「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(243ページ目) - Weblio英語例文検索

The heat diffusion section 50 is made of a metallic material and is formed on the insulation layer 52 so as to be spread from the top of the turnup conductive section 44 toward the opposite side of the heating resistor sections 42.例文帳に追加

熱拡散部５０は、金属材からなり、絶縁層５２上に形成されて、折返し導電部４４の上方から発熱抵抗部４２とは反対側に向かって広がっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of efficient RH supply and diffusion processing capable of increasing the amount of processing per one time while preventing an R-T-B based sintered magnet and a holding material from being welded.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と保持部材とが溶着せずに一回あたりの処理量を増やす効率の良いＲＨ供給、拡散処理の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gas diffusion member is composed of a substrate 10 having a plurality of through holes with a surface reforming treated and the morphology of the substrate 10 is either a wreath-cut metal or an expanded metal.例文帳に追加

ガス拡散部材は、表面改質処理された複数の貫通孔が設けられた基材１０からなり、基材１０の形態が、ラスカットメタルまたはエキスパンドメタルのいずれかの形態である。 - 特許庁

The fuel cell has structure formed by stacking a fuel electrode comprising fuel, a fuel electrode diffusion electrode, and a fuel electrode catalyst layer; a solid polymer electrolyte membrane; a separator; an oxidant electrode comprising an oxidant electrode catalyst layer and an oxidant electrode diffusion electrode, in this order, and the separator and the oxidant electrode contain a liquid alkaline electrolyte.例文帳に追加

燃料と、燃料極拡散電極と燃料極触媒層とからなる燃料極と、固体高分子電解質膜と、セパレータと、酸化剤極触媒層と酸化剤極拡散電極からなる酸化剤極とがこの順で積層された構造を有し、前記セパレータと前記酸化剤極とは、液体アルカリ性電解質を含むことを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

Between the upper diffusion block 70 and middle diffusion block 80 of the shower block, the first reactive gas flows from a plurality of first and second main flow paths, which are formed radially and symmetrically, and from a plurality of first and second subflow paths associated with the main flow path diverged at a right angle, and they are uniformly jetted from a plurality of first jet holes 93.例文帳に追加

シャワーブロックの上部拡散ブロック７０と中間拡散ブロック８０との間において、第１反応ガスは放射状に対称的に形成される複数の第１及び第２メイン流路及び関連するメイン流路から直角に分岐された複数の第１及び第２サブ流路に沿って流れ、複数の第１噴射ホール９３から均一に噴射される。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is formed by joining the diffusion layer with a solid polymer electrolyte membrane through a catalyst layer, and the catalyst layer comprises a composite of a first phase comprising a catalyst and a first solid polymer electrolyte for giving and receiving protons and of a reinforcing material for suppressing the damage of the solid polymer electrolyte membrane by the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、固体高分子電解質膜に触媒層を介して拡散層を接合した膜電極接合体において、触媒層は、触媒及び該触媒にプロトンを授受するための第１の固体高分子電解質からなる第１相と、拡散層による固体高分子電解質膜の損傷を抑制するための補強材とを備えた複合体からなることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁

In hotpressing, a presser 10 is provided with a water content supplying mechanism 11, otherwise a wet hydrated object is arranged outside a laminate 1 in which a hydrocarbon based solid polyelectrolyte film 2 is pinched by a gas diffusion electrode 3, so that a water content is refilled to the joint interface of electrolyte film 2 through the gas diffusion electrode 3.例文帳に追加

ホットプレスに際して、プレス装置１０に水分供給機構１１を設けることによって、あるいは炭化水素系固体高分子電解質膜２をガス拡散電極３で挟持して成る積層体１のさらに外側に湿潤状態の含水体を配置することによって、ガス拡散電極３を介して電解質膜２の接合界面に水分を補給する。 - 特許庁

The manufacturing method of a membrane electrode assembly for a fuel cell with a catalyst layer arranged between an electrolyte membrane and a gas diffusion layer, includes (a) a process preparing catalyst powder for forming the catalyst layer, and (b) a process forming the catalyst layer by unevenly depositing the catalyst powder on at least either the electrolyte membrane or the gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との間に触媒層が配置された、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法であって、（ａ）触媒層を形成するための触媒粉体を用意する工程と、（ｂ）前記触媒粉体を、電解質膜とガス拡散層とのうち、少なくとも一方に、不均一となるように堆積させることで前記触媒層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide a diffusion combustion type low NOx combuster, adopting a diffusion combustion system substantially causing no flashback and oscillating combustion, reducing the quantity of NOx and CO generated, performing stable combustion, reducing pressure loss, heightening combustion load, making uniform the distribution of temperature, reducing thermal stress, and supplying combustion exhaust gas to a turbine as it is.例文帳に追加

