「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The protective film is formed by principally heating and sublimating the region of parylene N, at first, using a film making unit 10 having sublimation regions of parylene N and parylene C which can be subjected individually to temperature control and then principally heating the region of parylene C.例文帳に追加

保護膜形成方法は、個々に温度制御可能なパリレンＮとパリレンＣの昇華領域をもった製膜装置１０を用いて、始めに主としてパリレンＮの領域を加熱し、昇華させ、次にパリレンＣの領城を主として加熱することにより保護膜を形成する。 - 特許庁

The device 100 includes: a SiC substrate 11 having a region 17 with its surface or inside exposed, and having a (0001) surface as a principal surface; an electron emission layer 12 formed on a C surface of the substrate 11 and formed out of carbon; and an electrode 18 formed in the region 17.例文帳に追加

本発明における電子放出装置１００は、表面または内部が露出した領域１７を有し、（０００１）面を主面とするSiC基板１１と、基板１１のC面に形成された炭素により構成される電子放出層１２と、領域１７に形成された電極１８とを備える。 - 特許庁

Assuming another MISFET which is provided with a substrate having impurity concentration C and composed of the same material as that of the substrate 1, and an insulation film composed of SiON only formed on the channel region; the impurity concentration C of the channel region 20 is so established that the maximum of electron mobility in the channel 20 region is higher than the maximum of electron mobility in the channel region.例文帳に追加

不純物濃度Ｃのチャネル領域を有し、基板１と同一の材質よりなる基板と、チャネル領域上に形成されたＳｉＯＮのみよりなる絶縁膜とを備える別のＭＩＳＦＥＴを想定し、チャネル領域における電子の移動度の最大値よりもチャネル領域２０における電子の移動度の最大値が高くなるように、チャネル領域２０の不純物濃度Ｃが設定されている。 - 特許庁

Further, in its production method, a steel slab or a cast iron slab is heated to ≥1,100°C and is subjected to hot rolling where the cumulative draft of ≥50% is secured to the finishing plate thickness in the temperature region of 830°C to 930°C to form into a thick steel plate.例文帳に追加

また、鋼片または鋳片を１１００℃以上に加熱し、９３０℃以下８３０℃以上の温度域で仕上げ板厚に対して５０％以上の累積圧下率を確保する熱間圧延を行って厚鋼板とすることを特徴とする、その製造方法。 - 特許庁

A composition image obtained by replacing a region most distant from the face region (shown as a code A in Fig.(c)) to a code image representing a QR code in which, for example, Internet address is recorded, is generated based on the face region information when performing network printing.例文帳に追加

ネットプリントを実施するときにその顔領域情報に基づいて顔領域から最も離れた領域（図（ｃ）の符号Ａで示される）が例えばインタネットアドレスを記載したＱＲコードを表わすコード画像に置換されてなる合成画像を生成する。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁

Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature.例文帳に追加

好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に１００℃を加えた温度以下である。 - 特許庁

A cutting wheel unit 34 moves back and forth in the direction of the arrow C to cut the recording paper 22 while the recording region 50b for the final line is left.例文帳に追加

切断ホイールユニット３４が矢印Ｃ方向に往復動して、最終ラインの記録領域５０ｂを残して記録紙２２を切断する。 - 特許庁

Thus, objective inexpensive unburned refractory brick having excellent strength and superior corrosion resistance in a ≤1,000°C intermediate temperature region, can be produced by using this production process.例文帳に追加

この方法により、１０００°Ｃ以下の中間温度域での強度、耐食性に優れ、且つ安価な不焼成れんがを生成できる。 - 特許庁

The resultant kneaded material is shaped using a briquetting machine or an extruding machine in a low-temperature region between ordinary temperature and 120°C where the synthetic resin powder is free from thermal decomposition.例文帳に追加

この混練物を合成樹脂粉末が熱分解しない常温〜１２０℃の低温度域で、ブリケットマシンや押出成形機で成形する。 - 特許庁

The identification seal LB is disposed on a moving region of the structure deforming part according to the movement of the second case member C relative to the first case member B.例文帳に追加

