「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The C-shaped knitted region 2 at one side is formed by forming an empty needle at a right edge with a position of stitch needle which engages with a stitch row being shifted to a left side while repetitively forming stitches at the empty needle for the attachment of the region 2 with the cylindrical knitted region 3 in the process of forming a stitch row of the subsequent course.例文帳に追加

一方側Ｃ字編成領域２は、編目列を係止する編針の位置を左側に寄せて右端に空針を設けながら、次のコースの編目列の編成で空針に筒状編成領域３との接合用の編目を形成することを繰返して編成する。 - 特許庁

Further, the plurality of insulating columns 22a to 22d are positioned in a region B different from an arrangement region A of the semiconductor element 10, and arranged at irregular intervals (a) and (b) in a rotating direction of the semiconductor element 10 in a region C which comes into contact with the semiconductor element 10 when the semiconductor element 10 rotates.例文帳に追加

また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の配置領域Ａと異なる領域Ｂに位置し、且つ、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔ａ，ｂでそれぞれが配置されている。 - 特許庁

A pusher apparatus P is provided on a shaft type thermal decomposition melting furnace 1 wherein dust is thrown in from an upper portion of a furnace, and combustion assist gas is supplied from a bottom of the furnace to melt the thrown dust is melted and taken out from an upper layer drying region A through a thermal decomposition region B in a lower layer melting region C.例文帳に追加

炉上部からゴミを投入し、炉底部から支燃ガスを供給して、投入したゴミを上層の乾燥域Ａから中層の熱分解域Ｂを経て下層の溶融域Ｃで溶融して取り出すようにしたシャフト型熱分解溶融炉１に設けたプッシャ装置Ｐである。 - 特許庁

A pixel region where the tool M is displayed at the front in the plotted region is detected as a region of a machining surface remaining after the end of machining, and a machining error is predicted from the shape error or deflection quantity of the tool at a representative point (creation point C) of the machining surface.例文帳に追加

描画された画像において工具Ｍが手前に表示されている画素領域を、加工終了後に残る加工面の領域として検出し、この加工面の代表点（創成点Ｃ）における工具の形状誤差や撓み量から加工誤差を予測する。 - 特許庁

Subsequently, by repeating a step to select a small region out of small regions (c) not selected in the previous step and to conduct the polarization reversal operation by bringing the first electrode into contact with the selected small region for required times, overall scheduled reversal region is subjected to polarization reversal.例文帳に追加

そして、先のステップにおいて選択されなかった小領域ｃのうちから小領域を選択して第一電極を形成し分極反転を行なうステップを、必要回数だけ繰り返すことによって、反転予定領域を全面的に分極反転させる。 - 特許庁

The toner is set to ≤100 dyn/cm^2 in the variation for the prescribed time of 200 seconds of storage modulus (G'(NL)) in a nonlinear region at 180°C in a step strain measurement from a linear region to nonlinear region of the viscoelastic characteristics.例文帳に追加

本発明のトナーは、粘弾性特性の線形領域から非線形領域へのステップストレイン測定において１８０℃での非線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（ＮＬ））の所定時間２００秒間の変化量が１００ｄｙｎ／ｃｍ^２以下に設定されている。 - 特許庁

A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10.例文帳に追加

Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a drain region 22 and a source region 23, formed with interval between each other on the top surface of a semiconductor substrate 21, a protrusion 25 formed on a channel layer C between the regions 22 and 23, a gate electrode 24 formed on the protrusion 25, and a drain electrode 26 and a source electrode 27 each being formed on the drain region 22 and the source region 23.例文帳に追加

本発明は半導体基板２１の上面に間隔を置いて形成されるドレイン領域２２およびソース領域２３と、このドレイン領域２２およびソース領域２３の間のチャネル層C上に形成される凸状部２５と、この凸状部２５の上部に形成されるゲート電極２４と、ドレイン領域２２およびソース領域２３の上部に形成されるドレイン電極２６およびソース電極２７とを備えたものである。 - 特許庁

