例文 (258件) |
Activation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 258件
Electroless plating S8 is performed on a surface of a glass substrate after successively performing at least an adhesion layer forming treatment S2 for forming an adhesion layer by using a silane coupling agent solution, a catalyst layer forming treatment S3, a catalyst activation treatment S4, and a drying treatment S7 to perform the chemical bond of the silane coupling agent of the adhesion layer on the surface of the glass substrate.例文帳に追加
ガラス基板表面に、少なくとも、シランカップリング剤溶液を用いて密着層を形成する密着層形成処理S2、触媒層形成処理S3、触媒活性化処理S4、及び前記密着層のシランカップリング剤をガラス基板表面に化学結合させる乾燥処理S7を順次施した後に、無電解めっきS8を施す。 - 特許庁
At least the ultraviolet ray irradiation S1, the etching S2, the adhesive layer deposition S3, the catalyst layer deposition S4, and the catalyst activation S5 are successively performed on the surface of a base formed of a glass material, and then the electroless plating S6 is performed thereon.例文帳に追加
ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、紫外線照射処理S1、エッチング処理S2、密着層形成処理S3、触媒層形成処理S4、及び触媒活性化処理S5を順次施した後に、無電解めっきS6を施す。 - 特許庁
To provide a single-layer carbon nanohorn adsorbent used as a novel functional material based on an SWNHs structure, not needing to be subjected to an activation treatment, and having a very high adsorption capacity, to provide a catalyst comprising single-layer carbon nanohorns, and to provide a catalyst carrier comprising the nanohorns.例文帳に追加
SWNHsの構造を基本とし、これまで未知の新しい機能材として、活性化処理が不要で、吸着容量の極めて大きな単層カーボンナノホーンの吸着材と、単層カーボンナノホーンの触媒および触媒担体を提供する。 - 特許庁
The fabrication process of an MOSFET as the semiconductor device comprises a wafer preparation step of preparing a wafer comprising silicon carbide, an anneal cap forming step of forming a cap layer comprising tantalum carbide or tungsten carbide on the wafer, and an activation anneal step of carrying out activation annealing by heating the wafer.例文帳に追加
半導体装置としてのMOSFETの製造方法は、炭化珪素からなるウェハを準備するウェハ準備工程と、ウェハ上に炭化タンタルまたは炭化タングステンからなるキャップ層を形成するアニールキャップ形成工程と、ウェハを加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。 - 特許庁
Silicate mineral powders, such as tourmaline with a self- polarizing characteristic is mixed as a radical activation substance into a catalysis layer of an electrode formed of an ion conductive substance, such as prfluorosulfonic acid polymer, an electron conductive substance such as carbon black, and a catalysit activation substance such as Pt catalysit.例文帳に追加
パーフルオロスルホン酸ポリマのようなイオン伝導性物質とカーボンブラックのような電子伝導性物質とPt触媒のような触媒活性物質からなる電極触媒層に、自己分極特性を有する電気石(トルマリン)のような珪酸塩鉱物粒子をラジカル活性化物質として配合する。 - 特許庁
To eliminate a step on the surface of an IR-ID media even when the size of an inlet of an individual piece shape is smaller than that of a layer for constituting the RF-ID media by allowing the deviation of the inlet from the layer to be suppressed when the inlet is adhered to the layer by using a thermal activation type adhesive.例文帳に追加
個片形状のインレットをRF−IDメディアを構成する層に熱活性型接着剤を用いて接着する場合に、インレットと層とのずれを抑制することができるとともに、インレットの大きさが層の大きさよりも小さな場合であっても、RF−IDメディアの表面に段差を生じさせない。 - 特許庁
Also, in the state of attaching a surface material forming a surface layer 20, post-heating is performed from 250°C to 830°C, and the activation of the getter 15 and the surface treatment of the constituting members are simultaneously performed.例文帳に追加
また、表面層20を形成する表面材を付着させた状態で、後加熱を250℃から830℃で行い、ゲッター15の活性化と構成部材の表面処理とを同時に行う。 - 特許庁
Therefore the n^+ type source region 4 is moved in the activation annealing step, in addition to the rounding processing of the trench 6, thereby an n-type high concentration layer is prevented from being formed on the bottom of the trench 6.例文帳に追加
これにより、トレンチ6の丸め処理時に加えて、活性化アニール工程の際にn^+型ソース領域4が移動することでトレンチ6の底部にn型高濃度層が形成されることを防止できる。 - 特許庁
To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加
アクティブ層のソース/ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁
Consequently, the oxygen storing and discharging power is enhanced and the purification rate is remarkedly increased as the catalyst coating layer is easily heated by the exhaust gas and reaches an activation temperature in a short time.例文帳に追加
