「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The stretched and molded container is formed from a resin comprising mainly a polylactic acid and is characterized in that it has a crystallization initiation temperature of 75°C or higher and has substantially two peaks in a crystallization exothermic region from 75 to 160°C measured by a differential scanning calorimeter.例文帳に追加

ポリ乳酸を主体とする樹脂から形成された延伸成形容器において、結晶化開始温度が７５℃以上で、示差走査熱量計で測定した温度７５乃至１６０℃の範囲の結晶化発熱温度域に実質上二山のピークを有することを特徴とする延伸成形容器。 - 特許庁

The differential case 1 is provided with an annular flange 1f revolving around a rotating shaft in the peripheral surface of a storing housing 1a of a differential gear case G_d and in a largely occupying region 1R_1 adjacent to a flange 1f, is formed with an opening (A) communicating with a storing space C formed inside the housing 1a.例文帳に追加

本発明は、ディファレンシャルギアG_dの収納ハウジング1aの外周面に、回転軸周りを周回する環状のフランジ1fが設けられていると共に、フランジ1fを境にした大占有領域1R_1に、ハウジング1aの内側に形成された収納空間Cに通じる開口部Aが形成されているデフケース1である。 - 特許庁

An image generation unit 21 calculates a chroma C in each display pixel in an picked-up image (image data Din) which is an inspection object in color unevenness inspection, and specifies a color unevenness region based on the magnitude of the chroma C, to thereby generate a color unevenness image (color unevenness image data D2).例文帳に追加

画像生成部２１は、色むら検査における検査対象の撮像画像（撮像データＤin）において、各表示画素における彩度Ｃを算出すると共に、その彩度Ｃの大きさに基づいて色むら領域を特定することにより、色むら画像（色むら画像データＤ２）を生成する。 - 特許庁

The replication origin derives from the replication origin of a c-myc gene locus, a dihydrofolate reductase gene locus, or a β-globin gene locus, and the nuclear matrix coupling zone derives from an Igκ gene locus, an SV40 initial region, or the nuclear matrix coupling zone of a dihydrofolate reductase gene locus.例文帳に追加

上記複製起点が、c-myc遺伝子座、ジヒドロ葉酸リダクターゼ遺伝子座、またはβ-グロビン遺伝子座の複製起点に由来し、核マトリックス結合領域が、Igκ遺伝子座、SV40初期領域、またはジヒドロ葉酸リダクターゼ遺伝子座の核マトリックス結合領域に由来することを特徴とする。 - 特許庁

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less.例文帳に追加

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。 - 特許庁

When a set (F, N) of an engine load F and an engine speed N set and input to a control computer C by a operating condition detecting means 43 is in a region S1 on a map M, the control computer C puts a hydraulic supply adjusting mechanism 40 into an invalid condition.例文帳に追加

運転状態検出手段４３によって制御コンピュータＣに入力設定されたエンジン負荷Ｆとエンジン回転数Ｎとの設定組（Ｆ，Ｎ）がマップＭにおける領域Ｓ１にある場合、制御コンピュータＣは、油圧供給調整機構４０を無効化状態にする。 - 特許庁

Consequently, it is found that a new exon sequence of DNAJC12 (DnaJ (Hsp40) homolog, subfamily C, member 12), ULBP1 (UL16 binding protein 1), and XAF1 (XIAP associated factor-1) is identified, and a splicing variant containing a region encoded by the new exon DNA sequences is specifically strongly expressed in the high metastatic strain.例文帳に追加

その結果、ＤＮＡＪＣ１２（DnaJ(Hsp40) homolog, subfamily C, member 12）、ＵＬＢＰ１（UL16 binding protein 1）、及びＸＡＦ１（XIAP associated factor-1）の新規エクソン配列を同定し、これらの新規エクソンＤＮＡ配列によりコードされる領域を含むスプライシングバリアントが高転移性株において特異的に強く発現することを見い出した。 - 特許庁

A sample piece is cut out in a <1-12> or <-112> direction of Si(110) and subjected to electromigration by applying a current along the direction at a temperature of 550°C to 730°C so as to form approximately complete single-direction domains by homogenization of a step arrangement structure within the region of the sample piece.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）の＜１−１２＞または＜−１１２＞方向に試料片を切り出し、その方向に通電して５５０℃〜７３０℃の温度によるエレクトロマイグレーションによって、試料片の領域内でステップ配列構造の均質化によりほぼ完全な単一方向のドメインを形成する。 - 特許庁

