「Gate 7」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The dummy gate electrode 13 is connected to a gate electrode 7.例文帳に追加

ダミーゲート電極１３はゲート電極７に接続されている。 - 特許庁

In the gate trench 6, a gate electrode 8 is buried with a gate insulating film 7 interposed.例文帳に追加

ゲートトレンチ６には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８を埋設する。 - 特許庁

Seven days to open the gate to soul society.例文帳に追加

ソウル・ソサエティへの 門を開くのに 7日間。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

1624: Outside Saiwaibashi-mon Gate, by the Kanze school 例文帳に追加

元和(日本)7年（1624年）　幸橋外　観世 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Will a brock silverstein please report to gate 7?例文帳に追加

ブロック・シルバースタインはゲート7を 制御するために報告して下さい - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A gate insulating film 7 is formed on the inclined surface at the side face of a ridge portion A, and a gate electrode 8 is laminated on the gate insulating film 7.例文帳に追加

リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。 - 特許庁

A gate insulating film 7 is formed on the inside wall surface of the trench 5 and a gate electrode 8 is formed inside the gate insulating film 7.例文帳に追加

トレンチ５の内壁面にはゲート絶縁膜７が形成され、その内部にはゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

Floating gate electrodes 7 are formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５の上にフローティングゲート電極７が形成されている。 - 特許庁

Third gate regions 15 are arranged between a first gate region 3 and a second gate region 7, such that they are always from the first and second gate regions 3 and 7.例文帳に追加

第１ゲート領域３と第２ゲート領域７との間に、第１、第２ゲート領域３、７から離間するように第３ゲート領域１５を配置する。 - 特許庁

Come to the phone booth in front of the takafuji school gate at 7 a.m. sharp.例文帳に追加

[tel]高藤学園校門前の公衆電話に 朝7時ちょうどに来い - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Thereafter, a silicon nitride film 7, a gate insulating film 5, and a gate electrode 6 are formed.例文帳に追加

この後、シリコン窒化膜７、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

A double gate field effect transistor comprises a lower gate electrode 3, a lower gate insulating film 4, a channel layer 5, a gate insulation film 7, and an upper gate electrode 8.例文帳に追加

ダブルゲート構造電界効果トランジスタは、下部ゲート電極３、下部ゲート絶縁膜４、チャネル層５、ゲート絶縁膜７、上部ゲート電極８を備える。 - 特許庁

The gate electrode 7 is arranged on the groove 20.例文帳に追加

ゲート電極７は溝２０の上に配置されている。 - 特許庁

Your plane is now boarding at Gate 7.例文帳に追加

ご搭乗の飛行機は７番ゲートで搭乗中です - Eゲイト英和辞典

A floating gate 5 and a control gate 7 are formed deeper into the recess.例文帳に追加

そして、フローティングゲート５及びコントロールゲート７が、凹み内まで入り込むようにする。 - 特許庁

A driving means 7 for turning the gate board 6 is provided near the gate board 6.例文帳に追加

また、ゲート板６近傍にはゲート板６回動用の駆動手段７を備える。 - 特許庁

A gate insulation film 7 and a gate electrode 8 are formed in a trench 21.例文帳に追加

トレンチ２１内には、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

The gate device has a gate panel 2 having an entrance 7, and a door 3 arranged in the entrance 7.例文帳に追加

ゲート装置は、出入り口７を有するゲート用パネル２と、出入り口７に配置した扉３とを備えている。 - 特許庁

Exits 1 to 4 are placed nearer to the manned entrance/exit gate, exits 6 and 7 are nearer to the unmanned entrance/exit gate, and exit 5 is midway between the gates. 例文帳に追加

1～4番出口へは有人改札口、6・7番出口は無人改札口、5番出口は丁度中間にある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate voltage which is to be applied to the second gate electrode 13 is divided by the gate insulating film 7 and the inter-gate electrode insulating film 11.例文帳に追加

第２ゲート電極１３に印加されるゲート電圧はゲート絶縁膜７とゲート電極間絶縁膜１１で分割される。 - 特許庁

The gate body 7 has a wire support 14 for restricting the opening range of the gate body 7, the wire support 14 having one end mounted to a gate opening 9 and the other end mounted to the side of the gate body 7.例文帳に追加

ゲート本体７は、該ゲート本体７の開放範囲を規制するワイヤサポート１４を設け、ワイヤサポート１４の一端をゲート開口９に取付け、他端をゲート本体７の側部に取付けている。 - 特許庁

On the substrate 1 where the gate electrode is buried, a gate nitrogen film 6 and a gate oxide film 7 are continuously formed.例文帳に追加

ゲート電極を埋め込んだ基板１の上にゲート窒素膜６及びゲート酸化膜７を連続成膜する。 - 特許庁

Over the entire region that covers the side surface of the trench 6 in the gate insulating film 7, a gate electrode 8 is formed along the gate insulating film 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７におけるトレンチ６の側面を覆う部分の全域には、ゲート電極８がゲート絶縁膜７に沿って形成されている。 - 特許庁

