「peak concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Concentration of nitrogen atom at the first peak 91 is higher than that at the second peak 92.例文帳に追加

第１のピーク９１は第２のピーク９２よりも窒素原子の濃度が高い。 - 特許庁

The hydrogen concentration in the Na is decreased by cleanup, and a hydrogen concentration peak P is formed.例文帳に追加

クリンナップによりＮａの水素濃度が低下し、水素濃度ピークＰを形成する。 - 特許庁

Whether or not the remarkable pixel is a concentration peak candidate is detected.例文帳に追加

注目画素が濃度ピーク候補か否かを検出する。 - 特許庁

A concentration C1 corresponding to a peak of an impurity concentration in a first impurity region, a concentration C2 corresponding to a peak of an impurity concentration in a second impurity region and a concentration C3 corresponding to a peak of an impurity concentration in a third impurity region satisfy a following relationship of C2<C3<C1.例文帳に追加

第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすようにする。 - 特許庁

As for a concentration C1 of an impurity concentration peak of a first impurity region, a concentration C2 of an impurity concentration peak of a second impurity region, and a concentration C3 of an impurity concentration peak of a third impurity region, a relation of C2<C3<C1 is satisfied.例文帳に追加

第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすようにする。 - 特許庁

P type dopants are executed so that the peak position of the concentration of the P type dopants becomes deeper than the peak position of the concentration of the N type dopants.例文帳に追加

Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 - 特許庁

The distribution of concentration of first conductivity-type impurities in the depth direction contained in the high-concentration n-type source region 8 located by the side of the trench T is that a first peak concentration point is located by the surface of a substrate, and a second peak concentration point higher in concentration than the first concentration point is located deeper than the first peak concentration point.例文帳に追加

トレンチＴの側方に位置する高濃度Ｎ型ソース領域８の深さ方向における第１導電型（Ｎ型）不純物の濃度分布は、基板表面側に第１のピーク濃度を有すると共に前記第１のピーク濃度よりも深い位置に第１のピーク濃度よりも高濃度の第２のピーク濃度を有する。 - 特許庁

A ratio of peak concentration Np and average drift concentration Ndm at that point is set to be within a range of 1 to 5.例文帳に追加

そのときのピーク濃度Ｎｐと平均のドリフト濃度Ｎｄｍの比を１〜５の範囲とする。 - 特許庁

To provide a chromatogram peak purity determination apparatus for accurately determining a peak purity at a high concentration.例文帳に追加

高濃度でもピーク純度を高精度に判定できるクロマトグラムピーク純度判定装置を提供する。 - 特許庁

The first portion 2 has second conductivity, and has a high peak value of impurity concentration compared with the peak value of impurity concentration of the second layer 1.例文帳に追加

第１の部分２は、第２導電型を有し、かつ第２の層１の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有する。 - 特許庁

The position of the impurity concentration peak of the N-type semiconductor region 101 and the position of the impurity concentration peak of the P-type semiconductor region 106 are different in depth.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 - 特許庁

The system computes an operator's degree of concentration of attention by multiplying the detected peak-to-peak value by the number of times the saccade occurs by an attention concentration computing section 24.例文帳に追加

集中度算出部２４によって、検出されたピークツーピーク値と、サッケードの発生回数とを乗算して、運転者の注意集中度を算出する。 - 特許庁

The operational processing of the concentration of ammoniacal nitrogen is performed using the base line voltage and the peak voltage.例文帳に追加

そして、前記のベースライン電圧とピーク電圧を用いて演算処理する。 - 特許庁

In the impurity concentration profile in the depth direction of the termination region, the concentration peak in the shallowest position is located at the position deeper than 0.35 μm from the surface and the concentration of the surface portion is one-tenth or less of the concentration peak in the shallowest position.例文帳に追加

終端領域の深さ方向の不純物濃度プロファイルにおいて、最も浅い位置の濃度ピークは表面から０．３５μｍより深い位置にあり、且つ、表面部の濃度は最も浅い濃度ピークの１０分の１以下である。 - 特許庁

To properly calculate the peak timing of the deposition concentration of a fluorescent agent on bio-tissue.例文帳に追加

蛍光剤の生体組織への集積濃度のピークタイミングを適切に算出する。 - 特許庁

The mass spectrometer stops ionization of the sample when the peak exceeding the reference peak M is measured, and transmit an indication to reduce the sample concentration.例文帳に追加

基準ピークＭ以上のピークが測定された場合は、試料のイオン化を中止し、サンプル濃度を下げる指示を送出する。 - 特許庁

The first conductive impurity contained in the first gate electrode 6a includes a first concentration peak on an interface portion with the first gate insulating film 5a beneath the first gate electrode 6a, and a second concentration peak on an upper surface portion of the first gate electrode 6a where the first concentration peak is higher than the second concentration peak.例文帳に追加

第１のゲート電極６ａに含まれる第１導電型の不純物は、第１のゲート電極６ａにおける第１のゲート絶縁膜５ａとの界面部分に第１の濃度ピークを有し、且つ、第１のゲート電極６ａの上面部分に第２の濃度ピークを有し、第１の濃度ピークは、第２の濃度ピークよりも濃度が大きい。 - 特許庁

