「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the reproduced main image is displayed on the display region R1, and the preceding and succeeding images are displayed with reduction to the right side (display regions R2, R3, R4) as shown in Fig.(b), (c).例文帳に追加

また、表示領域Ｒ１に再生した本画像を表示し、その前後の画像を右側（表示領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４）に縮小表示することもできる（図８（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁

The coins C conveyed upward by the belt means 58 are discriminated by a discrimination part 65, distributed to the upper region 57b side of the coin storing space part 57 by a distribution means 66, and stored on the shutter 70.例文帳に追加

ベルト手段58で上方へ搬送する硬貨Ｃを、識別部65で識別するとともに、振分手段66で硬貨収納空間部57の上部域57b側へ振り分けてシャッタ70上に貯留させる。 - 特許庁

The width of a connection terminal 25 of a flexible substrate 3, that is electrically connected to the external terminal 18 of a liquid crystal panel 2, is made substantially equal, without providing a reinforcing part 26 in an overlapping region C.例文帳に追加

重なる領域Ｃ内に補強部２６を設けずに、液晶パネル２の外部用端子１８に電気的に接続されるフレキシブル基板３の接続用端子２５の幅を略等しくした。 - 特許庁

The second antennal part 15A has a C type shape in which a center non--film-forming region R5 of an inner peripheral side and an annular slot 6B are coupled by a notch part 15a of the non-film-forming part.例文帳に追加

第２アンテナ部１５Ａは、内周側の中心非成膜領域Ｒ５と環状スロット６Ｂとが、非成膜部の切り欠き部１５ａでつながるＣ字型の形状である。 - 特許庁

The irradiation range is a region surrounded by the innermost side (light emitting element 2 side) surface (a), the outermost side surface (b), the uppermost side surface (c), and the lowermost side surface (d).例文帳に追加

この照射範囲は、最も内方側（受光素子２側）の面ａと、最も外方側の面ｂと、最も上方側の面ｃと、最も下方側の面ｄとで囲まれた領域である。 - 特許庁

A suction hole 50 is formed in a region T mounted with the chip C of the front surface of the base 30, and the suction hole 50 communicates with the suction groove 41 through the base 30.例文帳に追加

基台３０の表面のチップＣが載置される領域Ｔには吸引孔５０が形成され、吸引孔５０は基台３０を貫通して吸引溝４１に連通している。 - 特許庁

As a beam confinement (GUN) aperture 2-3, W aperture is used, and about 25 mg of Ga (melting point 30°C) is put on the surface of a part overhanging a beam irradiation region 7-1 (Ga basin 10).例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁

In this label printer, when 0 is displayed on a label amt. display column (c), the entire region in the commodity price display space of label paper or only the amt. portion therein is made blank.例文帳に追加

このラベルプリンタでは、ラベル金額表示欄ｃに０を表示させると、ラベル用紙の商品価格表示スペース内の全域又は金額部分だけを空白にするようにした。 - 特許庁

In a shift lever device 10, when the shift lever 18 is operated from a C position to an N position, a pusher 24 is slid in a select sliding region 38A of a clicking portion 36 by energizing force.例文帳に追加

シフトレバー装置１０では、シフトレバー１８がＣ位置からＮ位置へ操作される際に、プッシャ２４が付勢力によって節度部３６のセレクト摺動領域３８Ａを摺動される。 - 特許庁

On a principal surface 2 (reference face) of a wiring board 1, a class specification region 3 is formed while including four digits of space for disposing elements (R, C and the like), constituting circuit mount components.例文帳に追加

配線基板１の主表面２（基準となる面）において、回路実装部品を構成する素子（Ｒ，Ｃ等）の配置スペースを４桁含む種別特定領域３を形成してある。 - 特許庁

Pores 417 formed on an end region 425 of a porous plate 41 forming a pathway surface of the conveying pathway for conveying the powder and granular material are directed outward with respect to a centerline C.例文帳に追加

粉粒体を搬送する搬送路の路面を形成する多孔板４１の端部領域４２５に形成された孔４１７は、中心線Ｃを中心として外側に向いている。 - 特許庁

After that, when the liquid supply nozzle 650 moves toward the outside again, a dry region R1 with no rinse liquids is expanded on the substrate W with the dry core C as a starting point.例文帳に追加

その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 - 特許庁

Next, after the substrate 1 is rinsed with water, it is heated at 80-100°C for 5 to 10 minutes, to harden the semi-photoset region 2b of the photosensitive conductive paste 2 (hardening step).例文帳に追加

次に、基板１を水洗した後、基板１を８０〜１００℃の温度で５〜１０分間熱処理し、感光性導電ペースト２の光半硬化エリア２ｂを硬化させる（硬化工程）。 - 特許庁

If the current value is the set value B for small current region discrimination or less, the set value C is set by multiplying the set value A by a sensitivity reduction rate D (for example, a numeric value 2) (S24).例文帳に追加

電流値が低電流領域判定の設定値Ｂ以下のとき、設定値Ａに感度低減率Ｄ（例えば数値２）を乗じて設定値Ｃとして設定する（Ｓ２４）。 - 特許庁

To provide a nonconductive film-shaped adhesive enabling a semiconductor device to be mounted on a wiring board in a low-temperature region of ≤100°C at which the warp of the board is not caused, and having higher moisture-resistant reliability.例文帳に追加

基板反りの発生しない100℃以下の低温領域で半導体素子を配線基板へ搭載可能にし、耐湿信頼性がより高い絶縁性フィルム状接着剤を提供する。 - 特許庁

Next, the region C corresponding to a inflection point A becoming the boundary between heat stress on a tensile side and heat stress on a compression side yielded in the material by the irradiation with the respective laser beams is cooled.例文帳に追加

次に、各レーザビームの照射により材料内部に生じる引張側熱応力および圧縮側熱応力の境界となる変曲点Ａに対応した部位Ｃを冷却する。 - 特許庁

An LC resonance circuit is easily constituted with floating capacity C of the pad which is arranged in a free region and electrically open and L of the wire bonding that enables three-dimensional mounting to be carried out.例文帳に追加

空き領域に配置された電気的にオープンなパッドの浮遊容量Ｃと３次元的実装を可能とするワイヤボンディングのＬにて、ＬＣ共振回路を容易に構成する。 - 特許庁

The recess C is provided in a planar shape corresponding to the shape of a pattern P1 formed in the semiconductor wafer W, and an adhesive region to the semiconductor wafer W is secured widely.例文帳に追加

凹部Ｃは、半導体ウエハＷに形成されたパターンＰ１形状に対応した平面形状に設けられ、半導体ウエハＷとの接着領域を広く確保することができる。 - 特許庁

A rear fringe part 18r of a preceding paper sheet 18 is deviated from a feed face of a front fringe part 20v of a following paper sheet 20 in the transfer region C to overlap the papers 18 and 20.例文帳に追加

用紙１８,２０を重なり合わせるために、移転領域Ｃ内で先行用紙１８の後縁部１８ｒが後続用紙２０の前縁部２０ｖの給送面から逸らされる。 - 特許庁

To produce more inexpensive ferritic stainless steel in which the average temp. coefficient of sufficient electric resistance and oxidation resistance excellent even in the temp. region of >1000°C are simultaneously realized.例文帳に追加

十分な電気抵抗の平均温度係数と、１０００℃を超える温度領域でも優れた耐酸化性を同時に実現させ、更に安価なフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

After that, the low-concentration region (604a) implanted with impurities is subjected to heat treatment at about 300°C for about 1 hour in a nitrogen atmosphere, and thereby the impurities are activated.例文帳に追加

しかる後に、不純物を打ち込んだ低濃度領域（６０４ａ）を窒素雰囲気中で温度が約３００℃の条件で約１時間の熱処理を行なって、不純物を活性化する。 - 特許庁

When the cost of a data component 531i (i=A-C) in an element component group in the region 53, the editor creates program definition information set for the data component corresponding to the cost.例文帳に追加

エディタは、領域５３上の要素部品群中のデータ部品５３１ｉ（ｉ＝Ａ〜Ｃ）のコストが指定されると、そのコストが対応するデータ部品に設定されたプログラム定義情報を生成する。 - 特許庁

To provide a highly accurate low-resistive chip resistor where a TCR is within ±50 ppm/°C in a mass-producible 50 mΩ to 1 Ω resistance value region, and to provide a method for manufacturing the resistor.例文帳に追加

量産可能な５０ｍΩ〜１Ωの抵抗値領域においてＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内の高精度な低抵抗のチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The device has a conductive layer 13 formed in a separated layer from a wiring line 10 and placed below a division region C, and a first contact hole 12A and a second contact hole 12B.例文帳に追加

配線１０とは別の層で形成されると共に、分断領域Ｃの下に配置された導電層１３と、第１のコンタクトホール１２Ａと、第２のコンタクトホール１２Ｂと、を有する。 - 特許庁

To provide porous hardened concrete free from a trouble of losing strength by freezing and thawing even in an area (a cold region, a snowy area) where a temperature goes down below 0°C in winter.例文帳に追加

冬期の気温が０℃以下に下がる地域（寒冷地、降雪地域等）においても、凍結融解によって強度が低下することのないようなポーラスコンクリート硬化体を提供する。 - 特許庁

A lifting and lowering member 22 is installed so as to enable vertical movement onto the side of a region in which a container 16b for reagent, and the like, in a casing C of a feeder of the reagent, and the like, is installed.例文帳に追加

試薬等供給装置のケーシングＣ内の、試薬等容器１６ｂが配置される領域の側方に、上下方向に移動可能にして昇降部材２２を設ける。 - 特許庁

A W aperture is used as a beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga (with a melting point of 30°C) of around 25 mg is put on a surface of a part covering a beam irradiation region 7-1 (Ga pool 10).例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁

When primary transfer is carried out to the intermediate transfer body 1, the soil at detachment and the soil at attachment on the intermediate transfer body are controlled so as not to overlap with an image region ((C) to (E)).例文帳に追加

中間転写体に１次転写が行われる場合には、中間転写体上の脱時および着時汚れは、画像領域とは重ならないように制御する（（Ｃ）〜（Ｅ））。 - 特許庁

As this result, only the region irradiated with the laser beam 11 of the film 2 is selectively etched and an etching pattern of 3×3 mm square consisting of the film 2 is formed (c).例文帳に追加

この結果、ＸｅＣｌエキシマレーザ光１１が照射された領域のみのＩＴＯ膜２が選択的にエッチングされて、ＩＴＯ膜２の３ｍｍ角のエッチングパターンを形成する（（ｃ））。 - 特許庁

To provide an oxygen storage material which consists of a multi- component oxide of ceria and zirconia, develops high OSC from a low- temperature region near 200°C and can suppress the reaction with SOx.例文帳に追加

セリア−ジルコニア複合酸化物からなる酸素貯蔵材において、 200℃近傍の低温域から高い OSCを発現し、しかも硫黄酸化物との反応を抑制できる酸素貯蔵材とする。 - 特許庁

A laser control circuit 120 adjusts the intensity of the laser light emitted by the laser based on the laser light intensity detected in the regions E to G disposed on the periphery of the region C.例文帳に追加

レーザ制御回路１２０は、領域Ｃの周辺に配置された領域Ｅ〜Ｇで検出されたレーザ光強度に基づいて、レーザの出射するレーザ光の強度を調整する。 - 特許庁

The optical deflector 142 includes a mirror and a piezoelectric actuator rotationally driving the mirror so as to be able to scan the whole of the coordinate region C by the laser beam from the light source 31.例文帳に追加

光偏向器１４２は、ミラーと、座標領域Ｃの全領域に対して光源３１からのレーザ光で走査可能にミラーを回転駆動する圧電アクチュエータとで構成される。 - 特許庁

To provide a method for separating fullerenes capable of separating a specific fullerene from a fullerene mixture simply at low cost, and in a high yield in an ordinary temperature region of about 10-30°C.例文帳に追加

フラーレン混合物から特定のフラーレンを簡便かつ低コストで、しかも、１０〜３０℃程度の常温域において高い収率で分離可能なフラーレンの分離方法を提供する。 - 特許庁

This photo-catalytic film having ≤1.75 refractive index is produced by irradiating a raw material containing a thermally pre-polymerized silicone alkoxide polymer with ultraviolet light in an UV-C region.例文帳に追加

熱的にプレ重合したシリコンアルコキシド重合体を含んでなる原料に、ＵＶ−Ｃ領域の紫外線照射し硬化して、屈折率１．７５以下の光触媒性被膜を作製する。 - 特許庁

Thereafter, the movable electrode 2 and the dielectric layer 3 (movable electrode 1) are being contacted sequentially from the contacting section to the circumferential section and a contacting region is gradually spreading (c).例文帳に追加

その後、その接触部分から順に周縁部側に向かって可動電極２と誘電体層３（可動電極１）とが接触していき、接触領域が徐々に広がっていく（ｃ）。 - 特許庁

Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14.例文帳に追加

無欠陥層１３内の底部付近に、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域１４を形成する。 - 特許庁

To provide a structure for high temperature service in which creep deformation in a medium-temperature low-stress region (temperature range of about 450 to 550°C, stress range of about 10 kg/mm^2 or below) is decreased.例文帳に追加

中温低応力域（温度範囲：約４５０〜５５０℃、応力範囲：約１０kg／mm^２以下）におけるクリープ変形が低減された高温用構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The test data generation device sets simulated documents 1 to 1000, and a simulated word a, word b and word c, and sets a total value of the word frequency of each word in a region 61A in a table 61.例文帳に追加

模擬的な文書１〜１０００と、模擬的な単語ａ、単語ｂ、単語ｃが設定され、各々の単語について、単語頻度の合計値がテーブル６１の領域６１Ａに設定される。 - 特許庁

To provide a higher alcohol type emulsion defoaming agent composition having more excellent initial foam breaking properties and foam suppression lasting properties even at a water temperature of a high temperature region exceeding 40°C.例文帳に追加

４０℃を越えるような高温域の水温でも、より優れた初期破泡性および抑泡持続性を持つ高級アルコール系エマルション消泡剤組成物を提供することにある。 - 特許庁

The control voltage is changed along a straight line (c) and a straight line (d) having different slopes, corresponding to temperature changes, in a region on the side of temperatures higher than the vertex temperature Tp.例文帳に追加

制御電圧は、頂点温度Ｔｐに対して高温側の領域において、温度の変化に対応させて勾配の異なる直線ａと直線ｂとに沿って変化させる。 - 特許庁

To provide a solid polymer fuel cell capable of operating in a middle temperature region (100-200°C) and decreasing internal resistance to proton transfer.例文帳に追加

中温領域（１００℃〜２００℃）での運転を可能にすると共に、プロトン移動に対する内部抵抗を小さく抑えられるようにした固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

To automatically track a target object in a low electric field region in which a receiving electric field of a primary emitter for tracking is not more than a value of thermal noise C/N even if a digital modulation system is used.例文帳に追加

デジタル変調方式を用いても追尾用一次輻射器の受信電界が熱雑音Ｃ／Ｎ値以下の低電界領域において目標物体を自動追尾する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is formed by a lateral selection growth anisotropic in a positive-c axis direction so as to cover the masks 65 from a region between the masks 65.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、マスク６０の間の領域から当該マスクを覆うように、＋ｃ軸方向への異方的な横方向選択成長によって形成されたものである。 - 特許庁

Dislocations are collected into the region H25 to reduce dislocations in the surrounding low defect single crystal region Z and the C-plane growth region.例文帳に追加

下地基板２１の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセット２６よりなる直線状のＶ溝（谷）２４を形成しこれを維持しながらＧａＮ２２をファセット成長させファセット面２６よりなるＶ溝（谷）底部に欠陥集合領域Ｈ２５を形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ＺとＣ面成長領域を低転位化する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is configured, with a charge capture film 5 being arranged, composed of the sequential lamination of a gate oxide film 11, silicon nitride film 12, silicon oxide film 13, silicon nitride film 14, silicon oxide film 15, silicon nitride film 16, and silicon oxide film 17, between a channel region C located between a source region 3 and drain region 4, and a gate electrode 6.例文帳に追加

ソース領域３−ドレイン領域４間のチャネル領域Ｃとゲート電極６との間に、ゲート酸化膜１１、シリコン窒化膜１２、シリコン酸化膜１３、シリコン窒化膜１４、シリコン酸化膜１５、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸化膜１７が順次積層されてなる電荷捕獲膜５が配されて半導体記憶装置が構成される。 - 特許庁