「IGBTs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Between the IGBTs 38 and 38a, guide members 48 and 48a are provided for directing the air cooling the IGBTs to the side of the fan 22.例文帳に追加

ＩＧＢＴ３８、３８ａの間に、これらを冷却してきた空気をファン２２側に向かわせる案内部材４８、４８ａが設けられている。 - 特許庁

The IGBTs on the low potential side are mounted right and left in row form, while being arrayed in parallel in front of the IGBTs on the high potential side.例文帳に追加

低電位側のＩＧＢＴは、高電位側のＩＧＢＴの前側に並列して、配線基板に、左右方向に列状に実装されている。 - 特許庁

IGBTs 38 and 38a are disposed within each branch air flow passage.例文帳に追加

各分岐空気流通路内にＩＧＢＴ３８、３８ａが配置されている。 - 特許庁

An H bridge circuit is composed by connecting IGBTs in an H bridge form.例文帳に追加

ＩＧＢＴをＨブリッジ状に接続してＨブリッジ回路６１を構成する。 - 特許庁

Distances between the IGBTs can thus be shortened to allow a compact wiring board.例文帳に追加

そのため、ＩＧＢＴ間の距離を短くでき配線基板を小型化できる。 - 特許庁

Accordingly, as compared with the conventional case that a transformer is mounted between IGBTs on the high potential side and IGBTs on the low potential side mounted in row form, it can suppress the effect of switching noise and heat generated by the IGBTs on the transformer.例文帳に追加

そのため、従来のように、列状に実装された高電位側のＩＧＢＴと低電位側のＩＧＢＴの間にトランスが実装される場合に比べ、トランスに対するスイッチングノイズやＩＧＢＴの発生した熱の影響を抑えることができる。 - 特許庁

IGBTs 36, 46 and 48 are turned on when their gates are supplied with control signals.例文帳に追加

ＩＧＢＴ３６、４６、４８は、ゲートに制御信号が供給されたときオンする。 - 特許庁

IGBTs 32a and 32b are jointed onto the second die pads 18a and 18b.例文帳に追加

第２のダイパッド１８ａ，１８ｂ上にＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂが接合されている。 - 特許庁

Clamp diodes 15, 16 are respectively connected from the connecting point of IGBTs 6, 7 and the connecting point of IGBTs 8, 9 to an intermediate potential point 5.例文帳に追加

本発明は、ＩＧＢＴ６と７の接続点及びＩＧＢＴ８と９の接続点からと中間電位点５の間には、クランプダイオード１５、１６が接続される。 - 特許庁

To prevent a driving circuit of IGBTs from being broken even if an overcurrent flows due to the earth fault of an electric wiring part of a lamp in the case that an H bridge circuit is composed of the IGBTs.例文帳に追加

ＩＧＢＴでＨブリッジを構成した場合に、ランプの電気配線部が地絡して過電流が流れても、ＩＧＢＴの駆動回路が破壊されないようにする。 - 特許庁

A plurality of IGBTs 2a, 2b and 2c are mounted on the bus bars 11u, 11v abd 11w, respectively.例文帳に追加

バスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ上には、それぞれ複数のＩＧＢＴ２ａ，２ｂ，２ｃが実装されている。 - 特許庁

The IGBTs 3, 4 at high- and low-pressure sides are turned on or off complementarily with dead time interposed therebetween.例文帳に追加

高低圧側ＩＧＢＴ３，４は、デッドタイムを挟み相補的にオン／オフ制御される。 - 特許庁

The flywheel diodes 14, 15 are connected between the collector and emitter of the IGBTs 12, 13.例文帳に追加

フライホイールダイオード１４、１５はＩＧＢＴ１２、１３のコレクタ、エミッタ間に接続されている。 - 特許庁

A W-phase switching circuit has a construction where one of IGBTs is arranged between the U-phase switching circuit and the V-phase switching circuit and the remaining one of the IGBTs is arranged on the right side of the V-phase switching circuit.例文帳に追加

Ｗ相スイッチング回路のＩＧＢＴは、１つがＵ相スイッチング回路とＶ相スイッチング回路の間に、残り１つがＶ相スイッチング回路の右側に配置されている。 - 特許庁

In close vicinity of the gate of first and second IGBTs 4 and 5 arranged in a power converter circuit 3, first and second capacitors 17 and 19 are connected with the gate and emitter of the first and second IGBTs 4 and 5.例文帳に追加

電力変換回路３内に配置された第１、第２ＩＧＢＴ４、５のゲート直近で、第１、第２ＩＧＢＴ４、５のゲート、エミッタに、第１、第２コンデンサ１７、１９を接続する。 - 特許庁

This power semiconductor module has a pair of IGBTs 121 and 123 which is provided on upper and lower arms, respectively, and a drive circuit which drives the IGBTs 121 and 123.例文帳に追加

