Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「FIB」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「FIB」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

FIBを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 388



例文

The upper layer film in the vicinity of a processing target position of the object to be processed is removed by the FIB processing, and a recognizable layout pattern is made exposed in the FIB image.例文帳に追加

被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をFIB加工によって除去し、FIB像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。 - 特許庁

CORRECTION METHOD AND APPARATUS FOR BEAM IRRADIATION POSITION IN SEM-FIB COMPOSITE APPARATUS例文帳に追加

SEM−FIB複合装置におけるビーム照射位置の補正方法及び装置 - 特許庁

The following phenomenon is utilized; an FIB-CVD light shielding film 8 with little halo does not grow on a gallium implanted chromium film but can grow on a glass part 6 exposed by etching.例文帳に追加

ガリウムが注入されたクロム膜にはハローの少ないFIB-CVD遮光膜8は成長しないが、エッチングして露出したガラス部6には成長できることを利用する。 - 特許庁

PREPARATION METHOD OF SAMPLE FOR ATOM PROBE ANALYSIS BY FIB, AND DEVICE FOR EXECUTING THE METHOD例文帳に追加

FIBによるアトムプローブ分析用試料の作製方法とそれを実施する装置 - 特許庁

例文

An act that constitutes a violation of the provisions of Article 199 (vii) of the FIB Cabinet Office Ordinance 例文帳に追加

(a) 金商業等府令第199条第7号に規定する法令等に反する行為 - 金融庁


例文

(3) OTHER PROHIBITED ACTS [ARTICLE 312 OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

② 格付方針等に変更があった場合、当該変更内容が適時に公表されているか。 - 金融庁

(16) MEASURES PERTAINING TO THE ESTABLISHMENT OF A SUPERVISORY COMMITTEE [ARTICLE 306(1) (XVII) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

⒃ 監督委員会の設置に関する措置【金商業府令第 306 条第1項第 17 号】 - 金融庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

A gallium ion (Ga3+) is irradiated from an ion gun 11 of a FIB device 9 to an exposed surface 22 again by exposing a cross section through a cleavage or FIB processing a semiconductor material.例文帳に追加

半導体試料をへき開またはFIB加工して断面を露出させ、当該露出面22に再度FIB装置9のイオン銃11からガリウムイオン(Ga3+)を照射する。 - 特許庁

例文

To provide a system with an FIB tube and a SEM tube, wherein influence of a secondary electron excited by an FIB does not come out as noise in a SEM image, when performing SEM observation of FIB processing on a real time basis.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、FIB鏡筒とSEM鏡筒を備えたシステムにおいて、FIB加工をリアルタイムでSEM観察する際に、FIBによる励起二次電子の影響がSEM画像中でノイズとして出ないようなシステムを提供することにある。 - 特許庁

例文

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

FIB加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのFIBで、フリップチップLSIのFIB配線修正加工が可能である、フリップチップLSIの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To completely automate the motion of an FIB milling system for modifying a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の修正を行うためのFIBミリングシステムの動作を完全に自動化させる。 - 特許庁

A region including a trench 1c is subjected to FIB processing from the side of the dicing processing surface 1b of the sample 1.例文帳に追加

試料1のダイシング加工面1b側からトレンチ1cを含む領域をFIB加工する。 - 特許庁

In the sample processing method, the particulate sample processing/retaining material is subjected to FIB (focusing ion beam) processing.例文帳に追加

前記各微粒子試料加工保持材にFIB(集束イオンビーム)加工する試料加工方法。 - 特許庁

To provide a FIB(focusing ion beam) device compact with excellent performance by reducing aberration of an ion optical system.例文帳に追加

イオン光学系の収差を軽減して、コンパクトで性能のよいFIB装置を提供すること。 - 特許庁

A focused ion beam(FIB) is given to a forming body of a semiconductor device to be treated 1710.例文帳に追加

本発明によれば、処理すべき半導体装置の構成体へフォーカストイオンビームを付与する。 - 特許庁

The FIB processing of the examination sample SA can be made from many directions without removing the examination sample SA from the sample holder 10, and thereby handling at the FIB processing is made easy.例文帳に追加

