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「Activation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索
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Activation layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 258



例文

Since a circular insulation layer by air is formed by the void part 16 surrounding the inside part 11b of the exhaust gas inflow surface 11, the catalytic carrier 10 can be heated to the catalyst activation temperature in early stage after the internal-combustion engine is started.例文帳に追加

排気ガス流入面11の内側部11bを囲む空隙部16によって空気による環状の断熱層が形成され、内燃機関始動後早期に触媒担体10を触媒活性温度まで昇温させることができる。 - 特許庁

To remarkably improve the productivity of an activated carbon by an alkaline activation method, provide a production method for the activated carbon excellent in electric capacity in a high current density, and also provide an electric double layer capacitor in which the activated carbon or the like is used as a material of its electrode.例文帳に追加

アルカリ賦活法活性炭の製造における生産性を飛躍的に向上することおよび高電流密度での電気容量に優れた活性炭の製造方法、活性炭等を電極材に用いた電気二重層コンデンサの提供。 - 特許庁

This thermal actuator comprises a cantilevered element extending from a base element and normally residing at a first position before activation, a first layer constructed of an electrically resistive material such as titanium aluminide, a coupling device that conducts electrical current serially between first and second resistor segments, and second layer constructed of a dielectric material having a low coefficient of thermal expansion and attached to the first layer.例文帳に追加

サーマルアクチュエータは、基部要素から延在し活性以前に第一位置に通常存在しているカンチレバー型要素を含み、アルミニウム化チタンなどの電気的に伝導性の物質から構成される第一層と、間に電気的な流れが連続的に伝導するカップリング装置と、並びに低係数の熱膨張を有し、前記第一層に付加された誘電体物質から構成される第二層とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

p型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、p型窒化物半導体層のAl組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面16から光を外部に出射するZnSe系発光素子であって、自己活性発光中心SAを含むn型ZnSe基板1と、n型ZnSe基板1の上に形成された活性層4と、出射面16と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するAl層9aとを備える。 - 特許庁


例文

To provide a platen roller which can suppress a drop in adhesive force of a thermally active gelatinization layer that is seen when recording and thermal activation are performed to a thermally active gelatinization sheet with the thermally active gelatinization layer at a rear face side of a recording face of a sheet-like substrate, and to provide its manufacturing method, a recorder equipped with the platen roller, and a label printer for sticking.例文帳に追加

シート状基材の記録面の裏面側に熱活性糊化層を有する熱活性糊化シートに対して記録及び熱活性化を施す際に見られる、熱活性糊化層の粘着力の低下を抑制可能なプラテンローラ及びその製造方法、並びにそのプラテンローラを具備する記録装置、及び貼着用ラベルプリンタを提供すること。 - 特許庁

In manufacturing the activated carbon for the electrodes of the electric double layer capacitor by performing an alkali activation treatment to a carbonization element as the carbonization element, an element whose average true specific gravity M_G is 1.450≤M_G≤1.650, and whose dimensions r of the true specific gravity is r≤0.025 is used.例文帳に追加

炭素化物にアルカリ賦活処理を施して,電気二重層キャパシタの電極用活性炭を製造するに当り,炭素化物として,平均真比重M_G が1.450≦M_G ≦1.650であり,且つ真比重の範囲rがr≦0.025であるものを用いる。 - 特許庁

In the FBAR element according to a specific embodiment, a portion of a membrane layer 56, corresponding to the activation area, is dry- etched to have a partially reduced thickness, thereby adjusting the resonance frequency band and improving the transmission gain.例文帳に追加

本発明の特定の実施の形態によるFBAR素子においては、メンブレン層56中活性化領域に該当する部分をドライエッチングして部分的に厚さを縮減させることにより共振周波数を調整でき伝達利得を向上させ得る。 - 特許庁

The method for producing the activated carbon for an electric double layer capacitor electrode includes: subjecting a graphitizable carbon material as raw material to a firing treatment in an oxidizing gas atmosphere; regulating the particle size of the resultant carbon material; and subjecting the carbon material to an activation treatment.例文帳に追加

