活性化処理されていることを特徴とする感光性転写材料である。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

This adhesive tape contains an at least three-layer structure comprising layer A: a thermally activable adhesive exhibiting a characteristic activation temperature of at least +30°C, layer B: a cross-linked polyurethane carrier material, and layer C: a polyacrylate PSA exhibiting a static glass transition temperature TG,C of +15°C or lower, arranged in the order of A, B, and C.例文帳に追加

接着テープに下記の層Ａ、ＢおよびＣ： 層Ａ：少なくとも＋３０℃の特徴的活性化温度Ｔ_Aを示す熱活性化可能接着剤、 層Ｂ：架橋したポリウレタン担体材料 層Ｃ：＋１５℃以下の静的ガラス転移温度Ｔ_G,_Cを示すポリアクリレート系ＰＳＡ、 をＡＢＣの層順で有する少なくとも３層の製品構造を含める。 - 特許庁