逆火や振動燃焼が本質的に発生しない拡散燃焼方式であって、ＮＯｘとＣＯの発生量を低減でき、かつ安定燃焼が可能であり、圧力損失を低減し、燃焼負荷を高めることができ、温度分布を均一化でき、熱応力を低減でき、かつ燃焼排ガスをタービン等にそのまま供給できる拡散燃焼方式低ＮＯｘ燃焼器を提供する。 - 特許庁

The diffusion preventive equipment 4 are provided with the diffusion preventive membrane 7 which extends back and forth, up and down and is separable right and left in water, a holding means 9 which can retain the upper edge 8 of the membrane 7 in the vicinity of the water level, and a weight 11 attached to the lower edge 10 of the membrane 7 to give a tension downward to the membrane.例文帳に追加

拡散防止装置４が、前後方向にかつ上下方向に延びて水中を左右に分断可能とする拡散防止膜７と、この拡散防止膜７の上縁部８を水面近傍に保持可能とさせる保持手段９と、拡散防止膜７の下縁部１０に取り付けられてこの拡散防止膜７に対し下方に向う引張力を与える重り１１とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyester film having excellent optical performance, which allows an LCD member, particularly a thermosetting type diffusion sheet to obtain excellent processing characteristics when the LCD member is subjected to back coat processing of the opposite surface side after the diffusion processing as primary processing is carried out, without causing deterioration in processing speed or the yield and which can keep high brightness to stably provide high quality and clear image.例文帳に追加

ＬＣＤの部材、特に熱硬化型の拡散シートにおいて、一次加工である拡散加工後の反対面側のバックコート加工時において、加工特性が良好で、加工速度や歩留りの低下を発生させることなく、また、高い輝度を維持して鮮明で高品質な画像を安定的に与えることができる、光学的性能に優れたポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate in which the diffusion layer is formed, a gate electrode formed on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate up to a position higher than the gate electrode, a first contact electrically connected to the diffusion layer and penetrating the first insulating layer, a second contact electrically connected to the gate electrode, and a second insulating layer formed on the first insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。 - 特許庁

First hydrophilic adjustment processing for including atoms for improving hydrophilicity on a hydrophilic film or second hydrophilic adjustment processing for improving hydrophilicity by deforming a shape of a surface before being covered with the hydrophilic film is applied to surfaces of base materials of the gas diffusion member and the separator so as to make a hydrophilicity of the separator higher than that of the gas diffusion member.例文帳に追加

ガス拡散部材とセパレータの基材表面には、セパレータの親水性の方がガス拡散部材の親水性よりも高くなるように、親水被膜に親水性を向上させるための原子を含有させる第１の親水性調整加工、または、親水被膜に被覆される前の面の形状を変形させて親水性を向上させる第２の親水性調整加工が施されている。 - 特許庁

A plurality of cooling structures connecting a plurality of heating components 102-108 having the same shape to a single thermal diffusion plate 112-114 via first thermally conductive members 109-111 are provided on the same substrate 101, and respective thermal diffusion plates of the plurality of cooling structures are connected to a single radiator 118 via second thermally conductive members 115-117.例文帳に追加

同一形状の複数の発熱部品１０２〜１０８を第１の熱伝導部材１０９〜１１１を介して１つの熱拡散板１１２〜１１４に接続した冷却構造体を同一基板１０１上に複数備え、複数の冷却構造体の各熱拡散板を第２の熱伝導部材１１５〜１１７を介して１つの放熱体１１８に接続する。 - 特許庁

The satchel A includes a back pad 1 having: a backing board 6; a support layer 8 made of a foamed body provided on the backing board; a heat absorption diffusion sheet 9 provided on the support layer; and a soft cover sheet 10 covering these components, wherein the heat absorption diffusion sheet 9 includes: a base material having air permeability; and a heat absorbing diffusing agent contained or deposited in the base material.例文帳に追加

下地ボード６と、その下地ボードの上に設けられる発泡体からなる支持層８と、その支持層の上に設けられる熱吸収放散シート９と、それらを覆う柔軟なカバーシート１０とから構成される背当て体１を備え、熱吸収放散シート９が、通気性を備えた基材と、その基材に含有または付着せしめた熱吸収拡散剤とからなるランドセルＡ。 - 特許庁