The peak of concentration of the n-type impurity in the depthwise direction is positioned in the semiconductor film 4.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度の深さ方向のピークが半導体膜４中に位置する。 - 特許庁

Thereafter, wet etching is carried out to the peak position of the nitrogen concentration of the silicon oxynitiride film.例文帳に追加

次いで、シリコン酸窒化膜の最大の窒素濃度ピーク位置までウェットエッチングを行う。 - 特許庁

The depth position of the peak of nitrogen concentration in the oxynitride film 20 is controlled from the surface thereof.例文帳に追加

この酸窒化膜２０中の窒素濃度ピークは、表面からの深さ位置が制御される。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

The base value and peak value of the concentration of an ethanol gas are calculated from the base values and peak values of the detection values from the alcohol sensor 24A and the gas sensor 24B by an ethanol concentration calculation unit 32.例文帳に追加

エタノール濃度算出部３２によって、アルコールセンサ２４Ａ及びガスセンサ２４Ｂからの検出値のベース値及びピーク値から、エタノールガスの濃度のベース値及びピーク値を算出する。 - 特許庁

The high Si-concentration region has the maximum peak of the Si atomic concentration, and this concentration along the thickness direction of the glass plate reduces continuously from the maximum peak position to the surface of the glass plate and the above central position.例文帳に追加

前記Ｓｉ高濃度領域は、Ｓｉ原子濃度の最大ピークを有し、前記ガラス板の厚さ方向に沿ったＳｉ原子濃度は、前記最大ピーク位置からガラス板のガラス表面および前記中心位置まで連続的に減少する。 - 特許庁

To smooth a traffic peak by dispersing access concentration on a download server from client devices.例文帳に追加

クライアント機器からダウンロードサーバへのアクセス集中を分散させトラヒックピークを平滑化すること。 - 特許庁

Further, to the concentration value P_M at the peak caused by the molten iron, a constant based on the ratio of spectral emissivity in the molten iron and the molten slag is multiplied and the concentration value P_S at the peak caused by molten slag is obtained.例文帳に追加

また、溶銑に起因するピークでの濃度値Ｐ_Mに、溶銑及び溶融スラグの分光放射率の比率に基づく定数を乗じて、溶融スラグに起因するピークでの濃度値Ｐ_Sを求める。 - 特許庁

The molar fractions x, y and z, the dopant species and the dopant concentration may be varied to tune the peak emission wavelength and/or the width of the emission peak.例文帳に追加

モル分率ｘ、ｙ及びｚ、ドーパント種並びにドーパント濃度を変更して、ピーク発光波長及び／又は発光ピーク幅を調整することができる。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor layer 37 contains at least one of Fe, Mg, and C of concentration ≥1/10 times as large as a peak value of silicon concentration.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体層３７は、シリコン濃度のピーク値の１／１０以上である濃度のＦｅ、Ｍｇ、Ｃの少なくともいずれかを含む。 - 特許庁

The Si high concentration region has the maximum peak of the Si atomic concentration, and the Si atomic concentration along the thickness direction of the glass plate continuously decreases from the maximum peak position to the surface and the center position of the glass plate.例文帳に追加

前記Ｓｉ高濃度領域は、Ｓｉ原子濃度の最大ピークを有し、前記ガラス板の厚さ方向に沿ったＳｉ原子濃度は、前記最大ピーク位置から前記ガラス板の表面および前記中心位置まで連続的に減少する。 - 特許庁

A concentration histogram is computed from image data of a molten iron tapping flow 2 picked up by a CCD camera 5, and a concentration value P_M is determined at a peak caused by the molten iron in the computed concentration histogram.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ５で撮像された出銑流２の画像のデータから濃度ヒストグラムを算出し、算出した濃度ヒストグラムにおける溶銑に起因するピークでの濃度値Ｐ_Mを求める。 - 特許庁

The peak of radioactive iodine concentration at each measuring point was observed at slightly different time, which was from 18 to 29 March. From the end of March, the concentration at many points started to show decreasing trend, and only traces of radioactive concentration were detected on 11 April.例文帳に追加

放射性セシウムについて、放射性ヨウ素と比較してその濃度は概ね低く、4 月11 日時点では微量の放射線濃度が検出されている状況である。 - 厚生労働省

To perform the operational processing of the concentration of ammoniacal nitrogen by detecting accurate base line voltage and peak voltage.例文帳に追加

正確なベースライン電圧とピーク電圧を検出してアンモニア性窒素濃度の演算処理を行う。 - 特許庁

The drift layer 21 is configured by a first region 21A having an N type impurity concentration peak region P1, and a second region 21B being adjacent to the first region 21A and having an N type impurity concentration peak region P2 at a position deeper than that of the N type impurity concentration peak region P1.例文帳に追加

