「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent oxidation of a layer made of cubic boron nitride at a high temperature above 900°C and improve maintaining of wear resistance in a temperature region exceeding 900°C.例文帳に追加

立方晶窒化ホウ素からなる層の900℃を超える高温での酸化防止を図るとともに、それ以上の温度域での耐摩耗性を維持を向上することを課題とする。 - 特許庁

A DNA fragment containing a promoter region of a gene derived from cyprinodont is provided, which gene is selected from a group consisting of Ubiquitin C-terminal Hydrolase L1 (UCHL1) gene, Tyrosine Hydroxylase (TH) gene, Growth Associated Protein 43 (GAP43) gene and Proteolipid protein 1 (PLP1) gene.例文帳に追加

Ubiquitin C-terminal Hydrolase L1（UCHL1）遺伝子、Tyrosine Hydroxylase（TH）遺伝子、Growth Associated Protein 43（GAP43）遺伝子およびProteolipid protein 1（PLP1）遺伝子からなる群から選ばれるメダカ由来遺伝子のプロモーター領域を含むDNA断片。 - 特許庁

The respective membrane heat-sensing members may by made point-symmetric, with respect to the center point C of the center region R and may be set at the positions of an equal distance from the center point C.例文帳に追加

それぞれの薄膜熱感知体は、センサ領域Ｒの中心点Ｃに対して点対称にしてもよく、中心点Ｃから等距離の位置にしてもよい。 - 特許庁

In this case, the area of the overlapped machining region [C] is set to approximately 33% of the area of the second dry etching region, thus preventing the ground gate insulating film 23 from being punched.例文帳に追加

この時重複加工領域［Ｃ］の面積を２回目のドライエッチング領域の面積の約３３％として、下地のゲート絶縁膜２３が打ち抜かれるのを防止する。 - 特許庁

In a region RB, a P-type well 4a to be a base B, an N+ diffusion region 15a to be an emitter E, and a bottom N-type well 6 to be a collector C are formed.例文帳に追加

領域ＲＢには、ベースＢとなるＰ型ウェル４ａ、エミッタＥとなるＮ＋拡散領域１５ａおよびコレクタＣとなるボトムＮ型ウェル６が形成されている。 - 特許庁

If a predetermined interruption cause is produced during the feed operation of the specimen rack L, the specimen rack L on the feed region B is fed to the rack housing region C.例文帳に追加

検体ラックＬの搬送動作中に所定の中断原因が生じると、搬送領域Ｂ上の検体ラックＬが、ラック収容領域Ｃに搬送される。 - 特許庁

The C-shaped knitted region 4 at another side is formed by repetitively connecting to the cylindrical knitted region 3 with stitch rows formed in respective courses being shifted to a left side.例文帳に追加

他方側Ｃ字編成領域４は、コース毎に編成する編目列を左側に寄せて筒状編成領域３と接合することを繰返して編成する。 - 特許庁

A region (transmission channel) having the same size in an audio signal region 102 of a transmission frame is allocated to each of an active engine C and a standby engine D.例文帳に追加

運用系エンジンＣと待機系エンジンＤのそれぞれに対して伝送フレームの音響信号領域１０２の領域（伝送チャンネル）を同量ずつ割り当てる。 - 特許庁

In this tire 1 for a motorcycle, a land ratio of a center region Cr being a region of 30% of a tread width TW with a tire equator C as a center is 75 to 95%.例文帳に追加

タイヤ赤道Ｃを中心とするトレッド幅ＴＷの３０％の領域であるセンター領域Ｃｒのランド比が、７５〜９５％の自動二輪車用タイヤ１である。 - 特許庁

The region S having the radius 7s appears in both sides in the direction of the rotation axis 1-1, and the region C having the radius 7c appears between the regions S.例文帳に追加

出現ユニットでは、半径７ｓの領域Ｓが回転軸１−１の方向で両側に出現し、領域Ｓの間に、半径７ｃの領域Ｃが出現する。 - 特許庁

[3] The method is characterized by setting a temperature in the region with a temperature lower than that of the high temperature region at 600 to 900°C in the method described in [1] or [2].例文帳に追加

〔３〕前記高温領域よりも温度の低い領域における温度が６００℃以上９００℃以下であることを特徴とする〔１〕または〔２〕記載の方法。 - 特許庁

When the terminal screen includes a specific region, a pseudo terminal screen to be displayed on a vehicle display unit 112 is expanded more than the other region (Fig. (C), (D)).例文帳に追加

