「plane region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The disk substrate is formed by injection molding, by using a stamper 10 in which at least the position in the part to be in contact with the disk substrate and corresponding to the clamp region of the clamp reference plane is formed as a flat face and in which the center hole is made smaller than the innermost circumference of the clamp region.例文帳に追加

ディスク基板に接する部分のうちの、少なくともクランプ基準面のクランプ領域に対応した位置が平坦面状に構成され、その中心孔がクランプ領域の最内周より小さいスタンパー１０を用いて、ディスク基板を射出成形する。 - 特許庁

A model an attribute arrangement plane an attribute arrangement recommendation region and attribute information are present on a three-dimensional space, and the attribute information arranged beyond the attribute arrangement recommendation region can be discriminated on a CAD or at the destination of an output such as paper or the like.例文帳に追加

３次元空間上に、モデルと属性配置平面と属性配置推奨領域と属性情報が有り、属性配置推奨領域外に配置された属性情報をＣＡＤ上、あるいは紙等の出力先で識別可能にするという特徴を有する。 - 特許庁

The region connected through the first anisotropic conducting material 115 and the region connected through the second anisotropic conducting material 125 are formed not overlapping with each other when observed in a normal direction of the principal plane of the insulating board 102.例文帳に追加

また、第１の異方性導電材１１５により接続された領域と第２の異方性導電材１２５により接続された領域とを、絶縁基板１０２の主面の法線方向から見た場合、両者が重複しないように形成されたものである。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based semiconductor element configured such that contact resistance between an electrode provided on a semiconductor layer and a group III nitride-based semiconductor region can be suppressed to be small when a surface of the group III nitride-based semiconductor region is inclined from a (c) plane.例文帳に追加

III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

The distribution feedback surface-emitting laser has a plurality of first photonic crystal regions causing laser oscillation, a second photonic crystal region causing light diffraction in the out-of-plane direction, and an optical absorber provided above the second photonic crystal region and absorbing light of wavelength λ.例文帳に追加

レーザ発振を起こす複数の第１のフォトニック結晶領域と、面外方向への光回折を起こす第２のフォトニック結晶領域と、第２のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体を有する。 - 特許庁

A light shielding layer 106 provided with a function to absorb the blue light or the light in the ultraviolet rays region contained in light from a light source is formed on a peripheral picture frame region 102c of a glass substrate 101 so as to overlap with a part of the black color filter 107 in plane therewith.例文帳に追加

ガラス基板１０１上の周辺額縁領域１０２ｃに、光源光に含まれる青色乃至紫外線領域の光を吸収する機能を備えた遮光層１０６を、黒色カラーフィルタ１０７の一部と平面的に重なり合うように形成した。 - 特許庁

A fiber single thread group 100 is formed by fixing plural fiber treads 105 at a fixed region 110, arranged unidirectionally, uniformly and in a plane not to cause displacement of the fiber single threads each other, which fixed region 110 is formed on one end in the length direction.例文帳に追加

一定の方向性で平面状に且つ均一に引き揃えた多数の繊維単糸１０５を、長さ方向の一端に形成した固定領域１１０で繊維単糸相互の位置ずれが生じないように固定して繊維単糸群１００を構成する。 - 特許庁

A modify region M3 is formed in the wafer 11, and a crack a3 is generated from the modify region M3 to extend in a direction parallel with the thickness direction of the wafer 11 but inclining against a plane including the line 5 such that the crack a3 is coupled with the crack b2.例文帳に追加

ウェハ１１の内部に改質領域Ｍ３を形成し、割れｂ２と連結するように、ウェハ１１の厚さ方向に平行であり且つライン５を含む面に対して傾斜する方向に延びる割れａ３を改質領域Ｍ３から発生させる。 - 特許庁

To an object 10 represented by 3-dimension form data with symmetry, a first specified region A1 is set on one side with symmetry, and the first specified region A1 is inverted with respect to the symmetrical plane to generate a template.例文帳に追加

対称性を有する３次元形状データにより表される物体１０に対して、対称性を有する一方の側に第１の所定領域Ａ１を設定し、第１の所定領域Ａ１を対称な面に対して反転してテンプレートＴを作成する。 - 特許庁

