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「CgA」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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CgAを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

The circuit board assembly (8) is provided with a circuit board (22) and a column grid array (CGA) IC packager (10).例文帳に追加

回路基板(22)およびカラムグリッドアレイ(CGA)集積回路パッケージ(10)を有する回路基板アセンブリ(8)。 - 特許庁

At this time, SuperProbe can identify MDA,Hercules, CGA, MCGA, EGA, VGA, and an entire horde of SVGA chipsets (seethe -info option, below). 例文帳に追加

現時点では、SuperProbeプログラムにより MDA, Hercules, CGA, MCGA, EGA, VGA, および各種の SVGA チップセット (下記の-infoオプションを参照) を識別可能である。 - XFree86

A column grid array (CGA) integrated circuit package (10) has a substrate (12).例文帳に追加

基板(12)を有するカラムグリッドアレイ(CGA)集積回路パッケージ(10)。 - 特許庁

A frame (26) encloses the package (10) fixed thereto.例文帳に追加

フレーム(26)が該CGA集積回路パッケージ(10)を包囲して該パッケージに固定される。 - 特許庁

例文

After the package (10) is fixed to the circuit board (22), the frame (26) is fixed to the package (10) through an adhesive (34) to meet the height variation of the package (10).例文帳に追加

該フレーム(26)は、CGA集積回路パッケージ(10)が回路基板(22)に取り付けられた後に該CGA集積回路パッケージ(10)に接着剤(34)により固定され、該接着剤(34)が、CGA集積回路パッケージ(10)の高さの変動に適応するものとなる。 - 特許庁


例文

The frame (26) supports the package (10) extending from the substrate (12) to a portion of the circuit board (22) at the time the package (10) is fixed to the circuit board (22).例文帳に追加

該フレーム(26)は、CGA集積回路パッケージ(10)が回路基板(22)に取り付けられる際に前記基板(12)から前記回路基板(22)の一部へと延びて該CGA集積回路パッケージ(10)を支持する。 - 特許庁

The rigid columns (24) contact a circuit board (26) to which the CGA integrated circuit package (10) is mounted and support the CGA integrated circuit package (10) against compressive force.例文帳に追加

該剛性カラム(24)は、CGA集積回路パッケージ(10)の取り付け対象となる回路基板(26)と接触して該CGA集積回路パッケージ(10)を圧縮力に抗して支持するものとなる。 - 特許庁

The package (10) is provided with a substrate (12) having an array (16) of solder columns (18) that extend from a bottom surface (20).例文帳に追加

CGA集積回路パッケージ(10)は、底面(20)から延びるハンダカラム(18)のアレイ(16)を有する基板(12)を有する。 - 特許庁

The second group Cgb of the rows of the discharge holes is arranged to the first group Cga of the rows of the discharge holes so as to offset the arrangement pitch of the middle discharge holes and the large discharge holes in the first group Cga of the rows of the discharge holes by 1/2 pitch.例文帳に追加

第2の吐出口列群Cgbは、第1の吐出口列群Cgaに対して、第1の吐出口列群Cgaにおける中吐出口と大吐出口の配列ピッチの1/2ピッチ分オフセットして配置されている。 - 特許庁

例文

To provide a method and an apparatus capable of utilizing more bits together with a CGA and an HBA techniques.例文帳に追加

より多くのビットをCGAおよびHBA技術とともに利用することを可能にする方法および装置を提供すること。 - 特許庁

例文

Reference voltages VREFC of voltage levels lower than an operating power source voltage of a decoder are supplied as selection signals to write column selection gates (CGA<0> to CGA<n>, CGB<0> to CGB<n>) prepared in association with bit lines (BL<0> to BL<n>).例文帳に追加

ビット線(BL<0>−BL<n>)に対応して設けられる書込列選択ゲート(CGA<0>−CGA<n>、CGB<0>−CGB<n>)に対し、選択信号として、デコーダの動作電源電圧よりも低い電圧レベルの基準電圧VREFCを供給する。 - 特許庁

The aluminum material for electrolytic capacitor electrode has the following alloy composition, in which the purity of aluminum is ≥99.98 mass%, and Zn is ≥0.0002 mass% , Ga is ≥0.0005 mass% and Zn content CZn (mass%) and Ga content CGa (mass%) satisfies the following relation of 0.0056≤6CGa+7CZn≤0.0245.例文帳に追加

