「FZ METHOD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND SYSTEM FOR AUTOMATICALLY ADJUSTING POSITION OF IMAGE MEASUREMENT CAMERA IN FZ METHOD例文帳に追加

ＦＺ法における画像計測カメラ位置の自動調整方法、自動調整システム - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加

ＦＺ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 - 特許庁

A β-Ga_2O_3-based single crystal 8 is produced by the FZ method (floating-zone method).例文帳に追加

β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。 - 特許庁

SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING FZ (FLOATING-ZONE) SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE MATERIAL例文帳に追加

シリコン結晶素材及びこれを用いたＦＺシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer having uniform in-plane resistance by an FZ (floating zone) method.例文帳に追加

面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FZ SINGLE CRYSTAL SILICON USING SILICON CRYSTAL ROD MANUFACTURED BY CZ METHOD AS RAW MATERIAL例文帳に追加

ＣＺ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたＦＺ単結晶シリコンの製造方法 - 特許庁

To prevent generation of a defect just after starting bring up monocrystal by making an adjusting operation of FZ monitoring operation and a device main body easy, in the monocrystal bring up device of FZ method.例文帳に追加

ＦＺ法の単結晶育成装置において、ＦＺの監視作業及び装置本体の調整作業を容易にし、育成開始直後の不具合の発生を防止する。 - 特許庁

In addition, defining (Fx^(n+1), Fy^(n+1), Fz^(n+1))=(fx^(n+1), fy^(n+1), fz^(n+1)), each axis torque Ti is calculated by the Newton-Euler method and employed in a torque command (step S3).例文帳に追加

更に、（Ｆx^(n+1)，Ｆy^(n+1)，Ｆz^(n+1)）＝（ｆx^(n+1)，ｆy^(n+1)，ｆz^(n+1)）として、Ｎｅｗｔｏｎ−Ｅｕｌｅｒ法により、各軸のトルクＴiを計算し、トルク指令に採用する（ステップＳ３）。 - 特許庁

To provide a method of stably manufacturing a silicon single crystal to be manufactured by FZ method with prescribed resistivity.例文帳に追加

ＦＺ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁

To grow a single crystal stable under a strong magnetic field in a single crystal-growing device by a FZ method.例文帳に追加

ＦＺ法の単結晶育成装置において、強磁場下で安定した単結晶の育成を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by using an FZ method, the crystal having uniform resistivity distribution in a crystal plane as the important characteristic of the product.例文帳に追加

製品の重要な特性である結晶の面内抵抗率分布が均一なＦＺ法シリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal, by which a raw material semiconductor rod can be prevented from being broken in a method for producing the semiconductor crystal by an FZ method.例文帳に追加

ＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、原料半導体棒の破損を防止することができる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZrB_2 single crystal, which is based on a floating zone melting method (FZ method) and by which a large size and good quality single crystal can be obtained at a low growth temperature.例文帳に追加

育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for estimating longitudinal force Fx, vertical force Fz and lateral force Fy with high accuracy while suppressing trouble of a tire.例文帳に追加

タイヤの不具合を抑えながら前後力Ｆｘ、上下力Ｆｚ、横力Ｆｙを高精度で推定する方法の提供。 - 特許庁

A silicon wafer 10 is formed by FZ method, and the oxygen concentration in the wafer is 1.0×10^18 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また，シリコンウェハ１０は，ＦＺ法により形成され，ウェハ中の酸素濃度が１．０×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁

By use of an FT-IR device from IR waveforms prior to hydrogen ions implanted into the semiconductor substrate, the IR waveform of an FZ crystal semiconductor substrate is acquired by a difference spectrum method (an FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions).例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。 - 特許庁

To provide a silicon crystal material which is manufactured by the CZ method, used for a material rod for the manufacture of silicon single crystals by the FZ method and has a support part with which the material is fitted in the crystal growth furnace of the FZ method without the need for machining.例文帳に追加

ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the growth of the ZrB_2 single crystal by the FZ method using a flux, a flux (fusing agent, solvent) comprising both of boron and carbon is used.例文帳に追加

フラックスを用いたＦＺ法によるＺｒＢ２単結晶の育成において、ホウ素と炭素両者からなるフラックス（融剤、溶媒）を用いる。 - 特許庁

In this equipment for producing a single crystal with a floating zone melting method (FZ method) or transfer solvent floating zone melting method (TSFZ method), a transparent partition wall 21 for a single crystal growth area is provided with a heater(s) 31 for heating the partition wall 21.例文帳に追加

浮遊溶融帯法または溶媒移動浮遊溶融帯法により単結晶を製造する装置において、単結晶の育成が行われる透明隔壁２１に、その透明隔壁を加熱するヒータ３１を取り付ける。 - 特許庁

To provide a method for making XB_2 single crystals without grain boundary using FZ method, relating to boride single crystals comprising ZrB_2, TiB_2 or solid solution compositions thereof and a method for producing the same.例文帳に追加

ＺｒＢ_２若しくはＴｉＢ_２又はこれらの固溶体組成からなるホウ化物単結晶とその製造方法に関して、ＦＺ法を用いて粒界のないＸＢ_２単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes a process of forming an ingot 2 by performing zoning from the terminal end A2 toward the starting end A1 in pulling of the formed ingot 1 by a floating zone method (FZ method) to recrystallize the ingot 1.例文帳に追加

また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a measurement method and measurement system for measuring crystallization interface of a semiconductor single crystal in an initial stage of a cone part forming process for enlarging the crystal diameter from a seed necking process of an FZ (Floating Zone) method, and to provide a control method and a control system.例文帳に追加

ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by using the FZ method includes using a P-type silicon crystal formed by a CZ method as a raw material rod, and then forming an N-type silicon single crystal by performing gas-doping with an N-type impurity.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。 - 特許庁

In a floating zone(FZ) method, the partial pressure of oxygen, or the like, among ingredients contained in an atmosphere surrounding a melt is controlled so as to be especially ≥1.8 E(-5) MPa.例文帳に追加

ＦＺ法において、融液をとりまく雰囲気を構成する成分中、例えば、酸素分圧を制御して、酸素分圧が、特に、１．８Ｅ（−５）ＭＰａ以上となるようにする。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a polycrystalline silicon rod for FZ (floating zone) which has a low impurity contamination (high purity) and a high single-crystallization efficiency.例文帳に追加

低不純物汚染（高純度）の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いＦＺ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。 - 特許庁

Such a single crystal silicon substrate can be easily obtained by an MCZ method capable of controlling convection of silicon melt by application of a magnetic field or by an FZ method not using a quartz crucible.例文帳に追加

このような単結晶シリコン基板は、磁場印加によりシリコン融液の対流を制御可能なＭＣＺ法や、石英ルツボを用いることのないＦＺ法により、容易に得ることができる。 - 特許庁

Next, from the IR waveforms after the hydrogen ions are implanted, the IR waveform of the FZ crystal semiconductor substrate is acquired by the difference spectrum method, and a difference is acquired between this IR waveform and the FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions, as acquired above, thereby accurately measuring the hydrogen implant dose implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。 - 特許庁

The single crystals are grown from a mixed raw material containing XB_2 (X is at least one of Ti and Zr) and CrB_2 as main ingredient according to Floating Zone(FZ) method.例文帳に追加

主成分としてＸＢ_２（ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも一種である）とＣｒＢ_２とを含む混合原料からフローティングゾーン法により単結晶を育成する。 - 特許庁

To use a cone part of a single crystal ingot manufactured by an FZ method as an ingot for a new wafer and obtain a wafer of high quality.例文帳に追加

