「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(239ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type diffusion layer forming composition includes glass powder containing a donor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有せしめる。 - 特許庁

The semiconductor device is dipped in a solution, containing hydrogen peroxide so that a silicon oxide film 16 with a uniform thickness of less than 10 Å is formed on the surface of the base diffusion layer 6.例文帳に追加

その後、これを過酸化水素を含有する溶液に浸漬することにより、ベース拡散層６の表面に均一な１０Å以下の膜厚のシリコン酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

The measurement equipment for measuring the illuminance unevenness of an LED module provided with an LED array includes an oval diffusion plate dispersed with light diffusive material in the transparent plate.例文帳に追加

ＬＥＤアレイを備えたＬＥＤモジュールの照度むらを測定する測定装置には、透明板の内部に光拡散物質を分散させたオパール型拡散板が設けられている。 - 特許庁

Light diffusion stripes 26 are disposed over the light converging regions of the light incident lenses 22 on the light emergent side of the substrate 21 so that the stripes 26 abut on the black stripes 23.例文帳に追加

フィルム基材２１の出光側の表面のうち各入光レンズ２２の集光領域にはブラックストライプ２３と隣接するようにして光拡散層２６が設けられている。 - 特許庁

An antireflection film (not shown) is provided on the entire surface of the substrate and first and second anode electrodes 20 and 22 are bonded, respectively, to the first and second diffusion areas 16 and 18.例文帳に追加

基板全面に反射防止膜（図示せず）を設け、第１および第２のそれぞれの拡散領域１６，１８に接合するように第１および第２のアノード電極２０，２２を設けた。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

To provide a diffusion member for display which can enhance the brightness and the uniformity of light rays made incident through a light guide plate, is excellent in photoconduction function and can secure stability.例文帳に追加

導光板を介して入射する光の輝度および均一度を向上させ、光伝導機能に優れ且つ安定性が確保されるディスプレイ装置用拡散部材の提供。 - 特許庁

If the heat-treating is processed in an oxygen-element gas containing ambience, then the diffusion of O atoms is caused from the substrate surface side as well, thereby enhancing the coalescence and annihilation of dislocations.例文帳に追加

酸素元素ガス含有雰囲気下で加熱した場合には、Ｏ原子の拡散が基板表面側からも生じるので、転位の合体消失をより促進させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sintered cathode body for manufacturing a sintered cathode body with low diffusion resistance of Li, and to provide a sintered cathode body made by the manufacturing method.例文帳に追加

Ｌｉの拡散抵抗が低い焼結正極体を製造するための焼結正極体の製造方法、およびその製造方法により作製された焼結正極体を提供する。 - 特許庁

To provide a rotary evaporator capable of safely and reliably transferring a solvent from a recovery flask to a waste solution storage container and preventing diffusion of the solvent vapor to the atmospheric air.例文帳に追加

溶媒を安全かつ確実に回収フラスコから廃液貯留容器に移し替えることができ、溶媒蒸気が大気中に揮散することを防止できるロータリーエバポレーターを提供する。 - 特許庁

An opening 14 for exposure of this diffusion layer 13 and a wiring groove 15 are formed and wiring materials are embedded mainly by a Cu wiring member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light diffusion plate for a backlight device, which is formed of a propylene resin and prevented from being deformed even under severe heat conditions.例文帳に追加

バックライト装置に用いられるプロピレン樹脂からなる光拡散板であって、厳しい熱条件においても変形しない光拡散板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent softening of a hollow shaft and lowering of strength and hardness in joining the hollow shaft and a sintered cam lobe by diffusion joining to manufacture a demountable camshaft.例文帳に追加

中空シャフトと焼結カムロブとを、拡散接合により接合して、組立式カムシャフトを製造する際に、中空シャフトの軟化や強度・硬さの低下等を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a curable resin composition having improved light diffusion performance or refractive index by dispersing metal oxide fine particles having controlled particle diameter and dispersibility in a resin.例文帳に追加

粒径、分散性を制御した金属酸化物微粒子を樹脂中に分散させ、光拡散性、または屈折率を向上させた硬化性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

Since the diffusion preventing member is formed with the ion exchange resin material, substitution of part of existing electrolyte membrane is made possible so as not to exert large influence upon cell performance.例文帳に追加