易黒鉛化性炭素材料を原料として、酸化性ガス雰囲気下で焼成処理して得られる炭素材を粒度調整した後に賦活処理して製造して得られることを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法。 - 特許庁

例文

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

SiGe膜72中に含まれるGeによってPMOSトランジスタのゲート電極に注入されたP型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜6との界面での空乏層が抑制され、PMOSトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

例文

Then, at least one main surface of the SiGe epitaxial film 11 on which an ion implantation layer is formed and a support substrate 20 is subjected to plasma treatment and ozone treatment for purposes of surface cleaning, surface activation, or the like, and both main surfaces are laminated for bonding.例文帳に追加

続いて、イオン注入層を形成したSiGeエピタキシャル膜11と支持基板20の少なくとも一方の主面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施し、主面同士を密着させて貼り合わせる。 - 特許庁

Since the relation 0.75×D≤C≤D holds, where C is the hole density of the p-type clad layer 7 and D is activation rate of the holes and further a relations 1.5×1017 cm-3≤C≤9.5×1017 cm-3 is valid, the semiconductor LD1 shows a high optical output.例文帳に追加

このp型クラッド層7の正孔濃度Cと正孔の活性化率Dとの間に0.75×D≦C≦Dの関係があり、且つ、1.5×10^17cm^-3≦C≦9.5×10^17cm^-3の関係があるため、半導体LD1は高い光出力を示す。 - 特許庁

This solar cell substrate includes; a transparent substrate; and a transparent conductive film including a zinc oxide (ZnO) thin film formed over the transparent substrate and doped with a dopant, and a surface charge activation layer formed on the zinc oxide (ZnO) thin film by heat treatment.例文帳に追加

本発明による太陽電池基板は、透明基板と、透明基板に形成されるドーパントがドープされた酸化亜鉛(ZnO)薄膜と酸化亜鉛(ZnO)薄膜に熱処理によって形成される表面電荷活性化層と、を備えた透明導電膜を含む。 - 特許庁

In a transferring mold 190a, a part of the layer 150 i.e. the part consisting of the same material as a substrate 210 forming the material of the mold 100 is brought into contact with the surface of the substrate 210, and they are bonded together by a method such as direct bonding according to surface activation.例文帳に追加

転写用モールド190aは、層150の部分、即ち、モールド100の材料となる基板210と同じ材料からなる部分が、基板210の表面に接するようにし、界面活性化による直接接合等の方法で貼り合わせる。 - 特許庁

While using a roller as a developer carrier, its surface is suitably subjected to activation for increasing the surface energy, thus the reduction in the surface energy can be suppressed, and the generation of the unevenness in image density such as a rib pattern caused by the unevenness in a developer thin layer can be suppressed.例文帳に追加

現像剤担持体としてのローラ使用中に、その表面に対して、表面エネルギーを上げる活性化を適宜行うことで、その表面エネルギーの低下を抑制することができ、現像剤薄層のムラに起因するリブ模様などの画像濃度ムラ発生を抑制することができる。 - 特許庁

It is preferable that the phosphor layer be excited, along with the Eu^2+ activation β type sialon, by ultraviolet light to blue light, and that it be a single body consisting of either one of, or a multiple body consisting of, a phosphor emitting red light, a phosphor emitting blue light, and a phosphor emitting yellow light.例文帳に追加

蛍光体層は、Eu^2+付活β型サイアロンと共に、紫外光〜青色光で励起され、赤色光を発光する蛍光体と、青色光を発光する蛍光体と、黄色光を発光する蛍光体のいずれかの単体又はこれらの複数体であるのが好ましい。 - 特許庁

A manufacturing method of a lithium ion secondary battery includes an assembly step (step S1) of manufacturing a battery in which an electrode body including a negative electrode with a negative electrode mixture layer and a nonaqueous electrolyte including a chemical compound represented by the following expression (1) are housed in a battery case, and an activation step (step S2) of activating the battery.例文帳に追加

