「n cl」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Therein, [M]^n+ is an n-valent cation; (n) is an integer of 1 to 4; R^F is a 1-6C perfluoroalkyl group or -Q^F-Cl; and Q^F is a 1-6C perfluoroalkylene group.例文帳に追加

ただし、［Ｍ］^ｎ＋はｎ価の陽イオンを、ｎは１〜４の整数を、Ｒ^Ｆは炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基または−Ｑ^Ｆ−Ｃｌを、Ｑ^Ｆは炭素数１〜６のペルフルオロアルキレン基を、示す。 - 特許庁

Zn, Se or O is used for a target metallic element and N, Cl or the like is used for the dopant.例文帳に追加

対象金属元素として、Ｚｎ、及びＳｅ又はＯを対象とし、ドーパントとしてＮ、Ｃｌなどを用いる。 - 特許庁

The formula (1) is SiH_nX_4-n [in the formula, (n) is an integer of 0-3, each of Xs expresses an atom selected from a group comprising F, Cl, Br and I.例文帳に追加

ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ（１）［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。 - 特許庁

A standard cell CL is provided in an n-type well 2n, and has a p^+-type diffusion layer 3p and an n^+-type diffusion layer 4n covered with a metal silicide film.例文帳に追加

スタンダードセルＣＬは、ｎ型ウエル２ｎに設けられ、金属シリサイド膜で覆われたｐ^＋型拡散層３ｐおよびｎ^＋型拡散層４ｎを有している。 - 特許庁

A monomer which emits light in a visible region upon excitation is represented by formula: M^n+(L)^n-(CL)_x, wherein n+ represents a valency of M, and (L) represents anion ligands having a total n- valent of 1 or 2 or more and at least one of the ligands has formula: Ch-X-Y.例文帳に追加

励起によって可視領域で発光する、次の一般式で表されるモノマーであって、(化１)Ｍ^n+（Ｌ）^n-（ＣＬ）_x、ｎ+は、Ｍの価数を表し、（Ｌ）は、１又は２以上の総計ｎ−価を有するアニオンリガンドを表し、前記リガンドの少なくとも１つは次の式を有する。 - 特許庁

Alternatively, the BeMgZnSe clad layer or the ZnMgSSe clad layer is doped with Cl, Br, or I as an n-type dopant together with Li as a p-type dopant, wherein the ratio of Cl, Br, or I to Li is set at 0.1 to 0.7:1.例文帳に追加

またはｐ型ドーパントであるＬｉに、ｎ型ドーパントのＣｌ、Ｂｒ、Ｉを０．１〜０．７の割合でＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層あるいはＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に共ドープする。 - 特許庁

The silica has ≤10 nm modal diameter (D_max) of pores and ≤10 ppm total concentration of S, Cl and N.例文帳に追加

細孔の最頻直径（Ｄ_max）が１０ｎｍ以下であり、ＳとＣｌとＮの合計濃度が１０ｐｐｍ以下であるシリカ。 - 特許庁

Memory cells M of (m×n) pieces are allocated to corresponding control lines CL and corresponding bit lines BL respectively.例文帳に追加

（ｍ×ｎ）個のメモリセルＭはそれぞれが対応する制御ラインＣＬおよび対応するビットラインＢＬに割り当てられている。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

This method for removing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon represented by the formula: X(CF2)nCl [X is F, Cl or H; (n) is 1 to 20] is characterized by decomposing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon with an antimony(V) compound, water, fuming sulfuric acid, a hydrazine compound or triphenylphosphine.例文帳に追加

式：X(CF_2)_nCl（式中、XはF、ClまたはHを示し、nは1〜20を示す。）で表されるフルオロカーボンに含まれる四塩化炭素を、アンチモン(V)化合物と水、発煙硫酸、ヒドラジン化合物またはトリフェニルホスフィンを用いて分解することを特徴とするフルオロカーボン中の四塩化炭素の除去方法。 - 特許庁

An ophthalmic device has a polymer, at least one heterocyclic compound having at least one N-Cl and/or N-Br bond, and the production method therefor.例文帳に追加