To provide a highly light diffusible polycarbonate resin board having excellent initial tinting, light fastness, mechanical strength, light diffusion, and brightness without damaging transparency of a polycarbonate resin, which can be used to applications requiring high degree of optical properties, particularly preferably used in a light diffusion board used in a back light for a liquid crystal display device, etc.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂の透明性を損なうことなく、優れた初期着色性、耐光性、機械的強度、光拡散性および輝度を有しており、高度な光学的性能を必要とする用途、とりわけ液晶表示装置用バックライトなどに使用される光拡散板に好適に用いられ、実用上の利用価値の極めて高い光拡散性ポリカーボネート樹脂板を提供する。 - 特許庁

The error diffusion information influencing pixels in the same block is recorded in an internal error buffer provided in the same processor as a processor having a calculation processing unit and having low capacity while having a high access speed, and the error diffusion information influencing pixels outside the same block is recorded in an external error buffer provided outside the processor and having high capacity while having a low access speed.例文帳に追加

同一ブロック内の画素に影響を与える誤差拡散情報については、算出処理部を有するプロセッサと同一のプロセッサ内に備えられたアクセス速度は速いが容量の低い内部誤差バッファへ記録し、同一ブロック外の画素に影響を与える誤差拡散情報については前記プロセッサ外に備えられたアクセス速度は遅いが容量の高い外部誤差バッファへ記録する。 - 特許庁

This is the membrane-electrode junction wherein a (proton conductive) polymer membrane for the membrane-electrode junction comprised that a discharge treatment is applied to a surface of the polymer membrane containing a proton conductive substituent or a proton conductive material is installed between a pair of catalyst carrying gas diffusion electrodes mutually separated, and wherein it is bonded with a catalyst face side of the gas diffusion electrodes.例文帳に追加

プロトン伝導性置換基またはプロトン伝導性物質を含有する高分子膜の表面に放電処理を施してなる膜−電極接合体用（プロトン伝導性）高分子膜を、互いに離隔する１対の触媒担持ガス拡散電極の間に設置し、ガス拡散電極の触媒面側と接合されてなる膜−電極接合体により達成される。 - 特許庁

By adding the transformation temperature lowering element to the bonding surfaces of the metal stocks, the transformation temperature in a vicinity of the bonding surfaces is locally lowered, and the heating temperature for bonding is lowered in the diffusion bonding step, the deformation during the diffusion bonding is limited to a vicinity of the surface, and excellent bonding can be performed while suppressing the deformation of a base material.例文帳に追加

これにより、金属素材の接合表面に変態点低下元素を添加することで接合表面近傍の変態点が局部的に低下するので、拡散接合工程において接合のための加熱温度を低下させるとともに、拡散接合の際の変形を表面近傍に限定し、母材の変形を抑制しつつ良好な接合を行うことができる。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a plurality of bit line diffusion layers 108 formed above a p-type semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in parallel with each other, and a plurality of word line electrodes 110 formed above the semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in a direction respectively crossing the bit line diffusion layers 108 and in parallel with each other.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、Ｐ型の半導体基板１０１の上部にそれぞれが互いに並行に延びるように形成された複数のビット線拡散層１０８と、半導体基板１０１の上で、且つそれぞれが各ビット線拡散層１０８と交差する方向に互いに並行に延びるように形成された複数のワード線電極１１０とを有している。 - 特許庁

The capacitor lower electrode 109 and an impurity diffusion layer 105 of the first FET are connected to a first contact plug 107, formed on the first protective insulating film 106, and the capacitor upper electrode 111 and an impurity diffusion layer 105 of the second FET are connected by a second contact plug 108, formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により接続されている。 - 特許庁

A special array end structure and a method for manufacturing the same provided by the present invention allow most effectively backing three resistance layers including a diffusion bit line, a control gate, and a word gate polycrystalline silicon (here the control gate polycrystalline silicon may overlap on the diffusion bit line), using only a metal line of three layers while maintaining a minimum metal wiring pitch.例文帳に追加

本発明では、特別のアレー端構造体及びそれらの製作方法を提供することによって、拡散ビット線、コントロールゲート、及びワードゲート多結晶シリコンの３つの抵抗層（ここでコントロールゲート多結晶シリコンは、拡散ビット線と重なることができる）が、最小金属配線ピッチを維持しながら３層だけの金属線を使用して、最も効果的に裏打ちされる。 - 特許庁