本発明の目的は、ＦＺ法によって製造された単結晶インゴットのコーン部を、新たなウェーハ用インゴットとして用いることを可能とし、さらに、高品質なウェーハを得ることにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer of crystallographic orientation <110> from a silicon single crystal ingot dislocation-freed using Dash-Necking process by floating zone (FZ) method, and to provide a silicon wafer of crystallographic orientation <110>.例文帳に追加

ＦＺ法によりダッシュネッキング法を用いて高い成功率で無転位化したシリコン単結晶インゴットから結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハを製造する方法および結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハの提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method), by which the slip back generated when a raw material and a melting zone are separated and a crystal is completely solidified in a separation process, can be reduced.例文帳に追加

ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately measure the concentration of impurities by region by simply and accurately specifying the axial core position of a single crystal sample (the position of a silicon core rod) prepared from a polycrystalline silicon rod by an FZ method.例文帳に追加

多結晶シリコンロッドからＦＺ法により作製した単結晶試料の軸芯位置（シリコン芯棒の位置）を簡易かつ正確に特定して、不純物濃度を部位別に正確に測定する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal-producing method which enables production of a grown crystal having a resistivity distribution equivalent to that of the single crystal product obtained by a conventional FZ method even when a silicon crystal having been pulled by a CZ method is used.例文帳に追加

ＣＺ法により引き上げられたシリコン結晶を原料素材としても、従来のＦＺ法で得られる製品単結晶と同等の抵抗率分布を有する成長結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。 - 特許庁

In addition, the single crystal silicon wafer having a square section which is made by slicing the single crystal silicon having the square cross section grown by the FZ method has in-plane distribution of four-fold symmetry in resistivity.例文帳に追加

また、ＦＺ法により育成された四角形の断面を有する単結晶シリコンをスライスした四角形の単結晶シリコンウェ−ハであって、抵抗率が四回対称の面内分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the silicon single crystal by the FZ method produces the N-type silicon single crystal by doping using, as a doping gas, Ar-based PH_3 gas and Ar-based B_2H_6 gas.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ_３ガスとＡｒベースのＢ_２Ｈ_６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality P- or N-type silicon single crystal having a large diameter and resistivity as high as ≥1,000 Ω cm at a low cost in high yield by a FZ (float zone) method free from decrease in the resistivity in the production processes of a device.例文帳に追加

大口径で抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率のＰ型またはＮ型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないＦＺ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress a frequency of the generation of a crack or chipping in a wafer to an approximately conventional level even if the thickness of a loaded wafer is reduced in comparison with a conventional wafer in a manufacturing line using a 8-inch diameter FZ wafer.例文帳に追加

８インチ径のＦＺウエハを用いる製造ラインで、投入ウエハの厚さを従来のものより薄くしても、ウエハの割れ欠けの頻度を従来と同様の程度に抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the single crystal is grown by the FZ method, the periphery of the single crystal 8 neighbored to a melting zone 7 is surrounded with an induction coil 14 for slow cooling and the induction coil 14 for slow cooling is electrified with a current in the inverse phase to an induction coil 4 for heating.例文帳に追加

ＦＺ法による単結晶の育成方法において、溶融帯７近傍の単結晶８の周囲を徐冷用誘導コイル14で囲い、この徐冷用誘導コイル14に加熱用誘導コイル４と逆位相の電流を流す。 - 特許庁

The gadolinium vanadate (GdVO_4) single crystal is formed by a single crystal growth process based on an FZ method using Gd_2O_3, V_2O_5 and M_2O_3 (wherein, M is at least one kind of Cr and rare earth elements) as starting raw materials.例文帳に追加

バナジウム酸ガドリニウム単結晶は、出発原料としてＧｄ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、Ｍ_２Ｏ_３（但し、ＭはＣｒ及び希土類元素の内の少なくとも一種を示す）を用い、ＦＺ法による単結晶育成で形成されたバナジウム酸ガドリニウム（ＧｄＶＯ_４ ）単結晶である。 - 特許庁

The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。 - 特許庁