「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(349ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vacuum carburization method and a vacuum carburizing apparatus which achieve the uniform temperature between a surface and the inside of a workpiece in the high-temperature treatment even when the progression of carburization and diffusion is accelerated to shorten the treatment time by increasing the treatment time, and which provide the workpiece having the predetermined physical properties by suppressing the coarsening of crystal grains.例文帳に追加

処理温度を高くすることにより浸炭及び拡散の進行を速めて処理時間を短縮した場合にも、高温処理による被処理物の表面と内部との間における温度の均一化を図るとともに、結晶粒の肥大化を改善して所定の物性値をもつ被処理物を得る。 - 特許庁

To provide a gas adsorbent which has combustibility and excellent adsorptivity, in which the diffusion of a molecule of an adsorbed gas is made easy, which has excellent desorption/regenerating ability at low temperature, can be formed into a filter or a felt-like shape, can be used even under such a condition that an activated carbon fiber is not applied and can be used for various purposes.例文帳に追加

燃性であり、吸着能に優れ、吸着ガス分子の拡散が容易で低温での脱着再生能に優れ、かつフィルターやフェルト状に成形可能であり、活性炭繊維が適用できない条件下でも使用することができ、幅広い用途に適用可能なガス吸着剤を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

The cold cathode fluorescent lamp having an inner diameter of 1.2 mm or less is lit with high frequency, and at least one of a lamp current density J [mAmrs/m2] or a lamp tube wall temperature Tw[°C] is adjusted to obtain a diffusion coefficient D of mercury vapor in the lamp axial direction of 10-6 [m2/s] or more.例文帳に追加

内直径が１．２ｍｍ以下の冷陰極蛍光ランプを高周波点灯させるとともに、ランプ軸方向への水銀蒸気の拡散係数Ｄが１０^−６［ｍ^２／ｓ］よりも大となるようにランプ電流密度Ｊ［ｍＡｒｍｓ／ｍ^２］又はランプ管壁温度Ｔ__ｗ［℃］の少なくとも一方を調整するようにする。 - 特許庁

The heat exchanger is prepared by mutually bonding many metal plates 6 having fine passages formed on their surfaces using diffusion bonding, into a device having an integrated structure wherein many fine flow passages are laminated, and is also prepared as a highly pressure resistant structure which can attain the flow at a high flow rate and can endure high pressure, thereby realizing the increase in the amount of heat transferred.例文帳に追加

表面に微細流路を形成した多数の金属板６を、拡散接合を用いて互いに接合し、微細流路を多数積層した一体構造を有するデバイスとするとともに、高流速を流すことが可能で、高い圧力にも耐えることができる高耐圧構造とし、移動熱量の増大を実現する。 - 特許庁

According to the BOJ's National Short-Term Economic Survey of Enterprises in Japan, the diffusion index (DI) of employment sufficiency (calculated by subtracting the proportion of enterprises judging employment to be "insufficient" from the proportion judging employment to be "excessive") by enterprise size followed a downward trend from 2002, when the economy hit bottom, and the sense of over-employment largely disappeared at both large enterprises and SMEs by the fourth quarter of 2004 (Fig. 1-1-23).例文帳に追加

日本銀行「全国企業短期経済観測調査」により雇用に関する過不足感を企業規模別にDI（「過剰」－「不足」）で見ると、景気の底を打った2002年以降は下降基調で推移し、2004年10-12月期までには、大企業、中小企業とも雇用の過剰感はほぼ解消されている（第1-1-23図）。 - 経済産業省

In a direct methanol fuel cell 10 having a membrane electrode joint body 18, wherein a fuel electrode 14 and an air electrode 16 is bonded on the both sides of a solid polymer electrolytic membrane 12, a methanol permeability coefficient of a diffusion layer 14b of the fuel electrode 14 side increases as it goes to the downstream side of fuel.例文帳に追加

固体高分子電解質膜１２の両面に燃料極１４及び空気極１６を接合した膜電極接合体１８を備えた直接メタノール型燃料電池１０において、燃料極１４側の拡散層１４ｂのメタノール透過係数を、燃料の下流側に行くほど、大きくする。 - 特許庁

