Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
A prescribed gate electrode 15 is patterned on the gate oxide film 14, forming a source/drain diffusion layer 16.例文帳に追加
ゲート酸化膜14上に所定のゲート電極15のパターニング、ソース/ドレイン拡散層16を形成する。 - 特許庁
The M element infiltrated into a grain boundary by the diffusion exists as a (Nd, M) O_2 group compound.例文帳に追加
拡散によって結晶粒界に浸透したM元素が(Nd,M)O_2系化合物として存在する。 - 特許庁
After that, the storage node electrode and the diffusion layer of a cell are connected by a first and second conductive layers 21, 22.例文帳に追加
その後、第1及び第2導電層21,22でストレージノード電極とセルの拡散層とを接続する。 - 特許庁
To provide the device and method which can solve a diffusion equation with high precision by a Fourier expanding method.例文帳に追加
フーリエ展開法で高精度に拡散方程式を解法可能とする装置及び方法の提供。 - 特許庁
Afterward, the board is subjected to heat treatment to activate each source area and drain area (diffusion area) 1A, 1B.例文帳に追加
その後、前記各ソース・ドレイン領域(拡散層)1A,1Bを活性化するための加熱処理を施す。 - 特許庁
The impurity concentration of the impurity diffusion area 41 is higher than the impurity concentration of the drain area 35.例文帳に追加
不純物拡散領域41の不純物濃度は、ドレイン領域35の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR SINGLE-SHOT MAGNETIC RESONANCE IMAGING WITH OPTIMIZED ISOTROPIC DIFFUSION WEIGHTING例文帳に追加
最適化された等方性拡散強調を伴うシングルショット磁気共鳴イメージングのための装置および方法 - 特許庁
To provide a diffusion barrier layer disposed between a superalloy substrate and a protective coating for the substrate.例文帳に追加
超合金基体と基体用の保護コーティングとの間に配置される拡散障壁層を提供すること。 - 特許庁
To provide a tar decanter device economically preventing diffusion of an odor gas to the atmosphere.例文帳に追加
臭気ガスが大気中へ放散されることを、経済的に防止するタールデカンター装置を提供すること。 - 特許庁
Movement of the O atoms caused by the diffusion causes movement of dislocations, in turn causing coalescence and annihilation of the dislocations.例文帳に追加
この拡散によるO原子の移動は、転位を移動させ、さらにはその合体消失を生じさせる。 - 特許庁
The light diffusion members 5 is made of a material superior in translucency such as acrylic resin or polycarbonate resin.例文帳に追加
光拡散部材5には、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂などの透光性に優れる材料を用いる。 - 特許庁
In this case, etching is performed such that the contact holes 20 reach the inside of the source/drain diffusion layer of the silicon substrate 11.例文帳に追加
この際に、コンタクトホール20がシリコン基板11のソース/ドレイン拡散層内に届くようにエッチングする。 - 特許庁
Diffusion plates 2, 4 are constructed by transparent plate-shaped members having the recesses 2b, 4b in surfaces 2a, 4a.例文帳に追加
拡散板2,4は、表面2a,4aに複数の凹部2b,4bを有する透明な板状部材からなる。 - 特許庁
To prevent damage on a membrane electrode assembly caused by protrusion of carbon fibers included in a gas diffusion layer.例文帳に追加
ガス拡散層に含まれる炭素繊維の突出による膜電極接合体の損傷を防止する。 - 特許庁
The intermediate layer serving as the diffusion blocking layer is composed of ceramic containing Al2O3, MgO or tantalum oxide.例文帳に追加
拡散阻止層として働く中間層は、Al_2O_3,MgOまたはタンタル酸化物を含むセラミックより成る。 - 特許庁
An electroconductive water repellent layer in the gas diffusion electrode is formed using fluorinated graphite of a specific composition.例文帳に追加
ガス拡散電極中の導電性撥水層を、特定組成のフッ化黒鉛を用いて形成する。 - 特許庁
An electrode 6 comprising aluminum, titanium or vanadium is bonded to the coagulated P^+ type diffusion layer 4.例文帳に追加
そして、凝固したP^+型拡散層4にアルミニウム、チタン又はバナジウムからなる電極6を接合する。 - 特許庁
Diffusion of impurities can be prevented, by performing wafer preheating with flash whose waveform has been adjusted.例文帳に追加
ウェハの予備加熱を、波形を調整したフラッシュで行うことにより不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁
A seed metal film 110 is formed on the semiconductor substrate 100 having the diffusion prevention film 105.例文帳に追加
拡散防止膜105を有する半導体基板100上にシード金属膜110を形成する。 - 特許庁
A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加
浮遊拡散層60を構成する第1の不純物領域22をイオン注入により形成する。 - 特許庁
The inner fuel circuit (302) may be operated in a diffusion combustion mode on many kinds gas fuel.例文帳に追加
内側燃料回路(302)は、多くのガス燃料に対して拡散燃焼モードで動作されてもよい。 - 特許庁
By this, the separator 27 integrally provided with the nickel porous body as a gas diffusion layer 25 is manufactured.例文帳に追加
これにより、ニッケル多孔質体をガス拡散層25として一体に備えるセパレータ27が作製される。 - 特許庁
Multiple dopant sources may be employed to form active diffusion regions of varying doping levels.例文帳に追加
様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。 - 特許庁
At regeneration of the catalyst, the excess air ratio of the exhaust gas is corrected, corresponding to diffusion combustion or premixing one.例文帳に追加
触媒再生時に、拡散燃焼か予混合燃焼かに応じて、排気の空気過剰率を補正する。 - 特許庁