負極合材層を備える負極を有する電極体、及び、下記の式(1)で表される化合物を含有する非水電解液を、電池ケース内に収容した電池を作製する組み付け工程(ステップS1)と、上記電池を活性化させる活性化工程(ステップS2)とを備える。 - 特許庁

Rather than the method for manufacturing the device to include a step of forming a device region having a regular structure, it includes a step of employing a substantially regular structural part as advice activation region, after positively masking an irregular structural part in a formed porous layer.例文帳に追加

本発明におけるデバイス製造方法は、規則的な構造を有する多孔質層のデバイス領域を形成するのではなく、形成された多孔質層から積極的に不規則な構造部分をマスキングし、実質的に規則的な構造部分のみをデバイス活性領域として用いる。 - 特許庁

The combustibility activation member 1 is constituted by forming a thin film layer 3 including titanium oxide on the outside of nonwoven fabric 2, by painting tourmaline powder in this nonwoven fabric and painting zirconium dioxide powder and silicon dioxide powder inside, with the nonwoven fabric 2 as a structure.例文帳に追加

燃焼性活性化部材1は、不織布2を構造体とし、この不織布に対してトルマリン粉末が塗りこまれるとともに、二酸化ジルコニウム粉末と二酸化ケイ素粉末とが塗りこまれ、不織布2の外側に酸化チタンを含む薄膜層3が形成されて構成されている。 - 特許庁

A metal jointed body 20 of a required layer thickness is manufactured by laminating a plurality of metal plates of excellent conductivity, performing activation on the surface of each metal to be jointed, overlapping the metal plates in an abutting manner so that activated surfaces faces each other to perform lamination jointing.例文帳に追加

伝導性に優れたメタル板などを複数枚積層し、接合されるそれぞれのメタル板面に活性化処理を施した後、活性化処理面同士が対向するように当接して重ね合わせ積層接合を施すことによって所要の層厚みを有するメタル接合体20を製造する。 - 特許庁

Such a nitride-based light emitting element and its manufacturing method improves an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer, hence increases the emission efficiency, and expands the life of the element, and at the same time, can omit an activation process after growth of a wafer and thus can simplify the manufacturing processes.例文帳に追加

このような窒素物系発光素子とその製造方法は、p型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。 - 特許庁

By the CVD method, a layer 8 whose main component is SiO_2 having 2% or less of an element ratio of N is formed on a base body 1 to obtain a substrate 10, and on the substrate, there are formed element electrodes 2, 3 and conductive film 4, and furthermore, a carbon film 6 is deposited by an activation treatment.例文帳に追加

基体1上にCVD法によって、Nの元素比率が2%以下であるSiO_2を主成分とする層8を形成して基板1とし、その上に素子電極2,3、導電性膜4を形成し、さらに、活性化処理によってカーボン膜6を堆積させる。 - 特許庁

A behavior selection control system in the robot device is provided with a situated behavior layer (SBL) capable of selecting a specific behavior out of a plurality of behavior and outputting it, and an AL calculation part 120 calculating an activation level (AL) indicating an execution priority of each behavior for selecting the behavior.例文帳に追加

ロボット装置における行動選択制御システムは、複数の行動から特定の行動を選択して出力可能な状況依存行動階層(SBL)を有し、行動選択のために、各行動の実行優先度を示す行動価値(AL)を算出するAL算出部120を有する。 - 特許庁

It follows that through an assisted activation of electron beam, without a special focusing mask, the high electric field region (figure not illustrated) is selectively formed in a gap insulating layer region 4 formed at the notch portion and it becomes possible that the electron is emitted solely from the formed high electric field region.例文帳に追加

この結果、電子線アシスト活性化により、特別な絞りマスクを用いずとも切り欠き部に形成されたギャップ絶縁層領域4の中に高電界領域(図不図示)を選択に形成し、形成されたこの高電界領域からのみ電子を放出させることが可能となった。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate, a hydrogen ion implantation layer is formed on the front surface of a first substrate as a single crystal silicon substrate, and surface activation processing is applied to at least any one of the surface of a second substrate as a transparent insulative substrate and the surface of the first substrate and both the substrates are laminated.例文帳に追加