したがって酸素吸蔵放出能が向上するとともに、排ガスにより触媒コート層が加熱されやすくなって短時間で活性化温度に到達するため、浄化率が格段に向上する。 - 特許庁
The film substrate 34, onto which the wiring pattern is formed, is peeled from the film carrier tape 64 by conducting the irradiation of ultraviolet rays and the irradiation or heating of activation energy rays to the adhesive layer 66.例文帳に追加
そして、粘着層66に対して、紫外線の照射、活性エネルギー線の照射、または加熱を行って、配線パターンが形成されたフィルム基板34をフィルムキャリアテープ64から剥離する。 - 特許庁
In a lithographic apparatus that transfers a pattern onto a substrate, the date and time of the activation of a software upgrade is compared with the date and time of exposure of a first layer of a substrate or a "lot" of substrates.例文帳に追加
基板にパターンを転写するリソグラフィ装置において、ソフトウェアアップグレードのアクティベーションの日付および時刻が、基板または基板の「ロット」の第1の層の露光の日付および時刻と比較される。 - 特許庁
To realize a heat activation method and device for a heat-sensitive pressure-sensitive adhesive sheet which can improve a reliability at the time of making adhesive a heat-sensitive pressure-sensitive adhesive layer, and to realize a printer equipped with the device.例文帳に追加
感熱性粘着剤層の粘着化を行う際の信頼性を向上させることのできる感熱性粘着シートの熱活性化方法および装置と該装置を備えたプリンタを実現する。 - 特許庁
The activation temperature is kept by heat produced by the electric resistance of a stainless steel with current used for the plating pre-treatment including the formation of the nickel layer to make the cost low.例文帳に追加
しかも前記活性化処理温度は前記ニッケル層の形成を含むめっき前処理で使用される電流とステンレス鋼材の電気抵抗による発熱により付与できるので低コストである。 - 特許庁
The electromotive layer 3 is mixed with a powder material of an active material containing actinoid system substance to generate radioactive ionization electrons and an activation substance to generate electric energy accompanying oxidation-reduction reaction, and this is coated in a thin-film shape on the cathode electrode layer 2.例文帳に追加
起電層3は放射性の電離電子を発生するアクチノイド系物質を含有する活物質の粉末材と、酸化還元反応を伴う電気エネルギを発生する賦活物質を混合し、これを正極電極層2に薄膜状に被着して構成される。 - 特許庁
The hydraulic transfer process includes (B1) a process to prepare the transfer sheet with the decorative layer of a specific curable resin, (B2) an activation process for the decorative layer and (B3) a hydraulic pressure application process to press the object M to which an image is transferred to the transfer sheet on a water surface in the order cited.例文帳に追加
水圧転写工程は、(B1)特定の硬化性樹脂の装飾層を持つ転写シートを用意する工程、(B2)装飾層の活性化工程、(B3)水面上の転写シートに被転写体を押圧する水圧印加工程をこの順に含む。 - 特許庁
The coating composition can provide enhanced resolution of a patterned overcoated photoresist layer and includes the use of a low-activation temperature thermal acid generator, as well as, multiple thermal treatment to process a layer of the underlying coating composition.例文帳に追加
本発明の好ましいコーティング組成物および方法は、パターン化されたオーバーコートしたフォトレジスト層の解像度の向上を提供することができ、下地のコーティング組成物の層を処理するため、多重の熱処理と共に低活性化温度熱酸発生剤の使用を含む。 - 特許庁
To provide an exhaust gas purifying catalyst which can be produced at lower cost than that of the conventional exhaust gas purifying catalyst provided with two-layer catalyst layer, which has an excellent exhaust gas purifying effect and which is capable of improving engine output and urging early activation of the catalyst.例文帳に追加
従来の二層の触媒層を設けた排ガス浄化触媒よりも低コストで製造することができ、排ガス浄化効果に優れるとともに、エンジン出力の向上や触媒の早期活性を促すことができる排ガス浄化触媒を提供する。 - 特許庁
Because the curable resin layer 4 has a thin thickness of 10-500 nm, radical species and active oxygen species produced by activation of the photocatalyst particles in the photocatalyst layer 3 by light permeating through the curable resin layer 4 are scattered through the curable resin layer 4 to the front face side to decompose a malodor component and an organic substance of a low molecular weight and demonstrate antibacterial/antifungal actions.例文帳に追加
硬化性樹脂層4の厚さが10〜500nmと薄いため、硬化性樹脂層4を透過した光により光触媒層3の光触媒粒子が活性化されて発生するラジカル種や活性酸素種などが、薄い硬化性樹脂層4を越えて表面側へ飛散し、悪臭成分や低分子量有機物の分解作用、抗菌・防黴作用などを行う。 - 特許庁
To provide a miniaturized device which suppresses short channel effects by forming a channel doped layer so as to have steep dopant-concentration profiles and have a shallow junction, and maintains large driving force by the channel doped layer having a sufficient activation concentration and a low resistance.例文帳に追加
チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁
To suppress a short channel effect by sharply and shallowly junction impurity concentration profiles in a channel-diffusion layer and to realize a microfabricated device that maintains high drive power by the channel-diffusion layer of low resistance with full activation density.例文帳に追加
チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁
Surfaces of the high-resistance SiC layer 2, p-type well region 3, and source region 6 are in smooth conditions by impurity-activation annealing with a carbon film that has been deposited or MCP, and the surface of the channel layer 5x that is subsequently grown by epitaxy is further smoothed.例文帳に追加
高抵抗SiC層2とpウェル領域3とソース領域6の表面は、カーボン膜を堆積した状態での不純物の活性化アニールやMCPによって平滑な状態にあり、その後エピタキシャル成長されたチャネル層5xの表面はさらに平滑化されている。 - 特許庁
When an activation switch SW0 of a first circuit A is closed, a power supply 16 applies voltage E1 between a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4, and a free end 10B of an actuator body 10 is deformed upward to set the key 11 at a protruding state.例文帳に追加
第1回路Aの起動スイッチSW0を閉じると、電源16から第1の電極層3と第2の電極層4との間に電圧E1が印加され、アクチュエータ本体10の自由端10Bが上方に変形してキー11を突出状態に設定する。 - 特許庁
To provide a method for growing a low-resistance p-type nitride semiconductor without reducing the crystal quality of an active layer, and without requiring activation treatment, such as annealing treatment, even if the In molar fraction of InGaN that is the active layer is high.例文帳に追加
活性層であるInGaNのInモル分率が高い場合でも、その上に、活性層の結晶品質を低下させることなく、かつアニーリング処理等の活性化処理を必要とすることなく、低抵抗のp型窒化物半導体を成長させることができる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated.例文帳に追加
本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。 - 特許庁
This light/heavy laminated material 20 is constituted by laminating the low specific gravity layer 24 and the high specific gravity layer 23 and manufactured by applying activation treatment to the surfaces of both of the low and high specific gravity layers and bringing the treated surfaces of both layers into contact with each other in a superposed state to laminate and join them.例文帳に追加
低比重層24と高比重層23とを積層してなる軽重積層材20であって、軽重積層材20の少なくとも1つの接合面を、接合されるそれぞれの面を活性化処理して当接し、重ね合わせて積層接合して軽重積層材20を製造する。 - 特許庁
Facsimile equipment checks whether or not a D channel frame is received by a D-channel transmission control part 23 in a waiting state, and when the D-channel frame is not received within a normal time, the facsimile equipment determines which state of the activation/inactivation of a layer 1 is detected by a layer 1 signal control part 24.例文帳に追加
ファクシミリ装置1は、待機中、Dチャネル伝送制御部23がDチャネルフレームを受信したかチェックし、Dチャネルフレームを規定時間内に受信しないと、レイヤ1信号制御部24がレイヤ1の活性化/非活性化のいずれの状態を検出しているか判別する。 - 特許庁
In the method of producing a carbon material for an electric double layer capacitor electrode, a pitch obtained by polymerizing condensed polycyclic hydrocarbon or a substance comprising the same in the presence of hydrogen fluoride-boron trifluoride is heat-treated, and is next subjected to activation treatment at 500 to 700°C using an activation agent comprising ≥70 wt.% sodium hydroxide.例文帳に追加
縮合多環式炭化水素またはこれを含有する物質を弗化水素・三弗化硼素の存在下で重合させて得られたピッチを熱処理し、次いで水酸化ナトリウムを70重量%以上含む賦活剤を用いて500〜700℃で賦活処理することを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用炭素材料の製造方法。 - 特許庁
In the heat activation method for making the heat-sensitive pressure-sensitive adhesive layer formed on the heat-sensitive pressure-sensitive adhesive sheet sticky, a different heat energy is applied according to a position of the sheet.例文帳に追加
感熱性粘着シートに形成された感熱性粘着剤層に粘着性を発現させるための熱活性化方法であって、 前記感熱性粘着シートの位置に応じて異なる熱エネルギーを印加する。 - 特許庁
To provide an FBAR (film bulk acoustic resonator) element, having an improved insertion loss characteristics by forming an insulating layer on a silicon substrate, to prevent a signal generated in an activation area from being transmitted to the substrate.例文帳に追加
