「FG」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The frame ground line 12c is electrically connected to a casing 8 thorough the electrode 13c, a pin 3a electrically connected to the electrode 13c, a FG pattern 7, and a screw mounted in a mounting hole 9.例文帳に追加

フレームグラウンド線１２ｃが、電極部１３ｃ、電極部１３ｃと電気的に接続されたピン３ａ、ＦＧパターン７および、取付け穴９に取り付けられたねじを介して筐体８と電気的に接続される。 - 特許庁

To realize a disk drive device stably applying a tracking servo of a land/groove recording format even to a poor FG precision motor by remarkably reducing a jitter amount of a tracking polarity switching signal.例文帳に追加

トラッキング極性切り替え信号のジッター量を大幅に低減して、ＦＧ精度の悪いモーターでもランドグルーブ記録フォーマットのトラッキングサーボを安定にかけることが可能なディスクス駆動装置の実現を課題とする。 - 特許庁

The selector 67 changes-over the FG signal into an SOS signal and selects it when the change-over signal from the flip-flop 69 becomes logic H from logic L and, then, the SOS signal is supplied to a PLL control circuit 70.例文帳に追加

セレクタ６７は、Ｄ−フリップフロップ６９からの切換信号が論理Ｌから論理Ｈになると、ＦＧ信号からＳＯＳ信号に切り換えて選択し、このＳＯＳ信号をＰＬＬ制御回路７０に供給する。 - 特許庁

Space frequency of reading of a subscan direction, fS=1/PS of sampling pitch is set to be two times or more of space frequency fG=1/PG of arrangement pitch of the isolation wall 90a.例文帳に追加

副走査方向の読取りの空間周波数であるサンプリングピッチの空間周波数ｆＳ＝１／ＰＳが、隔壁材料９０ａの配列ピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧの２倍以上となるように設定する。 - 特許庁

A single/poly 2T PMOS memory cell 10 comprises a PMOS floating gate (FG) transistor 16 and a PMOS selection gate (SG) transistor 18, which share a drain/source p+ diffusion region 22.例文帳に追加

複数回プログラミング用のシングルポリ・２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセル１０は、ドレイン／ソースｐ＋拡散領域２２を共有している、ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ１６と、ＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ１８とを備えている。 - 特許庁

The control section 20 rotates the vibrating motor 1 with a full torque for a period from the start of driving the vibrating motor 1 until the current rotational speed indicated by the FG signal reaches a target rotational speed indicated by the rotational speed setting signal S1.例文帳に追加

制御部２０は、振動モータ１の駆動開始から、ＦＧ信号が示す現在の回転数が回転数設定信号Ｓ１が示す目標回転数に達するまでの期間、振動モータ１をフルトルクで回転させる。 - 特許庁

The laminated film is patterned to form a laminate LB including a floating gate FG comprising the first silicon layer S1p, a gate insulating film GI comprising the insulating layer IL and a control gate CG comprising the second silicon layer S2a.例文帳に追加

この積層膜がパターニングされて、第１シリコン層Ｓ１ｐを有するフローティングゲートＦＧと、絶縁層ＩＬを有するゲート間絶縁膜ＧＩと、第２シリコン層Ｓ２ａを有するコントロールゲートＣＧとを含む積層体ＬＢが形成される。 - 特許庁

A period of a FG pulse being proportional to a rotation period of a disk 1 outputted from a motor driver 11 is measured, and rotation of a disk is stopped by detecting runaway of the disk 1 in reverse rotation by the measured value.例文帳に追加

モータドライバ１１から出力されるディスク１の回転周期に比例したＦＧパルスの周期を計測し、その計測値によりディスク１が逆回転に暴走していることを検出してディスクの回転を停止させる。 - 特許庁

The optical disk device 1 is provided with a FET Q1 for turning ON-OFF the noise flowing from the ground terminal to the frame ground FG, and a control part 10 switches ON/OFF of the FET Q1 at a predetermined duty ratio or frequency.例文帳に追加

光ディスク装置１は、そのグランド端子からフレームグランドＦＧに流れるノイズをオンオフするＦＥＴＱ１を備え、制御部１０がＦＥＴＱ１のオンオフを所定のＤｕｔｙ比又は周波数で交互に切り替える。 - 特許庁