単結晶シリコン基板である第1の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第2の基板の表面及び第1の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。 - 特許庁

In the electroless plating method on a conductor 2 and an activation preprocessing method, a nuclide 3 is dispersed in an electroless plating solution, and the nuclide 3 on the surface of which a conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is brought into contact with the conductor 2.例文帳に追加

無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3を、導電体2へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体2への無電解めっき方法及び活性化前処理方法である。 - 特許庁

Using a very thin carbon fiber and/or a very thin activated carbon fiber, with its specific surface being provided by an activation as the subsidiary conductive material in the electric double-layer capacitor lowers an internal resistance of an electrode by virtue of the network structure to improve a high output performance.例文帳に追加

電気二重層キャパシタにおいて、極細炭素繊維および/または極細炭素繊維を賦活により高比表面積化した極細活性炭素繊維を導電補助材として用いることで、そのネットワーク構造により電極の内部抵抗を低下させ、高出力性を向上させる。 - 特許庁

The carbon material for the electric double-layer capacitor electrode is obtained, in such a way that a raw material pitch whose softening point is 150 to 350°C, in which the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is 0.50 to 0.90 and whose optical anisotropy content is 50% or higher is heat- treated and activation-treated.例文帳に追加

軟化点が150〜350℃であり、炭素に対する水素の原子比(H/C)が0.50〜0.90であり、光学的異方性含有率が50%以上である原料ピッチを熱処理、賦活処理して得られることを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用炭素材料。 - 特許庁

Subsequently, in an annealing treatment process, an annealing treatment is carried out to the silicon oxide film (241a) under the temperature condition that a treatment temperature is set at a temperature of a distortion point of the glass substrate (210) or less, and at an annealing temperature of an activation temperature of a semiconductor layer to be formed on the glass substrate (210) or higher.例文帳に追加

次に、アニール処理工程では、ガラス基板(210)の歪み点温度以下であり、且つ、ガラス基板(210)上に形成されるべき半導体層の活性化温度以上の温度であるアニール温度に処理温度が設定された温度条件下で、シリコン酸化膜(241a)にアニール処理を施す。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation information providing system capable of coping with the needs of both a service provider and a learner and attaining the activation of the trade and the expansion of a learner layer by providing evaluation information mutually between the service provider and the learner.例文帳に追加

本発明の課題は、サービス提供者と学習者との相互間に評価情報の提供を可能にし、もって双方のニーズに対応することができると共に、業界の活性化と学習者層の拡大とを図ることができる評価情報提供システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜112を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第1領域と第2領域の表層部とに第2導電型の不純物を注入し第2の活性化処理を行い第2の不純物拡散領域110を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor in which a metal salicide layer is suitably formed on the surface of a gate electrode to realize low resistance of the gate electrode, related to the semiconductor device in which Ge is introduced to the gate electrode of a PMOS transistor to improve activation rate of B.例文帳に追加

PMOSトランジスタのゲート電極中にGeを導入してBの活性化率を高めた半導体装置において、ゲート電極の表面に金属サリサイド層を好適に形成してゲート電極の低抵抗化を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film for a hard coat which can form a two-stage curable hard coat layer through first, semicuring a coating film by irradiation with an activation energy beam and completely curing a semicured film by heat and fully displays the original hardness of a resin and is less costly, and an adhered of a hard coat film with the hard coat layer formed by attaching the film for a hard coat.例文帳に追加

活性エネルギー線の照射で半硬化し、その後の加熱により完全硬化する2段硬化型のハードコート層を形成することができるハードコート用フィルムであって、樹脂本来の硬度を十分に発揮させることができ、しかも安価なハードコート用フィルムと、このハードコート用フィルムを貼着してハードコート層を形成したハードコートフィルム被着体を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.例文帳に追加