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance.例文帳に追加

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。 - 特許庁

The optical element includes: a light-transmitting base film; a plurality of diffusion cavities or convex formed on one surface of the base film and diffusing light entering the base film; and a light condensing pattern including a plurality of condensing protrusions formed so as to condense incident light on the one surface of the base film where the diffusion cavities or convex are formed.例文帳に追加

上記の本発明の光学素子は、光透過性を有するベースフィルムと、上記ベースフィルムに入射した光を拡散させるようベースフィルムの一面に形成された複数の拡散凹部または拡散凸部と、上記拡散凹部または拡散凸部が形成されたベースフィルムの一面に入射光を集光させるよう形成された複数の集光突起からなる集光パターンと、を含む。 - 特許庁

At least one of the gas diffusion layer arranged on the anode side and the gas diffusion layer arranged on the cathode side changes its in-plane thickness such that the thermal resistance between the electrolyte membrane and the fuel gas flow path is smaller than that between the electrolyte membrane and the oxidation gas flow path in a region near an inlet where the fuel gas flows into the fuel gas flow path.例文帳に追加

アノード側に配置されたガス拡散層とカソード側に配置されたガス拡散層の少なくとも一方は、燃料ガス流路に対して燃料ガスが流入する入り口部近傍領域において、電解質膜と燃料ガス流路との間の熱抵抗が、電解質膜と酸化ガス流路との間の熱抵抗よりも小さくなるように、面内で厚さが変化している。 - 特許庁

The lens base plate with the diffusion part 1 is equipped with a microlens base plate 3 having a plurality of microlenses 32 condensing incident light, a black matrix 4 formed on a light emitting side from the microlens 32 and having an aperture part 41 on the optical path of light transmitted through the microlens 32, and the diffusion part 5 having a function of diffusing the light transmitted through the microlens 32.例文帳に追加

拡散部付きレンズ基板１は、入射した光を集光する複数個のマイクロレンズ３２を有するマイクロレンズ基板３と、マイクロレンズ３２より光の出射側に形成され、マイクロレンズ３２を透過した光の光路上に開口部４１を有するブラックマトリックス４と、マイクロレンズ３２を透過した光を拡散させる機能を有する拡散部５とを備えている。 - 特許庁

A gas diffusion layer (GDL) applied to a solid polymer electrolyte fuel cell is equipped with the microporous layer (MPL) arranged on a catalyst layer and formed with powder having core-shell structure comprising a water absorbing core and a water repellent porous shell; and at user's request, a gas diffusion base material (a GDL base material) arranged on the microporous layer.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池に適用されるガス拡散層（ＧＤＬ）であって、触媒層上に配置され、吸水性コアと撥水性多孔シェルからなるコア・シェル構造を有する粉体から形成された微多孔質層（マイクロポーラス層：ＭＰＬ）と、所望により更に、該微多孔質層上に配置されたガス拡散基材（ＧＤＬ基材）と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

The main feature of this 3-D ferroelectric capacitor is that it is equipped with a trench-type lower electrode, interlayer insulator formed around the lower electrode such as an SiO_2 layer, diffusion prevention film formed on the interlayer insulator, ferroelectric layer (PZT layer) formed on the lower electrode and diffusion prevention film, and upper electrode formed on the ferroelectric layer.例文帳に追加

トレンチ型下部電極と、下部電極の周りに形成された層間絶縁層、例えば、ＳｉＯ_２層と、層間絶縁層上に形成された拡散防止膜と、下部電極及び拡散防止膜上に形成された強誘電層（ＰＺＴ層）と、強誘電層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする３次元強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly 110, an anode side catalyst layer 114a and a cathode side catalyst layer 114c are joined respectively to both faces of an electrolyte membrane 112, and furthermore, an anode side gas diffusion layer 116a and a cathode side gas diffusion layer 116c are joined respectively to surfaces of the anode side catalyst layer 114a and the cathode side catalyst layer 114c.例文帳に追加

膜電極接合体１１０は、電解質膜１１２の両面に、それぞれ、アノード側触媒層１１４ａ、および、カソード側触媒層１１４ｃが接合されており、さらに、アノード側触媒層１１４ａ、および、カソード側触媒層１１４ｃの表面には、それぞれ、アノード側ガス拡散層１１６ａ、および、カソード側ガス拡散層１１６ｃが接合されている。 - 特許庁

To provide an alloy film which has excellent heat resistance and high-temperature oxidation resistance and can maintain diffusion barrier characteristics under an ultrahigh temperature environment over a long period of time by controlling the elements, composition, phase, structure and construction of an Re-containing alloy constituting a diffusion barrier layer, its manufacturing method and a heat resistant metallic member using the alloy film.例文帳に追加