In the above analysis of productivity on the macroeconomic and industrial levels, statistics regarding the US indicate that: (i) productivity increased in the late 1990s due to progress in the diffusion of IT and; (ii) not only the “IT manufacturing sector” but also the “IT user sector” made significant contributions to the productivity increase.例文帳に追加

以上のように、マクロ経済レベル及び産業レベルでの生産性分析を通じて、米国については、①IT化の進展により1990年代後半には生産性が上昇していることと、②生産性の上昇には、「IT製造部門」のみならず「IT利用部門」の寄与も大きいこと、の２つの点が統計的に示唆されている。 - 経済産業省

To constitute a passive cooling heatsink having an improved thermal diffusion so that a laser diode element which uses a heatsink of this type has symmetry with respect to heat, and a compact constitution and can be used for multiple purposes, and particularly can be universally used with respect to beam guiding and electrical circuitry.例文帳に追加

熱拡散の点で改善された受動的冷却性ヒートシンクであって、この種のヒートシンクを使用するダイオードレーザー素子が熱的に対称性があり、構成がコンパクトであり、普遍的に使用でき、特に光線の案内と電気回路技術に関し普遍的に使用できるように前記ヒートシンクを構成する。 - 特許庁

This steam turbine is provided with a steam turbine wheel chamber having a double structure low pressure wheel chamber to prevent diffusion of thermal energy of high temperature steam, and having the heat insulating plate welded on an outer wall surface of the low pressure inner wheel chamber via material coated by insulating material not to produce insulation destruction at a time of welding by a stud welding gun.例文帳に追加

高温蒸気の熱エネルギーが拡散するのを防止するため、低圧車室を二重構造にし、前記低圧内部車室の外壁面に遮熱板を、スタッド溶接ガンにより溶接する際に絶縁破壊を起さないように絶緑材をコーテングした材料を介して溶接した蒸気タービン車室を備えたた蒸気タービン。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁

This image reader for generating periodically diffused clock CL to use the clock CL for the supply of driving clock to each section including a CCD 11 is provided with a driving timing generation circuit 15 for outputting an enable gate signal E for controlling the repetition of the switching of the execution and non-execution of diffusion processing to the clock CL.例文帳に追加

周期的に拡散されたクロックＣＬを生成し、ＣＣＤ１１を含む各部への駆動クロックの供給にクロックＣＬを用いる画像読み取り装置において、クロックＣＬに対する拡散処理の実施、不実施の切り替えを繰り返すように制御するイネーブルゲート信号Ｅを出力するための駆動タイミング発生回路１５を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board 108 includes a step of forming a wiring pattern 106 with a metal diffusion preventing layer 103 on the conductive frame 101 by electrolytic plating, a step of forming an insulating layer 107 on a wiring layer forming surface of the conductive frame 101, and a step of removing the conductive frame 101.例文帳に追加

導電性フレーム１０１上に、電解めっきにより、金属拡散防止層１０３が形成された配線パターン１０６を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１の配線層形成面に絶縁層１０７を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１を除去する工程とを含むプリント配線板１０８の製造方法。 - 特許庁

Also in a manufacturing method of the assembled camshaft, the shaft 2 processed in designated dimensions by drawing of spheroidize-annealed high carbon content chromium bearing steel material a cam lobe 3 of a compact moulding in designated dimensions formed from sintered alloy powder are made, and the cam lobe 3 is assembled on the shaft 2 and is diffusion-jointed.例文帳に追加

また、組立式カムシャフトの製造方法は、高炭素クロム軸受鋼鋼材を球状化焼き鈍し処理し、その後引き抜き加工して所定の寸法に加工したシャフト２と、焼結合金粉末を圧粉成形して所定の寸法の圧粉成形体に形成したカムロブ３とを作製し、カムロブ３をシャフト２に組み付け、それらを拡散接合して製造する。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

In this structure, the diffusion of a small quantity of molecules in the outside air transmitted through the sealing agent 102 or the substance contained in the sealing agent itself into the liquid crystal substance of the image display part 103 is suppressed by the existence of the liquid crystal composition 104 and the liquid crystal display element can be stably driven for a long time.例文帳に追加

