「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(289ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid agent for coating a diffusion film 14 of a high-pressure discharge lamp contains as principal compositions first silica particles and second silica particles with shapes of different surface curvature ratios respectively and silicate polymer as a binder.例文帳に追加

表面の曲率が互いに異なる形状を有する第１のシリカ粒子及び中空状の第２のシリカ粒子を主成分とし、バインダーとしてシリケートポリマーを含有している高圧放電ランプ用拡散膜１４の塗布用液剤。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the method, the transparent conductive film is formed on the surface of a substrate 7 by a sputtering method in one vacuum chamber 1, wherein the film is formed on the surface of the substrate 7 while irradiation of laser beams L through a diffusion plate 16 is performed.例文帳に追加

一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 - 特許庁

The headlight 1 is provided with a semiconductor laser 3 emitting laser beams, and a light-emitting part 7 including a fluorescent material emitting fluorescence by receiving the laser beams emitted from the semiconductor laser and diffusion particles for diffusing the laser beams.例文帳に追加

ヘッドランプ１は、レーザ光を出射する半導体レーザ３と、半導体レーザから出射されたレーザ光を受けて蛍光を発する蛍光物質およびレーザ光を拡散させる拡散粒子を含む発光部７とを備えている。 - 特許庁

Caused by the diffusion phenomenon resulting from the gradient in concentration of the water-soluble gas, the water-soluble gas is adsorbed on the water films formed on the surfaces of cooling fins 31a to 31e within a gas adsorption section 19.例文帳に追加

上記水溶性のガスの濃度勾配に起因する拡散現象を利用して、ガス吸着部１９内の冷却フィン３１ａ〜３１ｅの表面に形成された水膜に、上記水溶性のガスを吸着させるようにする。 - 特許庁

Then heat treatment is carried out by irradiation with an energy beam 19 to diffuse impurity atoms in the silicon film 13 by using the compound layer 18 as an impurity diffusion source, thereby forming a source area 20 and a drain area 21.例文帳に追加

次に、エネルギービーム１９を照射して熱処理を行うことにより、化合物層１８を不純物拡散源としてシリコン膜１３に不純物原子を拡散させてソース領域２０およびドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly MEA including electrolyte 1, and the catalyst layers 2A, 2B formed on both sides of the electrolyte 1 are bonded to diffusion layers 5A, 5B formed on both sides of the membrane-electrode assembly MEA.例文帳に追加

電解質膜１とこの電解質膜１の両面に形成された触媒層２Ａ、２Ｂとを含む膜電極接合体ＭＥＡと、該膜電極接合体ＭＥＡの両面に形成された拡散層５Ａ、５Ｂとを接合する。 - 特許庁

In plasma welding, a shield gas 5 is jetted and supplied to a workpiece 1 from positions oppositely facing across the center axis of a plasma torch, regulating diffusion on the workpiece 1 of a plasma gas 4 supplied from a welding electrode side to the workpiece 1.例文帳に追加

プラズマ溶接時、プラズマトーチの中心軸を挟んで対峙する位置から、ワーク１に向けてシールドガス５を噴射供給し、溶接電極の側からワーク１に向けて供給されたプラズマガス４のワーク１上での拡散を規制する。 - 特許庁

To provide a floating gate semiconductor storage device which operates fast with a low voltage and its manufacturing method by decreasing the resistance of a bit line by shortening the total distance of a buried diffusion layer in the bit-line direction.例文帳に追加

ビットライン方向の埋め込み拡散層の総延長距離を短縮して、ビットラインの電気抵抗を低減することにより、高速、低電圧で動作するフローティングゲート型半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring with which unit cost of production is reduced and device characteristics are improved by reducing steps of forming a barrier film for copper diffusion in forming copper (Cu) wiring with a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、デュアルダマシン(Dual Damascene)工程で銅(Cu)配線形成時、銅の拡散防止膜の製造工程を減らすことにより生産単価を減らし、デバイスの特性を改善させる金属配線形成方法の提供を目的とする - 特許庁

To prevent the diffusion of an aldehyde gas generated from a napped fabric such as a carpet or moquette used inside a house, automobile, train, airplane, or the like as much as possible to keep the indoor air clean.例文帳に追加

本発明は、住宅や自動車の室内、電車、旅客機等の室内に使用されるカーペット、モケット等の立毛布帛から発生するアルデヒドガスの拡散を極力防止して、室内空気をクリーンな状態に維持することを目的としている。 - 特許庁