平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁

When the magnetic recording medium is manufactured by successively film-depositing a magnetic recording layer and a hard film consisting essentially of carbon on one surface of a non-magnetic substrate 10 and further forming the lubricant layer, the hard film is subjected to a surface activation treatment by electrodes at at least two parts for performing the surface treatment using different kinds of discharge gases after the hard film is film-deposited.例文帳に追加

非磁性支持体10の一方の面上に、磁気記録層と、炭素を主成分とする硬質膜とを順次成膜し、さらに潤滑層を形成して磁気記録媒体を製造するに際し、硬質膜の成膜後に、夫々異なる種類の放電ガスを用いて表面処理を行うための、少なくとも2箇所の電極により、硬質膜の表面活性化処理を行う。 - 特許庁

When the function activation determination means determines that the display control means is a plurality of operations by the input means and any of functions is started by operation for the operation screen other than highest layer, the display control means includes object automatic generation means which generates an object representing operation button to start the function by one operation and arranges the object on the operation screen of the highest layer.例文帳に追加

前記表示制御手段は、前記入力手段による複数回の操作であって最上位層以外の操作画面に対する操作によっていずれかの機能が起動されたと前記機能起動判定手段により判定された場合、その機能を1回の操作で起動するための操作ボタンを表すオブジェクトを生成して最上位層の操作画面上に配置するオブジェクト自動生成手段を具備する。 - 特許庁

Further, in the electroless plating method on the conductor 2 and the activation preprocessing method, the nuclide 3 is dispersed in the electroless plating solution, the nuclide 3 on the surface of which the conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is dispersed, and the conductor 2 is immersed in the stirred plating solution.例文帳に追加

また、無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3が分散し、攪拌しているめっき液中へ、導電体2を浸漬することを特徴とする導電体2への無電解めっき方法及び活性化前処理方法。 - 特許庁

When the temperature of catalyst components do not reach an activation value (S1), separation of HC from the adsorption layer is started (S2), and a specified combustion conditions are effected in the exhaust passage (S3), additional fuel is injected from a fuel injection valve to a combustion chamber (S4).例文帳に追加

触媒成分が活性温度に達しておらず(S1)、吸着層からHCの脱離が開始され(S2)、しかも排気通路9内が所定の燃焼条件にあると判定された場合(S3)、膨張行程から排気行程の間に、燃料噴射弁から燃焼室へ追加燃料が噴射制御される(S4)。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has an electrode containing the alkaline-activation activated carbon of the graphite material and the organic electrolite in which a supporting electrolite is dissolved in a solvent containing chain carbonic acid ester or/and cyclic carbonic acid and aroma carboxilic acid ester, wherein the content of aroma carboxilic acid ester is made to be 50 or less weight% to all solvents.例文帳に追加

黒鉛質材のアルカリ賦活活性炭を含む電極と、鎖状炭酸エステル又は/及び環状炭酸エステルと芳香族カルボン酸エステルを含む溶媒に支持塩を溶解した有機電解液とを有し、芳香族カルボン酸エステルの含有量を全溶媒に対して50重量%以下とする。 - 特許庁

A copper component existing at a part within 20% of a thickness from the surface of the lithium metal film 2 is restricted to 5 atom% or less, by reducing a thermal load when forming the lithium metal film 2 of the negative electrode member, or by preliminarily forming a middle layer for preventing diffusion on the surface of the copper film 1 to restrain activation of the lithium.例文帳に追加

この部材のリチウム金属膜2の成膜時の熱負荷を低減するかまたは銅箔1の表面に予め拡散防止用の中間層を設けて膜2の表面からその膜2の膜厚の20%の範囲内における銅成分を5原子%以下となし、リチウムの活性化を抑制する。 - 特許庁

This catalytic apparatus is provided with a catalyzing part 1 having a catalyst layer deported on an electrically insulating substrate and an ultraviolet irradiating part 2 for irradiating the part 1 with ultraviolet rays for efficiently decomposing a malodorous substance or a toxic substance by enhancing the activation degree of a catalyst much more and making the power consumption very small.例文帳に追加