また、観察試料SAを試料ホルダー10から取り外すことなく、観察試料SAのFIB加工を多方向から行うことができ、FIB加工におけるハンドリングを簡便なものとすることができる。 - 特許庁

The sample processing apparatus has a processing chamber equipped with a part for fixing the particulate sample processing/retaining material, an FIB irradiation system for irradiating the particulate sample processing/retaining material with FIB, and a vacuum decompression system.例文帳に追加

前記の微粒子試料加工保持材の固定部、微粒子試料加工保持材にFIBを照射するFIB照射系および真空減圧系を備えた加工室を具備した試料加工装置。 - 特許庁

To correct surface inclination errors of an observation sample, in the installation of the sample on FIB processing sample stand, with high accuracy, in the manufacture of the sample for TEM for thinning a plate by the FIB processing.例文帳に追加

FIB加工による薄板化を行うTEM用観察試料の作製において、FIB加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。 - 特許庁

Namely, by combining FIB processing using a high accelerating voltage with FIB finishing using a low accelerating voltage, the thick amorphous layer formed on the side of the membrane part by the FIB processing using the high accelerating voltage is thinned by the FIB finishing using the low accelerating voltage, and hereby the TEM image having high resolution suitable for evaluation of a manufacturing process of a minute semiconductor device can be acquired.例文帳に追加

すなわち、高い加速電圧を用いたFIB加工と低い加速電圧を用いたFIB仕上げ加工とを組み合わせることにより、高い加速電圧のFIB加工で薄膜部の側面上に形成された厚い非晶質層を低い加速電圧のFIB仕上げ加工で薄くすれば、微細化された半導体装置の製造工程の評価に適した分解能の高いTEM像を得ることができる。 - 特許庁

An FIB induction deposition material is deposited along the pattern edge on the CAD adjacent to the black defect part.例文帳に追加

黒欠陥部に隣接するCAD上のパターンエッジに沿ってFIB誘導成膜物を成膜する。 - 特許庁

A fifth step S5 etches the FIB irradiation surface of the processing object substrate by being soaked in a KOH aqueous solution.例文帳に追加

第5ステップS5では、KOH水溶液に浸漬して被加工基板のFIB照射面をエッチングする。 - 特許庁

To judge automatically a processing cross-section which becomes a true cross-section diameter in an FIB processing treatment of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハーのFIB加工処理おいて、真断面径となる加工断面を自動的に判定する。 - 特許庁

Reports regarding the establishment or abolition of representative offices of foreign securities companies (Article 199 (11) H of the FIB Cabinet Office Ordinance) 例文帳に追加

ロ.駐在員事務所の設置又は廃止の届出書(金商業等府令第199条第11号チ) - 金融庁

(13) MEASURES FOR PERFORMING THE CREDIT RATING BUSINESS IN ACCORDANCE WITH THE RATING POLICY, ETC. (INCLUDING MEASURES RELATING TO TRAINING FOR RATING ANALYSTS) [ARTICLE 306(1)(XIV) AND 313 OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

⑤ 公表した格付付与方針等に則って信用格付の付与が行われているか。 - 金融庁

To provide an alignment method of an FIB processing and an FIB device wherein alignment can be carried out with superior precision and wherein processing can be carried out in a short time for an unrecognizable position as an FIB image and furthermore for an unrecognizable position as an optical image in an object to be processed having a multilayered structure.例文帳に追加

多層構造を有する被加工体において、FIB像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な位置に対しても、精度よく位置合わせを行うことができ、短時間で加工を行うことができるFIB加工の位置合わせ方法及びFIB装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system of which the secondary electrons emitted by FIB irradiation are prevented from turning into noise of an SEM detection signal when observing a process of implementing FIB work in real time by an SEM, in a system including an FIB lens barrel and an SEM lens barrel.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、FIB鏡筒とSEM鏡筒を備えたシステムにおいて、FIB加工を実行している過程をリアルタイムでSEM観察する際に、FIB照射によって放出される二次電子がSEM検出信号のノイズとならないようなシステムを提供することにある。 - 特許庁