上下アームにそれぞれ設けられた一対のＩＧＢＴ１２１，１２３と、これらのＩＧＢＴ１２１，１２３を駆動する駆動回路とを備えた電力用半導体モジュールに関する。 - 特許庁

To prevent an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from being destroyed due to an overvoltage because of a voltage unbalance among the IGBTs when an overcurrent flows through the IGBTs connected in series configuring a power converter.例文帳に追加

電力変換器を構成する直列接続されたＩＧＢＴに過電流が通流した際に、IGBT間に電圧アンバランスが生じ、過電圧によりＩＧＢＴが破壊することを防止する。 - 特許庁

The IGBTs 27, 28 are driven at a common gate voltage Vg by a driving circuit 47.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２７と２８は駆動回路４７により共通のゲート電圧Ｖｇで駆動される。 - 特許庁

The inverter circuit 10 includes a switching circuit comprised of two IGBTs connected in series.例文帳に追加

インバータ回路１０は、直列接続された２つのＩＧＢＴからなるスイッチング回路を備えている。 - 特許庁

Each step-up chopper includes reactors 46 and 56, IGBTs 47 and 57, and diodes 48 and 58.例文帳に追加

この昇圧チョッパは、それぞれリアクトル４６，５６、ＩＧＢＴ４７，５７、ダイオード４８，５８から構成する。 - 特許庁

To provide a technology for breaking through a trade-off relation between the turn-off characteristic and reduction in the on-resistance in IGBTs.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフの特性と、オン抵抗のトレードオフの関係を打破すること。 - 特許庁

Also, diodes D1, D2 are connected to the IGBTs 1, 2, respectively, so as to have reverse polarity.例文帳に追加

またＩＧＢＴ１，２には、夫々ダイオードＤ１，Ｄ２を逆極性になるように接続してある。 - 特許庁

Low potential side IGBTs 110d-110f, 100d, 101d-101f are mounted in line on the wiring board 16 in parallel with the IGBTs 110a-110c, 100c, 101a-101c.例文帳に追加

低電位側のＩＧＢＴ１１０ｄ〜１１０ｆ、１００ｄ、１０１ｄ〜１０１ｆはＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃに並列して配線基板１６に列状に実装される。 - 特許庁

To protect remaining IGBTs from breakage with a simple circuit structure even if either of the IGBTs is broken, in a semiconductor power converter in which a plurality of semiconductor devices are connected in parallel.例文帳に追加

複数の半導体素子が並列接続された半導体電力変換装置において、いずれか一つのＩＧＢＴが故障した場合でも、簡易な回路構成で残りのＩＧＢＴを故障から防止する。 - 特許庁

The IGBTs 232A, 232B, 232C are prepared inside of a lower surface 206 of the main body 202 in parallel to a vehicle cross direction.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２３２Ａ，２３２Ｂ，２３２Ｃは、本体部２０２の下面部２０６の内側に、車両前後方向に並列に設けられる。 - 特許庁

The IGBTs on the high potential side are mounted right and left in row form on a wiring board 1000.例文帳に追加

高電位側のＩＧＢＴは、配線基板１０００に、左右方向に列状に実装されている。 - 特許庁

At normal power supply times, one thyristors S1a, S1b, and S1c and the IGBTs Qa, Qb, and Qc are on-controlled.例文帳に追加

正常給電時には一方のサイリスタＳ1a、Ｓ1b、Ｓ1cとＩＧＢＴＱa 、Ｑb 、Ｑc とをオン制御する。 - 特許庁

IGBTs Q3, Q5, and Q7 and diodes D3, D5, and D7 are formed on the conductor plates 80, 83, and 86, respectively.例文帳に追加

ＩＧＢＴＱ３，Ｑ５，Ｑ７およびダイオードＤ３，Ｄ５，Ｄ７はそれぞれ導体板８０，８３，８６上に形成される。 - 特許庁

IGBTs Q4, Q6, and Q8 and diodes D4, D6, and D8 are formed on the conductor plates 81, 84, and 87, respectively.例文帳に追加

ＩＧＢＴＱ４，Ｑ６，Ｑ８およびダイオードＤ４，Ｄ６，Ｄ８は、それぞれ、導体板８１，８４，８７上に形成される。 - 特許庁

The IGBTs 1a, 1b and 1c are connected to the bus bars 11u, 11v and 11w by a bonding wire 26, respectively.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１ａ，１ｂ，１ｃは、ボンディングワイヤ２６を介して、それぞれバスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗに接続されている。 - 特許庁

An adjusting part 15 adjusts the amount of phase shift to the timing of the switching of IGBTs 3a and 3b which forms a counterpart to the timing of the switching of IGBTs 3d and 3c so that the current flowing in an inductance 7 may be discontinuous.例文帳に追加