A p type gap layer and a p type clad layer in the semiconductor layered body are etched and first to third ridge stripes 23A to C respectively configuring first to third waveguides 22A to C are formed on a higher region of the step structure 14 in the [0-1-1] orientation.例文帳に追加

半導体積層体のうち、ｐ型キャップ層及びｐ型クラッド層がエッチングされ、第１から第３導波路２２Ａ〜Ｃをそれぞれ構成する第１から第３リッジストライプ２３Ａ〜Ｃが、ステップ状構造１４の高領域上に〔０１−１〕方向に形成されている。 - 特許庁

The space 1 having a large dimension of a vertical direction and formed in a frame F immediately below the movable region of the carrier base V is utilized as a wiring space 33 to lay the signal line C of the seat sensor 22 etc. arranged on the carrier base V, so that the signal line C becomes a drooping state on the wiring space 33.例文帳に追加

キャリアベースＶの可動領域の直下のフレームＦ内に形成される上下方向の寸法の大きな空間部１を配線空間３３として利用して、キャリアベースＶ上に配置された着座センサ２２等の信号線Ｃを前記配線空間３３に垂下状態で配線する。 - 特許庁

There is provided the mold-releasing polyester-based resin film having a modulus of elasticity of ≥1,000 MPa at 30°C and ≤2,200 MPa at 100°C; a haze of ≤2.0%; and a surface reflection intensity (Wa) of ≤4.0 within the wavelength region of 0.1-0.3 mm measured by using a wave scanning apparatus.例文帳に追加

弾性率が３０℃で１０００ＭＰａ以上、１００℃で２２００ＭＰａ以下、ヘーズが２．０％以下、ウェーブスキャン装置を用いて測定した波長０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ領域の表面反射強度（Ｗａ）が４．０以下であることを特徴とする離型用ポリエステル系樹脂フィルム。 - 特許庁

In the planar light emitting device 20, rectangular lighting regions a, b, c, d which emit light emitted by a blue organic EL element 24, a green organic EL element 26, and a red organic EL element 28 from the whole face are arranged in a plurality of stages, and each lighting region a, b, c, d is constituted to be lighted or turned off independently.例文帳に追加

平面発光装置２０を、青色有機ＥＬ２４、緑色有機ＥＬ２６及び赤色有機ＥＬ２８が発した光を全面から出射する矩形の点灯領域ａ、ｂ、ｃ、ｄを複数段配列し、各点灯領域ａ、ｂ、ｃ、ｄが独立して点灯・消灯する構成とした。 - 特許庁

Each unit region AR is divided into a discharge cell C having a discharge gap formed from the opposing edges of the transparent electrodes Xt and Yt and a non-discharge cell NC not having any discharge gap, wherein the discharge cell C is not adjoining in the first direction D1 nor second direction D2.例文帳に追加

各単位領域ＡＲは、透明電極Ｘｔ，Ｙｔの対峙するエッジで形成さえる放電ギャップを有する放電セルＣと、当該放電ギャップを有さない非放電セルＮＣとに区別され、放電セルＣは第１及び第２方向Ｄ１，Ｄ２において隣接しない。 - 特許庁

Also, the high temperature preliminary aging treatment to hold the temperature region of 150 to 200°C for ≥5 seconds and within 5 minutes is performed after the low temperature preliminary aging treatment is performed and then the press forming is performed within 72 hours in the continuous production line or independent line at 10 to 50°C.例文帳に追加

また、上記低温予備時効処理を施した後、１５０〜２００℃の温度域を５秒以上５分以内で保持する高温予備時効処理を施し、その後１０〜５０℃において連続製造ラインまたは単独ラインにおいて７２時間以内にプレス成形を行う。 - 特許庁

When a first groove G1 is first formed by laser beam irradiation along a first planned dividing line A (primary groove forming stage), the first planned dividing line A except the intersection C with a second planned dividing line B is irradiated with the laser beam to form a discontinuous groove in which a groove is not formed in the region of the intersection C.例文帳に追加

はじめに第１の分割予定ラインＡに沿ってレーザ光線を照射して第１の溝Ｇ１を形成する際（第１次溝形成工程）には、第２の分割予定ラインＢとの交点Ｃを除いてレーザ光線を照射し、交点Ｃの部分は溝を形成せず不連続な溝とする。 - 特許庁