合金組成において、アルミニウム純度が99.98質量%以上であって、Znを0.0002質量%以上、Gaを0.0005質量%以上含有し、且つZn含有量CZn(質量%)及びGa含有量CGa(質量%)が0.0056≦6CGa+7CZn≦0.0245なる関係を満たしている電解コンデンサ電極用アルミニウム材である。 - 特許庁

A charger CGa and a discharger DGa are respectively set so that currents i, 2i, and 4i flow by properly setting the transistor size and the like.例文帳に追加

充電部CGaおよび放電部DGaは、トランジスタのサイズを適宜設定すること等により、i、2i、4iの電流が流れるように設定される。 - 特許庁

Since conductive wire sidewalls CGa, CGb exist on a base surface, when it is processed to form word lines, and hence conductive residues of the word lines hardly grow in cuts in its cutting process.例文帳に追加

ワード線加工時の下地面に導電線サイドウォールCGa,CGbを有するので、その分断時にワード線の導電性残渣が分断箇所に発生しにくい。 - 特許庁

The surface mount technology for a ball grid array(BGA), a column grid array(CGA), etc., is adopted and basically includes a non-solder metal connection such as a copper connection.例文帳に追加

本発明は、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、カラム・グリッド・アレイ(CGA)等のサーフェス・マウント技術を対象とし、同技術は、基本的に銅接続等の非はんだ金属接続を含む。 - 特許庁

In the flat panel display device, parasitic capacitance CgA between a transparent electrode and a scanning line Gn, all parasitic capacitances CloadA to the transparent electrode, parasitic capacitance CgB between pixel electrodes 15b, 17b and the scanning line Gn and all parasitic capacitances CloadB to the pixel electrodes 15b, 17b are set so that a relational expression of Cga/CloadA=CgB/CloadB is established.例文帳に追加

平面表示装置において、透過電極と走査線Gnとの間の寄生容量CgAと、透過電極に対する全寄生容量CloadAと、画素電極15b、17bと走査線Gnとの間の寄生容量CgBと、画素電極15b、17bに対する全寄生容量CloadBとを、CgA/CloadA=CgB/CloadBの関係式が成り立つように設定する。 - 特許庁

A first group Cga of rows of discharge holes is composed of uniform and staggered arrangement of respective discharge holes of a row CM1 of middle discharge holes and a row CL1a of large discharge holes adjoiningly arranged with the row CM1 of the middle discharge holes.例文帳に追加

第1の吐出口列群Cgaは、中吐出口列CM1と、中吐出口列CM1に隣接して配置された大吐出口列CL1aとの各吐出口が等間隔で千鳥配列されることで構成されている。 - 特許庁

Then a gain value of a second GCA 13 is set so that the level of a signal S5 takes a maximum value within a range less than a specified value Vdr in a state that the signal of a level treated as a prescribed maximum value in the DSP 1 is given to a first CGA 13.例文帳に追加

次いで、DSP1において所定の最大値として扱われるレベルの信号を第1GCA13に入力させた状態のもとで、信号S5のレベルが規定値Vdr未満の範囲で最大値となるようにして、第2GCA13のゲイン値を設定する。 - 特許庁

This immunocompetence-improving composition is provided by incorporating GABA (γ-amino butyric acid) which is a neurotransmitter substance of a suppressing system in the brain as an active ingredient of the immunocompetence-improving composition for improving the immunocompetence or its indicators, an IgA (immunoglobulin A) value or a CgA (chromogranin A) value in saliva.例文帳に追加

免疫能またはその指標である唾液中のIgA(イムノグロブリンA)値やCgA(クロモグラニンA)値を改善する免疫能改善用組成物の有効成分として、脳内の抑制系の神経伝達物質であるGABA(γ−アミノ酪酸)を含有させる。 - 特許庁

例文

A memory cell has a first conductivity-type semiconductor step, two second conductivity-type semiconductor regions SBLi, SBLi+1 (i: natural number) functioning as the sources or drains and two mutually insulated memory gate electrodes (CGa or CGb, WL1) facing the sidewalls of the step, interposed with a gate dielectric film CS having charge-storing power.例文帳に追加

第1導電型半導体の段差と、その上部と下部に形成され、ソースまたはドレインとして機能する2つの第2導電型半導体領域SBLi,SBLi+1(i:自然数)と、電荷蓄積能力を有したゲート誘電体膜CSを介在させて段差の側壁にそれぞれ対峙し、かつ互いに絶縁された2つのメモリゲート電極(CGaまたはCGb,WL1)とを有している。 - 特許庁




  
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