「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the seal region c, a second conductive pattern 132 made of the same layer with the pixel electrodes 118 is provided.例文帳に追加

シール領域ｃには画素電極１１８と同一層からなる第２導電パターン１３２を設ける。 - 特許庁

A reactance component X2 as a parallel circuit, composed of a capacitive reactance C and an inductive reactance L, decreases in the low frequency region because the capacitive reactance C cannot be ignored to the inductive reactance L in a low-frequency region and has effect on the reactance component X2, and the effect of the capacitive reactance C decreases in a high-frequency region.例文帳に追加

リアクタンス成分Ｘ２は、低周波領域で容量性リアクタンスＣが誘導性リアクタンスＬに対して無視できず、その影響で容量性リアクタンスＣと誘導性リアクタンスＬの並列回路としてのリアクタンスの値Ｘ２が減少し、高周波領域では容量性リアクタンスＣの影響が減少する。 - 特許庁

As a result, excessive heat feeding in the paper non-passing region is eliminated and the balance with natural heat radiation is established so that the temperature in the paper non-passing region does not rise above 230°C.例文帳に追加

その結果、非通紙領域での過剰な熱の供給はなくなり、自然な放熱とのバランスがとれるために、２３０℃以上には昇温しない。 - 特許庁

The process (C) is carried out by measuring display characteristics of pixels in a first region R1 and display characteristics of pixels in a second region R2.例文帳に追加

工程（Ｃ）は、第１の領域Ｒ１内の画素の表示特性と、第２の領域Ｒ２内の画素の表示特性とを測定することによって行われる。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, gate electrodes MG, SG are formed in the memory cell region (Fig.3(b)) and a gate electrode PG is formed in a peripheral circuit region (Fig.3(c)).例文帳に追加

シリコン基板１にメモリセル領域にゲート電極ＭＧ、ＳＧを形成し（図３（ｂ））、周辺回路領域にゲート電極ＰＧ（図３（ｃ））を形成する。 - 特許庁

A guide section 44 is provided at the overflow chute 38 at its lower side and guides the coins at the lower side region of the overflow chute 38 in the the direction setting free the coins C from its lower side region.例文帳に追加

オーバーフローシュート38の下側に、オーバーフローシュート38の下側域のコインＣをその下側域から逃がす方向へ向けてガイドするガイド部44を設ける。 - 特許庁

After that, it is heated at 500-850°C, thus allowing the crystallization acceleration element remaining at a region 15b to be subjected to gettering to be sucked by the 15-family element doped region 15a.例文帳に追加

次に５００〜８５０℃で加熱して、被ゲッタリング領域１５ｂに残存した結晶化促進元素を１５族元素添加領域１５ａに吸い取らせる。 - 特許庁

A region R with the display position of a main icon A as a base point is specified as a displayable region of slave ions B and C subordinate to the main icon.例文帳に追加

主アイコンＡの表示位置を基点にした領域Ｒが、当該主アイコンに従属する従アイコンＢ及びＣの表示可能領域として規定されている。 - 特許庁

Next, the n- source region 6, the n- drain region 7, and a selective oxide film 10 are formed in a self-aligned manner by using the nitride film 4 as a mask (see FIG. (c)).例文帳に追加

つぎに、窒化膜４をマスクとして、前記のｎ^- ソース領域６、ｎ^- ドレイン領域７と選択酸化膜１０をセルフアライン（自己整合）で形成する（同図（ｃ））。 - 特許庁

When a requirement point (C-point) defined by a control force f3 and a motor operation speed v3 exists in a region 5 within a motor operation out-of-region boundary speed, a C'-point designation command is sent to a driver 16 in place of a C-point designation command, and a motor 12 is operated.例文帳に追加

制御力ｆ３及びモータ動作速度ｖ３で定まる要求点（Ｃ点）がモータ動作範囲外領域境界速度内領域５に存在する場合、Ｃ点指定指令に代えてＣ´点指定指令をドライバ１６に送り、モータ１２を動作させるようにする。 - 特許庁

The tire is heated to a temperature difference state, wherein the temperature α°C of a region including the maximum trough part is lower than the temperature β°C of a range other than the region by 5°C or higher, in such a state that internal pressure is applied to the tire and, thereafter, the internal pressure is removed to cool the tire.例文帳に追加

タイヤを内圧付加状態において、前記最大谷部を含む領域の温度α゜Ｃが、該領域外の範囲の温度β゜Ｃよりも５゜Ｃ以上低い温度差状態に加温したのち、前記内圧を除去して冷却する。 - 特許庁

The peptide contains a variable region to which an antigen-binding site is to be formed and has an amino acid sequence expressing a specific adsorption function to a solid phase at a site closer to the C-terminal than a heavy-chain variable region or at a site closer to the C-terminal than a light-chain variable region.例文帳に追加

抗原結合部位が形成される可変部を含むペプチドであって、重鎖の可変部よりもＣ末端側又は軽鎖の可変部よりもＣ末端側に、固相に対して特異的な吸着機能を発現させるアミノ酸配列を有する。 - 特許庁