The method comprises at least a process for selectively irradiating the surface of a single crystalline substrate 1 with a first charged particle as FIB by a focused ion beam (FIB) device 3, and a process for injecting a second charged particle.例文帳に追加

集積イオンビーム(FIB)装置3で単結晶基板1の表面に第1の荷電粒子をFIBとして選択的に照射する工程と、第2の荷電粒子を注入する工程とから少なくともなる。 - 特許庁

In that case, dose quantity of the FIB, a dot pitch, and accelerating voltage are adjusted according to the height of a projecting part to be formed.例文帳に追加

その際に、形成すべき凸部の高さに応じてFIBのドーズ量、ドットピッチ、加速電圧を調整する。 - 特許庁

A first step S1 selectively irradiates FIB onto a processing object substrate such as a monocrystal silicon substrate.例文帳に追加

第1ステップS1では、単結晶シリコン基板等の被加工基板上に選択的にFIBを照射する。 - 特許庁

Specified agreements as prescribed under Article 123(1)(xiii)(b) and (c) of the FIB Cabinet Office Ordinance include the following agreements: 例文帳に追加

金商業等府令第123条第1項第13号ロ及びハにおける特定同意は、次に掲げる同意を含む。 - 金融庁

(7) MEASURES TO PREVENT ACTS PERTAINING TO ANCILLARY BUSINESS AND OTHER BUSINESS OPERATIONS FROM HAVING AN UNDUE INFLUENCE ON CREDIT RATING ACTIVITIES [ARTICLE 306(1)(VIII) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

① 報酬等の決定は、定められた報酬決定方針に則して適切に行われているか。 - 金融庁

(16) MEASURES PERTAINING TO THE ESTABLISHMENT OF A SUPERVISORY COMMITTEE [ARTICLE 306(1)(XVII) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

⑤ 監督委員会は、監督委員会の指摘する事項に関する改善状況を適切に検証しているか。 - 金融庁

METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING SUPERCONDUCTING FILM BY IRRADIATING SUBSTRATE SURFACE WITH GAS FED THERETO WITH FIB例文帳に追加

FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法及びその装置 - 特許庁

A sample stand (rotative stand) 1 is mounted on a precision rotation axis 32 continuously rotating the sample stand in high precision, and an optional rotation-symmetric three-dimensional fine structure is manufactured by applying an FIB deposition in an FIB chamber while making the sample stand 1 rotate continuously, or applying cutting work on upper surface or side surface like a general lathe through an FIB etching.例文帳に追加

試料台(回転台)1を高精度で連続回転する精密回転軸32に取りつけ、FIBチャンバー内で、試料台1を連続回転させながらFIBデポジションさせたり、あるいはFIBエッチングで一般的な旋盤のように側面あるいは上面から切削加工を行ったりすることで任意の回転対称である構造物を作製する。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can quickly perform positioning and FIB processing of a test piece.例文帳に追加

本発明はFIB自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとFIB加工を速やかに行なうことができるFIB自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

Electric charges in an FIB electronic scanning utilized to specify a processing portion and electric charges in circuit correction processing using an FIB device are allowed to flow into a substrate, via the charge removing interconnect line 45 and the power interconnect line 43.例文帳に追加

加工部分を特定するために利用されるFIB電子走査における電荷、FIB装置を用いた回路修正加工における電荷は、電荷除去用配線45と電源配線43を介して基板に流れる。 - 特許庁

A flow retrieval portion 33 prepares a retrieval KEY from the frame information, and obtains the FIB from the FIB portion by a unique value obtained based on the retrieval KEY to be outputted with a received frame to a forwarding processor 34.例文帳に追加

フロー検索部33はフレーム情報から検索KEYを作成し、該検索KEYを元に得た一意の値により当該FIB部からFIBを取得して、受信したフレームと共にフォワーディング処理部34へ出力する。 - 特許庁

To enable additional processings in FIB system, while observing with high magnification and high resolution by separating a thin piece processed on an wafer with FIB equipment from the wafer, and in order to observe with TEM equipment, it is integrated to a grid with adhesion.例文帳に追加