When difference in stress in the tensile direction between a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 exceeds approximately 2×109 dyn/cm2 or more, only the gate electrode 7 tends to deform and the surrounding of the gate electrode 7 is peeled off from the gate insulating film 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６にゲート電極７が引張方向の応力差が２×１０^9ｄｙｎ／ｃｍ^2 程度以上になるとゲート電極７だけが変形しようとしてゲート電極７の周囲がゲート絶縁膜６から剥離する。 - 特許庁

A floating gate 10 is then formed on the control gate 5 through an insulating film 7.例文帳に追加

そして、絶縁膜７を介してコントロールゲート５の上にフローティングゲート１０を形成する。 - 特許庁

In the trench 6, a gate electrode 8 is provided via a gate insulating film 7.例文帳に追加

トレンチ６の内部には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が設けられている。 - 特許庁

Subsequently, a second gate insulation film 6 and a control gate 7 are formed and patterned.例文帳に追加

その後、第２のゲート絶縁膜６、コントロールゲート７を形成したのち、これらをパターニングする。 - 特許庁

In the trench 7, a gate electrode 11 is buried with a gate insulating film 10 interposed.例文帳に追加

トレンチ７内には、ゲート絶縁膜１０を介して、ゲート電極１１が埋設されている。 - 特許庁

An ejecting rod 7 is movably inserted throughout the gate cutting piston 2 and the gate cutting rod 6.例文帳に追加

突出ロツド７をゲートカットピストン２とゲートカットロッド６にわたり進退自在に挿通する。 - 特許庁

The control gate 8, the first insulation film 7 and the floating gate 3 are processed in the form of stripes.例文帳に追加

制御ゲート８、第１の絶縁膜７、浮遊ゲート３をストライプ状にパターン加工する。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the element isolation region via a gate oxide film 6.例文帳に追加

素子分離領域上には、ゲート酸化膜６を介してゲート電極７が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 8a is formed on a silicon substrate 1 through a gate oxide film 7.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８ａが形成されている。 - 特許庁

A control gate 9a and a dummy gate 9b are formed, respectively, on the floating gate 7 and the select gate 6 through insulation films 10a and 10b.例文帳に追加

浮遊ゲート７，選択ゲート６の上に絶縁膜１０ａ，１０ｂを介してそれぞれ制御ゲート９ａとダミーゲート９ｂとが形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 7 and source and drain electrodes 8, 9 are formed.例文帳に追加

ゲート電極７、ソース・ドレイン電極８，９を形成する。 - 特許庁

A gate insulation film 7 is formed in the trench 6.例文帳に追加

トレンチ６内にはゲート絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the silicon oxide film 5.例文帳に追加

シリコン酸化膜５の上にゲート電極７を形成する。 - 特許庁

The gate 7 is formed in a polygonal shape such as a quadrilateral.例文帳に追加

ゲート７は、例えば、四角形等の多角形状である。 - 特許庁

A gate oxide film 7 is formed thereon, polysilicon forming a gate electrode 8 is deposited thereon, and the inner area of the gate oxide film 7 in the trench 4 is filled with a polysilicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜７を形成し、ゲート電極８となるポリシリコンを堆積して、トレンチ４内のゲート酸化膜７の内側領域をポリシリコン膜で埋める。 - 特許庁

A first electrode 7, a second electrode 9, a first gate electrode 12, a second gate electrode 14, a gate voltage source 17, and an electric potential means 11 are provided.例文帳に追加

本発明は、第一の電極(7)、第二の電極(9)、第一のゲート電極(12)、第二のゲート電極(14)、ゲート電圧源(17)、及び電位手段(11)を提供する。 - 特許庁

When selecting the gate line 6 or the data line 7 (in the embodiment, the gate line 6), a decoder (gate selection decoder 13) is used.例文帳に追加

ゲートライン６またはデータライン７（この例ではゲートライン６）を選択するのに、デコーダ（ゲート選択デコーダ１３）を用いる。 - 特許庁

Next, a cap film 7 is formed on the gate material film 14 to form a gate 1 formed of the gate material film 14.例文帳に追加

次いで、ゲート材料膜１４上にキャップ膜７を形成し、ゲート材料膜１４からなるゲート１を形成する。 - 特許庁

A gate electrode consists of a first gate electrode 9 formed on a gate insulating film 7 and a second gate electrode 13, formed on the first gate electrode 9 via an inter-gate electrode insulating film 11.例文帳に追加

ゲート電極は、ゲート絶縁膜７上に形成された第１ゲート電極９と、第１ゲート電極上９にゲート電極間絶縁膜１１を介して形成された第２ゲート電極１３とからなる。 - 特許庁

A floating gate 6 is formed on the substrate 1 via a first gate insulating film 5, and furthermore a control gate 8 is formed via a second gate insulating film 7.例文帳に追加

この基板１に第１のゲート絶縁膜５を介して浮遊ゲート６が形成され、更に第２のゲート絶縁膜７を介して制御ゲート８が形成される。 - 特許庁

A gate signal circuit 11 is electrically connected to each gate electrode 32 of thin film transistors 7.例文帳に追加

薄膜トランジスタ７それぞれのゲート電極32にゲート信号回路11を電気的に接続させる。 - 特許庁

Inter-gate insulating films 8 are formed on the top faces and side faces of the floating gate electrodes 7.例文帳に追加

フローティングゲート電極７の上面及び側面にゲート間絶縁膜８が形成されている。 - 特許庁