意味 | 例文 (999件) |
oxide ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1150件
In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加
シリコン酸化膜20及びシリコン窒化膜21が形成されている状態で、p型不純物23_1,23_2を、Y方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁
Thereby, the oxygen in the oxidant gas which has passed a second passage between the bosses 7b is reduced and as a result, an oxide ion (O^2-) is generated.例文帳に追加
この電子によって、ボス部7b同士の間である第2通路を通過した酸化剤ガス中の酸素が還元され、その結果、酸化物イオン(O^2-)が生成する。 - 特許庁
To provide silicon oxide powder, capable of maintaining a high capacity without bringing on lowering of cycle performance, when using it for a negative electrode material of a secondary lithium ion battery.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池負極材として用いた場合に、サイクル性の低下を招くことなく、高容量を維持できる酸化珪素粉末を提供すること。 - 特許庁
In this mass spectrometry, fine particles are used, which are formed by coating with a polymer a metal oxide used as an ion source for irradiating and ionizing a sample with laser light.例文帳に追加
レーザー光を試料に照射してイオン化を行うイオン源となる金属酸化物がポリマーで被覆された微粒子を用いる質量分析法。 - 特許庁
To provide a catalyst for the selective reduction of nitrogen oxide comprising a paramagnetic iron(III) ion supported by a zeolite at a high ion concentration thereon capable of performing a high enough activity of the selective reduction of nitrogen oxide in a low temperature range of 300°C or lower and an efficient and reliable method for preparing the catalyst for the selective reduction of nitrogen oxide.例文帳に追加
ゼオライトに常磁性の鉄(III)イオンが高い濃度で担持されており、300℃以下の低温域から十分に高い窒素酸化物選択還元活性を発揮することが可能な窒素酸化物選択還元触媒、並びに、その窒素酸化物選択還元触媒を効率よく且つ確実に製造することが可能な窒素酸化物選択還元触媒の製造方法を提供すること。 - 特許庁
This electrode material is formed by preparing the perovskite type oxide powder 111 having 0.2-10.0 μm mean grain size and showing the p-type conductivity and the fluorite type oxygen ion conductive oxide powder 112 showing p-type conductivity, mixing them for forming a mixture powder containing 2-20 wt.% of fluorite type oxygen ion conductive oxide, and firing the mixture powder.例文帳に追加
この電極材料は、それぞれ平均粒径が0.2μm〜10.0μmであるp型伝導性を示すペロブスカイト型酸化物紛111と、p型伝導性を示す蛍石型酸素イオン伝導性酸化物紛112を準備し、両酸化紛を混合して、蛍石型酸素イオン伝導性酸化物を2〜20重量%含む混合紛を作製した後、この混合紛を焼成することで得られる。 - 特許庁
In the method for forming the film coated with porous titanium oxide thin film, a winding device for winding up the polymer film substrate is provided and titanium metal or titanium oxide is evaporated from an evaporation source arranged under the substrate and simultaneously the substrate is irradiated with an oxygen radial and a rare-gas ion from a radical beam generation source and an ion beam generation source to deposit the titanium oxide thin film onto the substrate.例文帳に追加
ポリマーフィルム基材を巻き取る巻取装置を備え、その基材の下方に設置された蒸発源から金属チタンあるいは酸化チタンを蒸発させ、同時にラジカルビーム発生源及びイオンビーム発生源から酸素ラジカルおよび希ガスイオンを照射し、前記基材上で酸化チタン薄膜を形成することを特徴とする多孔性酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法である。 - 特許庁
In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask.例文帳に追加
ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜31のうちMOSトランジスタ4の形成予定領域A2に形成されている部分(シリコン酸化膜51)の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜31をマスクとして第1のイオン注入を行う。 - 特許庁
A bed layer 22 of ZrO_2-Y_2O_3 mixed oxide and an intermediate layer 23 made of film deposited by an ion beam assist deposition method are provided on a metal base material 21, and the oxide superconductor layer is laminated onto them so as to be used for the substrate of the oxide superconductor.例文帳に追加
本発明は、金属基材21上に、ZrO_2−Y_2O_3混合酸化物のベッド層22とイオンビームアシスト法により成膜された中間層23とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a high grade cupric oxide fine powder in which the purity of copper oxide is high and the solubility to a plating liquid is high, and to provide a feeding method of a copper ion to a copper sulfate aqueous solution that is a plating bath of copper electroplating using the cupric oxide fine powder.例文帳に追加