The temperature in each region is controlled in such a manner that the difference between the maximum temperature and the minimum temperature is 10°C or lower in the width direction of the rolling mill roll surface.例文帳に追加

圧延ロール表面の幅方向においる最高温度と最低温度の差が１０℃以下となるように、各領域毎に温度制御する。 - 特許庁

A c-face (a region with oblique chain lines) of the insert part 21 of the sensor holding member 20 in the pachinko ball passage 10 is cut off by 0.1 mm.例文帳に追加

そして、パチンコ球通路１０のセンサ保持部材２０の挿入部２１のｃ面（斜めの鎖線が付された領域）が０．１ｍｍ削られている。 - 特許庁

The supporting member 31 is arranged within a building limit A and the protective plate 32 overhangs to a region between the building limit A and a vehicle limit C.例文帳に追加

支持部材３１は、建築限界Ａ内に設置され、防護板３２は、建築限界Ａと車両限界Ｃとの間の領域まで張り出している。 - 特許庁

After growing a GaAs region 37a, temperature is altered to a range of 450-490°C without supplying a film deposition material.例文帳に追加

この後に、ＧａＡｓ領域３７ａを成長した後に、成膜原料を供給することなく摂氏４５０度以上４９０度以下の範囲の温度に変更する。 - 特許庁

To provide a compact self-ballasted fluorescent lamp device in which generation of oligomers from a holder can be suppressed, even if the temperature at the peripheral region of the holder becomes 145°C or higher.例文帳に追加

ホルダー周辺の温度が１４５℃以上となってもホルダーからのオリゴマーの発生を抑制できる電球形蛍光ランプ装置を提供することである。 - 特許庁

Then, a first plating process is conducted, and an intermediate copper plated layer 21 is formed on the region excluding the part covered by the masks 20 as shown in (c).例文帳に追加

次いで、第１のめっき工程を実行し、導体パターン１２の表面に、マスク２０で覆われた部分を除いて中間銅めっき層２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁

Immediately before a shaping step S3, a heating step S4 for heating a uniformity correcting region R of a wind B at 30 to 70°C is provided.例文帳に追加

シェーピング工程Ｓ３の直前に、巻回体Ｂのユニフォミティー修正領域Ｒを３０〜７０℃の温度で加温する加温工程Ｓ４を設ける。 - 特許庁

At a second process termination point (c), the pattern widths of the mask layer and the anti-reflection coating are uniformly adjusted in the entire region of a wafer regardless of pattern densities.例文帳に追加

第２工程終了時点（ｃ）では，マスク層および反射防止膜のパターン幅は，パターン密度に関わらず，ウェハ全域で均一に調整される。 - 特許庁

In the step 230, the vehicle is in the normal traveling state, so that it is determined whether the radar transmission power corresponds to a high output region C.例文帳に追加

ステップ２３０では、車両が通常走行状態であるので、レーダ送信電力が高出力領域Ｃに該当するか否かを判定する。 - 特許庁

Further, an inter-layer insulating film 7 is formed on the inter-layer insulating film 4, and then a pad 8 is provided in a pad region C on the inter-layer insulating film 7.例文帳に追加

更に、層間絶縁膜４上に層間絶縁膜７を形成し、層間絶縁膜７上におけるパッド領域Ｃにパッド８を設ける。 - 特許庁

To provide steel free from the generation of cracks caused by working such as forging cracks at the time of executing working such as forging in a semi-hot region of 700 to 1,000°C.例文帳に追加

７００〜１０００℃の亜熱間領域での鍛造などの加工をする際に、加工による割れ、例えば鍛造割れを起こさない鋼材を提供する。 - 特許庁

In the medium load region (c), the operating angle is set at a prescribed small value and the phase is set at the most advanced angle, so that the timing of opening of the air intake valve is made to advance from the top dead center.例文帳に追加