A nitride-based semiconductor element comprises a semiconductor laminated structure 20 having a p-type semiconductor region in which a surface 12 is inclined at an angle ranging from 1° or more to 5° or less with respect to the m-plane, and an electrode 30 formed on the p-type semiconductor region.例文帳に追加

本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜したｐ型半導体領域を有する半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。 - 特許庁

The detected kinetic regions are converted to a kinetic region of a plane coordinate system in a coordinate conversion part 123 using conversion information for converting the respective camera images obtained by a conversion information obtaining part 121 to a specified plane coordinate system in the real space.例文帳に追加

検出された各動体領域を、座標変換部１２３で、変換情報取得部１２１で取得された各カメラ画像を実空間内の指定された平面座標系に変換するための変換情報を用い、当該平面座標系の動体領域に変換する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for suppressing the generation of any crystal defect in the case of creating a region having different crystal plane orientation on the substrate surface by using a semiconductor substrate where a semiconductor layer having the different crystal plane orientation is laminated.例文帳に追加

異なる結晶面方位を有する半導体層が積層された半導体基板を用いて、基板表面に異なる結晶面方位を有する領域を作成する場合に、結晶欠陥の発生を抑制することを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On an upper plane of a wiring substrate 13 provided with a connecting pad 12 on the upper plane, a no flow underfilling resin 16 containing ball-like particles 17 of diameter 100 μm formed with silicon oxide is applied, and the ball-like particles 17 are stationed in a region between the connecting pads 12.例文帳に追加

上面に接続用パッド１２を備える配線基板１３の上面に、酸化珪素から形成された直径１００μｍの球状粒子１７を含有させたノーフローアンダーフィル用樹脂１６を塗布し、球状粒子１７を接続用パッド１２間の領域に配置する。 - 特許庁

When an optical pickup module 4 is attached to this tray 3 and the tray 3 is housed in the case 2, a hollow 10 bent to a plane side on which the optical disk is loaded is formed in a region corresponding to the upper part of the gap out of a main flat plane of a case part 2a of the upper side.例文帳に追加

このトレイ３に対して光ピックアップモジュール４が取り付けられ、トレイ３が筐体２に収納されるときに、上側の筐体部２ａの主平面のうち、空隙の上方に相当する領域には、光ディスクが装着される面側に湾曲した窪み１０が形成されている。 - 特許庁

When the lens 9 is moved in a predetermined region of a plane perpendicular to the optical axis (XY plane defined by the X direction and the Y direction), the regions where the lens frame 10 can contact with the vibrating bodies 11, 12, 13 are the contact regions 31a, 32a and 33a.例文帳に追加

光軸に垂直な平面内（Ｘ方向とＹ方向とで規定されるＸＹ平面内）における所定領域内でレンズ９を移動させる際にレンズ枠１０と振動体１１，１２，１３とが接触しうる領域が接触領域３１ａ，３２ａ，３３ａである。 - 特許庁

A plurality of pushers 3 are provided, which are formed on a rectangular plane 3a with its tip end surface formed wider in the direction of a furnace traversing plane, and each pusher freely go forward and backward in such a manner that it penetrates a furnace wall and advances in a downwardly inclined direction toward a furnace dust layer in the thermal decomposition region.例文帳に追加

先端面が炉横断面方向に幅広く形成した方形面３ａに形成された複数体のプッシャ３を備え、各プッシャが、炉壁を貫通して熱分解域の炉内ゴミ層に向けて下り傾斜方向に進出するように進退可能に設けられている。 - 特許庁

The largest minimum density value out of a plurality of density values specified to the pixels by the duplicate region is set as a local minimum value, and the smallest maximum density value is set as a local maximum value to form a minimum density plane and a maximum density plane comprising the pixels having this density value.例文帳に追加

ここで重複領域によって画素に特定された複数の濃度値のうち一番大きい最小濃度値を局所最小値とし、一番小さい最大濃度値を局所最大値としてこの濃度値を持つ画素よりなる最小濃度平面および最大濃度平面を生成する。 - 特許庁

The light beam 600 enters inclined to a reference plane of the light intensity distribution shaping member 110 and propagates while reflecting in the angle intensity distribution shaping region, and the light beam 1000 enters nearly perpendicularly to the reference plane of the light intensity distribution shaping member 110.例文帳に追加