本発明は、シリコン基板上に絶縁層を形成して活性化領域から発生する信号が基板に伝わるのを遮断することにより挿入損失特性を改善したFBAR素子を提供する。 - 特許庁
In a layer below the TCP/IP on the data transmission side (ACK receiving side), a plurality of received duplicate ACKs are put together into one before being notified to the TCP/IP, thereby suppressing the activation of wasteful retransmission processing.例文帳に追加
データ送信側(ACK受信側)のTCP/IPより下のレイヤーで、受信した複数のDuplicate ACKを1つにまとめて、TCP/IPに通知し、無駄な再送処理の起動を抑える。 - 特許庁
If a photocatalyst-containing layer is formed on the surface H of a lower frame material 1, the surface becomes hydrophilic by activation of the photocatalyst, so that a pollutant hardly attaches thereto and is easily cleaned by rain water.例文帳に追加
下枠材1の表面Hに光触媒含有層を形成すれば、光触媒の活性化作用によりその表面は親水化されて、汚染物質が付着しにくく且つ雨水により容易に洗浄される。 - 特許庁
The monotone function is used as an activation function of a first neuron group N1 and 2r pieces of neurons 11-1r and 21-2R structuring a second neuron group N2 included in an input layer 1 of the recurrent neural network.例文帳に追加
このリカレントニューラルネットワークの入力層1に含まれる第1のニューロン群N1と第2のニューロン群N2とを構成する2r個のニューロン11〜1rと21〜2Rの活性化関数として単調関数を用いる。 - 特許庁
Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加
このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマCVDを用いて原子比率がSi_0.03_〜_0.25C_0.30_〜_0.75H_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁
To provide a method for the production of a porous carbon material having high electrical capacitance and high energy density and suitable as an electrode material for an electric double layer capacitor by an industrially applicable alkali activation method.例文帳に追加
アルカリ賦活法により工業的にも実施しうる方法であり、電気二重層キャパシタ用電極材料として好適な、静電容量が高く、高エネルギー密度の多孔質炭素材料を得る方法の提供。 - 特許庁
This photocatalytic activation device 100 comprises a photocatalytic layer 10 which is composed of a photocatalytic material or supports a photocatalytic material, an excitation light source 12 which can shine light for activating the photocatalytic material of the photocatalytic layer 10, and a heating means 16 for heating the contact surface between the photocatalytic layer 10 and a gas to be treated.例文帳に追加
光触媒活性化装置100は、光触媒物質よりなる又は光触媒物質を担持した光触媒層10と、光触媒層10の光触媒物質を活性化させるための光を照射可能な励起光源12と、光触媒層10と処理対象のガスとの接触面を加熱するための加熱手段16を備える。 - 特許庁
To solve the problem that characteristics of a switching element (TFT) receive an adverse effect when the film thickness of an activation layer is made large in order to increase sensitivity of an photosensor element when the switching element and the photosensor element are formed on the same substrate.例文帳に追加
同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子(TFT)の特性に悪影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁
To provide a composition being excellent in activation-energy-beam- curing properties and used for forming an ink-jet ink receiving layer which is obtained by curing the composition and constitutes an information recording medium excellent in any of ink fixing properties, water resistance and coat strength.例文帳に追加
硬化して得られた受容層がインク定着性、耐水性、塗膜強度のいずれにも優れる情報記録媒体となる、活性エネルギー線硬化性に優れた、インクジェットインキ受容層を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a raw-material coal composition to form an electric double-layer capacitor which simultaneously attain high level electrostatic capacitance and internal resistance by sufficiently increasing a specific area of an electrode material after the activation process.例文帳に追加
賦活処理後の電極材の比表面積を十分に増加せしめ、高水準の静電容量と内部抵抗とが同時に達成された電気二重層キャパシタを製造することが可能な原料炭組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor device capable of generating a high density laser light required for crystallization of a semiconductor layer or activation of impurities while reducing the size of a lens group disposed at the outlet of optical fibers.例文帳に追加
光ファイバの出口に設けられるレンズ群の小型化を図りながら、半導体層の結晶化や不純物の活性化などに必要な高密度のレーザ光を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
By performing annealing treatment for the activation of impurities at a low temperature (500 to 650°C), the impurities in the crystal disturbed layer is activated, but the impurities at positions deeper than this are not activated.例文帳に追加
