「Activation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Low activation precast concrete panels 11-13 manufactured beforehand from low activation concrete are assembled in a single layer or in a plurality of layers laminatedly, to thereby construct a low activation precast concrete layer 10 for enclosing the periphery of a cyclotron Cy which is a radiation source, and a reinforced concrete body 15 formed by cast-in-place of ordinary concrete is bonded on its outside.例文帳に追加

予め低放射化コンクリートで製造した低放射化プレキャストコンクリートパネル１１〜１３を、単層又は複数層積層して組み立てることによって、放射線発生源であるサイクロトロンＣｙの周囲を包囲する低放射化プレキャストコンクリート層１０を構築し、その外側に、通常のコンクリートの現場打ちによる鉄筋コンクリート躯体１５を接合する。 - 特許庁

A device 10 is a semiconductor light-emitting device in which a semiconductor activation layer 14 is sandwiched between electrodes 11 and 12, a DC voltage is applied between the electrodes 11 and 12, a carrier is injected, and light is emitted due to the recombination of the carrier in the semiconductor activation layer.例文帳に追加

半導体活性層１４を２つの電極１１，１２により挟設し、電極１１，１２間に直流電圧を印加することにより、キャリアを注入して半導体活性層におけるキャリアの再結合により発光する半導体発光装置１０である。 - 特許庁

After a protection film 7 which suppresses the outward diffusion of impurities included in a source layer 6a and a drain layer 6b is formed on the entire face of a semiconductor substrate 1, activation annealing of impurities introduced into the source layer 6a and the drain layer 6b is performed, thereby reducing a resistance in the source layer 6a and the drain layer 6b.例文帳に追加

ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに含まれる不純物の外方拡散を抑制する保護膜７を半導体基板１上の全面に形成してから、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに導入された不純物の活性化アニールを行うことにより、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂを低抵抗化する。 - 特許庁

A lower part electrode 5, an upper part electrode 7, a wiring layer 8, and/or an inter-layer insulating layer 9 comprise an anti-catalyst which reduces catalytic activation of metal or metal compound constituting the upper part/lower part electrodes 5 and 7.例文帳に追加

下部電極５、上部電極７、配線層８及び／又は層間絶縁層９が、上部／下部電極５，７を構成する金属又は金属化合物の触媒活性を低減する触媒毒を含む。 - 特許庁

Also, current flows in the n-type GaN spacer layer 16, the activation layer 18, and the p-type GaN spacer layer 20, and the current does not flow in the first reflection film 14 with relatively high electric resistance, thus providing superior electric characteristics.例文帳に追加

また、電流はｎ型ＧａＮスペーサ層１６、活性層１８、及びｐ型ＧａＮスペーサ層２０を流れ、電気抵抗の比較的に高い第１の反射膜１４を流れないので、優れた電気特性を提供する。 - 特許庁

To reduce the time until the temperature of a catalytic layer of a carbon monoxide removing device reaches the activation temperature in a fuel reforming device.例文帳に追加

燃料改質装置において、一酸化炭素除去装置の触媒層の活性温度に達するまでの時間を短縮する。 - 特許庁

The first getter layer 9a presents at least first 9a_1 and second 9a_2 getter areas which have different activation temperatures.例文帳に追加

第一ゲッタ層９ａは、異なる活性化温度を有する、少なくとも第一９ａ_１および第二９ａ_２ゲッタ領域を呈する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an ion injection step, a carbon layer formation step, an ion activation step, and a removal step.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。 - 特許庁

Mg diffuses in the n^--GaN layer 11 for activation when subjected to thermal treatment for three hours at 900°C in an ammonia atmosphere.例文帳に追加

次に、アンモニア雰囲気中で９００℃、３時間、熱処理を行うと、Ｍｇがｎ^- −ＧａＮ層１１中に拡散し、同時に活性化する。 - 特許庁

A process of forming at least one of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer includes a process of forming a film material layer of the layer and a process of arranging a mask having a predetermined pattern formed thereon at an interval between the mask and the film material layer, and imparting activation energy to the film material layer through the mask while introducing active gas to between the mask and film material layer.例文帳に追加

