「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 14 and a gas diffusion layer 24 for the solid polymer fuel cell are formed using a coating liquid for forming the gas diffusion layer for solid polymer fuel cell containing carbon fiber with the average fiber diameter of 1-20 μm and the average fiber length of 100-500 μm, fluorine-containing ion exchange resin, and a dispersion medium.例文帳に追加

平均繊維径が１〜２０μｍであり、平均繊維長が１００〜５００μｍであるカーボンファイバーと、含フッ素イオン交換樹脂と、分散媒とを含む固体高分子形燃料電池用ガス拡散層形成用塗工液を用いて、固体高分子形燃料電池のガス拡散層１４およびガス拡散層２４を形成する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet in which an internal diffusion film whose turbidity is raised by mixing organic diffusing agent inside is used as a substrate, refraction and diffusion of light are maximized by mixing two or more resin particles with different refractive indexes and applying them on the substrate and shielding force of an emission line is further enhanced.例文帳に追加

内部に有機拡散剤を混入して濁度を上げた内部拡散フィルムを基材として使用し、基材上に、屈折率が異なる２つ以上の樹脂粒子を混合して塗布することによって、光の屈折、散乱を最大化し、拡散機能を向上させ、輝線の遮蔽力を一層向上させた光拡散シートの提供。 - 特許庁

A cathode side electrode 4 and an electron diffusion layer 14 are provided in this order from the electrolyte/electrode assembly 12 side toward the separator 6b on one end surface of the electrolyte/electrode assembly 12, and the electrons reached to the electron diffusion layer 14 through the bosses 7b of the separator 6b are diffused throughout the whole area of the electron diffusion layer 14.例文帳に追加

電解質・電極接合体１２の一端面には、該電解質・電極接合体１２側からセパレータ６ｂに向かってカソード側電極４、電子拡散層１４がこの順序で設けられており、セパレータ６ｂのボス部７ｂを介して電子拡散層１４に到達した電子は、この電子拡散層１４の全域に拡散する。 - 特許庁

The produced gas exhausting part 50 is comprised of a produced gas diffusion layer 51 connected to the side edge of a fuel gas diffusion layer 44, a gas separation membrane 52 installed so as to face the produced gas diffusion layer 51, and whose surface is exposed, and a produced gas exhausting hole 53 formed so as to open on the side surface 41b of a fuel electrode side housing 41.例文帳に追加

生成ガス排出部５０は、燃料ガス拡散層４４の側縁に接続する生成ガス拡散層５１と、生成ガス拡散層５１に対向して設けられたガス分離膜５２と、ガス分離膜５２の表面を露出させると共に燃料極側筐体４１の側面４１ｂに開口して形成された生成ガス排出孔５３から構成される。 - 特許庁

In the liquid crystal display device provided with a diffusion plate 2 to diffuse light between a liquid crystal displaying part 1 and the light emitting diodes 5 constituting a light emitting means, the diffusion plate 2 has a shape of a part of a spherical shell body and the light emitting means (the center of the three light emitting diodes) is arranged on the center line C-C of the diffusion plate 2.例文帳に追加

液晶表示部１と光照射手段を構成する発光ダイオード５との間に光を拡散させる拡散板２を有する液晶表示装置において、前記拡散板２は球殻体の一部の形状を呈し、前記光照射手段（３個の発光ダイオード５の中心）は前記拡散板２の中心線Ｃ−Ｃ上に配設されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent Al in a stainless steel from being reduced by a vacuum heat treatment for diffusion welding and to conduct sound diffusion welding in the method for producing a metal carrier by rounding flat foil/waved foils consisting of a ferritic stainless steel containing A1 and welding the contact part of the flat foil/waved foils by diffusion welding.例文帳に追加

Ａｌを含有するフェライト系ステンレス鋼からなる平箔と波箔とを回し、平箔と波箔の接触部を拡散接合によって接合するメタル担体の製造方法において、拡散接合のための真空熱処理でステンレス鋼中のＡｌが減少することを防止し、かつ健全な拡散接合を行う製造方法を提供する。 - 特許庁

In the conjugate of the fuel cell equipped with an electrode composed of a catalyst layer and a gas diffusion layer on both sides of the electrolyte film, these are the conjugate of the fuel cell in which the gas diffusion layer has a water repellent resin and the fibrous carbon at least on a part of surface of the gas diffusion layer to contact with the catalyst layer, and the fuel cell using the same.例文帳に追加

電解質膜の両面に、触媒層とガス拡散層とからなる電極を具備した燃料電池の接合体において、ガス拡散層が触媒層に接するガス拡散層表面の少なくとも一部に撥水性樹脂、及び繊維状炭素を含む層を有する燃料電池の接合体及びそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