このドリフト層２１は、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１を有した第１の領域２１Ａと、この第１の領域２１Ａに隣接し、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１よりも深い位置にＮ型不純物濃度のピーク領域Ｐ２を有した第２の領域２１Ｂとにより構成されている。 - 特許庁

On the basis of the peak value, the lighting of an indicator 6c by a LED in a concentration display part 6 is controlled to display the concentration of the dissolved ozone.例文帳に追加

そして、このピーク値に基づいて、濃度表示部６におけるＬＥＤによる表示体６ｃが点灯制御され、溶存オゾン濃度が表示される。 - 特許庁

In this device, a peak value Y and a final value X are specified from history of in-cylinder soot concentration which is detected by the in-cylinder concentration sensor and is stored.例文帳に追加

この装置は、筒内Ｓｏｏｔ濃度センサから検出・記憶されている筒内Ｓｏｏｔ濃度の履歴からピーク値Ｙと最終値Ｘを特定する。 - 特許庁

In the p-type semiconductor region 45, the position of an impurity concentration peak is located separate from the forming position of a low-concentration n-type impurity diffusion region 44.例文帳に追加

このｐ型半導体領域４５において、不純物濃度のピーク位置は、低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の形成位置から離れている。 - 特許庁

A real concentration value P_T of the molten iron is determined by subtracting the concentration value P_N due to backlight noises from the concentration value P_M of the peak caused by the molten iron in the concentration histogram, and the temperature of the molten iron is determined using the determined actual concentration value P_T of the molten iron.例文帳に追加

さらに、濃度ヒストグラムにおける溶銑に起因するピークでの濃度値Ｐ_Mから、背光雑音による濃度値Ｐ_Nを減算して溶銑における実際の濃度値Ｐ_Tを求め、求めた溶銑における実際の濃度値Ｐ_Tを用いて、溶銑における温度を求める。 - 特許庁

B(boron) and N(nitrogen), which have concentration peak at a position nearer to the surface of a semiconductor substrate than to the position of the concentration peak of the B and electrically inactivates the B, are introduced into the channel of the MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴのチャネルには、Ｂ（ボロン）と、このＢの濃度ピーク位置よりも前記半導体基板表面に近い位置に濃度ピークを有し、Ｂを電気的に不活性化させるＮ（窒素）とが導入されている。 - 特許庁

A first portion 2 of the third layer CLa has the second conductivity type, has a high peak value of the impurity concentration as compared to the peak value of the impurity concentration of the second layer 1, and a second portion 16 has the first conductivity type.例文帳に追加

第３の層ＣＬａの第１の部分２は第２導電型を有し第２の層１の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有し、第２の部分１６は第１導電型を有する。 - 特許庁

To a p-type semiconductor substrate 1a, the semiconductor device forms an n-well 7 in which concentration increases in the depthwise direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 6, and a p-well 11 in which concentration increases in the depth direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 10.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１ａに半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク６を有するＮウエル７及び半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク１０を有するＰウエル１１を形成する。 - 特許庁

In the case of a bipolar transistor 2, the peak of the impurity concentration is observed in the plurality of depths L1-L5.例文帳に追加

このバイポーラトランジスタ２の場合、複数の深さＬ１〜Ｌ５において不純物濃度のピークが観測される。 - 特許庁

In the amorphous semiconductor layer obtained in this manner, a peak of a concentration of phosphorus is positioned near the surface of the gate insulating film.例文帳に追加

こうして得られる非晶質半導体層は、ゲート絶縁膜表面近傍にリンの濃度ピークが位置する。 - 特許庁

The difference of the left and the right of Cmax image wherein the concentration of contrast medium is maximum is compared in addition to Time-To-Peak image, and the affected/unaffected side can be determined without depending on the shape of ΔR2* curve.例文帳に追加

Time-To-Peak画像に加え造影剤濃度が最大となるCmax画像の左右差を比較することで、ΔR2*曲線の形状に依らずに患側/健側を判定できる。 - 特許庁

For example, in the case where the peak value of the CO concentration detected in the rich spike is higher than the predetermined critical CO concentration, since the degree of deterioration is large, the deterioration is determined.例文帳に追加

例えば、リッチスパイク中に検出したＣＯ濃度のピーク値が、所定の臨界ＣＯ濃度よりも高い場合には劣化度合いが大きいため、劣化と判断する。 - 特許庁

The diaphragm is formed of a silicon layer having a high concentration P type impurity and the peak concentration of the P type impurity is set in the inner section of the diaphragm in the depth direction of the diaphragm.例文帳に追加

振動板を高濃度のＰ型不純物シリコン層で形成し、振動板の厚さ方向で振動板内部に高濃度Ｐ型不純物のピーク濃度を持たせた。 - 特許庁

Even when crystal defects 240 are left at the depth position of the concentration peak at which the concentration becomes the maximum, the operation of a device is not influenced, because the defects 240 are out of an active layer.例文帳に追加

濃度が最大となる濃度ピークの深さ位置に結晶欠陥（２４０）が残存しても、これは、活性層外であるため、デバイスの作動に影響を与えない。 - 特許庁