The reduced electron transmitter-immobilized base material is such that at least the surface of a base material is immobilized with a reduced electron transmitter represented by general formula in Fig. (wherein, R_1 is methyl; FG is a functional group; and l means an integer of 1-29).例文帳に追加

基材の少なくとも表面に下記一般式（但し、式中、Ｒ_１はメチル基、ＦＧは官能基、１は１〜２９の整数を意味する。）で示される還元型電子伝達体を固定した還元型電子伝達体固定化基材。 - 特許庁

When the variation amount in the longitudinal acceleration FG exceeds a prescribed variation amount FGAC, excess slip discrimination, based on the false driving wheel velocity, VWNE is made to transit to excess slip discrimination, based on the driving wheel velocity VWN.例文帳に追加

ただし、前後加速度ＦＧの変動量が所定変動量ＦＧＡＣ以上となったときは、疑似駆動輪速度ＶＷＮＥに基づく過剰スリップ判別から駆動輪速度ＶＷＮに基づく過剰スリップ判別へ移行する。 - 特許庁

Further, while a polycrystalline silicon film 111 that becomes a low breakdown voltage MISFET gate electrode is formed on a high breakdown voltage MISFET gate electrode FG, impurities for adjusting the low breakdown voltage MISFET threshold are implanted.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

After an electron is injected from a semiconductor substrate SUB of a memory cell to a floating gate FG to execute data writing, a gate voltage VG is set to -3V, and a source voltage VS, a drain voltage VD and a substrate voltage VWELL are set to 0V.例文帳に追加

メモリセルの半導体基板ＳＵＢからフローティングゲートＦＧに電子を注入してデータ書込を実行した後、ゲート電圧ＶＧを−３Ｖ、ソース電圧ＶＳとドレイン電圧ＶＤと基板電圧ＶＷＥＬＬを０Ｖにする。 - 特許庁

Working gas Fg compressed by the compressor C is cooled when passing through a heat dissipation side 71 of the first heat exchanger 7 and is pressurized by the first pump P after that and is converted to high pressure working liquid Fe after driving the first turbine S.例文帳に追加

圧縮機Ｃで圧縮された作動ガスＦｇが、第１タービンＳを駆動した後、第１の熱交換器７の放熱側７１を通り冷却され、その後に第１ポンプＰにより昇圧されて高圧作動液Ｆｅとされる。 - 特許庁

A refresh circuit REF periodically performs on/off control over the SW1, SW2, and SW4 to SW6 to initialize the floating gate FG and also set a threshold again by using constitution data held in the MEM.例文帳に追加

リフレッシュ回路ＲＥＦにより、定期的に、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４〜ＳＷ６のオン／オフ動作を制御し、フローティングゲートＦＧの初期化およびＭＥＭに保持されている構成データを用いてのしきい値の再設定を行う。 - 特許庁

By conveying the recording medium by conveyance force Fg, a slanting roll 22 applies component force Fg1 in a direction where a correction guiding member 64 guides the recording medium, and applies component force Fg2 in a direction orthogonal to the guiding direction.例文帳に追加

斜行ロール２２は、搬送力Ｆｇで記録媒体を搬送することにより、補正案内部材６４が記録媒体を案内する方向に分力Ｆｇ１を加え、案内方向に直交する方向に分力Ｆｇ２を加えている。 - 特許庁

Input variable terminal input 1[1] to input 1[k] are coupled with a floating gate FG of a νMOS inverter INV via paraelectrics C_1 to C_k, and a control variable terminal input 2 is coupled via a threshold data holding circuit HLD.例文帳に追加

νＭＯＳインバータＩＮＶのフローティングゲートＦＧに、入力変数用端子input1〔１〕〜input1〔ｋ〕を常誘電体容量Ｃ_1 〜Ｃｋを介して結合し、制御変数用端子input2をしきい値データ保持回路ＨＬＤを介して結合する。 - 特許庁

The speed controller 5 outputs a speed control signal Sc to the motor drive circuit 4 based on the FG signal Sfg and the potential difference Vd, and performs the speed control of the motor 1 based on the rotational speed of the motor 1 and the potential difference Vd.例文帳に追加