A performance illumination device 54a of a Pachinko machine is provided with the light diffusion film 101 flexibly changing its shape, a rib part 99 supporting the light diffusion film 101 in the prescribed state, and an illumination board 97 mounted with an LED 96 for projecting the light to the light diffusion film 101 supported to the rib part 99 from the back side.例文帳に追加

本パチンコ機では、演出用照明装置５４ａが、形状変化がフレキシブルな光拡散フィルム１０１と、該光拡散フィルム１０１を所定状態に支持するリブ部９９と、該リブ部９９に支持された光拡散フィルム１０１に背面側から光投射するＬＥＤ９６を実装した照明基板９７とを有する。 - 特許庁

An LED backlight 100 includes a plurality of LEDs 110 arranged on a predetermined surface with uneven arrangement density, and a diffusion plate 130 which light emitted from the plurality of LEDs 110 is incident on and imparts a diffusion effect to the incident light, and the distance between the predetermined surface and the diffusion plate 130 is longer in a position with the lower arrangement density.例文帳に追加

ＬＥＤバックライト１００は、所定の面上に不均一な配置密度で配置された複数のＬＥＤ１１０と、複数のＬＥＤ１１０から出射された光を入射し、入射した光に拡散作用を与える拡散板１３０とを有し、所定の面と拡散板１３０との距離は、配置密度が低い位置ほど長いという構成を有する。 - 特許庁

The radio base station 100 comprises: an E-DPDCH inverse diffusion section 113 for executing an inverse diffusion of the signal series B1 received via E-DPDCH; an HARQ buffer 121 for storing the signal series B1 outputted from the E-DPDCH inverse diffusion section 113; and an HARQ control section 123 for executing the synthesis processing by using the signal series B1 stored in the HARQ buffer 121.例文帳に追加

無線基地局１００は、E-DPDCHを介して受信した信号系列Ｂ１の逆拡散処理を実行するE-DPDCH逆拡散部１１３と、E-DPDCH逆拡散部１１３から出力された信号系列Ｂ１を格納するHARQバッファ１２１と、HARQバッファ１２１に格納された信号系列Ｂ１を用いて、合成処理を実行するHARQ制御部１２３とを備える。 - 特許庁

The steam generating apparatus is characterized by having the heat exchanger disposed in a housing, a diffusion pipe which is disposed in the neighborhood of the heat exchanger in the housing and generates the steam by diffusing hot water in the heat exchanger heated by a heating means, and a control means for changing the diffusion regions of hot water to the heat exchanger from the diffusion pipe.例文帳に追加

筐体内に配置された熱交換器と、該熱交換器の近傍の筐体内に配置され加熱手段で加熱された状態の熱交換器に湯水を拡散することにより蒸気を発生させる拡散パイプと、該拡散パイプから熱交換器への湯水の拡散領域を変化させる制御手段と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To make a circuit a small scale and to perform cost reduction by enabling one circuit to perform dithering and error diffusion processing, to prevent dot generation in a blank part even in the case of correcting the discontinuity of gradation with error diffusion processing and to prevent the occurrence of color slurring in a colored character and a homogeneous image area even in the case of adding error data with error diffusion processing.例文帳に追加

１つの回路でディザと誤差拡散処理とを行えるようにして回路の小規模化と低コスト化を図り、誤差拡散処理で階調の不連続性を補正する場合にも、白地部分でのドットの発生を防ぎ、誤差拡散処理で誤差データを加算する場合にも、色付きの文字および一様な画像領域における色ずれの発生を防ぐ。 - 特許庁

As a result, the base station 21 performs correlation with waveform by the down diffusion signal in reference with the waveform of the up diffusion signal that has already been transmitted, hence can count the number of identification cards 31 that have returned the down diffusion signal by the X channel according to the correlation value, and measuring distance to the identification card 31 from the base station 21.例文帳に追加

これにより基地局２１は、既に送信した上りの拡散信号の波形を基準に下りの拡散信号による波形との相関をとるため、その相関値から、Ｘチャネルにより下りの拡散信号を送り返した識別カード３１の数を計数することができ、また基地局２１から識別カード３１までの距離を測定することができる。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

When the gas diffusion layers 76, 77 and the gas sealing layer 80 are separated in order to discompose the fuel cell, the gas sealing layer 80 is made to be separated from the gas diffusion layers 76, 77 together with a predetermined accompanying member 84 provided between the gas sealing layer 80 and the gas diffusion layers 76, 77.例文帳に追加

ガス封止層８０は、燃料電池を分解するためにガス拡散層７６，７７とガス封止層８０とを分離させるときに、ガス封止層８０が、ガス封止層８０とガス拡散層７６，７７の境界に設けられた所定の同伴部材８４と共にガス拡散層７６，７７から分離されるように構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This diffusion sheet is provided with a transparent base sheet 1, and an optical diffusion layer 2 which is fixed to at least one side of this base sheet 1 and scatters the light, and the optical diffusion layer 2 is formed so that two or more colored transparent granular materials 21 having convex faces at least in the direction of thickness are scattered.例文帳に追加

