「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

The reaction gas passages 5 and 6 are constituted by alternately disposing the supplying gas passages 5 for supplying the reactive gas to the diffusion layers 2 and the discharging gas passages 6 for recovering the reactive gas from the diffusion layers 2.例文帳に追加

反応ガス流路５、６を、ガス拡散層２に反応ガスを供給する供給用ガス流路５と、ガス拡散層２から反応ガスを回収する排出用ガス流路６と、を交互に配置することにより構成する。 - 特許庁

At least at part between catalyst layers 321, 331 and gas diffusion layers 322, 332, a bonding part is provided for more tightly adhering the catalyst layers 321, 331 with the gas diffusion layers 322, 332 than at other sites.例文帳に追加

触媒層３２１，３３１とガス拡散層３２２，３３２との間の少なくとも一部に、これら触媒層３２１，３３１とガス拡散層３２２，３３２とを他の部位よりも密着させる接着部が設けられている。 - 特許庁

These laminated thin plate-shaped members are joined by diffusion joining, In this diffusion joining, a treatment temperature Tk is set to a temperature lower than the melting point of each of the plates but higher than the temperature under the use environment of the hydrogen separator 10.例文帳に追加

この拡散接合を行うに当たっては、その際の処理温度Ｔｋを、各プレートの融点より低い温度に設定すると共に、水素分離装置１０の使用環境下温度より高い温度に設定する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

A side diffusion preventing insulating layer 103 is formed on the silicon layer 113 and connected to the lower diffusion preventive insulating layer 112, continuously surrounding two element regions 101 surrounded by an element isolation insulating layer.例文帳に追加

そして、シリコン層１１３に、素子分離絶縁層に囲まれた二つの素子領域１０１を切れ目無く取り囲み、下部拡散防止絶縁層１１２に接続する側部拡散防止絶縁層１０３が形成されている。 - 特許庁

An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.例文帳に追加

アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.例文帳に追加

このため、第２拡散層１６の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第２拡散層１６がゲート電極１３と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁

Here, the matrix having the widest diffusion range among a plurality of error diffusion matrices, is made to be a matrix which diffuses errors while biasing the errors in a raster direction (specifically, matrix having directivity coefficient of 2.0 or more).例文帳に追加

ここで、複数の誤差拡散マトリックスの中で、拡散範囲の最も広いマトリックスについては、誤差をラスタ方向に偏らせて拡散するマトリックス（具体的には指向性係数が２．０以上のマトリックス）としておく。 - 特許庁

Due to this structure, the light emitted from the laser element 2 is converted into indirect light by means of the diffusion reflection plate 3 to be output outside, allowing the light to be drawn as diffusion light relatively safe to human eyes.例文帳に追加

この構成により、レーザ素子２が出力した光は拡散反射板３で間接光に変換されてから外部へ出力されるので、人間の目に比較的安全な拡散光として取り出すことができる。 - 特許庁

While the excellent shape controllability is secured, the copper wiring layer 53 is prevented from having its surface roughened owing to etching etc., during the formation of the metal diffusion preventive film 51, thereby suppressing the oxidation of the copper wiring layer 53 and the diffusion of copper.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 - 特許庁

The diffuser comprises a translucent layer composed of translucent materials, an upper diffusion layer formed on an upper surface of the translucent layer, and a lower diffusion layer formed on a bottom surface of the translucent layer.例文帳に追加

本発明の拡散板は、透光材料で構成された透光層と、該透光層の上面に形成された上拡散層と、該透光層の底面に形成された下拡散層とからなったことを特徴とする - 特許庁

The atomization and the diffusion are promoted by injecting a urea aqueous solution into the spray diffusion chamber 36 capable of an injection distance L with the field temperature higher than the inside of the pipe 33b and the large passage cross-sectional area.例文帳に追加

パイプ３３ｂ内に比較して場の温度が高く、且つ通路断面積が大きくて噴射距離Ｌを確保できる噴霧拡散室３６内に尿素水溶液を噴射することにより霧化・拡散を促進する。 - 特許庁

This protective insulating film prevents the diffusion of Cu or the like, which is an interconnection material, into a chip forming region of the wafer 100, thereby suppressing fluctuations in transistor characteristics caused by Cu diffusion.例文帳に追加

この保護絶縁膜によって、配線材料のＣｕなどがウェーハ１００のチップ形成領域内に拡散するのを防止し、Ｃｕ拡散が原因で生じるトランジスタ特性の変動を抑制するものである。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

To provide a speaker apparatus the thickness of which is thinned and realizes beautiful light emission by allowing whole light diffusion boards to uniformly cause light emission together with a part of the light diffusion boards corresponding to a speaker unit.例文帳に追加

厚みを薄くでき、尚且つ光拡散板のスピーカーユニットに対応する部分も含めて光拡散板全体を均一に発光させることができて美しい発光を実現できるスピーカー装置を提供する。 - 特許庁

The p-type diffusion layers 3 is arranged such that a lower region 3b is wider than an upper region 3a and the distance between adjacent p-type diffusion layers 3 is shortened in the lower region 3b.例文帳に追加

ｐ型拡散層３の上部領域３ａよりも下部領域３ｂの方が幅が広くなるようにし、下部領域３ｂにおいて隣り合うｐ型拡散層３同士の距離が短くなるように構成する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

Both right and left diffusion walls 23 horizontally extend outward from the boundary between the left sidewalls 21b, 22b of both sprinkling passages 21, 22, and an upper face 23a of each diffusion wall 23 is formed as a horizontal plane.例文帳に追加

左右両側拡散壁２３は、両散水路２１、２２の各左側壁２１ｂ、２２ｂの境界から外方へ水平状に延出しており、これら各拡散壁２３の上面２３ａは、水平状平面となっている。 - 特許庁

Since the second diffusion plate is formed at an interval of the prescribed distance from the first diffusion plate, illuminance distribution generated by a tip end of the projecting part is uniformized and the generation of a dark line or a bright line can be prevented.例文帳に追加

また、第１拡散板と所定距離を隔てて第２拡散板が設置されているため、突出部の先端によって生じた照度分布が均一化して暗線又は明線の発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for protecting secret information in image forming process of a dye diffusion method and an output method which is applied after converting the image information on a diffusion transfer silver halide photographic sensitive material into digital information.例文帳に追加

色素拡散方式の画像形成方法における機密保護及び拡散転写型ハロゲン化銀写真感光材料上の画像情報をデジタル情報に変換した後の出力方法を提供する。 - 特許庁

The fed air amount flowing through an air feed path to the diffuser 14 is measured with an air diffusion amount meter, and the opening degree of an air amount control valve 171 is controlled in such a manner that the measured air diffusion amount keeps the set amount.例文帳に追加

散気体１４への空気供給路に流れる供給風量を散気風量計で計測し、計測された散気風量が設定風量を維持するように風量調整弁１７１を開度制御する。 - 特許庁

The thickness of the diffusion preventive films is determined so that a difference between the phase of a light passing through the diffusion preventive film and that of a light passing through the light receiving opening ranges from 90 degrees to 270 degrees.例文帳に追加

所定波長の光に対して、拡散防止膜を通過する光の位相と受光開口部を通過する光の位相の差が９０度から２７０度の範囲になるように、拡散防止膜の膜厚が設定されている。 - 特許庁

The gas-liquid contact treatment between the alkaline wastewater and the boiler exhaust gas in the treatment tank 20 is performed by a combination of a self-suction type exhaust gas diffusion device 30 and a wastewater agitation device 40 arranged in the vicinity of the diffusion device.例文帳に追加

処理槽２０内でのアルカリ排水とボイラー排ガスとの気液接触処理を、自吸式排ガス散気装置３０と当該散気装置の近傍に配置された排水攪拌装置４０との組合せにより行う。 - 特許庁