Further the porcelain calcined at a low temperature has coefficient of water absorption of ≤0.1%, coefficient of thermal expansion of >3 ppm/°C and <9 ppm/°C, deflective strength of ≥150 MPa, dielectric constant of ≤7 and no-load quality coefficient of ≥800 in a region of 9 to 13 GHz.例文帳に追加

また、本低温焼成磁器の吸水率は０．１％以下であり、熱膨張係数は３ｐｐｍ／℃を超えて９ｐｐｍ／℃未満であり、抗折強度は１５０ＭＰａ以上であり、誘電率は７以下であり、且つ９〜１３ＧＨｚ領域における無負荷品質係数は８００以上である。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

To provide a high-melting point metal carbide-carbonaceous material thermocouple type temperature measuring device capable of measuring continuously, stably and accurately a temperature from a room temperature region to a high-temperature region higher than 2,000°C regardless of existence of a pressure in order to control a high-temperature process accurately.例文帳に追加

高温プロセスを精度良く制御すべく、圧力の有無に関わらず室温域から２０００℃以上の高温域までの温度を連続で安定して精度良く測定し得る高融点金属炭化物−炭素系材料熱電対形の温度測定装置を提供する。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

In the translucent electrode 170, through holes 180 are provided so that a ratio (an opening ratio) in which the surface of the p-type semiconductor layer 160 is exposed is different from a region (C) adjacent to a first-type electrode 190 and a region (A) adjacent to a second-type electrode 200.例文帳に追加

透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 - 特許庁

Moreover, a GaN layer 103 is grown in the AlGaN layer 102 at about 1,000°C, so that crystallization can be progressed and phase isolation can be generated in the InAlN layer 101, and a nitride semiconductor in which an In-rich region and an Al rich region coexist can be formed.例文帳に追加

さらに、ＡｌＧａＮ層１０２上にＧａＮ層１０３を約１０００℃の温度で成長させることにより、ＩｎＡｌＮ層１０１の層中で結晶化を進行させるとともに相分離を発生させ、Ｉｎリッチ領域とＡｌリッチ領域とが混在する窒化物半導体を形成する。 - 特許庁

A central position of the coil pipe 32 is located on each wall side 29a of an UP side sector within the region from a symbol C to a symbol D, or a DOWN side sector within the region from a symbol E to a symbol F respectively, when an area within a spiral pipe 29 is split into four as a dashed line shows.例文帳に追加

コイルパイプ３２の中心位置は、螺旋管２９内を破線で示すように４分割したとき、記号Ｃから記号Ｄまでの範囲内のＵＰ側領域、または記号Ｅから記号Ｆまでの範囲内のＤＯＷＮ側領域のそれぞれ壁面側２９ａに配置される。 - 特許庁

A conductive film 112 as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain electrode 118, a source region 115, a drain region 116 and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１２を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、チャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

In the lens array 110 in which a plurality of lenses 111 are arrayed so as to be adjacent to each other, each of the lenses includes the light shielding film 112 provided in the unnecessary region Cb on the lens surface C, and the light shielding film has light shielding parts 113 which are dispersed in the light shielding film formation region 118 of the light shielding film.例文帳に追加

複数のレンズ１１１が隣り合うように配列されたレンズアレイ１１０において、複数のレンズにはそれぞれ、レンズ表面Ｃにおける不要範囲Ｃｂに遮光膜１１２を有し、遮光膜は、その遮光膜形成範囲１１８内に遮光部１１３が散在している。 - 特許庁

Then, the cathode plate 121 has a cathode-covering layer 125, which is a cathode-covering layer having electrical insulation and heat resistance of a melting point of 180°C or more, and containing an inner collector section entire-region covering section 125a for covering the entire region of the surface of the cathode inner collector section 121m1.例文帳に追加

そして、この正極板１２１は、電気絶縁性及び融点１８０℃以上の耐熱性を有する正極被覆層であって、正極内側集電部１２１ｍ１の表面全域を覆う内側集電部全域被覆部１２５ａを含む正極被覆層１２５を有する。 - 特許庁

A conductive film 118 formed as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 127, source wiring 125, a drain electrode 126, a source region 123, a drain region 124 and an amorphous semiconductor film 122 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１８を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１２７、ソース配線１２５及びドレイン電極１２６、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４、チャネルが形成される非晶質半導体膜１２２を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁

As the NOx adsorbent has the saturated adsorption amount of NOx of 10×10-5 mol/g or more in the gas at 40°C or lower, it is excellent in the adsorption of NOx in the low temperature region, and when it is disposed in an exhaust gas passage of an automobile engine, it can suppress the emission of NOx in the low temperature region.例文帳に追加

40℃以下のガス中におけるNO_x の飽和吸着量が10×10^-5モル／ｇ以上であるので、低温域におけるNO_x の吸着性に優れ、自動車エンジンの排ガス流路に配置することで始動時など低温域におけるNO_x の排出を抑制することができる。 - 特許庁

A machine (10) comprises a rotor (12) equipped with (a) coils (14) axially extending in a terminal winding region (26), (b) a plurality of voids (20, 36, and 38) among the coils (14) in the terminal winding region (26), and (c) a plurality of spacers (16) placed among the coils (14).例文帳に追加

機械（１０）は、（ａ）その各々が末端巻線領域（２６）内に延びた軸方向に延びるコイル（１４）と、（ｂ）末端巻線領域（２６）におけるコイル（１４）間の複数の空洞（２０、３６、３８）と、（ｃ）コイル（１４）間に置かれた複数のスペーサ（１６）とを備えたロータ（１２）を含む。 - 特許庁

Each fixed electrode 10 of the varactor 1 is disposed in a region facing a circle C inscribed with a square of the movable electrode 8 on an upper surface 2A of a substrate 2, and the fixed electrode 10 is not disposed in a region facing each vertex 8A of the movable electrode 8.例文帳に追加

可変容量素子１の各固定電極１０を、基板２の上面２Ａにおいて、可動電極８の正方形に内接する円Ｃと対向する領域内に配置し、可動電極８の各頂点部分８Ａに対向する領域に固定電極１０が配置されない構成とする。 - 特許庁

An oxide semiconductor film has an amorphous region which is mainly amorphous and a crystal region containing crystal grains of In_2Ga_2ZnO_7 in the vicinity of a surface, in which the crystal grains are oriented so that the c-axis is almost vertical with respect to the surface.例文帳に追加

非晶質を主たる構成とする非晶質領域と、表面近傍の、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７の結晶粒を含む結晶領域と、を有し、結晶粒は、そのｃ軸が、表面に対して略垂直な方向となるように配向している酸化物半導体膜である。 - 特許庁

An inversion region and a non-inversion region are discriminatingly detected in an image of the imaged information code forming medium 10 to extract regions of the light-color module and dark-color module, and the information code C is deciphered based upon extraction results.例文帳に追加

そして、その撮像された情報コード形成媒体１０の画像において反転領域と非反転領域とを区別して検出することで明色モジュール及び暗色モジュールの領域を抽出し、その抽出結果に基づいて情報コードＣを解読している。 - 特許庁

A unit region is classified to plural kinds of conditions A, B, C in accordance with an aggregation condition of an ejection dot of binary image data by each unit region in terms of at least one of the first raster and the last raster in one band which is recorded in one scanning of a recording head (S23).例文帳に追加

記録ヘッドの１回の走査により記録される１バンドの少なくとも第１ラスタおよび最終ラスタの一方について、単位領域毎に２値化画像データの吐出ドットの集合具合により当該単位領域を複数種類の状態Ａ，Ｂ，Ｃに分類する（Ｓ２３）。 - 特許庁

When a metallic product A is housed in a corrugated cardboard conveyed by the carrier 4, a communication-invalidating region C is formed at the back side of the metallic product A, while the RFID tag 5 is positioned in a communication-validating region B so that communication with the RFID tag 5 can be invalidated.例文帳に追加

台車４が搬送するダンボール内に金属製品Ａが収納されていた場合は、ＲＦＩＤタグ５が通信可能領域Ｂに位置しているにしても、金属製品Ａの背面側に通信不能領域Ｃが形成され、ＲＦＩＤタグ５との通信が不可能となる。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

At the time of making a cleaning gas to flow in a cleaning step performed for removing deposited films deposited in a treating step, the temperature of a cleaning gas supplying-side region A is set to a low value and, conversely, the temperatures of the successive regions B, C, and D are set to high values toward the exhausting-side relatively to the temperature of the region A.例文帳に追加

処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。 - 特許庁

The LEDs in the region A are lightingly driven by the PWM drive signal (b) in which the position of a rising edge is fixed and a pulse width wa is controlled, and the LEDs in the region B are lightingly driven by the PWM drive signal (c) in which the position of a falling edge is fixed and a pulse width wb is controlled.例文帳に追加