To achieve effective manufacturing of a high quality electrolyte film/electrode structure by precisely positioning a solid polymer electrolyte film and a diffusion layer each of a different size with an easy layout and operation.例文帳に追加

互いに大きさの異なる固体高分子電解質膜と拡散層とを、簡単な構成及び工程で、高精度に位置決めすることができ、高品質な電解質膜・電極構造体を効率的に製造することを可能にする。 - 特許庁

To provide a processing method which raises the hydrophilic property of non-imaging part without spoiling oleophilic property of image silver and improves ink dirt of non-imaging part, in a processing method of lithographic printing plate using silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の処理方法において、画像銀の親油性を損なうことなく非画像部の親水性を向上させ、非画像部のインキ汚れを改善する処理方法を提供すること。 - 特許庁

When the unfixed toner passes through the first light irradiation area, first, the unfixed toner is irradiated with the condensed light beams Z2a having the high power density in a short time, and then, efficiently melted with hardly causing energy loss by diffusion.例文帳に追加

こうして、未定着トナーが、先ず上記第１光照射領域を通過する際には、パワー密度が大きい集光光Ｚ2aで短時間照射されて、拡散によるエネルギ損失を略無くして効率的に溶融される。 - 特許庁

Thus, a light ray incident on the screen 100 temporally changes the scatter distribution of a scattered wave, formed as a result of passing through the first light diffusion layer 1, and phase, and thereby reduces or removes scintillation.例文帳に追加

これにより、スクリーン１００に入射した光線は第１の光拡散層１を通過することによって形成される散乱波の散乱分布や位相を時間的に変化させ、シンチレーションを低減ないし除去するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a recess structure with a gate electrode made of Ti, Pt and Au, and suppresses diffusion of Pt or Au on Ti into an AlGaAs layer on a surface of an element region.例文帳に追加

Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕからなるゲート電極を有するリセス構造を有し、Ｔｉ上のＰｔ若しくはＡｕが、素子領域表面のＡｌＧａＡｓ層に拡散することを抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The generated gas analyzig apparatus 10 can transfer a sample gas existing between both of the orifices opposed to each other by decompressing the decompression chamber 30, in a molecular flow region, and can suppress unnecessary diffusion of the sample gas.例文帳に追加

この発生気体分析装置１０はで、減圧室３０を減圧することにより対向した両オリフィスの間の試料ガスの移動を分子流領域で行うことが可能であり、試料ガスの不要な拡散を抑制可能である。 - 特許庁

Moreover, since the shatterproof film containing a diffusion material is provided at the cover 4, deterioration of light flux can be prevented as compared with a case of providing a member for shatterproof and a member for glare reduction separately on the cover 4.例文帳に追加

また、拡散材を有する飛散防止膜をカバー４に設けているから、飛散防止対策用の部材とグレア低減対策用の部材をカバー４に各別に設ける場合と比較して、光束の低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This lens array sheet 2 is provided with an adhesive layer 7 to which ultraviolet absorbent is added between a lens array layer 3 controlling the angle of view and a diffusion layer 8, and is combined with a Fresnel lens to constitute the transmission type screen.例文帳に追加

視野角を制御するレンズアレイ層３と拡散層８との間に紫外線吸収剤が添加された粘着剤層７が設けられているレンズアレイシート２を構成し、これをフレネルレンズと組み合わせて透過型スクリーンを構成する。 - 特許庁

To provide a superior gas diffusion cathode which has long time stability and lowers cell voltage compared to a conventional electrode so as to enable the industrial production of gases through brine electrolysis in which the cathode is exposed to a harsh electrolysis environment.例文帳に追加

過酷な電解環境に曝される食塩電解用ガスを工業的に操業することを可能にするために、従来の電極に比較して、長期間安定で、セル電圧の小さい優れたガス拡散陰極を提供する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 213a having a polymer-containing conductive layer 22a consisting of conductive carbon particles 210a, 211a with different volume of acid functional group and a polymer material 212a is formed on a porous support body 21a.例文帳に追加

多孔性支持体２１ａの上に酸性官能基量の異なる導電性炭素粒子２１０ａ、２１１ａと高分子材料２１２ａとからなる高分子含有導電層２２ａを有するガス拡散層２１３ａを形成する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy extruded tube made of alloy which has excellent extrudability on molding even if for thin extruded material, has sufficient material strength, and is further excellent in the local corrosion resistance of a low concentration zinc diffusion layer.例文帳に追加