中負荷域（ｃ）では、所定の小作動角，最進角位相に設定して、吸気弁の開時期を上死点よりも進角させる。 - 特許庁

A hand 62 of a substrate transportation unit 60 provided in the transportation region C holes a substrate W while movable in X-axis, Z-axis, and θ-axis directions.例文帳に追加

搬送領域Ｃに配置された基板搬送ユニット６０のハンド６２は基板Ｗを保持しつつ、Ｘ軸、Ｚ軸およびθ軸方向に移動可能である。 - 特許庁

A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体３５上にＧａＡｓ領域３７を摂氏５３０度以上６００度以下の範囲の基板温度で成長する。 - 特許庁

To gradually weaken cancer cells and wipes them out by making temperature around a cancer cell region not less than 42°C and living environment of the cancer cells worse.例文帳に追加

癌細胞部位の温度を４２℃以上とすることにより、癌細胞の生存環境を悪くして、該癌細胞を除々に弱らせて行き、死滅させる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which a magnetic layer having uniform thickness is formed during manufacturing and which obtains a high C/N ratio in a short wavelength region.例文帳に追加

製造時に均一な厚さを有する磁性層を形成できるとともに、短波長領域において高Ｃ／Ｎ比が得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A principal plane 13a of a p-type semiconductor region 13 extends along a plane inclined to a (c) axis (<0001> axis) of hexagonal group III nitride.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１３の主面１３ａは該六方晶系III族窒化物のｃ軸（＜０００１＞軸）に対して傾斜した平面に沿って延在する。 - 特許庁

The oxygen deficit perovskite-type oxide is represented by formula (1), and is excellent in an oxygen storage capability which is characterized by being operated in a low temperature region of 500°C or less.例文帳に追加

下記式（１）で表され、５００℃以下の低温域で動作することを特徴とする酸素貯蔵能に優れた酸素欠損ペロブスカイト型酸化物。 - 特許庁

The memory transistor TR3 is provided on the memory transistor TR2, and a gate electrode 5c is formed on the C plane of the side face of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ３はメモリトランジスタＴＲ２の上部に設けられ、ゲート電極５ｃが素子形成領域１００の側面のＣ面に形成される。 - 特許庁

When attendant information a-k exists on the periphery a current position 20, attendant information c, d, e, f and g is included in a specified region 23.例文帳に追加

現在位置２０の周辺に付帯情報ａ〜付帯情報ｋが存在する場合、特定領域２３に含まれる付帯情報は、付帯情報ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇである。 - 特許庁

In the substrate-processing device 1, processing units are laminated around a transfer robot TR1 arranged at the center of a processing region C.例文帳に追加

基板処理装置１は、処理領域Ｃの中心に配置される搬送ロボットＴＲ１の周囲に処理ユニットが多段に積層されて処理部が形成される。 - 特許庁

Consequently, the etching reaction in the cleaning gas supplying-side region A is slowed and the etching reactions in the regions B, C, and D on the exhaust side are successively made faster.例文帳に追加

これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 - 特許庁

The feed material 2 is heated at 2,000°C for subliming the impurity dopant, and made to abut on the Si substrate 3 to diffuse impurities into the amorphous region.例文帳に追加

原料２を２０００℃に加熱して不純物ドーパントを昇華させＳｉＣ基板３に当たることでアモルファス化された領域内に不純物が拡散する。 - 特許庁

A human MAGE-1 protein and the peptide are provided, respectively, wherein the peptide is derived from a region consisting of 58 amino acids at a C-terminal of an MAGE-1 antigen.例文帳に追加

ヒトＭＡＧＥ−１タンパク質及びペプチドであって、このペプチドは、ＭＡＧＥ−１抗原のＣ−末端の５８個のアミノ酸領域に由来する。 - 特許庁

After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁

To provide a new clathrate compound suitably usable for an n-type thermoelectric transducer whose ZT in a high-temperature region such as 800°C is 0.4 or higher.例文帳に追加