光線６００は光強度分布整形部材１１０の基準平面に対して傾斜して入射して角度強度分布整形領域で反射しながら伝播し、光線１０００は光強度分布整形部材１１０の基準平面に対して略垂直に入射する。 - 特許庁

If the refractive index of the medium 60 is n, the depth of the medium 60 from the plane of incidence to the focal point of the lens 50 is d and the aberration generated by the medium 60 is Δs, the region of aberration is between n×d and n×d+Δs from the incident plane of the medium 60.例文帳に追加

この収差範囲は、媒質６０の屈折率をｎ、媒質６０の入射面からレンズ５０の焦点までの深さをｄ、媒質６０によって発生する収差をΔｓとすると、媒質６０の入射面からｎ×ｄ以上ｎ×ｄ＋Δｓ以下である。 - 特許庁

Furthermore, the projection area of the outer surface 27 opposing the circuit board, in an effective electrode region where the height from the reference plane of the terminal electrode 20 becomes larger than the maximum height minus the diameter of the conductive particle, to the reference plane is set as the effective reference area.例文帳に追加

さらに、端子電極２０の基準面からの高さが当該高さの最大値から導電性粒子の直径を引いた値以上となる有効電極領域における回路基板に対向する外表面２７の基準面への投影面積を有効電極面積とする。 - 特許庁

In the processing method of optical element, compression forming is performed by using a free curved plane die having the surface roughness Ra ≤6 nm and the shape precision PV ≤1 μm in the superplasticity flow temperature region of the amorphous metal thin film and the surface roughness and shape precision of the free curved plane die is applied.例文帳に追加

加工方法において、非晶質金属薄膜の超塑性流動温度域で、面粗度Ｒａ≦６ｎｍ及び形状精度ＰＶ≦１μｍ以下の自由曲面型を用いて圧縮成形し、自由曲面型の表面粗度及び形状精度を付与させる。 - 特許庁

The decoding capability information includes information, with respect to the parameters selected from wavelet transform, number of gradations, color conversion, DC level shift, tiling, tile size, image size, bit-plane coding, sub bit-plane coding, lossless coding, progressive system, enhancement of selected region image quality, and suppression of tile border distortion.例文帳に追加

復号能力情報はウェーブレット変換、階調数、色変換、ＤＣレベルシフト、タイル分割、タイルサイズ、画像サイズ、ビットプレーン符号化、サブビットプレーン符号化、ロスレス符号化、プログレッシブ方式、選択的領域画質向上及びタイル境界ひずみ抑制の中から選択されたパラメータに関する情報を含む。 - 特許庁

The graphic processing unit 16 is composed so that various drawing objects arranged in the graphic plane are stored in the intermediate buffer 13B as the drawing data so as to extract the drawing data from the intermediate buffer 13B for each rectangular region after dividing a drawing region in the graphic plane occupied by the drawing data into a plurality of the rectangular regions that are not overlapped with each other.例文帳に追加

グラフィック処理ユニット１６はグラフィック平面内に配置される様々な描画オブジェクトを描画データとして中間バッファ１３Ｂに格納し、描画データによって占有されるグラフィック平面内の描画領域を互いに重複しない複数の矩形領域に区分し、描画データを各矩形領域毎に中間バッファ１３Ｂから抽出するように構成される。 - 特許庁

The resistance thermal fuse includes a base body including a plurality of laminated substrates and having a pair of recesses in the topmost substrate, a thermal fuse element provided on the substrate in a region between the pair of recesses in a plane view, and a heating resistor provided in the substrate in a region overlapping the thermal fuse element in the plane view.例文帳に追加

複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に一対の凹部を有する基体と、前記基体上であって、平面視して前記一対の凹部で挟まれる領域に設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体内であって、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A region PR1, which is a projection of the radiation shielding film 21a (21b) integrally formed with one penetrating conductor 20 in one interlayer portion to a virtual plane perpendicular to a predetermined direction, and a region, which is a projection of the radiation shielding film 22b or 22c (22c) formed integrally with other penetration conductor 20 in other interlayer portion to a virtual plane, do not overlap with each other.例文帳に追加

一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ（２１ｂ）を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２２ｂ又は２２ｃ（２２ｃ）を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。 - 特許庁