絶縁性基材上に設けた触媒層を有する触媒部1と、この触媒部1に紫外線を照射する紫外線照射部2とを備え、触媒の活性化度を一層高めて、悪臭物質あるいは有害物質を効率的に分解でき、消費電力が非常に少ない触媒装置としているものである。 - 特許庁

When the core part 94 is formed by selectively radiating an activation energy light beam or the like on a core layer 9 by using a mask 20, the positioning is performed by relatively moving the substrate 2 on which the element 1 has been mounted two dimensionally with respect to the mask 20 so that the point A of the mask 20 coincides with the position of the light emitting part 101.例文帳に追加

マスク20を用いてコア層9に活性エネルギー光線等を選択的に照射しコア部94を形成する場合、マスク20の箇所Aが発光部101の位置に一致するよう、素子1搭載済みの基板2をマスク20に対し2次元方向に相対的に移動して位置合わせする。 - 特許庁

However, since the photocatalyst-containing layer is continuously irradiated with ultraviolet rays until the hydrophilic agent is decomposed or flows down, the photocatalyst is activated during this period and, after the hydrophilic agent is decomposed or flows down, the hydrophilicity due to the activation of the original photocatalyst is developed and antistaining properties are succeedingly kept.例文帳に追加

しかしながら親水性剤が分解されたり流れ落ちるまで、光触媒含有層には紫外線が照射され続けられているので、この間に光触媒が活性化され、親水性剤が分解されたり流れ落ちた後は、本来の光触媒の活性化による親水性が発揮されて引き続き防汚性が維持される。 - 特許庁

In the selective electroless plating method on a conductor 2 and a selective activation preprocessing method, a nuclide 3 is dispersed in an electroless plating solution, and the nuclide 3 on the surface of which a conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is brought into intermittent contact with a body to be plated having the conductive body 2 on its surface.例文帳に追加

無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3を、表面に導電体2を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体2への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。 - 特許庁

To provide a thermally active label which cano discriminate that the label has been issued in the state with insufficient development of adhesiveness without sufficiently applying thermal activation energy to a thermally active adhesive layer in a printer, and can prevent the label from being stuck on a stuck object in the state with the insufficient development of adhesiveness.例文帳に追加

本発明は、プリンタにおいて熱活性粘着剤層に十分な熱活性エネルギーが印加されず、粘着性の発現が不十分な状態で発行されたことを識別することができ、粘着性の発現が不十分な状態で被貼付物に貼付されてしまうことを防止することができる熱活性ラベルを提供することを課題とする。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第1及び第2領域102,103が画定される半導体基板100に第1のゲート電極106と第2のゲート電極107とを形成し、第2のゲート電極をマスクとして第2領域表層部に第2導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第1の不純物拡散領域108を形成する。 - 特許庁

After forming a bonding part made of metal in a contour-like shape and etching (surface activation processing) the bonding part by plasma, by bonding objects to be bonded each other by pushing and breaking a deposition layer which re-adhered to the bonding part, a space formed by being surrounded in the contour-like shape by the bonding part between bonding surfaces can be sealed into a predetermined atmosphere.例文帳に追加

金属からなる接合部を輪郭状に形成し、該接合部をプラズマによりエッチング(表面活性化処理)した後、接合部に再付着した付着物層を押し破って被接合物どうしを接合することで、接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間を所定の雰囲気に封止することができる。 - 特許庁

Further, in the selective electroless plating method on the conductor 2 and the selective activation preprocessing method, the nuclide 3 is dispersed in the electroless plating solution, the nuclide 3 on the surface of which the conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is dispersed, and the body to be plated having the conductive body 2 on its surface is immersed in the stirred plating solution.例文帳に追加

また、無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体2を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体2への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 - 特許庁

例文

To provide a treatment method in which defects remaining/generated inside an injection layer are compensated/generated-suppressed by a method wherein, when valence electrons in a compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a process in which particles containing an element belonging to a larger group from among elements constituting the compound semiconductor are accelerated and irradiated is added.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体の価電子制御を行なう際、前記化合物半導体を構成する元素のうち大きな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで、注入層内に残留/生成される欠陥を補償/生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁




  
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