、表示部１１２に表示さする擬似端末画面を、端末画面に特定領域がある場合、その特定領域を他の領域よりも拡大した画面とする（図（Ｃ）、（Ｄ））。 - 特許庁

A titanium film 7 is formed (C), a titanium silicide layer 9a is formed in the diffusion region 5 through a thermal treatment, and a titanium silicide layer 9b is formed in the region 3a.例文帳に追加

チタン膜７を形成した後（Ｃ）、熱処理を施して拡散領域５にチタンシリサイド層９ａを形成し、領域３ａにチタンシリサイド層９ｂを形成する。 - 特許庁

The depth H of the pure water passage 7 in a region B overlapping the upstream side of the anode gas passage 5 is set so as to make it smaller when comparing it with that of the other region C.例文帳に追加

アノードガス流路５の上流側に重なる領域Ｂにおいて、その他の領域Ｃに比べて純水流路７の深さＨを小さく設定する。 - 特許庁

Process regions A and B extending almost in parallel with a transportation region C in between are provided with a plurality of process units 200 while partition covers 100a and 100b are provided between the process regions A and B and the transportation region C.例文帳に追加

搬送領域Ｃを挟んでほぼ平行に延びる処理領域Ａ，Ｂに複数の処理ユニット２００が配置され、処理領域Ａ，Ｂと搬送領域Ｃとの間には仕切りカバー１００ａ，１００ｂが設けられている。 - 特許庁

In the tire 2, a tread 4 is located at an axial-direction center and includes: the center region C in which a belt 12 is located at a radial-direction inside of the tread; and a pair of shoulder regions S located at the axial-direction outside of the center region C.例文帳に追加

タイヤ２では、トレッド４は、軸方向中央に位置してその半径方向内側にベルト１２が位置するセンター領域Ｃと、このセンター領域Ｃの軸方向外側に位置する一対のショルダー領域Ｓとを備えている。 - 特許庁

In the low temperature region where the exhaust gas temperature is 200°C or lower, NO_x is adsorbed by the NO_x adsorption layer, whereas in the high temperature region where the exhaust gas temperature exceeds about 200°C, the NO_x released from the NO_x adsorption layer is occluded and reductively purified by the NO_x storage reduction catalyst on the upper layer.例文帳に追加

排ガス温度が約 200℃以下の低温域ではNO_x はNO_x 吸着層に吸着され、約 200℃を超える高温域でNO_x 吸着層から放出されたNO_x は上層のNO_x 吸蔵還元触媒によって吸蔵され還元浄化される。 - 特許庁

After the entire surface of a wafer is made to serve as an OSF region by adding nitrogen to a crystal and then oxygen of the crystal is lowered, cooling rate of the 1,050-1,000°C temperature region is set at 2.0°C/min or below during single crystal growth.例文帳に追加

結晶に窒素を添加してウェーハの全面をＯＳＦ領域とし、結晶を低酸素化した上で、さらに単結晶育成時における１０５０℃〜１０００℃の温度領域の冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

The maximum value Max and the minimum value Min of a region except for both end residues of the Core region are calculated, and if Max-Min is a constant threshold or less, amino acid residue number NN at N end and amino acid residue number NC at C end are calculated.例文帳に追加

次にCore領域の両端残基を除いた領域の [H] の最大値Maxと最小値Minを算出し、Max−Minが一定の閾値以下となる場合に、N端側のアミノ酸残基数N_NとC端側のアミノ酸残基数N_Cを算出する。 - 特許庁

When an orthogonal section of the distal part 44 with respect to a central axis C is divided at a line (M1-M1) passing through the central axis C, the opening 64 is located on a region opposite to a region where the observation optical system 52 is arranged.例文帳に追加

中心軸Ｃに対する先端部４４の直交断面を、中心軸Ｃを通る線（Ｍ１−Ｍ１）で分割した際に、開口６４は、観察光学系５２が配置される領域の反対側領域に配置される。 - 特許庁

In carrying out heating at ≥873 K (≥600°C) and then cooling, cooling rate while material temperature lies at least in the temperature region of 773 K (500°C) to 573 K (300°C) is made to ≥200 K (200°C)/s to regulate hardness dispersion to ≤Hv 40.例文帳に追加

0８７３Ｋ(６００℃）以上で加熱した後冷却するに際して、材料温度が少なくとも７７３Ｋ(５００℃）から５７３Ｋ(３００℃）の温度区間内にあるときの冷却速度を２００Ｋ(２００℃）/秒以上とすることにより硬さ分散をHv４０以下とする。 - 特許庁