この発明は、ポリマーと、少なくとも１つのＮ−Ｃｌ結合および／またはＮ−Ｂｒ結合を有する少なくとも１つの複素環式化合物とを備えた眼用器具およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aqueous solution of an unsaturated quaternary ammonium salt of formula I by reacting N,N- dimethylaminoethyl acrylate(DAMEA) with an quaternizing agent of R-Cl (R is methyl or benzyl) in the presence of water.例文帳に追加

水の存在下でＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレートと、Ｒ−Ｃｌ（Ｒ＝メチルまたはベンジル）の四級化剤とを反応させて式Ｉの不飽和第四級アンモニウム塩の水溶液を製造する方法。 - 特許庁

White line information WLD including the number of white lines continuing immediately before non-white line data CL are added to the predetermined number of N-storage region of a header side of the non-white line data CL in NRGB data before print data conversion.例文帳に追加

印刷データ変換前のＮＲＧＢデータにおいて非白ラインデータＣＬの先頭側所定個数のＮ格納領域に、その非白ラインデータＣＬの直前で連続する白ライン数を含む白ライン情報ＷＬＤを付加する。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

An n-region CLL of a collector region CL of the bipolar transistor BT has an impurity density distribution identical to that of an n-channel forming region NC of a p-MOS transistor PT in the direction of thickness of the SOI layer SL.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのコレクタ領域ＣＬのｎ^-領域ＣＬＬは、ＳＯＩ層ＳＬの厚み方向に対してｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣと同じ不純物濃度分布を有している。 - 特許庁

Eu and D each range from 0.001 to about 0.5; D is an anion selected from F, Cl, Br, S and N; at least some of D anions replace oxygen in the host silicate lattice of the phosphor).例文帳に追加

Ｄは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｓ及びＮから選択されるアニオンであり、Ｄアニオンの少なくともいくつかが蛍光体のホストシリケート格子中の酸素に取って代わる。 - 特許庁

This 1-(tert-butoxyphenyl)-ω-haloalkane is represented by formula (1) (wherein X is Cl or Br; and (n) is an integer of 3 or 5-10).例文帳に追加

一般式（１） （式中、Ｘは、塩素原子または臭素原子であり、ｎは、３、５〜１０の整数を示す。）で表される、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）−ω−ハロアルカン。 - 特許庁

(Wherein, R is a ≥4C alkyl; X and X' are each independently H, Cl or Br; and n is an integer of ≥110 but ≤200).例文帳に追加

（式（１）中、Ｒは、炭素数４以上のアルキル基を表わし、Ｘ及びＸ’はそれぞれ独立に、水素原子、塩素原子又は臭素原子を表わし、ｎは、１１０以上、２２０以下の整数を表わす。） - 特許庁

In formula of chemical symbols, X represents Cl, I or Br, and n represents an integer of 1≤n≤5.例文帳に追加

）、ＣＨ_4、ＣＨ_3Ｆ、ＣＨ_2Ｆ_2、ＣＨＦ_3、Ｎ_2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ_4、Ｃ_2Ｈ_2，Ｃ_2Ｈ_4，Ｃ_2Ｈ_6、Ｃ_3Ｈ_4、Ｃ_3Ｈ_6、Ｃ_3Ｈ_8、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ_3、Ｈ_2など、または、ＣＨ_4、ＣＨ_3Ｆ、ＣＨ_2Ｆ_2、ＣＨＦ_3の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 - 特許庁

This halogen-containing aromatic compound is characterized by having at least 2 (CH2)n(CX2)t-Bu groups [X is F or Cl, and in this case, Xs may be the same or different; t-Bu is tertiary butyl group; and (n) is 0-4].例文帳に追加

（ＣＨ_2）_n（ＣＸ_2）ｔ−Ｂｕ基（ＸはＦまたはＣｌを表し、この際、Ｘは同一または異なるものであってもよく、 ｔ−Ｂｕはターシャリーブチル基を表し、ｎは０〜４を表す）を少なくとも２個有することを特徴とする含ハロゲン芳香族化合物。 - 特許庁