酸化銅の純度が高く、かつめっき液への溶解性が高い高純度の酸化第二銅微粉末と、その酸化第二銅微粉末を用いた銅電気めっきのめっき浴である硫酸銅水溶液への銅イオンの供給方法の提供を目的とする。 - 特許庁
When the catalyst component is dispersed and deposited on the surface of the oxide, a solution containing the catalyst component or the precursor of the catalyst component is brought into contact with the oxide or the catalyst component is brought into contact with the oxide by any one method of sputtering, ion plating, and vacuum deposition.例文帳に追加
酸化物の表面に触媒成分を分散担持させるに際しては、触媒成分または触媒成分の前駆体を含む溶液を酸化物と接触させ、または、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着のいずれかにより触媒成分を酸化物と接触させている。 - 特許庁
To provide a new lithium manganese complex oxide which is excellent in cycle characteristics and preservability at high temperature and has high discharge capacity per volume, when used as the positive electrode active material of a lithium ion battery, and to provide a lithium ion secondary battery using a new lithium manganese complex oxide of this kind as a positive electrode active material.例文帳に追加
リチウムイオン電池の正極活物質として用いたときに、高温でのサイクル特性および保存性に優れるとともに、体積当たり放電容量が高い新規なリチウム・マンガン複合酸化物、およびこのような新規なリチウム・マンガン複合酸化物を正極活物質として用いたリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁
The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加
前記酸化膜120が除去された領域にNウェルイオン注入を実行し、Pウェルイオン注入マスクを利用してNウェル形成工程時、前記酸化膜120除去により既設定された領域キーの内部にPウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第2整列キー220を形成する。 - 特許庁
The electrolyte for lithium secondary battery has a lithium ion conductive material substantially containing no solvent, i.e. a liquid organic material consisting of a lithium salt and a base material having ethylene oxide and/or propylene oxide as a repeating unit in a molecule, and inorganic powder dispersed into the lithium ion conductive material.例文帳に追加
エチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドを繰り返し単位として分子中に有する基材とリチウム塩とからなる、液状の有機物である溶媒を実質的に含有しないリチウムイオン導電性材料と、リチウムイオン導電性材料中に分散される無機物粉体とを有するリチウム二次電池用電解質である。 - 特許庁
By impregnating the dehumidification element carrying a moisture absorbent with a manganese ion solution or the mixed ion solution of manganese and cobalt and calcinating it at a burning temperature to turn it to manganese oxide or a cobalt manganese composite oxide, the dehumidification element with the catalyst deodorization function in which an atomized deodorization catalyst is attached on the moisture absorbent is obtained.例文帳に追加
マンガンイオン溶液もしくはマンガンとコバルトの混合イオン溶液を吸湿剤を担持した除湿素子に浸し、酸化マンガンもしくはコバルトマンガン複合酸化物となる焼成温度で焼成することによって、吸湿剤上で微粒子化した脱臭触媒を添着した触媒脱臭機能付除湿素子が得られる。 - 特許庁
The solid electrolyte carbon dioxide gas sensor element includes a detection pole containing; a cation conductive solid electrolyte having bivalent or higher-valency cations as main conductive ion species; an oxide ion conductive solid electrolyte; and a solid solution made by partly replacing a rare-earth element in a rare-earth carbonate oxide with an alkaline earth metal element.例文帳に追加
2価以上のカチオンを主たる導電イオン種とするカチオン伝導性固体電解質と酸化物イオン伝導性固体電解質と希土類の炭酸酸化物中の希土類元素の一部をアルカリ土類金属元素で置換した固溶体を含む検出極からなる固体電解質型炭酸ガスセンサ素子である。 - 特許庁
In the method of electrolyzing the oxide of the group II element, a negative electrode capable of occluding and releasing ion of the group II element and a positive electrode containing the oxide of the group II element and a compound having a stable radical skeleton (for example, 2, 2, 6, 6-tetra methyl piperidoxyl radical (TEMPO radical)) are arranged separately from each other in a non-aqueous ion conductive body.例文帳に追加
第2族元素の酸化物の電解方法では、まず、第2族元素のイオンを吸蔵放出可能な負極と、第2族元素の酸化物及び安定なラジカル骨格(例えば2,2,6,6−テトラメチルピペリドキシルラジカル(TEMPOラジカル))を有する化合物を含む正極とを、非水系のイオン伝導体に離間して配置する。 - 特許庁
In a method to nitride the silicon oxide film by introducing nitride into the silicon oxide film formed in the surface of a substrate, a process to irradiate nitride ion with an angle of 50° or more to the normal line of a processed film, and a process to irradiate nitrogen atom more than the amount of the ion irradiation are simultaneously or alternately performed.例文帳に追加