本発明の拡散シートは、透明性を有する基材シート１と、この基材シート１の少なくとも片面側に定着して光を散乱させる光拡散層２とを備える拡散シートであって、前記光拡散層２には少なくとも、厚さ方向に凸面を有する複数の有色透明粒体２１が散在してなることを特徴とする。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

The first diffusion passage 1051 is formed in a first region 105a of the separator on the cathode side, and a second diffusion passage 1052 is formed separately from the first diffusion passage 1051 in a second region 105b being adjacent to the downstream side in the actual passing direction F1 of oxygen in the separator 105 on the cathode side than the first region 105a.例文帳に追加

カソード側セパレータの第１の領域１０５ａに第１の拡散通路１０５１を形成し、この第１の領域１０５ａよりもカソード側セパレータ１０５における酸素の実質的な流通方向Ｆ１に関して下流側に隣接する第２の領域１０５ｂに、第１の拡散通路１０５１とは区画して第２の拡散通路１０５２を形成する。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the plurality of diffusion layer patterns and has its part surrounded by the insulation film and is formed through the insulation film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、複数の拡散層パターンには接することなくその一部が絶縁膜に包囲されて絶縁膜および半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

When the shearing force acts on the laminate assembly 10 along its laminated face, sliding occurs in the laminated face of respective layers of the first gas diffusion layers 13 and laminated face of respective layers of the first gas diffusion layers 15, and limit displacement of the laminate assembly 10 becomes larger, which results in the breakage of the first gas diffusion layers 13, 15 in which rigidity is small.例文帳に追加

積層体アセンブリ１０にその積層面に沿った剪断力が作用すると、第１ガス拡散層１３の各層の積層面及び第１ガス拡散層１５の各層の積層面においてすべりが生じ、剛性の小さい第１ガス拡散層１３，１５が破壊に至る、積層体アセンブリ１０の限界変位量が大きくなる。 - 特許庁

On the outside of the curvature of the second diffusion region (102) of this optical waveguide 100, there are provided a groove 105 that is formed on the substrate 101 along the second diffusion region (102) and a first diffusion region (107) that is formed by diffusing first impurities from the bottom 105a of the groove 105 to make a refractive index smaller for the substrate 101.例文帳に追加

この光導波路１００の第２の拡散領域（１０２）の曲がり部の外側に、第２の拡散領域（１０２）に沿って基板１０１に形成した溝１０５と、溝１０５の底部１０５ａから第１の不純物を用いて拡散され、基板１０１の屈折率を小さくした第１の拡散領域（１０７）と、を備える。 - 特許庁

To provide a pollution diffusion preventive device which can surely prevent diffusion of pollution caused by offshore construction work, without allowing the pollution to leake out of the construction sea area even where there is a water current, and can follow changes in tidal level.例文帳に追加

海上工事によって発生する濁りが、水流が生じる場合であっても、工事海域外に漏れ出すことがなく、確実に濁りの拡散を防止することができ、潮位変化にも追従可能な濁り防止装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell having excellent conductivity, strength, gas permeability, and an ability to control water, and to provide a method for manufacturing the gas diffusion layer for a fuel cell with ease, at low cost, and in a simple manner.例文帳に追加

導電性、強度、ガス透過性、水管理能力の良好な燃料電池用ガス拡散層を提供すること、および、そのような燃料電池用ガス拡散層を容易に低コストで簡便に製造する方法を提供すること - 特許庁

In this way, by enhancing the brightness to the sideward of the display light by diffusion effect of the diffusion member 4, the light having a superior visibility with a wider viewing angle is realized at a low cost without increasing the numbers of the LED light sources 3.例文帳に追加

このように、拡散部材４の拡散効果により表示灯の側方への輝度を高めることで、ＬＥＤ光源３の個数を多くすることなく、低コストのもとに広視野で視認性が良好な表示灯を実現する。 - 特許庁

In the gas diffusion electrode sheet manufacturing method, dispersion solution for a gas diffusion electrode is poured inside a cylindrical rotor, the rotor is rotated at a high speed so as to realize the imaginary of ≥ 1,000 G, and solid contents are separated and deposited on an inner wall of the rotor.例文帳に追加

円筒状ローター内部にガス拡散電極用分散液を入れ、１０００Ｇ以上になるように高速回転させ、ローター内壁に固形分を分離固着することを特徴とするガス拡散電極シートの製造方法。 - 特許庁

