「FET state」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An overcurrent state is detected with a current detection resistor, and the gate voltage of a power MOS FET 1 is lowered by the operation of a transistor 2.例文帳に追加

過電流状態は電流検出抵抗で検出しトランジスター２の作動によりパワーＭＯＳ ＦＥＴ１のゲート電圧を下げる。 - 特許庁

Even if the FET 122a and 122c for ON drive are turned ON when either of the FET 121a or 121c for ON drive breaks down in an ON-state, the IGBT 110d can be turned OFF without increasing heat generation of the IGBT 110d due to an increase of ON-state voltage.例文帳に追加

そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａ、１２１ｃのいずれかがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。 - 特許庁

The bidirectional switch includes a first FET 11, a second FET 12, and a switch control unit 21 which controls a conduction state wherein currents from a bidirectional power source electrically connected between drain terminals flow in two directions and a cutoff state wherein the currents do not flow.例文帳に追加

双方向スイッチは、第１のＦＥＴ１１と、第２のＦＥＴ１２と、ドレイン端子同士の間に電気的に接続された双方向電源からの電流が双方向に流れる導通状態と電流が流れない遮断状態とを制御するスイッチ制御部２１とを備えている。 - 特許庁

An FET 11, which has a fast-switching speed and an FET 12 which has small on-resistance are used by more than two, the active terminals (drain, source) of those FETs 11 and 12 are connected in parallel, and these FETs 11 and 12 are used in combination for switching between the conduction state and nonconduction state of a conduction path.例文帳に追加

スイッチング速度が速いＦＥＴ１１とオン抵抗の低いＦＥＴ１２を２つ以上用いて、これらのＦＥＴ１１，１２の能動端子（ドレイン、ソース）を並列接続し、これらのＦＥＴ１１，１２を併用して導電路の導通状態と非導通状態を切り替える。 - 特許庁

The generator circuit 3 generates a gate voltage signal so as to change the MOS-FET 2 from a non-conducting state to a conducting state, taking time longer than its turn-on time.例文帳に追加

電圧信号生成回路３はターンオン時間よりも長い時間をかけてＭＯＳ−ＦＥＴ２を非導通状態から導通状態に変化させるようにゲート電圧信号を生成する。 - 特許庁

Then, at the time of short circuit between the input and the output of the DC/DC converter 2 at the time of a light load, the FET Q2 is short-circuited slowly through a low-resistance state from a high-resistance state.例文帳に追加

そして、軽負荷時のＤＣ／ＤＣコンバータ２の入出力間の短絡時に、ＦＥＴＱ２を高抵抗状態から低抵抗状態を経て緩やかに短絡状態にする。 - 特許庁

For measuring a leakage current for a p-channel MOSFET 1 for energiging a load 2, even in a state where a control IC 24 is electrically connected with the FET 1 by turning off an FET 21 to shut off the electric connection of the gate of the FET 1 and a power source, the leakage current can be measured easily.例文帳に追加

負荷２に通電を行うためのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１についてリーク電流を測定したい場合には、ＦＥＴ２１をオフにしＦＥＴ１のゲートと電源との電気的接続を断つことでＦＥＴ１と制御ＩＣ２４とを電気的に接続した状態でも、リーク電流を容易に測定することが可能となる。 - 特許庁

After that, operation for turning on the FET (Q1) again is repeated after randomly set standby time Tp passes, and an off state of the FET (Q1) of the IC circuit 51-1 is held at a point in time when the count value N reaches 7.例文帳に追加

その後、ランダムに設定された待機時間Ｔｐが経過した後、再度ＦＥＴ（Ｑ１）をオンとする動作を繰り返し、カウント値Ｎが７に達した時点で、ＩＣ回路５１-1のＦＥＴ（Ｑ１）をオフ状態に保持する。 - 特許庁

When currents flow to an FET 121a for ON drive and an FET 122a for OFF drive and a difference of the flowing currents is equal to or smaller than a prescribed value, a control circuit 128 determines that an IGBT 110d is in the abnormal state.例文帳に追加

制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａに電流が流れており、かつ、流れている電流の差が所定値以下であるとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。 - 特許庁

When the switching action of each FET 3, 4 of an inverter circuit 2 is brought in close to an advanced-phase switching state, a switch current is changed from an increase to a decrease in the switch-on period of the FET 4, and then its ratio of the change of the decrease becomes large.例文帳に追加

インバータ回路２の各ＦＥＴ３、４のスイッチング動作が進相スイッチング状態に近づくと、ＦＥＴ４のオン期間においてスイッチ電流が増加から減少に転じた後にその減少の変化割合が大きくなる。 - 特許庁

To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加

本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

Since the FET 57 having a function of a capacitive element is biased up to a cut-off state, an equivalent resistance of several hundreds of Ω or over can be obtained.例文帳に追加

容量性素子の機能を有するＦＥＴ57は、カットオフ状態にバイアスされるので、数百ＫΩ以上の等価抵抗が得られる。 - 特許庁

When the generated voltage reaches a threshold voltage, MOSFETs (M3), (M4) are turned on and the cut-off state of the multi-source FET (T1) is maintained.例文帳に追加

生成した電圧が閾値電圧に達した場合に、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ３）、（Ｍ４）をオンとし、マルチソースＦＥＴ（Ｔ１）の遮断状態を維持する。 - 特許庁

Capacitance of a self-excited oscillation circuit is varied, depending on the conduction state of the MOS-FET and the low-side switching frequency is controlled variably.例文帳に追加

そしてＭＯＳ−ＦＥＴの導通状態により自励発振回路のキャパシタンスが変化し、ローサイドスイッチング周波数が可変制御される。 - 特許庁

To reduce the on-state resistance of D-type FET so as to prevent an analog high-frequency circuit from deteriorating in maximum output current and efficiency.例文帳に追加

Ｄ型ＦＥＴのオン抵抗を小さく抑え、アナログ高周波回路での最大出力電流の低下及び効率の劣化を防止する。 - 特許庁

At this changeover, the FET 6 is instantly stabilized into the "on" operation state, but the "on" operation of the relay 15 is stabilized, after chattering has occurred.例文帳に追加

この切り替え時、ＦＥＴ６はすぐさまオン動作状態に安定するが、リレー１５では、チャタリングが発生した後、オン動作が安定する。 - 特許庁

The charges stored in the capacitor 12 are discharged through the MOS-FET, the motor relay 14 in turned-on state and the winding of the brushless motor 1.例文帳に追加

コンデンサ１２に蓄積された電荷は、オン状態のＭＯＳ−ＦＥＴ、モータリレー１４、および、ブラシレスモータ１の巻線を通って放電される。 - 特許庁

When the reverse voltage is applied between the input side terminal and the output side one, the FET elements Q1, Q2 are put into a non-conduction state.例文帳に追加

一方、前記入力側端子と前記出力側端子との間に逆電圧が印加された場合にはＦＥＴ素子Ｑ１，Ｑ２は非導通状態となる。 - 特許庁

To provide a GaN-based FET with low on resistance, a easily realized pinch off state, and large current switching operation is enabled at a high temperature.例文帳に追加

オン抵抗が小さく、ピンチオフ状態を容易に実現し、高温下においても大電流スイッチング動作が可能なＧａＮ系ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

As a result of this, the frequency of switching is variable-controlled by the state of continuity of the MOS-FET, and use of an orthogonal type control transformer is dispensed with.例文帳に追加

これによりＭＯＳ−ＦＥＴの導通状態により、スイッチング周波数が可変制御されるようにし、直交形制御トランスを不要とする。 - 特許庁

Moreover, in case that a charge is connected, it can detect the abnormality of the charger, based on the terminal voltage and the state of the charge/discharge FET.例文帳に追加

また、充電器が接続されている場合には、端子電圧と充放電ＦＥＴの状態とに基づき、充電器の異常検出を行うことができる。 - 特許庁

In this protection circuit, when an excess charge state continues at a secondary battery 5 caused by an unexpected situation, a continuing of the excess charge state is detected by a second voltage detection part 2 and a third FET 3 is turned on.例文帳に追加

不測の事態により二次電池５に過充電状態が継続されたとき、第２の電圧検出部２により過充電状態の継続を検出し、第３のＦＥＴをオン動作させる。 - 特許庁

The device causes the FET 110 to put the switching power supply 101 and the load in the non-conduction state during a transitional state of the switching power supply 101 changing voltages applied to the load.例文帳に追加

電子機器は、スイッチング電源１０１が負荷に印加する電圧を変更する際の過渡状態において、スイッチング電源１０１と負荷とをＦＥＴ１１０によって非導通状態にする。 - 特許庁

With the transmitting switches being in a conductive state, the boost voltage is applied to the FET of the receiving switches as a potential for turning the receiving switches to a nonconductive state.例文帳に追加

そして、送信用スイッチが導通状態の場合に、受信用スイッチを非導通状態とする電位として、受信用スイッチのＦＥＴに昇圧電圧を印加する半導体装置とその制御方法である。 - 特許庁

When an FET 13 is put in an ON state, constant currents I2 are supplied from a constant current source 2 to a resistance element 5 according to an input signal VIN, and currents running through the gate of an FET 13 are determined by an output side mirror pair 19.例文帳に追加

ＦＥＴ１３をＯＮ状態とする場合、入力信号ＶＩＮに応じて抵抗素子５に定電流源２による定電流Ｉ２を供給し、出力側ミラー対１９によりＦＥＴ１３のゲートを介して流れる電流を決定する。 - 特許庁

The control circuit 300 sets the switch element (FET) 3 to an off state when an output current of a DC/DC converter 200 is a prescribed amount or larger (when a load is in a normal mode), and the switch element (FET) 3 to an on state when the output current is less than the prescribed amount (when a load is in a power saving mode).例文帳に追加

制御回路３００は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２００の出力電流が所定値以上の場合（負荷が通常モードの場合）には、スイッチ素子（ＦＥＴ）３をオフ状態に設定し、出力電流が所定値よりも少ない場合（負荷が省電力モードの場合）にはスイッチ素子（ＦＥＴ）３をオン状態に設定する。 - 特許庁

Since the output voltage of the charge pump circuit 30 is output only when the power supply 31 provides the double voltage, the switch 42 can start the FET 44 in a state that the ON resistance of the FET 44 is low by applying the double voltage of the power supply 31 to the gate terminal.例文帳に追加

これにより、スイッチ４２はチャージポンプ回路３０の出力電圧が電源３１の倍電圧の時にのみオンされるので、ゲート端子に電源３１の倍電圧を印加して、ＦＥＴ４４のオン抵抗が低い状態でＦＥＴ４４を起動することができる。 - 特許庁

Therefore, in this case, a control circuit 23 and a gate drive circuit 14 make MOS-FET 11 and 12 in the OFF state, and the auxiliary power source 17 is charged by the voltage V_G through a parasitism diode 12d of the MOS-FET 12.例文帳に追加

そこで、この場合に、制御回路２３及びゲート駆動回路１４は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１及び１２を共にオフの状態として、ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の寄生ダイオード１２ｄを介して電圧Ｖ_Gにより補助電源１７が充電されるようにする。 - 特許庁

In this PoMOSFET 1, in order to correspond to high current, a large number of FET cells 9 are formed with a prescribed shape and pitch in the state of a matrix on the side of a front surface, and a gate electrode 10 and a source electrode 11 are connected to the FET cells 9.例文帳に追加

本発明のＰｏＭＯＳＦＥＴ１は、大電流に対応するために、表面側に多数のＦＥＴセル９が所定の形状とピッチでマトリクス状に形成され、ＦＥＴセル９には、ゲート電極１０とソース電極１１が接続されている。 - 特許庁

An output transistor 21 of the series regulator 20 is fixed to be in an off-state from when the microcomputer 41 is brought into the standby mode until when the starting conditions are succeedingly established, but an FET 11 of the switching regulator 10 is fixed to be in an on-state.例文帳に追加

そして、マイコン４１がスタンバイモードになってから次に起動条件が成立するまで、シリーズレギュレータ２０の出力トランジスタ２１がオフに固定されるが、スイッチングレギュレータ１０のＦＥＴ１１はオンに固定される。 - 特許庁

The control voltage to be applied to a gate terminal G of the FET 13 is output to a CPU 12 as a state detection signal for detecting the state of a load current Il (ON/OFF of a current limit operation).例文帳に追加

ＦＥＴ１３のゲート端子Ｇに印加される制御電圧が、負荷電流Ｉｌの状態（電流制限動作のＯＮ／ＯＦＦ）を検出するための状態検出信号としてＣＰＵ１２へ出力される。 - 特許庁

When it is decided that the failure detection condition is not established in the limited state of the driving of FET, the limit therefore is not instantly released.例文帳に追加

このため、ＦＥＴの駆動が制限された状態で故障検出条件が非成立である旨判定される場合に、当該制限が即時に解除されることはない。 - 特許庁

When the secondary battery 11 has not been attached or has not been charged sufficiently (S15), the CPU2 maintains the FET switch 116 at an off state (S20).例文帳に追加

また、二次電池１１が装着されていない場合や、二次電池１１が充電不足の場合には（Ｓ１５）、ＣＰＵ２は、ＦＥＴスイッチ１１６をオフ状態で維持する（Ｓ２０）。 - 特許庁

By turning on a transistor 54 in accordance with a 24V-interrupting signal from an engine controller, a current is caused to flow into are a resistor 53, so that the FET 51 goes into a conducting state.例文帳に追加