The cationic surfactant containing two chains and two hydrophilic groups is expressed by general formula (m is an integer of 2-12; n is an integer of 10-20; R_1 and R_2 are each a lower alkyl or the like; and X is Cl or Br).例文帳に追加

下記一般式（ｍは２〜１２の整数、ｎは１０〜２０の整数、Ｒ_１およびＲ_２は低級アルキル基等、ＸはＣｌまたはＢｒ）で表わされることを２鎖２親水基含有陽イオン界面活性剤。 - 特許庁

The bischloroformate is represented by formula 1: ClCO-(-O-Ar-O-CO-)_n-Cl and has an average number of monomers (n) of ≤1.99.例文帳に追加

疎水性有機溶媒を用い、下記式（化２）で表される２価フェノール性化合物と、ホスゲン系化合物と、脂肪族系第３級アミンとを混合して、下記式（化１）で表され、平均量体数（ｎ）が１．９９以下のビスクロロホーメートを製造する。 - 特許庁

The catalyst is characterized by using a cluster halide having the composition of (M_aZr_6Cl_xC)_n, wherein M is an alkali metal atom; Zr is a zirconium atom; Cl is a halogen atom; a is 0 or 1, x is 14-16; n is 4-10^6.例文帳に追加

（Ｍ_aＺｒ_6Ｃｌ_xＣ）_nなる組成を有するクラスターハライド（但し、Ｍはアルカリ金属原子、Ｚｒはジルコニウム原子、Ｃｌはハロゲン原子、ａは０又は１、ｘは１４〜１６、またはｎは４〜１０^6 を示す。）を用いることを特徴とする重合触媒。 - 特許庁

The magnet 14 is shaped so as to have a predetermined thickness in a vertical direction at respective points on a reference curved surface CL forming a first surface serving as an N pole and a second surface serving as an S pole.例文帳に追加

磁石１４は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを形成する基準曲面ＣＬに対して、その基準曲面のそれぞれの点において垂直方向に所定の厚みを有して形状が形成されている。 - 特許庁

In the cross section in the tread width direction section area, a fold back height XN parallel with a tire equator line CL from an inside end part X of a bead core 12 to a fold back end N of a carcass layer 20 where the bead core 12 is folded back is 35-65% for a tire height SH.例文帳に追加

また、トレッド幅方向断面において、ビードコア１２の内側端部Ｘから、ビードコア１２を折り返したカーカス層２０の折返端Ｎまでタイヤ赤道線ＣＬと平行な折り返し高さＸＮは、タイヤ高さＳＨに対して３５〜６５％である。 - 特許庁

When an automatic transmission AT is in the N range, an oil pump driving device drives a motor driven oil pump OP2 when the number of rotation of an input shaft of the automatic transmission AT is less than a predetermined threshold, or a first clutch CL is released (step S5, step S6).例文帳に追加

オイルポンプ駆動装置は、自動変速機ＡＴのシフトレンジがＮレンジである場合に、自動変速機ＡＴの入力軸の回転数が所定のしきい値未満であるとき、又は第１クラッチＣＬ１が開放しているときには、電動式オイルポンプＯＰ２を駆動させる（ステップＳ５、ステップＳ６）。 - 特許庁

G is a scaffold-structure, X is a coupling group for a probe F or functional unit F, CL is a chelator-group with at least a metal-coordinative center, m is an integer and at least 1, and n is an integer and at least 2.例文帳に追加

Ｇは、足場構造であり、Ｘは、プローブＦまたは官能性のユニットＦに対するカップリング基であり、ＣＬは、少なくとも１つの金属配位中心を有するキレーター基であり、ｍは、整数でありかつ少なくとも１であり、そしてｎは、整数でありかつ少なくとも２である。 - 特許庁

A switch control section 3 controls section of output side accommodation section 2-1-2-n being a transfer destination for any transfer request for each same transfer request and outputs a switch control signal CL and outputs a transfer permission signal L1 to the input side accommodation section of a transfer source.例文帳に追加