正孔輸送層、発光層および電子輸送層のうち少なくとも１つの層を形成する工程は、層の膜材料層を形成する工程と、膜材料層と間隔を隔てて所定のパターンが形成されたマスクを配置して、マスクと膜材料層との間に活性ガスを導入しながら、マスクを介して膜材料層に活性化エネルギーを付与する工程と、を有する。 - 特許庁

Otherwise, a catalytic activation reducing layer 12 containing the anti-catalyst is provided so as to cover at least a part of the surface of the lower part electrode 5, the upper part electrode 7, and the wiring layer 8.例文帳に追加

又は、下部電極５、上部電極７及び配線層８の表面の少なくとも一部を覆うように、上記触媒毒を含む触媒活性低減層１２を設ける。 - 特許庁

In the carbon layer removal step, the substrate to which the ion activation step is performed is heated at a temperature of 1500°C or more and 2300°C or less under an Si vapor pressure to remove the carbon layer.例文帳に追加

前記カーボン層除去工程では、前記イオン活性化工程が行われた前記基板を１５００℃以上２３００℃以下のＳｉ蒸気圧下で加熱して前記カーボン層を除去する。 - 特許庁

By making the recrystalized layer, the activation ratio of the p-type collector layer is improved and the injection efficiency of a positive hole is improved to secure satisfactory contact property of the low on voltage characteristic and a collector electrode.例文帳に追加

再結晶層とすることで、ｐコレクタ層の活性化率を高め、正孔の注入効率を高め低オン電圧特性と、コレクタ電極との良好なコンタクト性を確保する。 - 特許庁

When activation annealing is performed to a source region 14 and a drain region 15 of a polysilicon layer 11, the amount of hydrogen can be reduced in diffusing from the second gate insulating film 17 to a channel region 13 of the polysilicon layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン層11のソース領域14およびドレイン領域15の活性化アニールの際に、第２ゲート絶縁膜17からポリシリコン層11のチャネル領域13へと拡散する水素量を低減できる。 - 特許庁

To provide an electrode active material for an electric double-layer capacitor in which irreversible capacitance or internal resistance of the electrical double-layer capacitor is not increased even when electrolytic activation is performed.例文帳に追加

電解賦活を行った場合でも電気二重層キャパシタの不可逆容量や内部抵抗が増大しない、電気二重層キャパシタ用電極活物質を提供すること。 - 特許庁

In this case, it is desirable that thermal activation energy is 6-30 mj/mm^2 using a thermal head as a means for thermal activation of the thermosensitive adhesive material and that an intermediate layer containing a thermoplastic resin with a glass transition point of -10°C or below is provided between the active layer and the support.例文帳に追加

この場合、感熱性粘着材料の熱活性化手段としてはサーマルヘッドを用いて熱活性化エネルギーが６〜３０ｍＪ／ｍｍ^２とし、かつ、活性層と支持体との間にガラス転移点が−１０℃以下の熱可塑性樹脂を含有する中間層を設けることが好ましい。 - 特許庁

The relation between a product Ku1×V1 of a magnetic anisotropy constant Ku1 and activation volume V1 of the first free layer 15, and a product Ku2×V2 of a magnetic anisotropy constant Ku2 and activation volume V2 of the second free layer 13 satisfies Ku1×V1>Ku2×V2.例文帳に追加

そして、第１の自由層１５の磁気異方性定数Ｋｕ１と活性化体積Ｖ１との積Ｋｕ１×Ｖ１と、第２の自由層１３の磁気異方性定数Ｋｕ２と活性化堆積Ｖ２との積Ｋｕ２×Ｖ２との関係が、Ｋｕ１×Ｖ１＞Ｋｕ２×Ｖ２を満たす。 - 特許庁

The wiring circuit board 1 is obtained by preparing a support substrate 2 and a base insulating layer 3 respectively, bonding the reverse surface of the base insulating layer 3 having been subjected to activation processing to the support substrate 2 using laser light 9 after previously performing activation processing on the top surface of the base insulating layer 3, forming a conductor pattern 4 on the base insulating layer 3, and then removing the support substrate 2.例文帳に追加