このような構成では、液晶組成物１０４が存在することにより、シール剤１０２を透過した微量の外気中分子や、シール剤１０２そのものに含まれる物質が、画像表示部分１０３の液晶物質中に拡散することが抑制され、液晶表示素子を長期にわたり安定に駆動することが可能となる。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

To surely and stably perform the oxidative degradation of volatile organic compound (VOC) components with a catalyst by enabling proper setting of an air-liquid ratio according to the VOC components of VOC-containing wastewater supplied to a diffusion column and the supply amount of the wastewater when diffusing and diluting the VOC components in the VOC-containing wastewater with air.例文帳に追加

揮発性有機化合物（ＶＯＣ）含有排水中のＶＯＣ成分を空気により放散するとともに希釈するのに際して、放散塔に供給されるＶＯＣ含有排水のＶＯＣ成分や供給量に応じて空液比を適正に設定でき、これにより触媒によるＶＯＣ成分の酸化分解処理を確実かつ安定して行う。 - 特許庁

A metal oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, a polysilicon electrode 3 is formed thereon and then it is heated to cause mutual diffusion between the metal oxide film 2 and the silicon substrate 1 and between the metal oxide film 2 and the polysilicon electrode 3 thus forming a metal silicate film 5 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に金属酸化膜２を形成し、次いで、ポリシリコンよりなる電極３を形成し、その後加熱して、前記金属酸化膜２とシリコン基板１とを、および、前記金属酸化膜２とポリシリコン電極３とを、それぞれ、相互拡散反応させて珪酸金属膜５を前記シリコン基板１上に形成するようにした。 - 特許庁

By this constitution, since gap caused by the gas diffusion layer 4 is not formed on the inside surface of the separator 2 different from the conventional one, shortcut of gas between adjoined upstream and downstream passages of a gas passage 6 installed zigzag can surely be prevented, and utilization factor of gas and power generation efficiency can be enhanced.例文帳に追加

該構成とすることで、従来の如くセパレータ２の内側表面にガス拡散層４による隙間が形成されないため、蛇行状に設けられたガス流路６の隣接する上下流路間でガスがショートカットする事態を確実に防止することができ、ガスの利用率の向上、すなわち発電効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

It relates to the film electrode assembly of the fuel cell in which electrochemical characteristic including an ion exchange high polymer of the latest technology and a gas diffusion electrode of the latest technology is reformed by addition of hydrophilic ingredient arranged in accordance with one side of the interface of an electrode or both sides and/or one side on the membranous external surface.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び／又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder.例文帳に追加

アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁

The planographic printing material includes at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer successively layered on a support and employs a silver complex diffusion transfer method, wherein the physical development nucleus layer or at least one layer adjacent thereto contains gum arabic having an ash content of 1 mass% or less.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於いて、該物理現像核層もしくは、これに隣接する少なくとも一層に、灰分が１質量％以下のアラビアゴムを含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This gas diffusion electrode for a solid high polymer electrolyte fuel cell contains a catalyst and a carbon sulfonic acid type ion exchange resin containing fluoride, the ion exchange resin can be obtained by hydrolyzing and oxidizing the precursor of the ion exchange resin having -SO2F and the precursor has a fused extrusion temperature of 80-170°C.例文帳に追加

触媒と含フッ素カーボンスルホン酸型イオン交換樹脂とを含有してなり、前記イオン交換樹脂は、末端に−ＳＯ_2Ｆを有する前記イオン交換樹脂の前駆体を加水分解及び酸型化処理して得られ、かつ前記前駆体は、溶融押出し温度が８０〜１７０℃である固体高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極。 - 特許庁

Since the reflection preventing film 4 containing the two organic materials having different properties is formed, the rectangular resist pattern 5a is formed with high reproducibility by suppressing the occurrence of the outgas from the reflection preventing film 4 at exposing time, and by preventing the diffusion of an acid generated at exposing time into the reflection preventing film 4 from a photoresist film.例文帳に追加