スイッチ制御部３は、転送先となる出力側収容部２−１〜２−ｎが同一の転送要求毎にいずれかの転送要求を選択して、スイッチ制御信号ＣＬを出力し、転送元の入力側収容部に対して転送許可信号ＬＩを出力する。 - 特許庁

A new phosphor system is expressed by formula A_2SiO_4:Eu^2+D, where A is at least one divalent metal selected from a group consisting of Sr, Ca, Ba, Mg, Zn, and Cd; and D is a dopant selected from a group consisting of F, Cl, Br, I, S and N.例文帳に追加

式Ａ_2ＳｉＯ_4：Ｅｕ^2+Ｄで示され、式中、Ａは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される二価金属の少なくとも一つであり、Ｄは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｓ及びＮからなる群より選択されるドーパントである、新規な蛍光体システム。 - 特許庁

Furthermore, collation is repeated by number (n) of prescribed times while changing the threshold Vr and Vc, the reliability C of each collation in the process of those collation is calculated, the maximum value is selected from among the reliabilities of the respective collation, and when the selected reliability is higher than the value CL, patterns may be decided as being 'matching'.例文帳に追加

なお、輝度閾値ＶｒおよびＶｃを変更しながら所定回数ｎ照合を繰り返し、その照合過程での各照合の信頼度Ｃを求め、この各照合の信頼度Ｃの中から最大値を選び出し、この選び出した信頼度が所定値ＣＬよりも高い場合に「一致」と判定するようにしてもよい。 - 特許庁

On the other hand, when the automatic transmission AT is in the N range, the oil pump driving device does not drive the motor driven oil pump OP2 when the number of rotation of the input shaft of the automatic transmission T is equal to or more than the predetermined threshold, and the first clutch CL is engaged (step S1 to step S4).例文帳に追加

その一方で、オイルポンプ駆動装置は、自動変速機ＡＴのシフトレンジがＮレンジである場合に、自動変速機ＡＴの入力軸の回転数が所定のしきい値以上であり、かつ第１クラッチＣＬ１が締結しているときには、電動式オイルポンプＯＰ２を駆動させない（ステップＳ１〜ステップＳ４）。 - 特許庁

In this scan test circuit device, an initialization reset means performs in a scan mode, initialization reset in the integrated circuit constituted of a combination circuit 11 and scan test circuits S1 to Sn+m, and D-FF-1 to D-FF-n+m, based on an initialization reset signal CL synchronized with a scan clock pulse CK for performing operation of a scan test.例文帳に追加

本発明のスキャンテスト回路装置では、初期化リセット手段は、スキャンテストの動作を行うスキャンクロックパルスＣＫと同期する初期化リセット信号ＣＬに基づいて、組み合わせ回路１１と、スキャンテスト回路Ｓ１〜Ｓｎ＋ｍおよびＤ−ＦＦ−１〜Ｄ−ＦＦ−ｎ＋ｍにより構成される集積回路内の初期化リセットをスキャンモードにより行う。 - 特許庁

The amorphous carbon coated cutting tool and manufacturing method thereof are characterized in that in this amorphous carbon coated cutting tool coated with the amorphous carbon film, the amorphous carbon film contains at least one or more kinds of elements among B, Cl, S, P, F, O and N, and the content of the element ranges from 0.01 to 25%, both inclusive, by atomic%.例文帳に追加

非晶質カーボン皮膜を被覆した非晶質カーボン被覆切削工具において、該非晶質カーボン皮膜は、Ｂ、Ｃｌ、Ｓ、Ｐ、Ｆ、Ｏ、Ｎの少なくとも１種以上の元素を含有し、該元素の含有量は、原子％で、０．０１％以上、２５％以下であることを特徴とする非晶質カーボン被覆切削工具及びその製造方法である。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

The electroconductive polymer has a structure of formula (1) (wherein R is an alkyl group having ≥4 carbon atoms which is bound to the β-carbon in a thiophene ring; X and X' are each independently an element chosen from the group consisting of H, Cl and Br; and n is the repeating number of thiophene rings).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４以下であり、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められるチオフェン環の平均繰り返し数（ｎ）が３０以上８６以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の９２％以上が立体規則性を示すようにする。 - 特許庁