また、拡散防止部材はイオン交換樹脂材料から構成されているから、電池性能に大きな影響を与えないように、既存の電解質膜の一部を置換することも可能である。 - 特許庁

An infrared ray is led from an infrared-transmissive glass plate 12 located at the upper edge of the head along a through hole 11 via a diffusion lens 13, and heats the rear face of the semiconductor bare-chip.例文帳に追加

ヘッド上端の赤外線透過性ガラス板１２から貫通孔１１に沿って赤外線を導き、拡散レンズ１３を経由して半導体ベアチップの裏面を加熱できるようにしている。 - 特許庁

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling.例文帳に追加

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を３０原子％以上にする。 - 特許庁

An MOS structure is formed of polysilicon 10 and the n-type diffusion resistor 11, as a variable resistor 5 between the IN terminal and the power switch element 2 for the semiconductor device 1.例文帳に追加

また、半導体装置１のＩＮ端子とパワースイッチ素子２の間には、可変抵抗体５として、ポリシリコン１０とＮ型拡散抵抗１１とでＭＯＳ構造が形成されている。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

To provide a division method of a nitride semiconductor wafer capable of reducing cost by dispensing with the formation of a current diffusion conductive film with respect to a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に対する電流拡散導電膜の形成を不要なものし、コストの低廉化を図ることができる窒化物半導体ウエハの分割方法を提供する。 - 特許庁

The carrier search part 1000 separates the received signal into an in-phase channel signal and an orthogonal channel signal, and it performs a real fast Fourier transform operation after it performs a spectrum back-diffusion processing operation.例文帳に追加

キャリアサーチ部１０００は、受信信号を同相チャネル信号と直交チャネル信号に分離し、スペクトル逆拡散処理を行なった後に、実高速フーリエ変換を行なう。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion time of air is changed according to the fluctuation of the flow rate of the ammonia nitrogen-containing liquid P1 so that the hydraulic residence time of the ammonia nitrogen-containing liquid to be diffused by air is not fluctuated substantially.例文帳に追加

この際、アンモニア性窒素含有液Ｐ１の流量変動に応じて、散気時間を変動させて、散気にあたる水理学的滞留時間が、実質的に変動しないようにする。 - 特許庁

An improvement rod 30 incorporating a functional substance having negative ion diffusion performance, such as tourmaline, and a functional substance having sterilization performance, such as titanium dioxide, is hung on the back face of a lid stopper 20.例文帳に追加

蓋栓２０の裏面にトルマリン等のマイナスイオン放散能を有する機能物質や、酸化チタン等の殺菌能を有する機能物質を含ませた改質棒３０を垂設する。 - 特許庁

A silicon oxide film 92 laminated thereon is etched to form contact openings for the polysilicon electrode 100, and the diffusion layer (FD 52) of a silicon substrate 80 at the same time.例文帳に追加

その上に積層されるシリコン酸化膜９２をエッチングして、ポリシリコン電極１００及びシリコン基板８０の拡散層（ＦＤ５２）に対するコンタクト開口を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The electromagnetic solenoid 26 and the control board 31 are adjacently arranged in a position near the electric motor 27 above a diffusion space S where the granular powder is diffused horizontally by the rotary vane 28.例文帳に追加

回転羽根２８で水平方向に粉粒体を拡散させる拡散空間Ｓの上方で、電動モータ２７の近傍位置に電磁ソレノイド２６と制御基板３１とを隣接配置した。 - 特許庁

To concentrate impurities in an anode gas passage and exhaust them by suppressing the concentration diffusion of the impurities on the downstream side of the anode gas passage in a fuel cell system.例文帳に追加

燃料電池システムに関し、アノードガス流路の下流における不純物の濃度拡散を抑えることで、アノードガス流路内の不純物を濃縮させて排気できるようにする。 - 特許庁

In a gas diffusion membrane 10, a recess 13 is installed from the front surface toward the rear face of a hydrophobic porous membrane 12 formed of a hydrophobic binder resin and a conductive material.例文帳に追加

ガス拡散膜１０において、疎水性バインダー樹脂及び導電性材料から形成された疎水性多孔質膜１２の表面から裏面に向かって凹部１３を設ける。 - 特許庁

To accurately find out a Poisson equation, a diffusion equation and a similar partial differentiation equation by numerical calculation on non-equal interval gratings in one-dimensional, two-dimensional and three-dimensional spaces.例文帳に追加

１次元、２次元および３次元空間における非等間隔格子上で、ポアソン方程式、拡散方程式および類似の偏微分方程式を数値計算により精度良く求める。 - 特許庁

In the sputtering target 1, a backing plate material 4 consisting of a plurality of metallic layers 2 and 3 is integrally joined to a target material 5 by means of diffusion joining or welding.例文帳に追加

複数の金属層２，３から成るバッキングプレート材４とターゲット材５とが拡散接合または溶接により一体に接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット１である。 - 特許庁

In at least one electrode of a positive electrode and a negative electrode, an insulating layer is formed in a projecting part existing on the surface of a gas diffusion layer facing a polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

正負極のうち少なくとも一方の電極において、高分子電解質膜に対向する側のガス拡散層の表面に存在する突起部に絶縁層を形成する。 - 特許庁

These test circuits are integrated and assembled within the LSI of a transmission baseband signal processing circuit 17 including the diffusion circuits, so that the normality of its own circuit functions can be confirmed.例文帳に追加

拡散回路を含む送信ベースバンド信号処理回路１７のＬＳＩ内に、これら試験回路を集積化して組込んでおくことで、自己の回路機能の正常性を確認できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein diffusion profile of impurities to be introduced to a substrate can be accurately controlled by selectively removing a natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を選択的に除去することにより、基板に導入する不純物の拡散プロファイルを精度良くコントロールすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁

On a side of a trench 5b dug from a surface of the epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 9 made of polysilicon with P-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

また、エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ｂの側面には、Ｐ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層９が被着されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of suitably enhancing a diffusion property of gas at a part of an electrode corresponding to a convex part of a separator in a simple structure, and a separator.例文帳に追加

簡素な構造により、セパレータの凸部に対応する電極の部分のガスの拡散性を好適に高めることができる燃料電池およびセパレータを提供することを課題とする。 - 特許庁

A gate electrode 12 is formed on a semiconductor substrate 10 through the intermediary of a gate insulating film 11, and a P-type impurity diffusion layer 13 is formed under the gate electrode 12.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が形成されており、該ゲート電極１２の下側にはｐ型の不純物拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２下の半導体基板１１内には不純物領域１７が形成され、半導体基板１１の表面領域には拡散層１８が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the elution and diffusion of the sulfate into the layer 2 are prevented, and the sulfur poisoning of an NOx occluding material held in the layer 2 is strictly inhibited.例文帳に追加

したがって硫酸塩が溶出して触媒担持層２中に拡散するのが防止され、触媒担持層２に担持されているNO_x 吸蔵材の硫黄被毒を高度に抑制することができる。 - 特許庁

To improve a molding yield by restraining generation of peeling-off between an electrolyte membrane 1 and an electrode layer 2 (especially, a diffusion layer 22) when molding a membrane-electrode assembly 3A.例文帳に追加

膜電極接合体３Ａの成形時に電解質膜１と電極層２（特に、拡散層２２）との間に剥がれが生じるのを抑制して、成形歩留まりを向上させる。 - 特許庁

An impurity region is formed on the substrate by implanting impurities into the conductive layer pattern and the substrate at both sides of the conductive layer pattern, through the diffusion barrier.例文帳に追加

その後、前記拡散防止膜を通じて前記導電膜パターン両側の基板及び前記導電膜パターンに前記不純物を注入して、前記基板に不純物領域を形成する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which is low in reflectivity of rays and is high in total ray transmittance and a back light unit which is improved in utilization efficiency and eventually luminance of rays.例文帳に追加

光線の反射率が低く、かつ、全光線透過率が高い光拡散シート及び光線の利用効率ひいては輝度を向上させたバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

To provide an electric deionization apparatus and an operating method therefor by which concentration diffusion of HCO_3^- ion from a thickening chamber is suppressed and thereby product water of high specific resistance can be obtained.例文帳に追加

濃縮室からのＨＣＯ_３^−イオンの濃度拡散を抑制し、これにより高い比抵抗の生産水を得ることができる電気脱イオン装置とその運転方法を提供する。 - 特許庁