押出材の肉厚が薄い場合でも成形時の押出性に優れ、かつ、十分な材料強度を有すると共に、低濃度亜鉛拡散層の耐局部腐食性に優れた合金からなるアルミニウム合金押出チューブを提供する。 - 特許庁

Uniform laser illumination is realized by making a uniform laser emission line, and the uniform laser emission line is made by a method of causing a heteromorphic beam after laser beam diffusion to pass a rectangular mask and directly converting it into an emission line by an optical lens.例文帳に追加

均一なレーザー照明は、均一なレーザー輝線を作ることであり、本実施例では、レーザービーム拡散後の異形状ビームを四角形のマスクを通過させ直接光学レンズにて輝線に変換する方法で解決した。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer (12), a base layer (13), and an emitter layer (14), an Au diffusion preventing layer (20) of InP or InGaP is formed between an emitter electrode (19) including gold and the base layer (13).例文帳に追加

コレクタ層（１２）、ベース層（１３）及びエミッタ層（１４）を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、金を含むエミッタ電極（１９）とベース層（１３）との間に、ＩｎＰ又はＩｎＧａＰのＡｕ拡散防止層（２０）を備える。 - 特許庁

The heat exchanger 1 made of aluminum is produced by subjecting heat exchanger components 3, 5, 6, 7 composed of an aluminum alloy to diffusion welding, and the joints of the heat exchanger components 3, 5, 6, 7 comprise a magnesium concentration of 0.2 to 0.6 wt%.例文帳に追加

アルミニウム合金からなる熱交換器構成部品３，５，６，７を拡散接合して製造されるアルミニウム製の熱交換器１であって、熱交換器構成部品３，５，６，７の接合部が０．２〜０．６重量％のマグネシウム濃度を含む。 - 特許庁

To simultaneously prevent a crosstalk between pixels in a solid-state image sensing device owing to reflection (cause (I)) on the surface of a semiconductor chip or on metal wirings arranged on the outside of the surface, and owing to lateral diffusion (cause (II)).例文帳に追加

固体撮像素子において、半導体チップ表面、又は表面の外側の金属配線での反射に起因する画素間のクロストーク（原因（Ｉ））と、横方向拡散（原因（ＩＩ））に起因する画素間クロストークを同時に防ぐ。 - 特許庁

After the thermal diffusion, when etching performs a pn junction isolation by using a substrate surface treatment apparatus, the semiconductor substrate 1 is installed in a conveyance roller 6 so that the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 may turn to the up-stream conveyance direction.例文帳に追加

熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。 - 特許庁

To provide an electrode electrolyte which is inexpensive and easy to recover catalyst metals and is excellent in proton conductivity, processability (joining characteristics between a proton conductive membrane and a gas diffusion layer and an electrode layer) and durability against chemical degradation.例文帳に追加

安価で、触媒金属の回収が容易であり、プロトン伝導性、および加工性(プロトン伝導膜・ガス拡散層と電極層の接合性)に優れ、化学劣化に対する耐久性も改良された電極電解質を提供する。 - 特許庁

A projecting part provided on a joined surface side of a positive electrode terminal 50 and a projecting part provided on a joined surface side of a negative electrode terminal 60 in each of the batteries 30 are joined with the wiring layer 26 by diffusion junction, respectively.例文帳に追加

各電池３０の正極端子５０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６、および負極端子６０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６とは拡散接合により接合されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-breakdown voltage semiconductor device, which can avoid increase in a junction leakage, due to a damaged region generated on a semiconductor substrate at the formation of an LDD low-concentration impurity diffusion structure in the case where an offset region is provided.例文帳に追加

オフセット領域を設ける場合、ＬＤＤ構造を形成する際に半導体基板に生成するダメージ領域に起因して接合リークが増加することを回避できる高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The radio wave absorbing body of high thermal conductivity comprises a composite material where the powder comprising the metal soft- magnetic body in which an insulating film is formed on its surface and a thermally conductive filler are in diffusion phase while the polymer material is in matrix phase.例文帳に追加

高熱伝導性電波吸収体は、絶縁性皮膜が表面に形成された金属軟磁性体からなる粉体と、熱伝導性充填材とを分散相とし、高分子材料をマトリックス相とする複合材料よりなる。 - 特許庁

In a guide lamp whose light emission part consists of a plurality of LED's, a light diffusion means 9 is installed in a light path leading from the LED's 5 and 6 so that the beams are diffused in the direction of a light emission part protection cylinder 11.例文帳に追加