FIB装置でウエハー上に加工された薄片をウエハーから分離してTEM装置で観察するため、グリッドに接着一体化し、高倍率高分解能で観察するとともにFIB装置での追加工を可能とする。 - 特許庁

Furthermore, in the case of an FIB-SEM device, end-point detection of FIM processing can be carried out with high accuracy.例文帳に追加

また、FIB−SEM装置においては、FIB加工の終点検知を高精度に実施することが可能となる。 - 特許庁

To provide an FIB working device capable of optimizing the working order of working positions scattered on a specimen to be worked.例文帳に追加

加工対象試料上に散在する加工箇所の加工順序を適正化するFIB加工装置の提供。 - 特許庁

When using the FIB system, charging of electric charges to be accumulated in the conductive patterns is dispersed through the conductive lines.例文帳に追加

FIBシステムを用いるに際し、導電性パターンに形成される電荷のチャージングを導電ラインを介して分散させる。 - 特許庁

FIB equipment cuts copper wiring 19 formed on a semiconductor substrate 18 by the processing of a focused ion beam.例文帳に追加

FIB装置は、半導体基板18に形成されている銅配線19を集束イオンビームの加工により切断する。 - 特許庁

(ii) Whether the subordinated loan/bond has all of the characteristics described in the individual items of Article 176(2) and (3) of the FIB Cabinet Office Ordinance. 例文帳に追加

② 金商業等府令第176条第2項各号又は第3項各号に掲げる性質のすべてを有しているか。 - 金融庁

(ii) Items that must be specified in the report on the outstanding balance of transactions as specified under each item of Article 108(1) of the FIB Cabinet Office Ordinance. 例文帳に追加

② 金商業等府令第108条第1項各号に掲げる取引残高報告書に記載すべき事項 - 金融庁

(2) MEASURES TO AVOID THE EMPLOYMENT OF PERSONS ABOUT WHOM THERE IS SERIOUS DOUBT IN VIEW OF THE FAIR CREDIT RATING ACTIVITIES [ARTICLE 306(1)(III)OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

イ 取締役会は、法令等違反行為に対し、公平・公正かつ断固とした姿勢で対応しているか。 - 金融庁

(11) MEASURES FOR APPROPRIATELY MANAGING INFORMATION ACQUIRED DURING THE COURSE OF THE CREDIT RATING BUSINESS AND FOR APPROPRIATELY KEEPING SUCH INFORMATION CONFIDENTIAL [ARTICLE 306(1)(XII) OF THE FIB CABINET OFFICE ORDINANCE] 例文帳に追加

① 苦情を受け付ける窓口を設置し、受付業務を担当する部署又は担当者を定めているか。 - 金融庁

To provide an FIB cross-section processing method capable of carrying out a cross-section processing with high accuracy relating to an FIB cross-section processing method, and a method of manufacturing a semiconductor apparatus that uses results of cross-section analysis for products using the processing method.例文帳に追加

FIB断面加工方法に関し、精度の高い断面加工を施すことができるFIB断面加工方法及びその加工方法を用いて製品断面解析を行った結果を利用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This preparing method of the TEM sample is mainly characterized by lowering an accelerating voltage of FIB in order to reduce the thickness of an amorphous layer formed on the side of the membrane part used for the TEM observation by receiving damage of the FIB.例文帳に追加

本発明のTEM試料の作製方法は、FIBのダメージを受けてTEM観察に用いる薄膜部の側面に形成される非晶質層の厚さを削減するためにFIBの加速電圧を低くすることを主な特徴とする。 - 特許庁

例文

In order to monitor the worked cross section state in FIB working simultaneously with the working, signal detectors 31, 51 are provided for the FIB device 20 and the SEM 40, respectively, and a beam scanning control circuit and an image display control circuit are provided for each of the devices.例文帳に追加

FIB加工中の加工断面状態を加工と同時に監視するために、FIB装置とSEMにそれぞれ信号検出器31,51を設け、それぞれの装置にビーム走査制御回路と像表示制御回路を持たせた。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright(C) 2026 金融庁 All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS