「plane region」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The drawer member 12 is partitioned in its inner region 12a by a partition plate 12b provided orthogonally to the longitudinal direction of the drawer member 12 to regions A, B on both right and left sides respectively having the plane view rectangular shape.例文帳に追加

引出部材１２は、その内部領域１２ａが、引出部材１２の長手方向と直交して設けられた仕切板１２ｂによって、それぞれ平面視矩形状をした左右両側の領域Ａ，Ｂに仕切られている。 - 特許庁

An information inputting/detecting/displaying member 40 is provided with a picture inputting means for fetching an almost plane coordinate inputting/detecting region, and one part of the region of information fetched by the picture inputting means is converted into two-dimensional coordinate information, and the information is displayed at a prescribed position based on the coordinate.例文帳に追加

情報入力／検出／表示部材４０は、ほぼ平面の座標入力／検出領域を取り込む画像入力手段を有し、該画像入力手段により取り込まれた情報のうちの一部の領域を２次元座標情報に変換し、その座標にもとづいて所定の位置に情報を表示する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes an array substrate having a display region, a counter substrate having a display region, disposed opposing to the array substrate through a gap and having a display plane in an opposite side to the array substrate, a liquid crystal layer held between the array substrate and the counter substrate, a plurality of unit pixels 11, and a control unit.例文帳に追加

液晶表示装置は、表示領域を有したアレイ基板と、表示領域を有し、アレイ基板に隙間をおいて対向配置され、アレイ基板に対して反対側に表示面を含む対向基板と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、複数の単位画素１１と、制御部と、を備えている。 - 特許庁

To provide an end face emitting nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-dislocation density region and a low-dislocation density region without being affected by surface flatness in a nitride semiconductor growth layer, where a plurality of nitride semiconductor thin films are laminated on a wafer in a plane.例文帳に追加

本発明は、高転位密度領域と低転位密度領域を面内に有するウェーハ上に複数の窒化物半導体薄膜を積層して成る窒化物半導体成長層の表面平坦性の影響を受けることなく作製できる端面出射型の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multi-junction solar cell includes at least two or more photoelectric conversion layers 3 and 5, wherein intermediate reflection structures 8 made of metal particles, surfaces thereof being oxidized, are distributed in a lamination region 4 formed between the mutually adjacent photoelectric conversion layers, and in a state of islands along a plane direction of the lamination region.例文帳に追加

少なくとも２層以上の光電変換層３，５を含む多接合型太陽電池において、隣り合う光電変換層どうしの間に形成された積層領域４に、該積層領域の平面方向に沿って島状に分布する、表面を酸化させた金属粒からなる中間反射構造体８を形成する。 - 特許庁

This antenna device is structured such that a pair of planar antenna elements A are arranged at positions facing each other on the same plane by interposing a gap G, and the gap G is composed of a parallel region Gp where one-side ends are set at a constant distance, and an expansion region Ge where the distance between the other-side end sides monotonically increases.例文帳に追加

平面状で一対のアンテナエレメントＡを、同一平面上でギャップ部Ｇを挟んで対向する位置に配置し、一方の端部が一定間隔となる平行領域Ｇｐと、他方の端部側の間隔が単調に拡大する拡大領域Ｇｅとでギャップ部Ｇが構成され、構成されている。 - 特許庁

The scanning line drive circuit and drawing wiring lines for the scanning line drive circuit which are drawn from a part of the external circuit connection terminals to the scanning line drive circuit are arranged in a region where the second substrate exists on the first substrate in a plane view, in a peripheral region other than the overhang section.例文帳に追加

走査線駆動回路と複数の外部回路接続端子の一部から走査線駆動回路へ引き回される走査線駆動回路用引回配線とは、張出部上を除く前記周辺領域では、第１基板上で平面的に見て第２基板が存在する領域内に配置されている。 - 特許庁

As for a light guide body 20 extending along a curvature C expanding to the front side, a first region 20a1 located on the inner circumference side of the curvature C in the right end face 20a is constituted of a plane extending in a direction inclinded to the left end face side of the light guide body 20 against a second region 20a2 other than that.例文帳に追加

前方側へ膨らむ曲線Ｃに沿って延びる導光体２０において、その右端面２０ａにおける曲線Ｃの内周側に位置する第１領域２０ａ１を、それ以外の第２領域２０ａ２に対して導光体２０の左端面側へ傾斜した方向に延びる平面で構成する。 - 特許庁

A substrate P is held by a substrate holder PH on a substrate stage PST, an immersed region AR2 is formed on the image plane side of the projection optical system PL by using a liquid 1 supplied from a liquid supplying mechanism 10, and the substrate P is exposed by exposure light EL via the projection optical system PL and the immersed region AR2.例文帳に追加

基板ステージＰＳＴ上の基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持し、液体供給機構１０から供給される液体１を用いて投影光学系ＰＬの像面側に液浸領域ＡＲ２を形成し、露光光ＥＬで投影光学系ＰＬと液浸領域ＡＲ２とを介して基板Ｐを露光する。 - 特許庁

Furthermore, a glass mask 15 with an irradiated light amount controlled according to a plane position is used to make patterning in such a way that a plurality of intra-layer lenses including an intra-layer lens 12 on an outermost peripheral circuit region 3 side and an intra-layer lens 12 in the middle part of an effective pixel region 2 will be formed in the same lens shape.例文帳に追加

また、照射光量を平面位置に応じて制御されたガラスマスク１５を用いて、最も周辺回路領域３側の層内レンズ１２と有効画素領域２の中央部の層内レンズ１２とを含む複数の層内レンズ１２のレンズ形状が同一になるようにパターンニングを行う。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 62 transferring charge accumulated in the photodiode 61 to a floating diffusion region 63 and a reset transistor 64 resetting charge in the floating diffusion region 63, are arranged in a matrix in a plane.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１に蓄積された電荷を浮遊拡散領域６３に転送する転送ゲート６２と、浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするリセットトランジスタ６４とを少なくとも備える複数の単位画素５０が２次元に配列されている。 - 特許庁

In the step of induction-hardening the steel member, a region including a part to be the rolling surface of the rolling member is further quench-hardened to control an amount of retained austenite in a region between the surface to be the rolling surface and a plane of a 0.3 mm or less in depth therefrom to 50 vol.% to 70 vol.%.例文帳に追加

さらに、高周波焼入工程では、転動部材の転走面となる部分を含む領域がさらに焼入硬化されることにより、転走面となるべき面からの深さが０．３ｍｍ以下の領域における残留オーステナイト量が５０体積％以上７０体積％以下とされる。 - 特許庁

When displaying an ultrasonic diagnostic image generated for a three-dimensional region of a subject into which a puncture needle N is inserted, a tomographic image of a tomographic plane perpendicular to the insertion direction of the puncture needle N within the three-dimensional region is generated as the ultrasonic diagnostic image and is displayed.例文帳に追加

被検体において穿刺針Ｎが挿入される３次元領域について生成された超音波診断画像を表示する際には、その３次元領域において穿刺針Ｎが挿入される挿入方向が垂線になる断層面についての断層画像を、その超音波診断画像として生成し、表示する。 - 特許庁

The plane heater 1 is divided into four heating regions A, B, C and D having arranged the resistance body 9 and conductor 8 by one lateral slit 3 and four longitudinal slits, and into one electrode arrangement region E having arranged the electrodes 7, and can control the heater power of each heating region A, B, C and D independently.例文帳に追加

平面ヒータ１は１本の横スリット３と４本の縦スリット４とで、抵抗体９と導体８が配置する４つの加熱領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと、電極７が配置する１つの電極配置領域Ｅとに区画され、各加熱領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのヒータ電力を独立して制御できるようになっている。 - 特許庁

A fiber-reinforced resin component 18 in which a face region 10F including at least a sweet area and a crown region 10C including the maximum height position P as the head remains placed on a horizontal plane at a predetermined lie angle are integrally continued, is composed so as to be joined to a metal head body 20.例文帳に追加

少なくともスィートエリアを含むフェース部領域１０Ｆと、所定のライ角で水平面上に載置した状態での最高位置Ｐを含むクラウン部領域１０Ｃとが一体的に連続した状態の繊維強化樹脂製部品１８を、金属製ヘッド本体２０と接合するよう構成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which comprises an Si substrate 1 and a first SiGe layer 3 that is disposed on the Si substrate directly or via a different SiGe layer, is characterized in that the first SiGe layer has the in-plane distribution where the composition ratio of Ge decreases gradually from the central region toward the circumference region of the Si substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上に直接又は他のＳｉＧｅ層を介して配された第１のＳｉＧｅ層３とを備えた半導体基板であって、前記第１のＳｉＧｅ層は、Ｇｅ組成比が前記Ｓｉ基板表面の中心領域から周辺領域に向けて漸次低下した面内分布を有する。 - 特許庁

The semiconductor device having an N-type SiC layer 3, which has a hexagonal crystal structure, a P-type SiC region 4 provided on the main plane of the N-type SiC layer 3, and a P-type conductive layer 6 provided on the surface of the P-type SiC region 4, wherein the P-type SiC region 4 includes cubic structure SiC in the part touching the P-type conductive layer 6.例文帳に追加

六方晶構造を有するＮ型ＳｉＣ層３と、Ｎ型ＳｉＣ層３の主面に設けられたＰ型ＳｉＣ領域４と、Ｐ型ＳｉＣ領域４の表面上に設けられたＰ型導電層６と、を備え、Ｐ型ＳｉＣ領域４のうちのＰ型導電層６に接する部分は、立方晶構造のＳｉＣを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

The wiring board BP has: a semiconductor plane 30; a dielectric layer 40 laminated on the semiconductor plane 30; a pair of differential microstrip lines 100 which performs differential signal transmission in a predetermined region on the dielectric layer 40; and a plurality of skew adjustment sections 200 which perform skew adjustment in the differential microstrip lines 100.例文帳に追加

配線基板ＢＰは、導体プレーン３０と、導体プレーン３０上に積層された誘電体層４０と、誘電体層４０上の所定の領域に形成された差動信号伝送を行う一対の差動マイクロストリップ線路１００と、差動マイクロストリップ線路１００におけるスキュー調整を行う複数のスキュー調整部２００と、を備えている。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes an NMISFET region 3 including a GOI layer 6 or a Ge layer 8 wherein a triangular cross section thereof along a direction perpendicular to a direction in which a channel current flows, two of surfaces thereof are (111) planes and the other surface is a (100) plane, and an Si layer 7 formed on the (100) plane.例文帳に追加

チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その２面が（１１１）面で、残りの１面が（１００）面であるＧＯＩ層６またはＧｅ層８と、前記（１００）面上に形成されたＳｉ層７と、を備えたＮＭＩＳＦＥＴ領域３を備えたこと、を特徴とする半導体装置１。 - 特許庁

A plurality of ultrasonic oscillators 13... are so arranged that the projection figure 18 formed by projecting these ultrasonic oscillators 13... in a plane in the transportation direction A side and having the plane-like extent in the transportation direction A and the width direction B of a glass substrate 10 becomes one belt-like region having a width with the prescribed width value or wider.例文帳に追加

複数の超音波発振素子１３…を、ガラス基板１０の搬送方向Ａおよび幅方向Ｂに平面的な広がりを有し、かつ、これら超音波発振素子１３…を搬送方向Ａ側にある平面に投影した場合に得られる投影図１８が、上記所定幅以上の幅を有する一つの帯状領域となるように配置する。 - 特許庁

A current mirror type D/A converter circuit is constructed with transistor cells each including a MOS transistor, a gate region of which MOS transistor has folded stripe configuration in a plane view thereof, or a current flowing direction in a channel of which is a folded stripe in plane view.例文帳に追加

この発明は、ゲート領域が平面からみて折れ曲げられたストライブ状になっているＭＯＳトランジスタあるいはゲート領域に流れる電流の方向が平面からみて折り返されるストライプ状のチャネルを有するＭＯＳトランジスタを持つ多数のトランジスタセルを形成して、これらのトランジスタセルを用いてカレントミラー回路形のＤ／Ａを構成するものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

To provide a thermoplastic semiconductive material with less in-plane variation in a resistance value, less voltage dependence, less environment dependence in a use voltage region as a transfer roll, free from the bleedout of the material, and excellent in formability and recycling efficiency.例文帳に追加

抵抗値の面内バラツキが小さく、電圧依存性が小さく、転写ロールとしての使用電圧域において環境依存性が小さく、材料のブリードアウトがなく、成形性およびリサイクル性に優れる半導電材料の提供。 - 特許庁

By elevating and lowering the PET detector 31 in the vertical direction to the horizontal plane which is the rotation surface of the rotation part 47 in such a manner, the breast at the same region is diagnosed without moving a subject M.例文帳に追加

このように回転部４７の回転面である水平面に対して上下方向にＰＥＴ検出器３１を昇降移動させるように構成することで、被検体Ｍを動かさずに同一部位の乳房を診断することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, where a thickness t2 of the oxide film at a drain part is larger than a thickness t1 of the oxide film at a channel region part by selecting a crystal plane exposed on a trench surface.例文帳に追加

トレンチ表面に露出する結晶面を選択することにより、チャネル領域部分の酸化膜の膜厚ｔ１よりもドレイン部分の酸化膜の膜厚ｔ２を厚くした半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

Signal point particularizing sections 108, 208 particularize the signal point of the received signal projected to a point apart from an extension of a region for surrounding all reference points on the complex plane according to the multi-value modulation system by a prescribed distance.例文帳に追加

信号点特定部１０８，２０８は、多値変調方式に従う複素平面における全ての基準点を囲む領域の外延から所定距離以上の隔てられた箇所に投影された受信信号の信号点を特定する。 - 特許庁

The lengthwise retardation film 12 is obliquely oriented and has a slow phase axis 14 in an inclined direction with respect to the longitudinal direction of the film, and the film shows a quarter-wave in-plane phase difference at a wavelength in a visible ray region from 380 nm to 780 nm.例文帳に追加

長尺状位相差フィルム１２は斜め延伸され遅相軸１４がフィルム長手に対し斜め方向であり、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの可視光領域のいずれかの波長で１／４波長の面内位相差を有する。 - 特許庁

To provide a prepreg, a laminated plate, a multilayer printed wiring board and a semiconductor device, reducing elevation of thermal expansion coefficient in the plane direction within the temperature range of ordinary to mounted region and reducing the warpage of a mounted multilayered printed wiring board.例文帳に追加

常温から実装領域温度の範囲において面方向の熱膨張率の上昇を、実装時の多層プリント配線板の反りを低減させるプリプレグ、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device comprising a semiconductor pellet and a wiring board connected electrically while facing each other and boded through resin, a region slightly inside of the outer circumference of the wiring board is irradiated with plasma and resin is placed in the plane irradiated with plasma.例文帳に追加

半導体ペレットと配線基板とを対向させ電気的に接続し樹脂にて接着した半導体装置において、配線基板の外周よりやや内側領域にプラズマ照射し、このプラズマ照射面内に樹脂を配置する。 - 特許庁

Additionally, as common electrodes 4 and pixel electrodes, which are formed in the display region with steps different with each other, can be formed on the same plane, there is no uneven distribution of electric field generated between electrodes and the occurrence of display unevennes is prevented.例文帳に追加

また、表示部において異なる工程で形成される共通電極４と画素電極とを同一平面上に形成できるため、電極間に発生する電界に偏りが無くなり、表示ムラ等が防止できる。 - 特許庁

The photomask is provided with a device pattern having an opening part and a mask pattern and a focus monitor pattern or an exposure monitor pattern which has the opening part and the mask pattern and has the same plane pattern shape with at least one part of region of the device pattern on a photomask.例文帳に追加

フォトマスク上に、開口部とマスク部を有するデバイスパターンと、開口部とマスク部を有し、デバイスパターンの少なくとも一部の領域と同じ平面パターン形状を持つフォーカスモニターパターンまたは露光量モニターパターンを有する。 - 特許庁

The impeller 5 is so arranged that part of itself exists in a space S defined by extending a plane region A encircled by the winding of the driving coil 3 toward the axial center of the driving coil 3.例文帳に追加

ここで、インペラ５は、駆動用コイル３の巻線によって囲まれる平面領域Ａを、この駆動用コイル３の軸心方向へと延在させることによって画定される空間Ｓ内に、自己の一部が含まれるように配置されている。 - 特許庁

To provide a scanning type plane shape measuring device which takes highly accurate surface shape measurement of a large-size inspection surface by using an interferometer having a small observation region by reducing the influence of a movement error in scanning.例文帳に追加

走査時の運動誤差の影響を減少させ、観測領域が小さい干渉計を用いて大きなサイズの被検面に対して高精度な面形状測定を行うことができる走査型平面形状測定装置を提供する。 - 特許庁

A second interferometer I_2 is arranged opposite to a first interferometer I_1 to measure a transmission wave front of an optical system T_1 to be inspected with a reflecting plane mirror F_1 having a diameter smaller than a region to be measured of an optical system T_1 in between.例文帳に追加

被検光学系Ｔ_1の被測定領域よりも小口径の折り返し平面鏡Ｆ_1を挟んで、被検光学系Ｔ_1の透過波面を測定する第１の干渉計Ｉ_1と対向するように第２の干渉計Ｉ_2を設ける。 - 特許庁

The sense region 9 has a rectangular plane and the Y direction intersecting the X-direction for arranging the first semiconductor layer 15 and the second semiconductor layer 17 alternately in the single crystal semiconductor portion 19 becomes the longitudinal direction.例文帳に追加

センス領域９の平面は長方形であり、第１半導体層１５と第２半導体層１７が交互に配置されるＸ方向に対して単結晶半導体部１９上で交差するＹ方向が長手方向となる。 - 特許庁

Information on the plane original image is recorded by variation of lateral pitch (variation of arithmetic point density) of the grooves formed in each unit region, and hologram interference fringe of the stereoscopic original image is recorded by the distribution of aperture areas of the grooves.例文帳に追加

各単位領域に形成された溝の横方向ピッチのバリエーション（演算点密度のバリエーション）により、平面原画像の情報が記録され、溝の開口面積の分布により立体原画像のホログラム干渉縞が記録される。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

The mirror member 19 is arranged rising vertically approximately, and in its upright attitude, the vehicle information display given in a region L3 of a display plane part 9a is projected unchangedly on the projection part 11a of the windshield 11.例文帳に追加

ミラー部材１９が、略垂直に起立する様に構成されていて、起立状態では、表示面部９ａの領域Ｌ３に表示された車両情報表示が、そのまま、フロントウインドウパネル１１の投影部１１ａに投影される。 - 特許庁

An annular bank unit 2 which serves as the flow resistance of air is worked so as to be lower than the plane region of pin type projections 1 whereby the work to be attracted is be contacted fundamentally with an annular bank 2.例文帳に追加

空気の流通抵抗となる環状土手部２はピン状凸部１の平面領域よりも低く加工されており、被吸着物の吸着時において、被吸着物は環状土手部２には基本的には接触しない。 - 特許庁

To solve the problem of a multipoint focus detection system that it is difficult to extract a high-frequency component for focus adjustment since a focus detected value obtained in a focus detection region at a peripheral part on an image plane is affected by a chromatic aberration of magnification.例文帳に追加

多点焦点検出方式において、画面の周辺部の焦点検出領域での焦点検出値は、倍率色収差の影響を受け、焦点調節用の高周波成分の抽出が困難である。 - 特許庁

Further, provided is a processing stage of varying the film thickness of the peeling layer in a gap where a desired semiconductor device is to be formed (in a region between a semiconductor and a semiconductor on a plane), namely, forming a step on the peeling layer.例文帳に追加

さらに所望する半導体装置が形成される隙間（平面上で半導体装置と、半導体装置と、の間の領域）の、剥離層の膜厚を変える、すなわち剥離層に段差を設ける加工工程を有する。 - 特許庁

A representative color discriminating part 233 represents one plane by a monochromatic image on the basis of the image data stored in the foreground image storing part of the separated data storing part 232 and discriminates the number of colors of the foreground region on the basis of this representation result.例文帳に追加

代表色判別部２３３は、分離データ格納部２３２の前景イメージ格納部に格納されたイメージデータに基づいて１プレーンを単色画像で表現し、この表現結果に基づいて前景領域の色数を判別する。 - 特許庁

A base electrode 11, in a collector top heterojunction bipolar transistor is brought into contact with the side plane of a base layer 5 which has not been subjected to ion implantation and with the front surface of a high resistance parasitic emitter region 14, which has been subjected to the ion implantation.例文帳に追加

コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極１１がイオン打ち込みがなされていないベース層５の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域１４の表面に接するようにする。 - 特許庁