In an ineffective display region b outside the effective display region a and inside a seal region c in a planar view, a first conductive pattern 131 made of the same layer with the pixel electrodes 118 is provided.例文帳に追加

平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。 - 特許庁

The outermost circumferential ring region in the color selectable diaphragm 31 is made of a light shielding plate C of shielding light of all colors, and the central circular region is made of a opening region A of transmitting light of all colors.例文帳に追加

この色選択性絞り３１の最外周リング領域は全ての色の光を遮断する遮光板Ｃとされており、中央円形領域は全ての色の光を透過させる開口領域Ａとされている。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises (a) a substrate having a top substrate surface, (b) a channel region on the top substrate surface, (c) a gate dielectric region on the top substrate surface, and (d) a gate electrode region on the top substrate surface.例文帳に追加

半導体構造は、（ａ）上部基板面を有する基板と、（ｂ）上部基板面上のチャネル領域と、（ｃ）上部基板面上のゲート誘電体領域と、（ｄ）上部基板面上のゲート電極領域と、を含む。 - 特許庁

The structure includes (a) a substrate, (b) first and second electrode regions 610, 1120 on the substrate, and (c) a third electrode region 1110 arranged between the first electrode region and the second electrode region.例文帳に追加

本発明による構造体は、（ａ）基板と、（ｂ）基板上の第１および第２の電極領域と、（ｃ）第１の電極領域と第２の電極領域との間に配置された第３の電極領域とを含む。 - 特許庁

The backlight driving controller has an adjacent region lighting section which lights up at the brightness smaller than the brightness of the lighting division region A with respect to the adjacent region C of the specified width adjacent to the lighting division region A where the backlight is lighted up based on the image signal.例文帳に追加

バックライト駆動制御部は、画像信号に基づいて点灯された点灯分割領域Ａに隣接する一定幅の隣接領域Ｃに対して点灯分割領域Ａの輝度よりも小さい輝度にて点灯する隣接領域点灯部を有している。 - 特許庁

To provide a low thermal expansion alloy which exhibits excellent low thermal expansion properties even in an ultralow temperature region of ≤-50°C.例文帳に追加

−５０℃以下の極低温域においても優れた低熱膨張特性を示す低熱膨張合金を提供する。 - 特許庁

As a result, the driver moves his or her line of sight to the room mirror, and recognizes the two-wheel vehicle existing in the peripheral region C.例文帳に追加

その結果、運転者はルームミラーに視線を移動させ、周辺領域Ｃに存在する二輪車を認識する。 - 特許庁

Further, the drive part is disposed in a region R between an outer edge of the lens holder 10 and a corner of the cabinet C.例文帳に追加

さらに、駆動部はレンズホルダ１０の外縁部と筺体Ｃの角部とにより形成される領域Ｒに配される。 - 特許庁

An opening C1 and a piezoelectric oscillation element housing part C connected to the opening are formed in the housing region 1A.例文帳に追加

収納領域１Ａは開口部Ｃ１と当該開口部につながる圧電振動素子収納部Ｃが形成されている。 - 特許庁

Hereby, since an ultraviolet ray in a UV-C region which is harmful to the human body is not emitted, the device can be handled easily.例文帳に追加

これにより、人体に有害なＵＶ−Ｃ領域の紫外線は発光しないので装置が取り扱いやすくなる。 - 特許庁

To selectively grow an epitaxial film on a certain region of a substrate under a low temperature range of, e.g., 500°C or lower.例文帳に追加

例えば５００℃以下の低温度領域で、基板の一部領域上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 - 特許庁

The opened region of the i-AlGaN layer 12 is irradiated with CF_4 gas plasma to form a damage layer 16 (Fig.2(c)).例文帳に追加

開口されたｉ−ＡｌＧａＮ層１２の領域に、ＣＦ_4 ガスプラズマを照射し、ダメージ層１６を形成する（図２（ｃ））。 - 特許庁

The cast iron body is heated to a temperature region of 500 to 1,200°C in an oxygen-containing atmosphere to form the rust preventive layer.例文帳に追加

酸素を含む雰囲気において鋳鉄本体を５００〜１２００℃の温度領域に加熱し、防錆層を形成する。 - 特許庁

(a) Chromaticity (x, y) based on the C-light source of the green pixel is regulated so as to fall within a region encircled by straight lines connecting four points.例文帳に追加

（ａ）緑色画素のＣ光源による色度（ｘ，ｙ）が所定の４点で囲まれる領域内にあること。 - 特許庁

A cursor C for designating a magnification center position and a frame K denoting a magnification region are displayed together with the image P.例文帳に追加

この際、画像Ｐと共に拡大中心位置指定用のカーソルＣと、拡大領域を示す枠Ｋを表示する。 - 特許庁

The nitrohydrofluoric acid is not supplied to the rotation center C on the top surface of the wafer W and a peripheral region thereof.例文帳に追加

フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 - 特許庁

The spring constant is returned early to the small state in case plotted within the region C and the spring constant is enlarged.例文帳に追加

領域Ｃ内にプロットされてばね定数を大きくした場合は、ばね定数を早期に小さい状態に復帰させる。 - 特許庁

The inside of the water reservoir 2 is divided into three of region A, region B, and region C by two sheets of barrier ribs 9, 10, and a water inlet pipe 11 and a water-returning pipe 12 are inserted into the center region B of these regions, and the extracting and coming back are carried out in the center region B.例文帳に追加

貯水装置２の内部を２枚の隔壁９，１０によって領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃに３分割し、これら領域のうち、中央の領域Ｂに水導入管１１及び水戻り管１２を挿入して、領域Ｂにおいて水の取り出しや水の戻りが行われるようにする。 - 特許庁

The heater 8 is helically wound around the outer perimeter of the desulfurizer 7, and the interval between adjoining wires of the heater 8 is set to be smallest in the entrance region A, to be largest in the center region C, and to be, in the exit region B, larger than in the entrance region A and smaller than in the center region C.例文帳に追加

ヒータ８は、螺旋状となるように脱硫器７の外周に巻かれており、ヒータ８のうちの隣り合う巻線の間隔は、入口領域Ａにおいて最も小さくなるように設定されており、中央領域Ｃにおいて最も大きくなるように設定されており、出口領域Ｂにおいて、入口領域Ａよりも大きく且つ中央領域Ｃよりも小さくなるように設定されている。 - 特許庁

When an OSF flag of the active engine C is indicative of a normal state, an output device reads the output signals from the region C and outputs the output signals, but when the OSF flag is indicative of an abnormal state, the output device reads the output signals from the region D and outputs the output signals.例文帳に追加

出力装置は運用系エンジンＣのＯＳＦフラグが正常のときは、領域Ｃから出力信号を読み出して出力するが、該ＯＳＦフラグが異常のときは、領域Ｄから出力信号を読み出して出力する。 - 特許庁

When the outside contacting portion C contacts the contacting region 23, a plurality of convex contacts 23B projection formed on the contacting region 23 point contact to the outside contacting portion C, and then the contact pressure between them can be raised.例文帳に追加

電子部品の外部接触部Ｃが前記接触領域２３に接すると、接触領域２３に突出形成された複数の凸接点２３Ｂが前記外部接触部Ｃに点接触するため、この間の接点圧を高めることができる。 - 特許庁

Each of the screws 2 is composed of a full-flight being the region corresponding to the plasticizing part A, the full-flight of a deep groove on the upstream side being the region corresponding to the kneading part B, the kneading disc 10 on the downstream side and a full-flight being the region corresponding to the devolatilizing part C.例文帳に追加

各スクリュ２は、可塑化部Ａに対応する部位がフルフライト、混練部Ｂに対応する部位が上流側の深溝のフルフライトおよび下流側のニーディングディスク１０、脱揮部Ｃに対応する部位がフルフライトからなる。 - 特許庁

Ni is introduced to the growth source region 1, and heat treatment is carried out at a temperature of 550 to 650°C, thus allowing a crystal grain generated in the growth source region 1 to be subjected to crystal growth to the element formation region 2 via the path 3.例文帳に追加

成長源領域１にＮｉを導入した後、５５０〜６５０℃の温度で熱処理を施すと、成長源領域１で発生した結晶粒が経路３を経由して素子形成領域２まで結晶成長する。 - 特許庁

A ceiling wall 11a extending over the gaseous starting material mixing region A, reaction region B, and discharging region C is formed of boron nitride, and a bottom wall 11b at the periphery of the substrate 13 which is flush with the substrate is formed of quartz glass.例文帳に追加

原料ガス混合領域Ａと反応領域Ｂと排気領域Ｃとに亘る天井壁１１ａを窒化ホウ素で形成し、基板１３と同一平面となる基板周囲の底壁１１ｂを石英ガラスで形成する。 - 特許庁