A bark material is used for a microorganism bed and made multistage, an air diffusion pipe is arranged directly in the lower part of the microorganism bed in order to disperse/supply an odorous gas in/to the microorganism bed, and a water diffusion pipe is arranged directly in the upper part of the microorganism bed.例文帳に追加

微生物床にバーク材を使用し、かつ多段とし臭気ガスを微生物床へ分散供給するために微生物床内下部に直接散気管を配し、かつ散水管を微生物床上部に直接配設した。 - 特許庁

At a first diffusion step, on the entire face of a wafer 11 having a slightly larger aperture than a standard aperture, a diffusion layer source 12 which increases the doping amount of the impurities in a diametric direction from a center part of the wafer 11 to an outer peripheral part thereof is formed.例文帳に追加

規格口径より僅かに大なる口径のウェーハ１１の全面に、第１の拡散工程において、ウェーハ１１の中心部から外周部への径方向に不純物のドープ量が増大する拡散層源１２を形成する。 - 特許庁

The electrode of the semiconductor optical device is formed of three layers including an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and an Au layer, and the stepped shape or the taper shape is formed by a difference of the thickness of the Au layer or the thickness of the adhesive layer/diffusion prevention layer/Au layer.例文帳に追加

半導体光装置の電極は、接着層／拡散防止層／Ａｕの３層で形成され、ステップ形状またはテーパ形状は、Ａｕ層の膜厚差または接着層／拡散防止層／Ａｕの膜厚さにより、形成される。 - 特許庁

CARBONACEOUS FIBER WOVEN FABRIC, ROLLED PRODUCT THEREOF, GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL FOR FUEL CELL OF SOLID POLYMER TYPE, METHOD FOR PRODUCING THE WOVEN FABRIC, AND METHOD FOR PRODUCING THE GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL例文帳に追加

炭素質繊維織布、炭素質繊維織布の捲回物、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料、炭素質繊維織布の製造方法、および固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料の製造方法 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).例文帳に追加

ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁

In a method of manufacturing the diffusion layer of a fuel cell having processes of impregnating and coating diffusion layer paste on the porous substrate, drying and baking it, a porous substrate 31 with a two-layered structure is used as a porous substrate.例文帳に追加

多孔質基材に拡散層ペーストを含浸塗布し、乾燥及び焼成を含む工程を経て燃料電池用の拡散層を製造する方法であって、多孔質基材として２層積層構造の多孔質基材３１を用いる。 - 特許庁

In this illuminator provided with a light source inside a casing 2 with an opening part and provided with the diffusion plate 5 for diffusing light emitted from the opening part, the light emitting surface 5a of the diffusion plate 5 is formed into a convex shape.例文帳に追加

開口部を有するケーシング２内部に光源を備え、前記開口部から出る光を拡散するための拡散板５が設けられた照明装置において、前記拡散板５の発光面５ａは凸状となっている。 - 特許庁

Particularly, it is desirable to provide a metal-coating layer aiming the joining with the shell basic material on the outer periphery of the heat pipe and the prevention to the peeling of the hydrogen diffusion-preventive coating layer, and to provide the hydrogen diffusion-preventive coating layer in the inner part of the metal coating layer.例文帳に追加

特に、ヒートパイプの外周にシェル母材との接合および水素拡散防止コーティング層の剥離防止を目的とした金属コーティング層、及びその内部に水素拡散防止コーティング層を有することが好ましい。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

Then, the nonvolatile semiconductor memory device includes a diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) at a position corresponding to a lateral side of the second insulating layer (14), and a silicide layer (11) that is formed to cover the diffusion layer (3) and first gate (6).例文帳に追加

そして、第２絶縁層（１４）の側方に対応する位置の半導体基板（２）内に形成された拡散層（３）と、その拡散層（３）及び第１ゲート（６）を覆うように形成されたシリサイド（１１）とを備えている。 - 特許庁

An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.例文帳に追加

この半導体装置では、素子分離領域９を拡散層１４表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層１４とウエル領域８との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁

The oxide film 13 in a logic section is formed, in contact with the lower surface of a first diffusion region 22 and away from the element isolation insulating film 11, in a region below a gate electrode 21 and a first diffusion region 22.例文帳に追加

ここで、ロジック部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してかつ素子分離絶縁膜１１と離間して、ゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

In addition to the separating walls (p-type diffusion layers 14a, 14b) for partitioning electrically a magnetism sensor (hall plate) HP, electrodes ED1, ED2 comprising p-type diffusion layers are provided in a substrate as a portion of the Hall element.例文帳に追加

磁気検出部（ホールプレート）ＨＰを電気的に区画する分離壁（Ｐ型の拡散層１４ａおよび１４ｂ）とは別に、基板内に当該ホール素子の一部として、Ｐ型の拡散層からなる電極ＥＤ１およびＥＤ２を設ける。 - 特許庁