「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目)

ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）以外のガス拡散電極材料を水と混合しない有機溶媒に分散させ、その分散液にＰＴＦＥディスパージョンを添加し、超音波照射又は激しく攪拌、振とうすることによりＰＴＦＥ微粒子を有機溶媒中の前記ガス拡散電極材料と混合、分散することを特徴とするガス拡散電極の反応層原料又はガス供給層原料の製造方法。 - 特許庁

In this picture processor 21 where a dither picture processing means and an error diffusion picture processing means can be selected and used, plural thresholds set as matrix data by the dither picture processing means and a threshold set by the error diffusion picture processing means are stored in a common threshold value register 23 and when picture processing is executed by the error diffusion picture processing means, the threshold is periodically varied for each processing pixel.例文帳に追加

ディザ画像処理手段と誤差拡散画像処理手段を選択して使用可能な画像処理装置２１において、ディザ画像処理手段でマトリクスデータとして設定された複数のスレッシュ値と誤差拡散画像処理手段で設定されたスレッシュ値とを共通のスレッシュ値レジスタ２３に格納するようにするとともに、誤差拡散画像処理部で画像処理を行うときは、スレッシュ値を処理画素毎に周期的に変化させるようにする。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly having a cathode including a cathode catalyst layer and a cathode gas diffusion layer, an anode including an anode catalyst layer and an anode gas diffusion layer, an electrolyte membrane arranged between the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer, and a moisture retention layer arranged outside the cathode gas diffusion layer, the moisture retention layer includes a plurality of porous plates, and gaps are provided among the plurality of porous plates.例文帳に追加

カソード触媒層及びカソードガス拡散層を含むカソードと、アノード触媒層及びアノードガス拡散層を含むアノードと、前記カソード触媒層と前記アノード触媒層の間に配置された電解質膜と、前記カソードガス拡散層の外側に配置された保湿層とを具備する膜電極接合体であって、前記保湿層は複数の多孔質板を含み、該複数の多孔質板の間に隙間を有することを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

A method for forming the diffusion barrier for the copper wiring includes steps for supplying a semiconductor, forming a dielectric layer over the semiconductor, forming a trench in the dielectric layer, forming the diffusion barrier including a TiNSi in the trench using a chemical vapor deposition method (CVD), and forming an (α-Ta) layer having a body-centered cubic structure on the diffusion barriers.例文帳に追加

銅線用拡散バリアを形成する方法であって、半導体を供給すること、前記半導体上に誘電体層を形成すること、前記誘電体層中にトレンチを形成すること、化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて前記トレンチ中に窒化チタンケイ素を含む拡散バリアを形成すること、及び前記拡散バリア上に体心立方構造をもつアルファ相タンタル（α‐Ｔａ）層を形成することを含む方法が提供される。 - 特許庁

The generating means 31 generates a first programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the first hard macro transistor and/or unnecessary contacts and a second programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the second hard macro transistor and/or unnecessary contacts when the potentials of the diffusion areas of the first and second hard macro transistors arranged adjacently based on circuit connection information are the same.例文帳に追加

生成手段３１は、回路接続情報に基づいて互いに隣接するように配置された第１及び第２のハードマクロ・トランジスタの拡散領域の電位が等しい場合には、第１のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第１のプログラマブル・トランジスタを生成するとともに、第２のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第２のプログラマブル・トランジスタを生成する。 - 特許庁

To provide an air vent feeding a distributed diffusion air stream capable of varying a main flow direction in a vertical wide direction range each other.例文帳に追加