基板表面に形成されたシリコン酸化膜中に窒素を導入して該シリコン酸化膜を窒化する方法において、被処理膜の法線に対して50°以上の角度を持って窒素イオンを照射する工程と、イオン照射量以上の窒素原子を照射する工程とを、同時または交互に行う。 - 特許庁
This method for producing a metal oxide particle comprises adding water-soluble amines such as monoethanolamine and diethanolamine to a raw material of the metal oxide where a metal element of the metal oxide exists as an ion state in the aqueous solution such as a nitrate and a hydroxide at normal temperature under normal pressure, thereby making pH of the aqueous solution to be 4 or above to produce a metal oxide particle.例文帳に追加
常温かつ常圧下にて、硝酸塩、水酸化物などの金属酸化物の金属元素が水溶液中にイオン状態で存在する金属酸化物の原料に対して、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどの水溶性アミン類を添加することにより、水溶液のpHを4以上として金属酸化物粒子を生成する。 - 特許庁
A weak alkaline agent such as a hardly soluble material including magnesium oxide is mixed with a heavy metal ion adsorbent such as an inorganic adsorbent including calcium phosphate or an ion exchanger at a predetermined rate to produce a sludge treating agent.例文帳に追加
酸化マグネシウムを含む難溶解性物質などの弱アルカリ剤と、リン酸カルシウムを含む無機系吸着剤などの重金属イオン吸着剤又はイオン交換体とを、所定割合で混合した汚泥処理剤を製造する。 - 特許庁
Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加
次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜7を介すると共に、ゲート電極5およびサイドウォール6を注入マスクとして、pウェルの全面にイオン注入をし、pウエルにn^+ 拡散層12、13を形成する。 - 特許庁
As the single crystalline silicon substrate 10 to be laminated on the quartz substrate 20, a substrate satisfying the relation 2L≤t_ox between the thickness of the oxide film t_ox and an average ion implantation depth L of an ion implantation layer 12 of hydrogen may be used.例文帳に追加
石英基板20と貼り合わせる単結晶シリコン基板10として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層12の平均イオン注入深さLが2L≦t_oxの関係を満足する基板を用いることとしてもよい。 - 特許庁
As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加
注入前酸化を含めたエピタキシャル層3への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層71’,72’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁
The manufacturing method of the positive active material for the lithium secondary battery has an ion exchange process in which a sodium-manganese composite oxide having P2 type layer structure is ion-exchanged in a solution containing lithium chloride.例文帳に追加
また,P2型層状構造を有するナトリウム−マンガン複合酸化物を塩化リチウムを含む溶液中でイオン交換するイオン交換工程を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁
To provide a lithium manganese oxide suitable for a cathode activation substance of a lithium ion secondary battery having a large service capacity and excellent electric charging and discharging cycle characteristics and the high performance lithium ion secondary battery using it.例文帳に追加
放電容量が大きく、かつ良好な充放電サイクル特性を有するリチウムイオン二次電池の正極活性物質として好適なリチウムマンガン酸化物及びそれを用いた高性能のリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁
The concrete structure for hydrosphere is formed by making an ion adsorbing carrier carry the calcium ion or calcium and magnesium ions, mixing with iron oxide with well-balancing according to a condition of a hydrosphere, and blending with a concrete material.例文帳に追加
カルシウムイオン、又はカルシウム及びマグネシウムイオンをイオン吸着担体に担持させて、これらと、酸化鉄とを水圏条件に応じてバランスよく配合し、コンクリート材料中に混入して水圏用コンクリート構造物を形成する。 - 特許庁
The oxide layer 3 is capable of changing to the high resistance state from the low resistance state by giving oxygen ion 5 to the electrode 2 and changing to the low resistance state from the high resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the electrode 2.例文帳に追加
酸化物層3は、電極2に酸素イオン5を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、電極2から酸素イオン5を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。 - 特許庁
It is also possible that a film of Si or Si oxide is formed on a quartz glass substrate with ITO and by ion injecting on this film, and furthermore by ion injecting directly on the Si substrate, a light emitting thin film is formed.例文帳に追加
ITO付き石英ガラス基板上にSiやSi酸化物の薄膜を形成し、この薄膜に対してイオン注入することにより、さらにはSi基板に直接イオン注入することにより形成することも可能である。 - 特許庁
This method comprises forming a double oxide fluorophor membrane by interlayer reaction of component oxide membranes forming the double oxide, wherein the method is characterized by arbitrarily adding a metallic ion forming the luminous center into the component oxide membranes, laminating one or more component oxide membranes on a substrate, heat-treating the component oxide membranes and, thereby, promoting reaction between the component oxide membranes to form the objective double fluorophor layer in the membrane.例文帳に追加
複酸化物蛍光体の薄膜を該複酸化物を構成する成分酸化物薄膜の層間反応により作製する方法であって、該複酸化物を構成する成分酸化物薄膜を発光中心となる金属イオンを任意に添加して基板上に1回以上積層した後、加熱処理を行うことにより、成分酸化物薄膜間の反応を進行させて目的とする複酸化物蛍光体層を薄膜内に形成させることを特徴とする複酸化物蛍光体薄膜の製造方法。 - 特許庁
A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of conducting an ion implantation for an implanting layer (7-1) for controlling a threshold of a MOS transistor and an implanting layer (7-2) for controlling a second threshold, and forming a third Si oxide film 8 to become a gate oxide film of the transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタの閾値制御用注入層(7−1)、第2の閾値制御用注入層(7−2)のためのイオン注入を行い、MOSトランジスタのゲート酸化膜となる第3のSi酸化膜8を形成する。 - 特許庁
To provide a copper-modified titanium oxide capable of developing good catalytic activity under visible light irradiation when it is used as a photocatalyst, a method for producing the same, and a photocatalyst essentially comprising the copper ion-modified titanium oxide.例文帳に追加
光触媒とした場合に、可視光照射下において良好な触媒活性を発現し得る銅修飾酸化チタン及びその製造方法、並びに該銅イオン修飾酸化チタンを主成分とする光触媒を提供する。 - 特許庁
To efficiently regenerate an amine liquid containing an acid component and modified products such as an amine oxide and the like using an ion exchange resin by a simple apparatus and a simple operation to obtain a regenerated amine liquid containing a small amount of modified product such as an amine oxide and the like.例文帳に追加
簡単な装置と操作により、酸成分およびアミンの酸化物他の変成物を含むアミン液をイオン交換樹脂を用いて効率的に再生し、アミン酸化物他の変成物含量の低い再生アミン液を得る。 - 特許庁
A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加
酸化シリコン層104をマスクとしたRIEにより、シリコン基板101を選択的にエッチングすることで、シリコン基板101の一方の面(埋め込み酸化層102との界面)に到達する貫通孔106を形成する。 - 特許庁
A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加
半導体基板11の全面に膜厚が10〜50nmのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体17の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜18を形成する。 - 特許庁
To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加
酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁
The structural body for the single cell of the solid oxide fuel cell has a laminated structure that two porous ceramics material layers are opposed to each other with a dense ceramics material layer containing an ion oxide conductive ceramics material interposed between them.例文帳に追加
酸化物イオン伝導性セラミックス材料を含有する緻密質セラミックス材料層を挟んで2つの多孔質セラミックス材料層が対向される積層構造を備える、固体酸化物形燃料電池の単セル用構造体とする。 - 特許庁
In manufacturing an SIMOX wafer having an oxygen implantation process and a high-temperature annealing process, prior to implantation of oxygen ions; an oxide film is formed on the surface of the wafer, and oxygen ion implantation is executed through the oxide film.例文帳に追加
酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、 該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁
To obtain a high polymer solid electrolyte excellent in ion conductivity, by suppressing crystallinity of a polyalkylene oxide in a much easier way in comparison with a conventional method, without modifying the polyalkylene oxide.例文帳に追加
ポリアルキレンオキサイドの材料改質を行うことなく、従来の手法に比べ飛躍的に簡便に、ポリアルキレンオキサイドの結晶性を抑えることによる、イオン伝導性に優れた高分子固体電解質を得ることを目的としている。 - 特許庁
The coating agent comprises a scaly titanium oxide microparticle obtained by ion exchange-treating a layered titanate with an alkylammonium, and the coating agent comprises a solution containing titania nano-sheet and a silicon dioxide, or sol of titanium oxide.例文帳に追加