８００℃という高温領域でのＺＴが０．４以上のｎ型の熱電変換素子に好適に用いられる新規なクラスレート化合物を提供する。 - 特許庁

The auxiliary pattern 13 forms an etching region where the profile of light to compensate the diffracted part of light on the line edge is controlled as shown in Fig. (c).例文帳に追加

補助パターン１３は図１（ｃ）に示されるように、ラインエッジで光の回折部分を相殺させる光プロファイルの制御がなされるようなエッチング領域である。 - 特許庁

When the thickness of the junction region is set to 1.5 nm or larger, the amount of warpage, after retaining for one hour at 150°C, can be set at approximately 200 μm, or smaller.例文帳に追加

また、接合領域の厚みを１．５ｎｍ以上とすると、１５０℃で１時間保持した後の反り量を概ね２００μｍ以下とすることができる。 - 特許庁

Namely, the cumulative pitches of all the inner leads in the direction of the long side of the chip installation region C are increased, the inner leads near the center section are furthermore increased.例文帳に追加

すなわち、チップ搭載領域Ｃの長辺方向に沿ったインナーリード全体の累積ピッチを増やし、中央部に近いインナーリードは、さらに増やす。 - 特許庁

The slag is adjusted so as to have a specific resistance of 0.1 to 0.7 Ω cm and a viscosity of 1 poise or less at 1,000°C or higher, which is an operating temperature region of the slag.例文帳に追加

スラグは、使用温度領域である１０００℃以上で、比抵抗０．１〜０．７Ω・ｃｍ、粘度１ｐｏｉｓｅ以下に調整している。 - 特許庁

In a case where alcohol concentration is higher than a specified concentration, the fuel is injected at the timing in which the fuel spray comes into direct contact to the intake valve (region C).例文帳に追加

一方、アルコール濃度が所定濃度よりも大きいときには燃料噴霧が吸気弁に直接接触するタイミングで燃料が噴射される（Ｃ領域）。 - 特許庁

High frequency current is supplied from the high frequency inverter 3 to the heating coil C to heat a region including the distal end of the blade 1 up to a solution treatment temperature.例文帳に追加

高周波インバータ３から加熱コイルＣに高周波電流を供給して翼１の先端を含む領域を溶体化温度に加熱する。 - 特許庁

By this constitution, light 5 is reflected by the bonding surfaces (a), (b), (c), (d) to almost uniformly irradiate the photosetting adhesive 4 over the almost entire region thereof.例文帳に追加

これにより、光５が、各接着面ａ，ｂ，ｃ，ｄにより反射されて、光硬化型接着剤４のほぼ全域に亘って、ほぼ均一に照射されるようになる。 - 特許庁

A base contact 4 is provided at an approximate center of a base region 3, and an emitter contact 6 is provided so as to surround the base contact 4 into a U-shape or a C-shape.例文帳に追加

ベース領域３の略中央にベースコンタクト４を設け、このベースコンタクト４をコ字状又はＣ字状に取り囲むエミッタコンタクト６を設ける。 - 特許庁

Further, the presence of MgO enables the keeping of the condition that SO_x is absorbed up to the high-temperature region of about 600°C even in rich atmosphere to suppress the discharge.例文帳に追加

またMgO の存在によって、リッチ雰囲気でも 600℃程度の高温域までSO_x を吸収した状態で保持することができ、放出が抑制される。 - 特許庁

The normal vector NV2 of the main surface 24b of a second region 23b extends along the surface which intersects the c-axis Cx of a group-III nitride semiconductor perpendicularly.例文帳に追加

第２の領域２３ｂの主面２４ｂの法線ベクトルＮＶ２は、該III族窒化物半導体のｃ軸Ｃｘに直交する面に沿って延在する。 - 特許庁

This membrane-bound netrin has a hydrophobic region capable of binding to the cell membrane via glycosyl phosphatidylinositol(GPI) on the C terminal.例文帳に追加

Ｃ末端にグリコシルホスファチジルイノシトール（GPI）を介して細胞膜に結合し得る疎水性領域を有することを特徴とする、膜結合型ネトリンを提供する。 - 特許庁