The scraper for cleaning is constituted by providing a grip region and a working region for storing a blade and by molding the grip region (1) and the working region (2) with a thermosetting plastic material so as to be durable a temperature exceeding 130°C of a glass surface or a glass-like surface, especially a temperature of at least 240°C.例文帳に追加

握り領域と、刃を収容するための作業領域とを有し、ガラス表面またはガラス類似表面の１３０℃を超える温度、特に２４０℃以上の温度に耐えるよう、握り領域（１）と作業領域（２）とを熱硬化性プラスチック材料から成形して清掃用スクレーパを構成する。 - 特許庁

In a calculation region A of a mesh model, a spatial calculation region B and an underground calculation region C that a shape model for a vehicle 102 to be analyzed is made to correspond to are set, and an underground boundary layer 105 in the underground calculation region C is set to a depth δ where a temperature variation in the ground is small.例文帳に追加

メッシュモデルの計算領域Ａに、解析対象となる車両１０２の形状モデルを対応付けした空間計算領域Ｂと地中内計算領域Ｃとを設定し、地中内計算領域Ｃの地中境界層１０５を地中内部の温度変化の少ない深さδに設定する。 - 特許庁

First thermal treatment (750°C) is performed in a nitrogen atmosphere to self-aligningly form silicide films 31, 32 and 33 (thickness: 30 nm each) on a gate region, a source region, and a drain region, respectively.例文帳に追加

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

The storage modulus (G'(L2)) in a nonlinear region at 180°C in step strain measurement from a nonlinear region to linear region of the toner is set to 400 to 2,000 dyn/cm^2.例文帳に追加

トナーの、粘弾性特性の非線形領域から線形領域へのステップストレイン測定において、１８０℃での線形領域における貯蔵弾性率（Ｇ′（Ｌ２））が、４００〜２０００ｄｙｎ／ｃｍ^２である。 - 特許庁

The diode part 3 of the P+ type region 10 is then irradiated with laser light and patterned by laser annealing thus forming an N+ type region 13 selectively in the P+ type region 10 (Fig. 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｐ＋型領域１０のうちダイオード部３にレーザ光を照射してレーザアニールすることによりパターニングし、Ｐ＋型領域１０にＮ＋型領域１３を選択的に形成する（図３（ｃ））。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The heater 8A is helically wound in the entrance region A, the heater 8B is helically wound in the exit region B, and the heater 8C is helically wound in the center region C.例文帳に追加

ヒータ８Ａは螺旋状となるように入口領域Ａに巻かれ、ヒータ８Ｂは螺旋状となるように出口領域Ｂに巻かれ、ヒータ８Ｃは螺旋状となるように中央領域Ｃに巻かれている。 - 特許庁

The transferring device 1 is equipped with the transfer means 5 which starts and operates the transfer operation in such a way as including a relative low-speed region A, a transition region B, and a relative high-speed region C in order.例文帳に追加

移載装置１は、移載動作開始から相対的な低速度領域Ａと遷移領域Ｂと相対的な高速度領域Ｃとをその順に含むように動作する移載手段５を有する。 - 特許庁

A heat treatment (750°C) of a first time is performed in a nitrogen atmosphere, and the silicide films 31, 32 and 33 (film thickness is 30 nm) are formed in a self-aligning manner respectively in a gate region, a source region and a drain region.例文帳に追加

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

A wedge-shape spatial region is formed between the surface of the application roller 11 and a recovery part 29A, and the spatial region includes a region C in which a wedge angle changes smaller from a region B2 where a coating liquid remains toward a region B1 where there is almost no coating liquid.例文帳に追加

塗布ローラ１１の表面と回収部２９Ａとの間にクサビ形状の空間領域を形成し、その空間領域は、塗布液が残る領域Ｂ２から塗布液がほとんど無くなる領域Ｂ１に向かってクサビ角度が小さく変化する領域Ｃを含む。 - 特許庁

An Si film is grown on a base region 3-a of a horizontal bipolar and on a collector region 3-b of a vertical bipolar at the same time to form an emitter region 9-a and a collector region 9-c of the horizontal bipolar and a base region 9-b of the vertical bipolar.例文帳に追加

横型バイポーラのベース領域３−ａの上、および縦型バイポーラのコレクタ領域３−ｂの上にシリコン膜を同時に成長させ、横型バイポーラのエミッタ領域９−ａおよびコレクタ領域９−ｃを形成するとともに、縦型バイポーラのベース領域９−ｂを形成する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

An outer wall 500 is provided around the equipment space including the processing regions A and B and the carrying region C, and a partition wall 501 is provided to partition the processing regions A and B and the carrying region C.例文帳に追加

処理領域Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃを含む装置空間の周囲には外壁５００が設けられ、処理領域Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃをそれぞれ隔離するように隔壁５０１が設けられている。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

To provide a light-modifying sheet which exhibits light-shielding properties because of its ability to show a large haze (%) variation in a relatively low temperature region (40-50°C) and exhibits its effect in a practical temperature region (25-50°C).例文帳に追加

比較的低温（４０〜５０℃）領域において、ヘーズ値（％）の変化量が大きくなることによって、光遮蔽性を発揮し、実用温度領域（２５〜５０）において効果を発揮する調光性シートを提供すること。 - 特許庁

Cholesteric liquid crystals of an R-L body, a G-L body, a B-L body and a C-L body are encapsulated in the red display region, the green display region, the blue display region and the white display region of the first display panel 60a, respectively.例文帳に追加

第１の表示パネル６０ａの赤色表示領域、緑色表示領域、青色表示領域及び白色表示領域には、それぞれＲ−Ｌ体、Ｇ−Ｌ体、Ｂ−Ｌ体及びＣ−Ｌ体のコレステリック液晶を封入する。 - 特許庁

The resist pattern 15 is removed and a desired light reception opening is formed in an image pickup region (refer to Fig. (c)).例文帳に追加

レジストパターン１５を除去して、撮像領域に所望の受光開口部を形成する（図１（ｃ）参照）。 - 特許庁

The minimum melt viscosity of the resin composition in a temperature region of 50-150°C is ≤100 Pa s.例文帳に追加

５０〜１５０℃の温度領域での上記樹脂組成物の最低溶融粘度は１００Ｐａ・ｓ以下である。 - 特許庁

To provide a friction material which has enhanced friction material strength at a high temperature region of a rotor temperature of 400°C or more.例文帳に追加

ロータ温度４００℃以上の高温域での摩擦材強度を向上させた摩擦材を提供すること - 特許庁

Thereby, the region C of the vehicle body structure 1 on the front side of the fuel tank 3 also is added to an absorption stroke.例文帳に追加

これによって、燃料タンク３より前側の車体構造１の領域Ｃも吸収ストロークに加算する。 - 特許庁

The number of times of 'on' of an ignition key switch 6 is counted using a counter region C in the EEPROM 74.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭ７４内のカウンタ領域Ｃを用いて、イグニッションキースイッチ６のオン回数が計数される。 - 特許庁

The substrate processing system 100 has processing regions A and B and a carrying region C is provided between.例文帳に追加

基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。 - 特許庁

(c) A thick silicon oxide film 32 is formed on the impurity diffused region 30 in a thermal oxidation process.例文帳に追加

（ｃ）熱酸化処理により、不純物拡散領域３０上に膜厚の厚いシリコン酸化膜３２を形成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage has: a capacitive element region C for composing capacitive elements Cp1-Cp3.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ３を構成する容量素子領域Ｃを有する。 - 特許庁

Next, cell arrangement (step B) and wiring (step C) are executed again, after the exclusive wiring region 4 is set.例文帳に追加

次に、配線専用領域４を設定した上で、セルの配置（ステップＢ）、配線処理（ステップＣ）を再度実行する。 - 特許庁

To provide a friction material capable of suppressing decomposition of organic materials even in a high temperature region such as ≥500°C.例文帳に追加

５００℃以上のような高温域においても有機材料の分解抑制が可能な摩擦材を提供する。 - 特許庁

To provide a high-ductility Mg alloy which shows adequate ductility when deformed even at a low temperature region around 200°C.例文帳に追加

変形温度が200℃程度の低温域であっても良好な延性を示す高延性Ｍｇ合金を提供する。 - 特許庁

If the damper 1 parts from the string 15 while inclining, (c) to (e) can be used as a half pedal region.例文帳に追加

このようにダンパー１が傾きつつ弦１５から離れると（ｃ）〜（ｅ）をハーフペダル領域として用いることができる。 - 特許庁

The region existence data includes the holder A, B, C, D, but does not include the holder E (data for reproduction exclusive recording area).例文帳に追加

領域存在データはフォルダＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含むが、フォルダＥ（再生専用データ記録区域）を含まない。 - 特許庁

Such grain-oriented silicon steel sheet can be obtained by heating the steel sheet to a temperature region of ≥700°C at a heating rate of ≥100°C/s prior to decarburization annealing, then regulating the stangnaition time at ≥700°C to 1 to 20 second and controlling the atmosphere of this temperature region.例文帳に追加

このような一方向性電磁鋼板は、脱炭焼鈍する前に、７００℃以上の温度域へ１００℃／ｓ以上の加熱速度により加熱したのち７００℃以上の滞在時間を１〜２０秒間とし、かつこの温度域の雰囲気を制御することにより得ることができる。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

In a liquid crystal panel P1, however, because a recessing part 4, in the state the liquid crystal 2 is not filled therein, is formed in a non-pixel region C, the gap part A1 is generated inside the non-pixel region C utilizing the recessing part 4 as a nucleus and is not generated in the pixel region D.例文帳に追加

しかし、図示の液晶パネルＰ_1 においては、非画素領域Ｃにおいて、液晶２の充填されていない状態の凹部４が形成されているため、空隙部Ａ_1 はこの凹部４を核として非画素領域Ｃの内部に発生し、画素領域Ｄには発生しない。 - 特許庁

As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加

これにより、Ｃが注入された深さまでにおいては、ｐ型不純物の横方向拡散が抑制され、Ｃが注入された深さよりも深い領域においては、ｐ型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにｐ型ゲート領域４が形成される。 - 特許庁