層状チタン酸塩をアルキルアンモニウムでイオン交換処理することによって得られる鱗片状の酸化チタン微粒子を含んだコーティング剤、並びにチタニアナノシートと酸化ケイ素あるいは酸化チタンのゾルを含んだ溶液からなるコーティング剤。 - 特許庁
The infrared absorbing green glass composition is obtained by replacing an alkali oxide or an alkaline earth oxide by one having a larger ion radius to increase the degree of basicity to shift the absorption region of FeO to a longer wavelength side in soda lime glass.例文帳に追加
ソーダライムガラスにおいて、アルカリ酸化物あるいはアルカリ土類酸化物をイオン半径の大きいものに置換して、ガラスの塩基度を上げ、FeOの吸収域を長波長側にシフトさせた赤外線吸収グリーンガラス組成物である。 - 特許庁
The reactive ion etching is carried out by replacing with the reactive gas having a low etching selection ratio between the monocrystalline silicon and the silicon oxide, thereby performing the anisotropic etching for the thermal oxide film 33 and the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加
上記反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が低い反応性ガスに切り替えて行うことにより熱酸化膜33及び単結晶シリコン層21Cを異方性エッチングする。 - 特許庁
When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加
これらのように、酸化シリコン層103の上にレジストパターン層104を形成したら、よく知られたドライエッチング(反応性イオンエッチング)により、レジストパターン層104をマスクとして酸化シリコン層103を選択的にエッチングする。 - 特許庁
After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加
Nウエル7及び熱酸化膜25を形成した後((c),(d))、熱酸化膜17,25をマスクにしてP基板1にボロン27のイオン注入を行ない(e)、アニール処理を施してIPウエル5とPウエル9を同時に形成する(f)。 - 特許庁
Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.例文帳に追加
サイドウォール51形成時のエッチングをRIEとウエットエッチングの二段階で行い、RIEでシリコン基板1のLDD層4上に酸化シリコン膜5Aを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜5Aを除去する。 - 特許庁
The negative electrode active material includes a titanium oxide compound having a crystal structure of monoclinic-system titanium dioxide which is modified by the use of at least one kind of ions selected from a group consisting of alkali metal cation, alkaline earth metal cation, transition metal cation, sulfide ion, sulfate ion and chloride ion.例文帳に追加
アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、遷移金属カチオン、硫化物イオン、硫酸イオン、及び、塩化物イオンから成る群から選択される少なくとも1種のイオンを用いて修飾された、単斜晶系二酸化チタンの結晶構造を有する酸化チタン化合物を含むことを特徴とする負極活物質。 - 特許庁
Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition.例文帳に追加
電気光学装置の素子基板10を製造するにあたって、薄膜トランジスタ80、90を形成した後、シリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜4、およびシリコン窒化膜からなる第2層間絶縁膜7を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。 - 特許庁
An antibacterial textile product has a first component which is an oxide containing at least one of a zinc ion and a copper ion, and a second component which is an oxide of at least one of an alkali earth metal oxide and alumina, wherein at least one of inorganic antimicrobial agents containing at least one of the components and a synthetic polymer polyvinyl alcohol are attached to a textile product.例文帳に追加
亜鉛イオンあるいは銅イオンの内の少なくとも1種を含有した酸化物である第1成分、およびアルカリ土類金属酸化物あるいはアルミナの内の少なくとも1種の酸化物である第2成分を有し、各成分をそれぞれ少なくとも1種含有した無機系抗菌剤の少なくとも1種と合成高分子ポリビニルアルコールを繊維製品に付着させた抗菌繊維製品による。 - 特許庁
The method of ion beam etching includes a step of oppositely disposing a mask member 20 having an opening 21 formed to define the working region of an ITO (indium tin oxide) film 12 on a substrate 10 to be processed, and illuminating an ion beam IB to the ITO film 12 via the mask member 20 to etch the ITO film 12.例文帳に追加
ITO膜12の加工領域を定める開口21が形成されたマスク部材20を被処理基板10上に対向配置し、マスク部材20を介してITO膜12にイオンビームIBを照射しエッチングする。 - 特許庁
The photosensitive composition includes at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator and an ion adsorbent, wherein the ion adsorbent includes at least one from among a bismuth compound, a zirconium compound and an antimony oxide compound.例文帳に追加
バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤と、イオン吸着剤とを少なくとも含み、前記イオン吸着剤が、ビスマス化合物と、ジルコニウム化合物及び酸化アンチモン化合物の少なくともいずれかとを含有する感光性組成物である。 - 特許庁
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