構造変形部の、第２ケース部材Ｃの第１ケース部材Ｂに対する相対的な移動に伴う移動領域上に配置されている。 - 特許庁

To carry out the evaluation of the subject activator by reacting a C-terminal region of a Ca channel α1 subunit with an α subunit of a G-protein in the presence of a test specimen and examining the presence or absence of bonds therebetween.例文帳に追加

神経細胞におけるＣａチャンネルα_1サブユニットとＧ蛋白との相互作用の解明とこれに基づく医薬の提供。 - 特許庁

The modulation signal analyzer detects temporal positions of received bursts 3 to 6 by utilizing that a common region C is included in a preamble part of each burst.例文帳に追加

各バーストのプリアンブル部には共通の領域Ｃが含まれることを利用して、入力されるバースト３〜６の時間位置を検出する。 - 特許庁

To provide a leadless high-temperature solder material which is high in the reliability of joining strength and enables soldering in a high-temperature region of 250 to 350°C.例文帳に追加

接合強度の信頼性が高く、２５０〜３５０℃の高温域でのはんだ付けが可能な、無鉛の高温はんだ材料を提供する。 - 特許庁

A thermosetting resin 31 is coated (c), and it is heated by a heating tool 32 so as to be thermally cured in every specific region corresponding to the bare chip 13a (d).例文帳に追加

熱硬化性樹脂３１を塗布し（ｃ）、ベアチップ１３ａに対応した特定領域毎にヒートツール３２で加熱して熱硬化させる（ｄ）。 - 特許庁

To provide a lightweight heat insulating castable exhibiting high strength in a medium temperature region of 1,000-1,200°C.例文帳に追加

本発明の目的は、１０００℃〜１２００℃の中間温度域で高強度を発揮することができる軽量断熱キャスタブルを提供することにある。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having high coercive force and capable of obtaining high reproducing output and a high C/N in a short wavelength recording region.例文帳に追加

高保磁力を有し、短波長記録領域において高い再生出力及び高いＣ／Ｎが得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

After the formation of the predetermined region, a wafer process up to 650°C and thereafter, heat treatment in an assembling process or a working temperature are not limited.例文帳に追加

所定の領域を形成後、６５０℃までのその後のウェーハプロセス、組立工程の熱処理または使用温度が制限されることはない。 - 特許庁

In this period, the liquid layer L is parted in a thin-layer region by centrifugal force, and a dry core C is formed at the center of the liquid layer L.例文帳に追加

この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。 - 特許庁

Thereafter, the resist layers of an uncured part are removed by a developer and the coated glass substrate is heated to about 100-200°C to further cure the resin of the region 16.例文帳に追加

その後、現像液で未硬化部分のレジスト層を除去し、１００〜２００℃程度で加熱して領域１６の樹脂をさらに硬化させる。 - 特許庁

To provide a biomass gasification method by which biomass is gasified in a low temperature region of about 400°C even with increased concentration of biomass in a slurry.例文帳に追加

スラリー中のバイオマス濃度を高めても４００℃程度の低温領域でバイオマスをガス化することができるバイオマスガス化方法を提供する。 - 特許庁

A lead-free solder layer of an Sn-Sb solder alloy having a liquid phase line temperature of 220°C or more is provided on at least a region bonded with a package.例文帳に追加

少なくともパッケージとの接合領域に液相線温度が220 ℃以上のSn-Sb 系はんだ合金から成る鉛フリーはんだ層を設ける。 - 特許庁

The solid electrolyte fuel cell stably generates power with methane and oxygen in a temperature region at 600°C or less.例文帳に追加

このような固体電解質型燃料電池は、６００℃以下の温度域でもメタン及び酸素を用いて安定した発電を行うことができる。 - 特許庁

To provide a low temperature sintering dielectric material which can be calcined at ≤1000°C and shows low dielectric loss in a high frequency region.例文帳に追加

１０００℃以下の温度で焼成でき、しかも高周波域において誘電損失が低い低温焼結誘電体材料を提供する。 - 特許庁

Since the active oxygen species such as ozone have high oxidation activity in a low-temperature region blow 200°C, H_2S in exhaust gas is efficiently removed by oxidation.例文帳に追加

オゾンなどの活性酸素種は、 200℃以下のような低温域でも酸化活性が高く、排ガス中のH_2S は酸化により効率よく除去される。 - 特許庁

(c) Moved forward with development and centralization of international distribution centers for each region in Europe, Asia, etc., and built efficient regional distribution systems.例文帳に追加

③ 欧州、アジア地域などの地域ごとに国際物流拠点の整備と集約化を推進し、地域の効率的な物流体制を構築した。 - 経済産業省

Since no margin is required to be estimated for a sound data arrangement region as in the past (C), the total capacity of memory can be reduced.例文帳に追加

したがって、従来の（Ｃ）のように音データ配置領域に余裕を見込む必要がないため、メモリの総容量を少なくすることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Three-dimensional coordinates of movement reference points A, B, C, D of a mobile unit traveling within a monitoring region R and those of upper points of the movement reference points A, B, C, D according to the height of the mobile unit are set to the image processing apparatus 20.例文帳に追加

監視領域Ｒ内を移動する移動体の移動基準点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと、移動体の高さに応じた移動基準点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの上方点の３次元座標を画像処理装置２０に設定する。 - 特許庁

An active region 6 is provided on a lateral growth layer 5 grown in a C-axis direction of a semiconductor device of nitride group III-V compound laminated by the nitride group III-V compound on a surface parallel to a C axis.例文帳に追加

Ｃ軸に平行な面にナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体を積層したナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体装置のＣ軸方向に成長した横方向成長層５上に能動領域６を設ける。 - 特許庁

A chuck region for holding the wafer is divided into a plurality of sectional regions A, B, C, and D, an unexposed part is fixed to the sectional regions A, B, C, and D, and the fixation of the exposed part is once released.例文帳に追加

ウェハを保持するチャック領域を複数の区分化された領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに分割し、未露光部はこの区分化された領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに固定し、露光された部分は一旦固定を解除する。 - 特許庁

As shown in Fig. (c), a patterning film 15 having an opening 15a facing opposite a region is formed, where a metal wiring 12 is to be formed on a silicon wafer 11 in which a barrier metal 13 and a seed film 14 are stacked.例文帳に追加

図１(c) に示すように、バリアメタル膜１３およびシード膜１４が積層されたシリコン基板１１上に、金属配線１２を形成すべき領域に対向した開口１５ａを有するパターニング膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide MnZn based ferrite having excellent characteristics that incremental permeability μ_Δ in the temperature region of 0 to 85°C is ≥250 and also incremental permeability μ_Δ at 65°C is ≥400 under the application of a direct current magnetic field of 80 A/m.例文帳に追加

80Ａ/ｍの直流磁場印加の下で、０〜85℃の温度領域における増分透磁率μ_△が250以上、かつ65℃における増分透磁率μ_△が400以上の優れた特性を有するMnZn系フェライトを提供する。 - 特許庁

The shape of the cathode 42 is adjusted to suppress that current density in the peripheral part of the objective region E in the material C to be treated becomes larger than that in the other part of the objective region E.例文帳に追加

ここに、被処理物Ｃにおける対象領域Ｅの周部での電流密度が対象領域Ｅの他の部分での電流密度よりも大きくなるのを抑制するように陰極４２の形状を調整している。 - 特許庁

Multipass rolling by ≥50% of the whole is performed in the temperature region of ≤570°C in which ferrite is not recrystallized, and next, rolling is performed in the temperature region higher than the above, and in which ferrite is dynamically recrystallized within the final 2 passes.例文帳に追加

５７０℃以下のフェライトが再結晶しない温度領域で全５０％以上の多パス圧延を行い、次いで最終の２パス以内でこれより高温でフェライトが動的再結晶する温度領域で圧延する。 - 特許庁

This communicating mechanism 13 has a structure of allowing inflow of the water into the region B in which the water is taken out and returned, and of preventing outflow of the water from the region B to other regions A, C.例文帳に追加

この連通機構１３は、水の取り出し及び水の戻りが行われる領域Ｂへの水の流入を許容し、当該領域Ｂから他の領域Ａ，Ｃへの水の流出を妨げる構造とする。 - 特許庁

A control section C is connected to the temperature detection sensor, the pump 13, and the cooler 12, and controls the pump 13, and the cooler 12 to keep the temperature of the region within a prescribed temperature range on the basis of the detected temperature of the region.例文帳に追加

制御部Ｃは温度検知センサ、ポンプ１３、冷却器１２に接続されており、検知された局部の温度に基づいて局部の温度が所定範囲内になるようにポンプ１３、冷却器１２を制御する。 - 特許庁

Disclosed is an AhR chimeric protein includes an N-terminal region of an AhR derived from a rat containing bHLH domain and PAS domain, and a C-terminal region of an AhR derived from a mouse containing a transcription activating domain in order from its N-terminal end.例文帳に追加

bHLHドメインおよびＰＡＳドメインを含む、ラット由来のアリルハイドロカーボン受容体（AhR）のＮ末端領域、および転写活性化ドメインを含む、マウス由来のAhRのＣ末端領域をＮ末端から順に含むAhRキメラタンパク質。 - 特許庁

Accordingly, auxiliary drawings such as a dragonfly mark B and a stylus mark C are carried out on one end side of the recording medium P by the inkjet recording heads 20K and 20C in the region W out of the image quality assured region.例文帳に追加

これにより、画質保証領域外Ｗにおいて、インクジェット記録ヘッド２０Ｋ及びインクジェット記録ヘッド２０Ｃにより、記録媒体Ｐの一端側にトンボＢや針印Ｃなどの補助描画がなされる。 - 特許庁

This orientation of the c-axis creates negative sheet charge at the boundary inside the edge of the p-type region or at the edge of the p-type region, thus providing a barrier against charge carriers in the light-emitting layer.例文帳に追加

ｃ軸のこのような配向は、ｐ型領域の縁部内の界面で又はｐ型領域の縁部で負のシート電荷を作り出し、発光層内の電荷担体に対する障壁をもたらすことができる。 - 特許庁

In addition, in a case where a significant pixel is not included in the region C, but included in a region B, occurrence of granular feeling can be surely suppressed by using an error diffusion parameter B.例文帳に追加

また、Ｃ領域に有意な画素が含まれず、且つ、Ｂ領域に有意な画素が含まれている場合、誤差拡散パラメータＢを用いることにより、粒状感の発生を抑制しつつ粒状感の発生を抑制できる。 - 特許庁

The polarity of voltage to be applied to the pair of electrodes is reversed by a switching signal which is generated in each boundary region between the filter colors of a color wheel, and the polarity is reversed in a blue color region B (a, b, c).例文帳に追加

電極対に印加される電圧は、カラーホイルのフィルタ色の境界域毎に発生する切替信号により極性が反転するとともに、青色領域（Ｂ）において極性を反転させる（ａ，ｂ，ｃ）。 - 特許庁

Alternatively, all the objects in the distant-range view region are drawn (c), and after the values of α in a predetermined range in the frame buffer are operated, objects existing in the close-range view region 130 are drawn while being subjected to color composition.例文帳に追加

あるいは、遠景領域１３２の全てのオブジェクトについて描画し（ｃ）、フレームバッファにおける所与の範囲のα値を操作した後、色合成しつつ近景領域１３０のオブジェクトを描画する。 - 特許庁

A clamp part 12 is formed on a q-axis in a region between the permanent magnet 11 and the central hole 4, and a rivet 13 is passed on a d-axis in a region (c) between the permanent magnet 11 and the circumferential part of a rotor core 10.例文帳に追加

永久磁石１１と中心孔４との間の領域でｑ軸上にかしめ部１２を形成し、永久磁石１１とロータコア１０の外周との間の領域ｃでｄ軸上にリベット１３を通す。 - 特許庁

The bearing pressure of each cell C is calculated, based on a balance condition expression where the total of the bearing pressures of the cells C balances with an external force, and the total of the products of the bearing pressure and influence quantity for the cells C balances with the difference between the approach amount between the contact objects and initial clearance inside a contact region.例文帳に追加

各セルＣの面圧の合計が外力と釣り合い、かつ各セルＣにつき面圧と前記影響量の積の合計が接触領域内部において接触物体間の接近量と初期隙間の差に釣り合うという釣り合い条件式から、各セルＣの面圧を算出する。 - 特許庁