調整部１５は、インダクタンス７を流れる電流が不連続となるように、ＩＧＢＴ３ｄ，３ｃのスイッチングのタイミングの対となるＩＧＢＴ３ａ，３ｂのスイッチングのタイミングに対する位相シフト量を調整する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit, where the total inductance, including the conductors 9 and 10 of IGBTs 3-6 connected between I/O terminals 13 and 14 is equalized, in case that a plurality of IGBTs are connected in parallel.例文帳に追加

複数のＩＧＢＴ３〜６を並列接続する場合、入出力端子１３、１４間に接続されたＩＧＢＴ３〜６の導体９、１０を含む総合インダクタンスを均等にした半導体回路を提供する。 - 特許庁

Further, a plurality of IGBTs (insulated gate bipolar transistors) 11, 12, consisting of a resin mold type all-purpose semiconductor element or the like, for example, are respectively mounted on the metallic sheets 5, 8 in the state of sideways, and the IGBTs are arranged so as to be arrayed in parallel.例文帳に追加

また、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子等からなる複数のＩＧＢＴ１１，１２を横向き状態で金属板５，８にそれぞれ実装し、これらを並行に並べて配置する。 - 特許庁

Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are formed in the second cells 38b, and no IGBT is formed in the first cell 38a.例文帳に追加

第２のセル３８ｂにはＩＧＢＴが形成され、第１のセル３８ａにはＩＧＢＴが形成されていない。 - 特許庁

At that time, ZVS in the zero states of terminal voltages of the IGBTs Q1 and Q6 can be realized.例文帳に追加

この時、ＩＧＢＴＱ１とＱ６は両端電圧Ｖ１とＶ６が”ゼロ”の状態のＺＶＳを実現する。 - 特許庁

When the currents are within an allowable range, the IGBTs 30, 31 under an on-condition are turned off.例文帳に追加

電流が許容範囲内になった時点で、オン状態であったＩＧＢＴ３０，３１がオフ状態にされる。 - 特許庁

Consequently, the use of IGBTs having a large current capacity or an electronic component of high heat resistance can be suppressed.例文帳に追加

これにより、電流容量の大きなＩＧＢＴや、高耐熱性の電子部品の使用を抑えることができる。 - 特許庁

A series multiple switch 30 is constituted by multiply series connecting a plurality of IGBTs 41, 42...4n.例文帳に追加

複数のＩＧＢＴ４１，４２・・・４ｎを直列多重接続して直列多重スイッチ３０が構成されている。 - 特許庁

A U-phase switching circuit and a V-phase switching circuit each have a construction where two IGBTs are arranged side by side in a left-right direction.例文帳に追加

Ｕ相及びＶ相スイッチング回路のＩＧＢＴは、左右方向に２つ並んで配置されている。 - 特許庁

A motor generator controller 1 includes IGBTs 100c, 101a-101c, and 110a-110c on the high potential side, IGBTs 100d, 101d-101f, and 110d-110f on the low potential side, and transformers 140 and 150.例文帳に追加

モータジェネレータ制御装置１は、高電位側のＩＧＢＴ１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃ、１１０ａ〜１１０ｃと、低電位側のＩＧＢＴ１００ｄ、１０１ｄ〜１０１ｆ、１１０ｄ〜１１０ｆと、トランス１４０、１５０とを備えている。 - 特許庁

High potential side IGBTs 110a-110c, 100c, 101a-101c are mounted in line on a wiring board 16.例文帳に追加

高電位側のＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃは配線基板１６に列状に実装される。 - 特許庁

In the each cooling oil holding portion 230A, 230B, 230C, cooling oils 236A, 236B, 236C to cool directly the IGBTs 232A, 232B, 232C are held.例文帳に追加

各冷却油収容部２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃには、ＩＧＢＴ２３２Ａ，２３２Ｂ，２３２Ｃを直接冷却する冷却油２３６Ａ，２３６Ｂ，２３６Ｃが収容される。 - 特許庁

The upper limit of an operation temperature of the protection diodes 28a and 28b is higher than that of an operation temperature of the IGBTs 32a and 32b.例文帳に追加

保護ダイオード２８ａ，２８ｂの動作温度の上限は、ＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂの動作温度の上限より高い。 - 特許庁

The drive control voltages VD1-VDn are supplied to the IGBTs as gate voltages VGE after the voltages VD1-VDn are converted into analogue forms.例文帳に追加

駆動制御電圧Ｖ_D1〜Ｖ_Dnは、アナログ形式へ変換された後、ゲート電圧Ｖ_GEとしてｎ個のIGBTへ供給される。 - 特許庁

The heat buffer plates 4B and 4E and the IGBTs 5B and 5E are formed on the copper foils 3A and 3C respectively in this order.例文帳に追加

熱緩衝板４Ｂ，４ＥおよびＩＧＢＴ５Ｂ，５Ｅは、それぞれ銅箔３Ａ，３Ｃ上に順次形成される。 - 特許庁