速度制御部５は、ＦＧ信号Ｓｆｇおよび電位差Ｖｄに基づいて、モータ駆動回路４に速度制御信号Ｓｃを出力し、モータ１の回転速度および電位差Ｖｄに基づいたモータ１の速度制御を行う。 - 特許庁

Thus, since the position of the dust Do touched with the finger FG is detected on the touch panel, when dust removal correction based on the detected position is performed, the dust photographed in the photographed image is easily and appropriately removed.例文帳に追加

これにより、指ＦＧがタッチされた塵埃Ｄｏの位置をタッチパネルで検出できるため、この検出位置に基づく塵埃除去補正を行えば、撮影画像に写り込む塵埃の適切な除去を簡易に行えることとなる。 - 特許庁

Electromagnetic noise overlapped with the external conductor (an SG system) of the shield cable is set free to the external conductor (an FG system) via the conductor projection 20, the internal conductor 12, a gap portion 13 where a capacitive member is arranged, an external conductor 11 and a pedestal 30.例文帳に追加

シールドケーブルの外導体（ＳＧ系統）に重畳した電磁ノイズは、導体突起２０、内側導体１２、容量性部材を配置した隙間部１３、外側導体１１、台座３０を介して外部の導体（ＦＧ系統）へ逃す。 - 特許庁

To provide a ceramic package type optical module in which an FG electrode pattern and an SG electrode pattern provided on a multi-layer ceramic substrate configuring side walls of the ceramic package module, are electrically and effectively isolated each other and which can be made small-sized.例文帳に追加

セラミックパッケージの側壁を構成する多層セラミック基板に設けられたＦＧ電極パターンとＳＧ電極パターンとが電気的に効果的に絶縁された、小型化が可能なセラミックパッケージ型の光モジュールを提供する。 - 特許庁

The oscillation wavelength of the semiconductor laser 101 changes without causing any mode hopping in accordance with the temperatures of the optical fiber 106 and FG 110, which are controlled by means of the temperature control section 112 while the laser 101 is maintained at a fixed temperature.例文帳に追加

そして、半導体レーザ１０１は温度一定にされた状態で、温度制御部１１２による光ファイバ１０６とＦＧ１１０との温度制御状態にともなってモードホップのない状態で発振波長が変化する。 - 特許庁

When the PTT application is not started, an absent termination notice showing that the PTT starting notice is not answered, is indicated in an indication unit 107 based on the flag data fg stored in the external data storage area 1081.例文帳に追加

そして、ＰＴＴアプリが未起動のとき、外部データ保存領域１０８１に保存されるフラグデータｆｇに基づいて、ＰＴＴ開始通知に応答しなかったことを示す不在着信通知が表示部１０７に表示される。 - 特許庁

The substrate 40 has an FG pattern 42 that detects rotational speed of the magnet 12 based on a change in a magnetic field from the magnet 12 and that is formed at such a position as to face an end surface of the magnet 12.例文帳に追加

基板４０は、マグネット１２から受ける磁界の変化に基づいてマグネット１２の回転速度を検出可能なＦＧパターン４２であって、マグネット１２の端面と対向する位置に形成されたＦＧパターン４２を有する。 - 特許庁

A memory cell structure for a memory device includes a read transistor 120 having a floating gate node FG, a tunneling capacitor 130 having a first programming terminal 160, and a coupling capacitor stack 200 having a second programming terminal 150.例文帳に追加

メモリデバイス用メモリセル構造は、フローティングゲートノードＦＧを有したリードトランジスタ１２０と、第１プログラミング端子１６０を有したトンネリングコンデンサ１３０と、第２プログラミング端子１５０を有したカップリングコンデンサスタック２００とを具備する。 - 特許庁

When the flag FG under varying is raised (step S350), an image display command is prepared from variation time and respective stop picture patterns determined in the step S330 (step S360), and transmitted to a picture pattern control board (step S370).例文帳に追加

変動中フラグＦＧがたてられると（ステップＳ３５０）、前記ステップＳ３３０において決定された変動タイム及び各静止図柄により画像表示コマンドが作成され（ステップＳ３６０）、図柄制御基板に送信される（ステップＳ３７０）。 - 特許庁

The security device comprises an information processing apparatus 10 and the security wire 2 of the information processing apparatus 10, wherein one end of the security wire 2 is connected to the ground and fixed, and the other end is connected to an FG of the information processing apparatus 10.例文帳に追加