そして、エンジンコントローラからの２４Ｖ遮断信号に従ってトランジスタ５４をオンすることで、抵抗５３に電流を流し、ＦＥＴ５１を導通状態にする。 - 特許庁

To provide a switch circuit with diagnostic functions, using an FET switch in place of a relay and being capable of normally monitoring the state of the switch.例文帳に追加

リレーに代えてＦＥＴスイッチを用いることにより上記課題を解消し、スイッチの状態も常時監視することが可能な診断機能付スイッチ回路を提供する。 - 特許庁

When controller 6 decides that the remaining open amount is within the deceleration starting threshold (in other words, when the window pane is closed), first of all, an FET 8 is switched to an OFF state.例文帳に追加

コントローラ６は、残り開き量が減速開始閾値以内になった（即ち、ウインドウガラスが閉じ際である）と判断すると、まず最初にＦＥＴ８をオフ状態に切り換える。 - 特許庁

The abnormal state in which the IGBT 110d cannot be turned off resulting from an on failure or malfunction of the on-driving FET 121a can thus be detected.例文帳に追加

そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができる。 - 特許庁

To provide a method for specifying the harmonic distortion characteristics of an FET in an off state by a simple device without using any expensive harmonic measuring devices for evaluation.例文帳に追加

高価な高調波測定装置を使用することなく、簡便な装置にてオフ状態ＦＥＴの高調波の歪み特性を推定して評価する方法を提供する。 - 特許庁

When the output is several Ωto several ten Ω being the former, the FET 2b is set into a cut-off state via the part 2e by operating the controller 3 or the part 4 to terminate the synchronizing signal by the Rs.例文帳に追加

前者の数Ωから数十Ωの場合、リモコン３又は操作部４を操作し、制御部2eを介し前記ＦＥＴ2bをカットオフに設定し、抵抗Rsで終端する。 - 特許庁

Therefore, even in an abnormal state where the IGBT 110d cannot be turned off due to on failure of the on driving FET 121a, thermal destruction of the IGBT 110d can be prevented.例文帳に追加

そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 - 特許庁

Bringing the FET 11 to the active state permits a voltage signal changing in response to a high frequency signal given to the gate to be outputted from the drain.例文帳に追加

そして、ＦＥＴ１１を能動状態にすることによって、ゲートに与えられた高周波信号に応じて変化する電圧信号が、ドレインから出力される。 - 特許庁

When a short circuit failure of output of a transistor 31 is detected during motor driving, a microcomputer 5 turns off enable signal ENB, and an off-state of the FET 20 cuts off a gate of the MOS-FET (U2) of the motor drive circuit 7 from the motor drive signal of a predriver 6.例文帳に追加

モータ駆動中にトランジスタ３１の出力の短絡故障が検出されると、マイコン５はイネーブル信号ＥＮＢをオフし、ＦＥＴ２０がオフ状態となることによって、モータ駆動回路７のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｕ２）のゲートがプリドライバ６のモータ駆動信号から遮断される。 - 特許庁

To provide a power supply controller and a power supply control method, that can detect as quickly as possible the off-state of a thermal FET due to the overheat shut-off function, reduce the thermal stress of the thermal FET generated by the overheating condition and prevent reduction of the thermal operation life.例文帳に追加

過熱遮断機能によるサーマルＦＥＴのオフ状態をできる限り早く検出して、過熱状態によって受けるサーマルＦＥＴの熱的ストレスを低減し、熱的寿命の短縮を防止し得る電源供給制御装置および電源供給制御方法を提供すること。 - 特許庁

A Zener diode 23 is connected between the drain and gate of a power MOSFET 3, and when a serge voltage is detected in a power line L by an excess voltage detecting circuit 15, a driving circuit 16 turns the gate of the FET 3 into a high impedance state so that the drain and gate of the FET 3 can be clamped with a Zener voltage VZ.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ３のドレイン−ゲート間にツェナーダイオード２３を接続し、駆動回路１６は、過電圧検出回路１５によって電源線Ｌにサージ電圧が検出されるとＦＥＴ３のゲートをハイインピーダンス状態にして、ドレイン−ゲート間をツェナー電圧ＶZ でクランプさせる。 - 特許庁

Conversely, by turning off the transistor 54 in accordance with the 24V-interrupting signal, the current flow into the resistor 53 is shut, so that the FET 51 is put into a non-conducting state via a resistor 52.例文帳に追加

一方、２４Ｖ遮断信号に従ってトランジスタ５４をオフすることで、抵抗５３に流れる電流を遮断し、抵抗５２を介してＦＥＴ５１を非導通状態にする。 - 特許庁