To prevent generation of non-physical negative diffusion seed density by estimating a specific value of a mesh point of lower diffusion seed density out of mesh points of both ends of a mesh branch, lower than an actual value, to constitute Jacobian when a physical equation of specific condition is solved numerically with the use of the Newton's method.例文帳に追加

ニュートン法の反復過程で非物理的な負の拡散種密度が発生するのを防止することができる、これにより、ニュートン法の収束性が向上する拡散シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

The image reader is provided with a light source 38, the diffusion plate 50, which increases in thickness from one end part to the other end part and a reflection member 52 which reflects the irradiation light from the light source 38 to the diffusion plate 50.例文帳に追加

光源３８と、一方の端部から他方の端部に向かって板厚が増大している拡散板５０と、光源３８の照射光を拡散板５０に向かって反射する反射部材５２とを設ける。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

Each variable member 60 has a first part 61 in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and a second part 62 not in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and composed of a material softer than that of the first part 61.例文帳に追加

可変部材６０は、拡散層部２４，２５と接触する第１の部分６１と、拡散層部２４，２５と接触せず第１の部分６１よりも柔らかい素材で構成される第２の部分６２と、を有する。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

According to this structure, the P-type diffusion layers 18-20 and the N-type diffusion layers 22, 23 are formed with high positional accuracy, the width wb1 of a base region is narrowed, and a horizontal-type PNP transistor having a high breakdown voltage is formed.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層１８〜２０、Ｎ型の拡散層２２、２３が位置精度良く形成され、ベース領域幅Ｗｂ１が狭められ、高耐圧の横型ＰＮＰトランジスタが形成される。 - 特許庁

In a method for image processing, an image is performed a processing of error-diffusion (103), the construction elements of the dot patterns for adding are decided based on the image processed through the error-diffusion and the dot patterns are embedded in the error-diffused image by using the construction elements (105).例文帳に追加

画像を誤差拡散処理し(103)、誤差拡散処理された画像に基づき、付加するドットパターンの構成要素を決定し、決定された構成要素により、前記誤差拡散された画像にドットパターンを埋め込む(105)。 - 特許庁

Since the offsets are arranged, the channel region under the electrode of the electrically isolated gate G is connected with the first diffusion region 8 through a second diffusion region 10.例文帳に追加

オフセットを設けたことにより、電気的に分断されたゲートＧと第１の拡散領域８とは、ゲートＧの電極下のチャンネル領域と第１の拡散領域８とを第２の拡散領域１０によって接続する。 - 特許庁

The solvent diffusion coefficient, the solvent steam pressure and the mass-transfer coefficient are used, and the solvent concentration distribution included in the coating liquid is calculated by a one-dimensional unsteady diffusion equation, and the ratio of the solvent remaining in the coating liquid is simulated.例文帳に追加

溶剤拡散係数、溶剤蒸気圧、物質移動係数を用い、塗液内に含まれる溶剤濃度分布を１次元非定常拡散方程式により算出し、塗液中残溶剤率をシミュレーションする。 - 特許庁

Further, the end of the gate electrode 8 overlaps with the first diffusion layer 2 or the second diffusion layer 3, which pinching the laminated first insulation films 4, 4a, the second insulation films 5, 5a and the third insulation films 6, 6a.例文帳に追加

また、ゲート電極８の端部は、上記積層する第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａを挟んで第１拡散層２あるいは第３拡散層３とオーバラップしている。 - 特許庁

To provide a polyester film roll for diffusion plates, developing little trouble caused by the generation of static charge on the film surface in the case of coating a light diffusion layer and little transport trouble in the coating by a coater.例文帳に追加

光拡散層の塗工の際に、フィルム表面に静電気の発生によるトラブルが少なく、しかもコーターで塗工する際の走行トラブルが発生することの少ない拡散板用ポリエステルフィルムロールを提供する。 - 特許庁

To provide a water-repellent paste for a gas diffusion layer and a method of manufacturing the same such that the water-repellent paste for the gas diffusion layer has sufficient coating strength and is manufactured without lowering gas diffusivity, producing any aggregate, nor taking trouble.例文帳に追加

ガス拡散層用撥水ペースト及びその製造方法において、十分な塗膜強度が得られるとともにガス拡散性を低下させず、凝集体も発生させず、手間を掛けることなく製造できること。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

Moreover, each diffusion region 31 is separated from a region for forming thereon such elements as transistors (an element forming region), by using each thermal oxidation film 40 so formed as to contact it with each diffusion region 31.例文帳に追加

そして、この拡散領域３１は、同拡散領域３１と接するようにして形成されている熱酸化膜４０によって、トランジスタ等の素子の形成される領域（素子形成領域）と分離されている。 - 特許庁

In addition, the source diffusion layers of the transistors T1 and T2 are connected to a common source line or either one of the source diffusion layers is connected to the source line in accordance of the stored fixed data.例文帳に追加

記憶される固定データに応じて、第１および第２トランジスタの各々のソース拡散層の双方が共通のソース線に接続されるか、あるいは、ソース拡散層のいずれか一方がソース線に接続される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a diffusion medium with an improved hydrophobic property, and a manufacturing method of the diffusion medium leading to a consistent result among some hundreds of fuel cells in a single fuel cell stack.例文帳に追加

疎水性特性を向上させた拡散媒体、並びに、単一の燃料電池スタック内の数百もの燃料電池の間で首尾一貫した結果へと導く拡散媒体を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

On both ends of each semiconductor region 5 in the shape of a bent pattern, an n-type high-density diffusion region 9 and a p-type high-density diffusion region 10 are formed, to form diodes in the semiconductor regions 5.例文帳に追加

一方、屈曲型パターン形状の半導体領域５の両端には、ｎ形高濃度拡散領域９、ｐ形高濃度拡散領域１０を設け、半導体領域５内にダイオードを形成する。 - 特許庁

This has an Fe-Ni diffusion layer which yields a coating amount which of 1 to 9 g/m2 as Ni on the surface to become the inner surface of the can, and a Ni plated steel sheet having numerous concaves of crack state on the surface of this Fe-Ni diffusion layer is made.例文帳に追加

缶内面になる面に付着量がＮｉとして１〜９ｇ／ｍ^2 のＦｅ−Ｎｉ拡散層を有し、このＦｅ−Ｎｉ拡散層の表面に亀裂状の凹みを多数有するＮｉメッキ鋼板とする。 - 特許庁

The antistatic light diffusion plate 1 is characterized by having a coating layer 3 containing an antistatic agent formed of a surfactant laminated on at least one side of a light diffusion substrate 2.例文帳に追加

この発明の帯電防止性光拡散板１は、光拡散性基板２の少なくとも片面に、界面活性剤からなる帯電防止剤を含有したコーティング層３が積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

Back-diffusions are carried out in respective back-diffusion sections 41-1 to 41-n, with path timing set by the effective path timing decision section 23 and a plurality of timings from the back-diffusion timing correction candidates at M points earlier and later from that timing.例文帳に追加

逆拡散部４１−１〜４１−ｎ各々は有効パスタイミング判定部２３から設定されるパスタイミングとそのタイミング前後Ｍ点の逆拡散タイミング補正候補の複数タイミングにて逆拡散を行う。 - 特許庁

The two kinds of the electrode lands 21 and 22 are composed of a first electrode land 21 for which the diffusion property of a metal with the metal bump 3 is high, and a second electrode land 22 for which the diffusion property of the metal with the metal bump 3 is low.例文帳に追加

この２種類の電極ランド２１、２２は、金属バンプ３との金属の拡散性が高い第１の電極ランド２１と、金属バンプ３との金属の拡散性が低い第２の電極ランド２２とからなる。 - 特許庁