拡散バリア層を構成するＲｅ含有合金の元素、組成、相、組織および構造を制御することによって、拡散バリア特性を超高温環境下で長時間に亘って維持することができ、かつ、優れた耐熱性および耐高温酸化性を有する合金皮膜、その製造方法およびこの合金皮膜を用いた耐熱性金属部材を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 100 is equipped with an ion conductive membrane 110; an anode catalyst layer 200 arranged on one side of the ion conductive membrane; a cathode catalyst layer 300 arranged on the other side of the ion conductive membrane 110; an anode diffusion layer 400 arranged on the outside of the anode catalyst layer; and a cathode diffusion layer 500 arranged on the outside of the cathode catalyst layer 300.例文帳に追加

膜電極接合体１００は、イオン伝導膜１１０と、イオン伝導膜の一方に配置されたアノード触媒層２００と、イオン伝導膜１１０の他方に配置されたカソード触媒層３００と、アノード触媒層の外側に配置されたアノード拡散層４００と、カソード触媒層３００の外側に配置されたカソード拡散層５００とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor layer, two diffusion layers formed in the semiconductor layer and serving as the source region and the drain region respectively, a channel region defined between the two diffusion layers, a gate insulating film formed on the channel region and consisting of a silicon oxide film containing carbon atoms by 0.1-5.0 atm%, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

半導体層と、該半導体層内に形成され、ソース領域及びドレイン領域となる２つの拡散層領域と、該２つの拡散層領域間に定められるチャネル領域と、該チャネル領域上に形成され、炭素原子を０．１乃至５．０アトミックパーセント含むシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する。 - 特許庁

The electrode 10 for the fuel cell arranged between an electrolyte membrane 2 of a unit cell 1 of the fuel cell and a gas passage 22 comprises a catalyst layer 11 arranged in contact with the electrode membrane 2, a diffusion layer 13 located on the gas passage side, and a carbon layer 12 located between the catalyst layer 11 and the diffusion layer 13, containing particles 12a of boronated carbon black.例文帳に追加

燃料電池の電極１０は、燃料電池の単セル１の電解質膜２とガス流路２２との間に配置される電極であって、電解質膜２に接触して配置される触媒層１１と、ガス流路側に位置する拡散層１３と、触媒層１１と拡散層１３との間に位置しホウ素化カーボンブラックの粒子１２ａを含有するカーボン層１２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a plurality of fuse elements which include first fuse wiring 109 having a fuse cut-off intended portion 111, second fuse wiring 110 connected to an inside circuit, a first impurity diffusion layer 104 electrically connecting the first fuse wiring 109 and the second fuse wiring 110, and a second impurity diffusion layer 105, respectively.例文帳に追加

半導体装置１００は、ヒューズ切断予定部１１１を有する第１のヒューズ配線１０９と、内部回路に接続された第２のヒューズ配線１１０と、第１のヒューズ配線１０９と第２のヒューズ配線１１０とを電気的に接続する第１の不純物拡散層１０４と、第２の不純物拡散層１０５とをそれぞれ含む複数のヒューズ素子部とを有する。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a fuel cell and a fuel cell system capable of efficiently generating power by distributing a fluid of a fuel gas and a liquid fuel such as an oxidizing agent and a reducing agent in a gas diffusion layer to restrain variations in output over the power generating surface, and obtaining a sufficient amount of power by surely exhausting an impurity gas staying in the gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層内部に酸化剤や還元剤の燃料ガスや液体燃料などの流体を行き渡らせることで発電面の出力のばらつきを抑え、効率的に発電することができると共に、ガス拡散層に滞留した不純ガスを確実に排出して、十分な発電量を得ることができる燃料電池及び燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

Among light fluxes emitted from a light source, a light flux which is not used effectively since it has reached the vicinity of a desired area to be irradiated is guided to a diffusion reflecting part by a reflection member again before reaching an irradiation surface to raise the luminance of the diffusion reflecting part by irradiation with the light flux to reuse the light flux from there for lighting to the desired area to be lighted.例文帳に追加

光源からの照射光束のうち、所望の照射領域の近傍へ到達してしまい有効に使用されない光束について、照射面到達前に再び反射部材で拡散反射部へと導き、その光束照射により拡散反射部の輝度を上昇させ、そこからの光束を所望の照射領域への照明に再使用するという構成。 - 特許庁