情報処理機器１０と、該情報処理機器１０のセキュリティワイヤー２とで構成され、前記セキュリティワイヤー２の一端はアースに接続固定され、他端は前記情報処理機器１０のＦＧに接続されて構成される。 - 特許庁

To shorten the calculation time for a polynomial product which needs only the result of lower degree term in a product calculation processing method of a polynomial which calculates a part that is below M-th degree of a product fg of polynomials (f) and (g) of M-th degree.例文帳に追加

Ｍ次の多項式ｆ，ｇの積ｆｇのＭ次以下の部分を求める多項式の積計算処理方法に関し，低次項の結果だけが必要となる多項式の積の計算時間を大幅に短縮することを目的とする。 - 特許庁

The counters each reset a count value and resume counting for each bit number repeately, and output a pulse signal in which the count value is reset at the rise and fall of the FG signal and the rise and fall are inverted per reset during counting.例文帳に追加

各カウンタは、ビット数毎にカウント値のリセット及びカウントの再開を繰り返し、ＦＧ信号の立上り及び立下りでカウント値がリセットされると共に、カウントしている間リセット毎に立上り及び立下りが反転するパルス信号を出力する。 - 特許庁

To provide a motor drive operating at a plurality of speeds and used for a copy machine or an LBP in which optimal conduction control is performed by switching a speed servo gain and an FG amplifier gain depending on the various speeds.例文帳に追加

複写機・ＬＢＰに使用される複数の速度で動作するモータ駆動装置において、各々の速度に応じた速度サーボゲインおよびＦＧアンプゲインの切換えを実施し、最適な通電制御を行うモータ駆動装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting the threshold of a low breakdown strength MISFET, with a polycrystalline silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high-breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

During the change of the number of revolutions of the spindle motor 11, the FG servo by a second spindle motor control section 23 is adopted for the control of the spindle motor 11 by the instruction of a control section 25 and the tracking servo control by a tracking control section 18 is released.例文帳に追加

スピンドルモータ１１の回転数変更中は、制御部２５の指示により、スピンドルモータ１１の制御を第２のスピンドルモータ制御部２３によるＦＧサーボにするとともに、トラッキング制御部１８によるトラッキングサーボを解除するようにした。 - 特許庁

To accelerate the microfabrication, enhancement of performance, and increase in reliability of a memory cell by attaining both the reduction in resistance of a local bit line and the suppression of a short channel effect of the memory cell by means of a flash memory equipped with a third gate G3 besides a floating gate FG and a control gate G2.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧと制御ゲートＧ２に加えて、第３ゲートＧ３を具備するフラッシュメモリで、ローカルビット線抵抗の低減とメモリセルの短チャネル効果抑制を両立させ、メモリセルの微細化、高性能化、高信頼化を促進する。 - 特許庁

A control signal generator 30 generates a control voltage Vcont which has a level matched to timing between the edge of a periodic signal FG synchronized with the rotation of the motor and the edge of a comparative signal S2 output from the first comparator CMP1.例文帳に追加

制御信号生成部３０は、モータの回転と同期した周期信号ＦＧのエッジと、第１コンパレータＣＭＰ１から出力される比較信号Ｓ２のエッジのタイミングに応じたレベルを有する制御電圧Ｖｃｏｎｔを生成する。 - 特許庁

The transistors both are transistors having MFMIS structure, at the time of writing data, voltage is applied directly to a floating gate electrode FG of the transistor from a pair of bit line BLP1 through a pair of selecting transistor WTP11 for write-in.例文帳に追加

該トランジスタは、ともにＭＦＭＩＳ構造のトランジスタであり、データ書き込み時には、該トランジスタのフローティングゲート電極ＦＧに対し、書込み用セレクトトランジスタ対ＷＴＰ１１を介して、ビットライン対ＢＬＰ１から、直接的に電圧を印加する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a plurality of memory cells each composed of a memory transistor having a floating gate electrode FG and a control transistor connected to the memory transistor in series are arranged in an array shape in X and Y directions on the main surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

フローティングゲート電極ＦＧを有するメモリトランジスタとこのメモリトランジスタに直列に接続された制御トランジスタとで構成されたメモリセルを、半導体基板の主面にＸ方向およびＹ方向にアレイ状に複数配列させる。 - 特許庁

The first control gate electrode CG1, the first interpoly insulation film IPD1, the floating gate electrodes FG, the second interpoly insulation film IPD2 and the second control gate electrode CG2 are stacked in the direction vertical to the main plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１コントロールゲート電極ＣＧ１、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１、フローティングゲート電極ＦＧ、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２、および第２コントロールゲート電極ＣＧ２は、半導体基板の主平面に対して垂直方向に積層されている。 - 特許庁

The rotation control of a spindle motor 102 for driving an optical disk 101 includes the control by an FG signal proportional to the number of rotation of the motor and the rotation control by the information of the number of rotation from a wobble PLL means for forming a clock synchronized with the wobble.例文帳に追加

光ディスク１０１を駆動するスピンドルモータ１０２の回転制御はモータ回転数に比例したＦＧ信号による制御と、ウォブルに同期したクロックを生成するウォブルＰＬＬ手段からの回転数情報による回転制御がある。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on the gate electrode FG of the high-breakdown-voltage MISFET such that the film 111 functions as a gate electrode of a low-breakdown-voltage MISFET, and then impurity is injected to adjust the threshold of the low-breakdown-voltage MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

An impurity is injected for adjusting a threshold value of a low breakdown-strength MISFET, with a polycrystal silicon film 111 which is to be a gate electrode of the low breakdown-strength MIFET formed on a gate electrode FG of the high breakdown strength MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

An LRCK potential automatic correction circuit 25 is provided in the receiving apparatus 3 so as to accurately transmit the channel clock (LRCK) from a transmitting apparatus 2 to the receiving apparatus 3 regardless of the presence of the FG (frame ground) of the transmitting apparatus 2 and the receiving apparatus 3.例文帳に追加

送信装置２及び受信装置３のＦＧ（フレームグランド）の有無にかかわらず、チャネルクロック（LRCK）が正確に送信装置２から受信装置３に伝送されるように、ＬＲＣＫ電位自動補正回路２５が受信装置３に設けられている。 - 特許庁

Further, a circuit configuration adopting the DDS (Direct Digital Synthesizer) system is adopted for the multiplier circuit for generating a sampling pulse, using an accumulator output of a DDS circuit and a frequency division signal of the FG pulse generates a phase error signal, which is fed back to the DDS circuit.例文帳に追加

また、サンプリングパルス生成用逓倍回路をＤＤＳ方式による回路構成とし、ＤＤＳ回路の累算器出力とＦＧパルスの分周信号とを用いて位相エラー信号を生成してかかる信号をＤＤＳ回路にフィードバックする。 - 特許庁

A controller 12 calculates the number of revolutions of the optical disk 1 at which the line speed of the optical disk 1 attains a target line speed in this access position and sets the pulse width of the FG pulse corresponding to this number of revolutions in a comparator 21 of a spindle servo circuit 15.例文帳に追加

コントローラ１２は、このアクセス位置で光ディスク１の線速度が目標線速度となる光ディスク１の回転数を算出し、その回転数に相当するＦＧパルスのパルス幅をスピンドルサーボ回路１５の比較器２１に設定する。 - 特許庁

A rotation phase difference between a black photoreceptor drum and a color photoreceptor drum is obtained based on the FG signal, and further the relation of the rotation phase between both photoreceptor drums is adjusted by controlling the drive motor for color so as to accelerate or decelerate based on the rotation phase difference.例文帳に追加

そして、ＦＧ信号に基づきブラック感光体ドラムとカラー感光体ドラムの回転位相差を求め、さらに回転位相差に基づきカラー用駆動モータを加減速制御して両感光体ドラム間での回転位相関係を調整している。 - 特許庁

To improve noise resistance to different kinds of noise by turning an FG pattern to low impedance in order to quickly discharge noise to a grounding portion and making the noise resistance corresponding to the noise highest when the noise with the large rise time is impressed.例文帳に追加

立ち上がり時間が遅いノイズが印加された場合には、ノイズを素早く接地部に放出するためＦＧパターンを低インピーダンスにして当該ノイズに対応したノイズ耐量が最も高くなるようにしたので、異なる種類のノイズに対してノイズ耐量を向上させる。 - 特許庁