領域ＡのＬＥＤに対しては立ち上がりエッジの位置を固定しパルス幅ｗａを制御したＰＷＭ駆動信号（ｂ）、領域ＢのＬＥＤに対しては立ち下がりエッジの位置を固定しパルス幅ｗｂを制御したＰＷＭ駆動信号（ｃ）により点灯駆動する。 - 特許庁

Face regions of human figures 41-46 within an image 40 are extracted, respectively (Fig.4(a)), first of all, the human figure 41 is photographed as a main object while focusing the face region thereof (Fig.4(b)) and next, the close human figure 42 is photographed as a main object while focusing the face region thereof (Fig.4(c)).例文帳に追加

画像４０内の人物４１〜４６の顔領域をそれぞれ検出し（図４（ａ））、まず、人物４１を主要被写体としてその顔領域に合焦させて撮影を行ない（図４（ｂ））、次いで、近い人物４２を主要被写体としてその顔領域に合焦して撮影を行なう（図４（ｃ））。 - 特許庁

This photosolder resist ink contains an ultraviolet ray-curing resin (A) having an ethylenically unsaturated group and carboxyl group in its side chain, a photo polymerization initiator (B), and a black pigment (C) having a reflection region in the wave length region of not shorter than 500 nm.例文帳に追加

上記の課題は（Ａ）側鎖にエチレン性不飽和基とカルボキシル基とを有する紫外線硬化性樹脂、（Ｂ）光重合開始剤、および（Ｃ）５００ｎｍ以上の波長領域に反射領域を有する黒色顔料を含むことを特徴とするフォトソルダーレジストインクとすることによって解決される。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 1 comprises a nitride semiconductor substrate 101 which has a dislocation concentrated region 102 and a wide-area low dislocation region and has its front surface inclined at an angle ranging between 0.3 and 0.7°with recpect to the c-surface, and a nitride semiconductor layer 104 laminated thereon.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１は、転位集中領域１０２と広い低転位領域とを有し、その表面をｃ面に対して０．３〜０．７°の範囲で傾斜させた窒化物半導体基板１０１とその上に積層された窒化物半導体層１０４より成る。 - 特許庁

To provide a three-dimensional image processor for improving precision in automatically recognizing the region of a measured part by specifying a region of the object part and measuring the volume of the object part by using a C-scan image, and also more accurately measuring the volume.例文帳に追加

Ｃ−スキャン画像を用いて対象部位の領域特定及びその対象部位の体積測定を行うことにより、計測対象部位領域の自動認識の精度の向上を図ることができ、より正確な体積測定を行うことができる３次元画像処理装置を提供する。 - 特許庁

When the movement destination of a cursor is an input area c1 at the leading of a group, and a group D next to a group C to which the movement destination of the cursor belongs exists, an image display region is moved so that a leading input area d1 of the group D can be within an image display region.例文帳に追加

カーソルの移動先がグループ先頭の入力エリアｃ１であり且つカーソルの移動先が属するグループＣの次のグループＤが存在する場合は、該次のグループＤの先頭の入力エリアｄ１が画面表示範囲内になるように画面表示範囲が移動される。 - 特許庁

Then, the wafer 10 is introduced supportively into a high-temperature region (position C in the vertical direction) of the temperature space 8 to increase its substrate temperature to its heat treatment temperature, and as to perform its heat treatment during a predetermined time.例文帳に追加

次に、温度空間８の高温域（鉛直方向位置Ｃ）に、ウエハ１０を導入して保持し、基板温度を熱処理温度まで上昇させるとともに、所定時間の熱処理を実行する。 - 特許庁

When a hologram H2 recorded in the window-like region 12 is reproduced (shown in the lower side of the figure), a spherical three-dimensional image B2 is reproduced in front of the common three dimensional image C as a background.例文帳に追加

窓状領域１２に記録されているホログラムＨ２を再生すると（図の下段）、背景となる共通立体画像Ｃの手前に、球形の立体画像Ｂ２が配置されている状態が再生される。 - 特許庁

When the heat treatment in the temperature of 700-900°C is applied successively to this, the amorphous region 13 is turned into single crystal state by having single crystal part in the vicinity of the surface of the Ge epitaxial film 11 as seeds.例文帳に追加

これに続いて、７００乃至９００℃の温度範囲で熱処理を施すと、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面付近の単結晶部分が種となり、アモルファス領域１３が単結晶化する。 - 特許庁