性質の異なる二つの有機材料を含む反射防止膜４を形成することにより、露光時に反射防止膜４からアウトガスが発生するのを抑制し、且つ露光時に発生した酸がフォトレジスト膜から反射防止膜４に拡散することを防ぎ、矩形状のレジストパターンを再現性良く形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the driving method for driving this liquid crystal display device according to this invention is a method letting the current detection means detect a current at the time when a transfer voltage pulse for transferring the liquid crystal layer into bend alignment is applied, and applying an ion diffusion voltage pulse in accordance with the current value to eliminate the display unevenness.例文帳に追加

また本発明の駆動方法は、この液晶表示装置を駆動するにおいて、液晶層をベンド配向に転移させるための、転移用電圧パルスが印加された時の電流を電流検出手段により検出し、その電流値に応じた、イオンを拡散させるためのイオン拡散電圧パルスを印加し、ムラを解消する。 - 特許庁

The micro-structures (56) are designed to homogenize light which emits the monolithic optical element (50) via the macro-optical characteristic (54) by diffusion and to direct the light so that a predetermined light distribution pattern, wherein the intensity smoothly and continuously varies, is formed by substantially the entire optical output of the monolithic optical element (50).例文帳に追加

微小構造（５６）は、マクロ光学的特徴（５４）を介してモノリシック光学要素（５０）を出射する光を拡散によって均質化するとともに、モノリシック光学要素（５０）の光出力のほぼ全体によって、その強度が滑らかに連続的に変化する所定の光分布パターンが形成されるように方向付けるよう適合されている。 - 特許庁

The luminaire includes: an apparatus body 2; light sources 4 arranged on the apparatus body 2; reflectors 3 arranged around the light sources 4; and a translucent cover 6 oppositely arranged to the light sources 4 and reflectors 3, and including diffusion means 7 of different light transmissivity arranged by corresponding to arrangement positions of the light sources 4.例文帳に追加

器具本体２と；前記器具本体２に配設される光源４と；前記光源４の周囲に配設される反射板３と；前記光源４及び前記反射板３に対向配置され、前記光源４の配設位置に対応して光透過率が異なる拡散手段７が設けられた透光性カバー６と；を備えたことを特徴とする照明器具。 - 特許庁

The electrode catalyst layer for a fuel cell has a porous body of a conductive polymer formed on a gas diffusion layer as a catalyst carrier, carries catalyst particles in high dispersion on the porous body of the conductive polymer, and retains polymer electrolyte inside gaps (pores) of a fibril shape of the porous body of the conductive polymer.例文帳に追加

ガス拡散層上に形成された導電性ポリマーの多孔体を触媒担持体とし、前記導電性ポリマーの多孔体上に触媒粒子を高分散に担持し、前記導電性ポリマーの多孔体のフィブリル形状の空隙（細孔）内部に高分子電解質を保持していることを特徴とする燃料電池用電極触媒層。 - 特許庁

A semiconductor chip 10 is placed on an insulation tape 12 without openings, and projected electrodes 17 formed on the electrode 11 on the semiconductor chip 10 are connected electrically together by inner leads 13 formed on the insulating tape 12, so that the increase of diffusion processes for forming wiring on the semiconductor chip 10 is avoided.例文帳に追加

開口部を設けない絶縁テープ１２に半導体素子１０が搭載され、半導体素子１０の電極１１に形成された突起電極１７どうしが、絶縁テープ１２上に形成されたインナーリード１３によって電気的に接続されることで、半導体素子１０の配線形成のための拡散プロセス工程が増加することを回避できる。 - 特許庁

A porous membrane is interposed between separators which have a fuel supply passage and a generated gas exhaust passage mutually adjoining with a diffusion layer of the anode electrode, and the porosity of the porous membrane is small at a portion facing the fuel supply passage and large at a portion facing the generated gas exhaust passage.例文帳に追加

アノード電極の拡散層と互いに隣り合った燃料供給用流路と生成ガス排出用流路が存在するセパレータの間に多孔質膜を介在させ、多孔質膜の多孔度は、前記燃料供給用流路に面する部分は小さく、前記生成ガス排出用流路に面する部分では、大きくなっていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of achieving uniformity of current density by promoting current diffusion in a semiconductor film in a lateral direction and a stacked direction and capable of easily controlling color mixture of light using a phosphor, in the semiconductor light-emitting element in which an n-electrode and a p-electrode are provided on the same surface side of the semiconductor film.例文帳に追加

ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To easily allow moving to attain effective use for a site and the like, to quickly cope with unexpected change of a contamination area by an accident or the like, to preclude polluted air in a decontamination facility from being leaked to a general area, and to surely prevent contamination of clothes and the like after finish of work, and diffusion of a contaminant.例文帳に追加

簡単に移動できて敷地の有効利用等を図ることができ、事故等による突発的な汚染区域の変更にも迅速に対応することができ、除染設備内の汚染空気が一般区域に漏れ出すことがなく、作業終了後の衣服の除染等と、汚染物の拡散防止を確実に行うことのできる除染設備を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

To provide an agitator mill which prevents a fear of an operation miss generated by a subsidiary pulverized body hitting a preventive screen, in particular, while obtaining a pulverization-diffusion effect having a narrow particle distribution, even if a pulverization material passes through the agitator mill only once when improving a conventional type agitator mill and using the subsidiary pulverized body having particularly the very small diameter.例文帳に追加

一般タイプのアジテータミルを改良し、特に極めて小さい直径を有する補助粉砕体を使用するとき、粉砕材料がアジテータミルを一度しか通過しない場合でも、狭い粒子分布を有する粉砕・分散効果を得る一方で、特に保護スクリーンに当たる補助粉砕体により生じる操作ミスの恐れを回避する。 - 特許庁

The light diffusion plate comprises a resin composition containing 0.1-10 parts by mass of a light-diffusing agent, 0.1-1 part by mass of an ultraviolet absorber selected from benzophenone, benzotriazole and malonic ester type absorbers, and 0.1-1 part by mass of a hindered amine type light stabilizer, with respect to a total of 100 parts by mass of a styrenic resin.例文帳に追加

スチレン系樹脂からなり、該樹脂の合計１００質量部に対して光拡散剤０．１〜１０質量部、およびベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、マロン酸エステル系から選ばれる紫外線吸収剤０．１〜１質量部、およびヒンダードアミン系光安定剤を０．１〜１質量部含有した樹脂組成物からなる光拡散板。 - 特許庁

In an image processing method of drawing image data of resolution in subpixel units on a display screen where pixels consisting of subpixels of R, G and B are arranged longitudinally and laterally successively by using subpixels of R, G and B, values of respective subpixels to be displayed are determined by performing error diffusion processing for the image data and pixel display is made with the determined subpixel values.例文帳に追加

ＲＧＢそれぞれのサブピクセルからなるピクセルを縦横に連続して配置した表示画面に、サブピクセル単位の解像度をもつ画像データをそのサブピクセルを用いて描画する画像処理方法において、上記画像データに対して誤差拡散処理を行って表示すべき各サブピクセル値を決定し、決定したサブピクセル値によりピクセル表示を行う。 - 特許庁

To delay diffusion of a coloring agent into a liquid for an ink in a writing utensil in which the liquid for the ink and a main body of the coloring agent for coloring this liquid for the ink are separately stored, and in the half way of guiding the coloring agent to the apex of a writing tip, the coloring agent is added into the liquid for the ink.例文帳に追加

インク用液体と、このインク用液体に着色するための着色剤の主体とが分離して収納され、前記インク用液体が筆記先端へ誘導される途中で、前記着色剤がインク用液体に添加されているように形成されている筆記具において、着色剤のインク用液体への拡散を遅延させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for induction-heating with which in the method and the apparatus for induction-heating of a billet for forging by heating a columnar billet 13, especially the columnar billet 13 having large weight and diameter, a scratch generated in a billet conveying way in the induction-heating apparatus 1 is restrained and diffusion-joining of both billets 13 is restrained.例文帳に追加

円柱状ビレット１３、特に重量及び直径の大きい円柱状ビレット１３を加熱する鍛造用ビレット誘導加熱方法及び装置において、誘導加熱装置１内のビレット搬送路に発生する摺動傷を抑制し、ビレット１３同士の拡散接合を抑制する誘導加熱方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