支持基板２とベース絶縁層３とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層３の表面を、予め活性化処理した後、活性化処理されたベース絶縁層３の下面を、レーザー光９を用いて支持基板２と接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the electric activation rate of impurities and uses an impurity-doped layer deterring impurities from being diffused.例文帳に追加

不純物の電気的活性化率を向上させ、不純物の拡散を抑制した不純物ドープ層を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To safely, easily and surely perform thermal activation of a heat- sensitive adhesive layer of a heat-sensitive adhesive label with low energy consumption.例文帳に追加

感熱性粘着ラベルの感熱性粘着剤層の熱活性化を、安全に、容易に、確実に、少ないエネルギー消費量で行なえるようにする。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of surely executing a suspension process of an activation treatment for a catalyst layer of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の触媒層に対する活性化処理の中止処理を確実に行うことができる燃料電池システムを提供すること。 - 特許庁

An activated carbon for an electrode of an electric double-layer capacitor is manufactured by carrying out carbonization treatment and alkaline activation treatment one by one, using carbon material.例文帳に追加

炭素原料を用い，炭素化処理およびアルカリ賦活処理を順次行って電気二重層キャパシタの電極用活性炭を製造する。 - 特許庁

To suppress the generation of a trap in a gate insulating film upon forming a shallow bonding diffusion layer by activation through irradiation of short wavelength light.例文帳に追加

短波長光の照射による活性化により、浅接合の拡散層を形成する際の、ゲート絶縁膜中のトラップの発生を抑える。 - 特許庁

For example, when electroless copper plating is carried out, an attachment layer of Pd metal based catalyst formed by attaching Sn-Pd based catalyst usable as a catalyst to a copper layer, carrying out activation thereto is utilized as a metal nuclear particle attaching layer.例文帳に追加

例えば、無電解銅メッキの際、触媒として利用可能なＳｎ−Ｐｄ系触媒を付着し、活性処理を施すことで得られるＰｄ金属触媒の付着層を、金属核粒子付着層として利用する。 - 特許庁

Within the cathode electrode layer 2 and the anode electrode layer 5, based on the α disintegration of the actinoid system substance in the electromotive layer 3, electrons stored in the activation substance are excited, and electromotive force is generated accompanying this.例文帳に追加

正極電極層２と負極電極層５の間においては、起電層３内のアクチノイド系物質がα壊変するのに基づき、賦活物質に蓄電される電子が励起され、これにともない起電力が発生されることとなる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the gas barrier laminate obtained by laminating a metal layer or a metal oxide layer and an overcoat layer on a base material, the metal layer or the metal oxide layer is formed on the base material and its surface is subjected to activation treatment before the overcoat layer is provided.例文帳に追加

基材上に金属層または金属酸化物層およびオーバーコート層を積層したガスバリア性積層体の製造方法であって、基材上に金属層または金属酸化物層を形成し、該金属層または金属酸化物層の表面を活性化処理した後にオーバーコート層を設けることを特徴とするガスバリア性積層体の製造方法。 - 特許庁

When the inactivation of the layer 1 is detected, the layer 1 signal control part 24 is set, so that the activation of the layer 1 can be communicated when the layer is activated, and each part of the facsimile equipment 1 other than the layer 1 signal control part 24 is set in an energy saving mode, and finally a system controlling part 9 itself is turned into the energy saving mode.例文帳に追加

レイヤ１が非活性化であると、レイヤ１が活性化した際にその旨を通知させるようにレイヤ１信号制御部２４に設定した後、レイヤ１信号制御部２４以外のファクシミリ装置１の各部を省エネモードに設定して、最後に、システム制御部９自身が省エネモードに入る。 - 特許庁

The optical laminate 10 can be manufactured by a method for curing the composition layer by applying the activation energy rays from the polarizing plate 5 side in an arranged state of the composition layer.例文帳に追加

この光学積層体１０は、上記組成物の層が配置された状態で、偏光板５側から活性エネルギー線を照射してその組成物層を硬化させる方法により、製造できる。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device in which impurities, such as Li etc., with a high activation rate, are restrained from being diffused into an active layer whose main component elements are Zn and O so as to improve the active layer in characteristics.例文帳に追加

Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a poly-thin-film transistor which can bring a better effect in an annealing operation and an activation operation, by a method wherein a comparatively thin insulating layer is formed on a gate metal layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はゲート金属層上に比較的薄い絶縁層を形成し、 アニーリングと活性化の際によりよい効果をあげることができるポリ薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The stainproof printing base material has a photocatalytic activation layer 4 formed on one of the surfaces of an organic base material 2 through an activity barrier layer 3, with the other surface serving as a printing surface.例文帳に追加

有機基材２の一方の面に活性遮断層３を介して光触媒活性層４を有し、他方の面を印刷面とすることを特徴とする防汚性印刷用基材とした。 - 特許庁

The thermal insulation layer is disposed on one of the first surface and the second surface and is composed of an inorganic material, a thermal activation material, and a binder.例文帳に追加

断熱層は、第１表面および第２表面のうちの１つの上に配置され、無機材料、熱活性化材料およびバインダで構成される。 - 特許庁

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107).例文帳に追加

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定（Ｓ１０７）してもよい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because a deposition condition of the carbon cap 6 is a condition that does not roughen the surface of the processing object 8, the activation layer 11 without surface roughness can be obtained.例文帳に追加

カーボンキャップ６の成膜条件が処理対象物８の表面を荒らさない条件なので、表面荒れのない活性化層１１が得られる。 - 特許庁

In the method for manufacturing it, after the surface of the synthetic resin base is treated with the surface activation treatment, it is coated with a coating for forming the functional surface layer and is solidified.例文帳に追加

製造方法は、合成樹脂基体の表面を表面活性化処理した後、機能性表面層形成用塗料を塗布して固化させる。 - 特許庁

The sinusoidal wave function is used as an activation function of q pieces of neurons 31-3q structuring a third neuron group N3 included in an intermediate layer 3.例文帳に追加

また中間層３に含まれる第３のニューロン群Ｎ３を構成するｑ個のニューロン３１〜３ｑの活性化関数として正弦波関数を用いる。 - 特許庁

To suppress the activation of wasteful retransmission processing in a second layer network environment without changing the TCP/IP protocol stack, thereby preventing data transfer rates from decreasing.例文帳に追加

ＴＣＰ／ＩＰプロトコル・スタックを変更なしに、第２層ネットワーク環境における無駄な再送処理の起動を抑え、データ転送速度の低下を防ぐ。 - 特許庁

To provide a lead dioxide electrode, which improves the adhesion strength of an electrodeposited layer, facilitates the activation of electrolysis reaction, and stabilizes the reaction.例文帳に追加

電着層の密着強度を高めるとともに電気分解反応をより活性化し安定させることが可能な二酸化鉛電極を提供する。 - 特許庁

That is, an activation of the impurities and the removal of a defect in the layer 14 are simultaneously performed without damaging the substrate 10 due to the heat.例文帳に追加

すなわち、基板１０を熱により損傷することなく不純物の活性化と絶縁層１４中の欠陥の除去とが同時に行われる。 - 特許庁

Heat treatment for activation is performed under a state where the n^-type epitaxial layer 2, the source region 4 and the drain region 5 are covered with the silicon oxide film 6.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜６によってｎ^-型エピ層２、ソース領域４及びドレイン領域５を覆った状態で活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁

An activation solution L2 is injected selectively to regions where a thin resin layer 13 is formed on joint surfaces F of two substrates 10a and 10b.例文帳に追加

２枚の基板１０ａ，１０ｂの接合面Ｆに薄膜樹脂層１３が形成された領域に、選択的に活性化溶液Ｌ２を噴射する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero bipolar transistor, in which the activation rate of carbon added to a base layer as a p-type impurity is high.例文帳に追加

ベース層へｐ型不純物として添加した炭素の活性化率の高いヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the catalyst reaches activation temp. before the adsorption layer reaches desorption start temp., and after that, the desorbed hydrocarbon is surely treated.例文帳に追加

従って、吸着層が脱離開始温度に達する前に触媒層が活性温度に達し、その後脱離した炭化水素が確実に処理される。 - 特許庁