FUEL CELL SEPARATOR AND FORMING METHOD OF GAS DIFFUSION MEMBER TO CONSTITUTE FUEL CELL SEPARATOR例文帳に追加
燃料電池用セパレータおよび同燃料電池用セパレータを構成するガス拡散部材の成形方法 - 特許庁
A quantization processing section 120 uses the quantization threshold to quantize image data by the error diffusion method.例文帳に追加
量子化処理部120で、この量子化閾値を用い誤差拡散法により画像データを量子化する。 - 特許庁
In a top-layer part of the semiconductor layer 2, a first diffusion area 3 and a drain region are formed.例文帳に追加
半導体層2の表層部には、第1拡散領域3およびドレイン領域が形成されている。 - 特許庁
To uniformly diffuse impurities to a semiconductor substrate from a solid impurity source in a diffusion batch.例文帳に追加
拡散バッチ内における固体不純物源から半導体基板への不純物拡散の均等化を図る。 - 特許庁
The water cooling jackets 5a, 5b are formed between an inner cylinder 2 and an outer cylinder 3 of the diffusion cylinder 1.例文帳に追加
拡散筒1の内筒2と外筒3との間には、水冷ジャケット5a,5bが形成されている。 - 特許庁
The diffusion preventing layer 10a is constituted of materials where bismuth oxide is added to conductive metallic oxide.例文帳に追加
拡散防止層10aは、導電性金属酸化物に酸化ビスマスが添加された材料よりなる。 - 特許庁
This deep diffusion part has a concentration higher than that of the drift region, and has a width of 4 to 10 microns.例文帳に追加
この深い拡散部は、ドリフト領域の濃度より高い濃度を有し、4〜10ミクロンの幅を有する。 - 特許庁
A groove terminal fringe 12 of a combustion gas stream diffusion guide groove 6 is positioned in each disclike recessed chamber 5.例文帳に追加
燃焼ガス流拡散ガイド溝6の溝終端縁12は、各円板状凹室5内に位置させる。 - 特許庁
When gettering is performed under a high temperature, a diffusion process is accelerated but the gettering efficiency is low.例文帳に追加
しかし、高温でゲッタリングを行なうと、拡散プロセスの速度は促進されるが、ゲッタリング効率は低い。 - 特許庁
A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加
またn型拡散層6の上には、多結晶シリコン膜7aおよびシリコン窒化膜8を形成する。 - 特許庁
The convolution kernel may include multiple Gaussian kernels, each having variable diffusion lengths in different directions.例文帳に追加
コンボリューション・カーネルは、それぞれ異なる方向に可変拡散長を有する複数のガウシアン・カーネルを含み得る。 - 特許庁
To provide an electrode for fuel cell which is excellent in gas diffusion, gas permeability, electric conductivity and flexibility.例文帳に追加
ガス拡散,透過性,導電性に優れ、さらに柔軟性を有する燃料電池用電極の提供。 - 特許庁
To improve a diffusion barrier layer provided on the space between a substrate made of a superalloy and a silicon base ceramic material.例文帳に追加
超合金製基体とケイ素基セラミック材料の間に設けられる拡散障壁層の改良。 - 特許庁
A diffusion layer is arranged interposing a reaction layer respectively on both sides of an electrolyte membrane.例文帳に追加
電解質膜の両側にそれぞれ反応層を挟んで拡散層201が配設されるようになっている。 - 特許庁
SOLID POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL, AND GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR SOLID POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL例文帳に追加
固体高分子電解質形燃料電池、固体高分子電解質形燃料電池用ガス拡散電極 - 特許庁
To provide a dust diffusion preventer in an actuator, which can downsize its entire structure.例文帳に追加
装置全体の構造を小型化することができるアクチュエータにおけるダスト拡散防止装置を提供する。 - 特許庁
A toner layer diffusion member 10 is provided between the primary transfer unit 60K and secondary transfer unit 80.例文帳に追加
一次転写ユニット60Kと二次転写ユニット80との間にトナー層拡散部材10を設ける。 - 特許庁
To improve gas diffusion property and oxygen occluding/releasing function when used as a catalyst.例文帳に追加
触媒とした場合に、ガス拡散性を向上させるとともに、酸素吸蔵放出能を向上させる。 - 特許庁
GAS DIFFUSION ELECTRODE, MEMBRANE-ELECTRODE JOINED BODY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SOLID POLYMER FUEL CELL例文帳に追加
ガス拡散電極、膜−電極接合体とその製造方法、および固体高分子型燃料電池 - 特許庁
A carbon monoxide removing layer 27 is arranged between a catalyst layer 26 and a gas diffusion layer 28 in a stratified state.例文帳に追加
CO除去層27は、触媒層26とガス拡散層28との間に層状に配設されている。 - 特許庁
In the semiconductor device, a p-type diffusion layer 5 is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、N型のエピタキシャル層3にP型の拡散層5が形成されている。 - 特許庁
Therefore, a gas diffusion electrode in which water repellency becomes higher the nearer it comes to the catalyst layer side is obtained.例文帳に追加
撥水性が触媒層に接する側ほど高くなるようにしたガス拡散電極が得られる。 - 特許庁
The high-concentration diffusion layer 13 and the electrode extraction layer 14 are connected to a drain electrode 17.例文帳に追加
高濃度拡散層13及び電極取り出し層14はドレイン電極17と接続されている。 - 特許庁
The thickness after the diffusion bonding of the Al-Ni intermetallic compound layer 4 is set to 0.5-2.0 μm.例文帳に追加
前記Al−Ni系金属間化合物層4は拡散接合後の厚さが0.5〜2.0μm とされる。 - 特許庁
The polysilicon layer 30 is formed on the semiconductor substrate 110 and near the diffusion layer 14.例文帳に追加
ポリシリコン層30は、半導体基板110の上において、拡散層14の付近に形成されている。 - 特許庁
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