発光部に発光ダイオードを複数個用いて発光させる誘導灯において、前記発光ダイオード５,６からの光路中に光拡散手段９を配置して、発光部保護筒11方向へ光を散乱させるようにした。 - 特許庁

This sheet material can diffuse the sweat or the like absorbed by the surface side 7a of the base material 7 from the back side 9b of the hydrophilic layer 9 so as to be excellent in providing the diffusion accelerating effect irrelevant to the presence/absence of a seating person 3.例文帳に追加

基材７の表面側７ａで吸い取った汗等を親水層９の裏面側９ｂから発散させることができるので、着座者３の有無に関係なく、発散促進作用が良好に得られる点でも優れている。 - 特許庁

The diffusion/reflection type screen is manufactured by separately weaving a crepe weave surface cloth and a both-side satin weave lining by using a multifilament thread (for instance, 84 d tex/72 or 36 filaments) of polyethylene terephthalate and then just laminating with an adhesive.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートのマルチフィラメント糸（例えば８４デシテックス／７２または３６フィラメント）を用いて、梨地織りの表地と、両面朱子織りの裏地を別個に製織し、接着剤で貼り合わせるだけで、拡散反射型スクリーンとする。 - 特許庁

Heating chambers 6, 7, 8 and 9 which are not partitioned with vacuum door and are used for any of a heat rising treatment, the carburization treatment, a diffusion treatment and a temperature dropping treatment are provided in a vacuum cell 2 of a continuous vacuum carburizing apparatus 1.例文帳に追加

連続真空浸炭装置１の真空セル２内に、互いに真空シール扉で仕切られていない、昇温処理、浸炭処理、拡散処理、降温処理のいずれにも使用することができる加熱室６，７，８，９を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical member having a light diffusion layer that is formed from a coating liquid satisfying the binder resin solubility while controlling the sedimentation nature of fine particles at the time of coating and that is remarkably improved in light transmission.例文帳に追加

塗布時の微粒子沈降性を制御しつつ、バインダー樹脂溶解性を満足させた塗布液から形成され、光透過性が著しく向上した光拡散層を有した光学部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Deteriorating of crystallizability of the epitaxial base layer or spreading of the base due to diffusion of a dopant of the base layer caused by heating the base layer by the heat treatment in association with the formation of the graft base like prior art is prevented.例文帳に追加

従来のようにグラフトベースの形成に伴う熱処理によってエピタキシャルベース層も加熱され、エピタキシャルベース層の結晶性が劣化したり、エピタキシャルベース層のドーパントが拡散してベース幅が広がってしまうことは防止される。 - 特許庁

Then, a material gas is introduced into the plasma vapor deposition system leaving the substrate 101 in it, and a fluorine diffusion inhibiting film 10 is grown on the fluorine-doped silicon oxide film 2 by the use of the plasma.例文帳に追加

次いで、プラズマ気相成長装置内に基板１０１を設置したまま材料ガスをプラズマ気相成長装置内に供給し、プラズマを用いてフッ素ドープシリコン酸化膜２上にフッ素拡散抑制膜１０を成長させる。 - 特許庁

A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate determining part, a solid electrolyte and a pair of electrodes, and an element current flows in response to the concentration of a specified component in each time in accompaniment with voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサのセンサ素子１０はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子１０への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁

An optional number of second diffusion regions 110 can be installed at an optional place between adjacent gate trenches 112, so that a necessary carrier supply amount can be secured without changing the design of the gate trench 112.例文帳に追加

隣合うゲートトレンチ１１２の間の任意の箇所に任意の個数の第２拡散領域１１０を設置することができるため、ゲートトレンチ１１２の設計を変更することなく必要なキャリア供給量を確保することができる。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide an image processor that can perform quantization of image data by error diffusion method at high speed, while avoiding deterioration in quality of a recording image, and to provide a recorder, an image processing method, program and a storage medium.例文帳に追加

記録画像の品位の低下を回避しつつ、誤差拡散方式による画像データの量子化処理を高速に行うことができる画像処理装置、記録装置、画像処理方法、プログラム、および記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a ventilation method for tunnel work and ventilation device for tunnel work capable of minimizing the diffusion area of dust in the vicinity of a working face as much as possible and enhancing the suction efficiency of the dust.例文帳に追加

切羽近傍における粉塵の拡散領域を極力小さくするとともに、前記粉塵の吸引効率を高めることの可能なトンネル工事における換気方法およびトンネル工事用換気装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