不純物を活性化させるためのアニール処理の条件を低温(500℃〜650℃)にすることによって、結晶状態が乱された領域内の不純物は活性化するが、それより深い位置にある不純物は活性化しない。 - 特許庁
To provide a semiconductor element which has a p-type group III nitride-based compound semiconductor layer of low resistance with an improved activation rate of p-type dopant and is superior in stability and durability of operation, and to provide its manufacturing method at a low cost.例文帳に追加
p型ドーパントの活性化率が向上した低抵抗のp型III族窒化物半導体層を有する、動作の安定性と耐久性とに優れた、半導体素子及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁
Accumulation quantity of deposit accumulated on the injection hole 8a is estimated and operation conditions of the internal combustion engine 2 are changed to accelerate activation of the photocatalyst layer 20 under a condition where the accumulation quantity is larger than predetermined quantity.例文帳に追加
この噴口8aに堆積したデポジットの堆積量を推定し、同堆積量が所定量よりも多いことを条件に光触媒層20の活性化が促進されるように内燃機関2の運転状態を変更する。 - 特許庁
The electric double layer capacitor has an electrode formed using a porous carbon material obtained by heat treating an easy graphitization carbon material together with carbonic acid alkali salt, and field activation is carried out after assembling the cells.例文帳に追加
電気二重層キャパシタは、易黒鉛化性炭素材料を炭酸アルカリ塩とともに熱処理して得られる多孔質炭素材を電極材料に用いて形成した電極を有し、セル組み立て後に電界賦活したものである。 - 特許庁
To provide a treatment method in which when valence electrons in a first compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a defect remaining/generated inside an injection layer is compensated/generation- suppressed by adding a process in which a second compound semiconductor layer is laminated on a first compound semiconductor layer irradiated with the particles.例文帳に追加
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって第1の化合物半導体の価電子制御を行なう際、注入層内に残留/生成される欠陥を前記粒子照射された第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体層を積層する工程を付加することで補償/生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ink for a fuel cell catalyst layer and its manufacturing method, and furthermore, a membrane electrode assembly formed by using the ink and the manufacturing method wherein in a solid polymer fuel cell, the surface area of the catalyst layer is increased, and it is possible that the feed rate of oxygen to a reaction site is improved, and that the catalyst layer of a small activation overvoltage is fabricated.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池において、触媒層の表面積を大きくし、反応サイトへの酸素の供給速度を向上させ、活性化過電圧の小さな触媒層を作製することが可能な燃料電池触媒層用インク及びその製造方法、さらに該インク及び製造方法を用いて形成した燃料電池用膜電極接合体を提供する。 - 特許庁
The pretreatment liquid 7 to be supplied onto a wafer W before electroless plating is an aqueous solution dissolving an activation accelerator therein for promoting an oxidation decomposition reaction of a reducing agent in an electroless plating liquid 9, and an oxidized layer-removing agent therein for removing an oxidized layer formed on the surface of a wired part 4a.例文帳に追加
無電解メッキを行う前にウェハW上に供給する前処理液7は、無電解メッキ液9の還元剤の酸化分解反応を促進させるための活性化促進剤と、配線部4aの表面に形成された酸化層を除去するための酸化層除去剤とを溶解させた水溶液である。 - 特許庁
When the temperature of the catalytic layer of the carbon monoxide removing device (3) is equal to or below a prescribed temperature, a mixed gas obtained by mixing the reforming gas, the high temperature gas with the oxidizing agent is supplied to the carbon monoxide removing device (3) to reduce the time until the temperature of the catalytic layer of the carbon monoxide removing device (3) reaches the activation temperature.例文帳に追加
一酸化炭素除去装置(3)の触媒層の温度が所定温度以下の場合に、改質ガスと高温ガスと酸化剤を混合した混合ガスを一酸化炭素除去装置(3)に供給するので、一酸化炭素除去装置(3)の触媒層の活性温度に達するまでの時間を短縮することができる。 - 特許庁
Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加
次いで第1のスペーサ膜を除去し、第1のゲート電極をマスクとして第1領域の表層部に第2導電型の不純物を注入した後第3の活性化処理を行い、第3の不純物拡散領域111を形成する。 - 特許庁
In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region.例文帳に追加
このIII族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層18は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのp型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。 - 特許庁
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