An oxide layer is etched, by which a first oxide spacer 108 is left on a substrate adjacent to the gate polysilicon layer 112, the gate polysilicon layer 112 and the source region 106 of the substrate are selectively etched using a nitride layer or the like deposited on the oxide spacer 108 as a mask, and a recess 117 which includes a vertical plane and a horizontal plane is formed adjacent to the source region 106.例文帳に追加

酸化物層をエッチングして、基板上にゲート１１２に隣接させて第一酸化物スペーサ１０８を残し、その上に堆積した窒化物層等をマスクとしてゲートポリシリコン層１１２及び基板におけるソース領域１０６を選択的にエッチングして、実質的に垂直な面と水平な面を含む凹部１１７をソース領域１０６の隣に形成する。 - 特許庁

(1) The dislocation concentrated region 24 has a V-shape by forming an inclined plane composed of facet planes 23 on both sides of a bottom which is a dense dislocation region of a stripe-state, becomes a stripe-state by growing the nitride while the inclined plane of the facet planes 23 is maintained so as to concentrate crystal defects, and further becomes various states.例文帳に追加

（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。 - 特許庁

In a photodetector detecting return light from a bottom plane of SIL 11 in order to detect a gap and tilt of the optical recording medium 12 and SIL 11, when SIL 11 drives the optical recording medium 12 in the tracking direction, return light from the bottom plane of SIL has a first region and the second region along a moving direction in the photodetector.例文帳に追加

光記録媒体１２とＳＩＬ１１とのギャップ及びチルトを検出するために、ＳＩＬ１１の底面からの戻り光を検出する光検出器において、ＳＩＬ１１が光記録媒体１２をトラッキング方向に駆動する際に、ＳＩＬ底面からの戻り光が、光検出器において移動する方向に沿って第一の領域と第二の領域を有している。 - 特許庁

In step and repeat type imprinting, an alignment mark on the mold side is formed at a position parted from a groove structure on the same plane as the transcription region of the mold, and is not aligned with the substrate side alignment mark in a transcribed region where imprinting is performed, but is aligned with the transcribed region vertically, horizontally, and diagonally brought into contact with the transcribed region.例文帳に追加

ステップアンドリピート方式のインプリントにおいて、モールド側アライメントマークを、モールドの転写領域と同一面上であって、溝構造を隔てた位置に形成し、インプリントしようとしている被転写領域内の基板側アライメントマークではなく、前記被転写領域に対して上下、左右、対角に接する被転写領域内の基板側アライメントマークとアライメントすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Dislocations are collected into the region H25 to reduce dislocations in the surrounding low defect single crystal region Z and the C-plane growth region.例文帳に追加

下地基板２１の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセット２６よりなる直線状のＶ溝（谷）２４を形成しこれを維持しながらＧａＮ２２をファセット成長させファセット面２６よりなるＶ溝（谷）底部に欠陥集合領域Ｈ２５を形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ＺとＣ面成長領域を低転位化する。 - 特許庁

In the anisotropic region 2a, the coefficient of linear expansion, in a direction directed toward the center section of the semiconductor-package loading section 4 in the anisotropic region, is larger than that in the in-plane direction of the mounting substrate orthogonal to the direction directed toward the central section, and is larger than that in the direction directed toward the anisotropic region in the semiconductor-package loading section 4.例文帳に追加

異方性領域２ａは、異方性領域における半導体パッケージ搭載部４の中央部に向かう方向の線膨張係数がその方向に直交する実装基板面内方向の線膨張係数よりも大きく且つ半導体パッケージ搭載部４における異方性領域の方向に向かう方向の線膨張係数よりも大きい。 - 特許庁

Cleaning by ion beam irradiation is performed to eliminate conductive smear after grinding a row bar or a floating plane of a magnetic head slider 10, oxygen exposure is performed to recover a damage region 14a formed at an end plane of an intermediate layer 14 of a magneto-resistance effect film 5 by ion beam irradiation , after that, floating plane protection films 7, 8 are formed, successively, rail processing is performed.例文帳に追加

ローバー５０あるいは磁気ヘッドスライダ１０の浮上面機械研磨後に、導電性スメアを除去するためにイオンビーム照射によるクリーニングを行い、イオンビーム照射により磁気抵抗効果膜５の中間層１４の端面に形成されている損傷領域１４ａを回復させるために酸素曝露を行い、この後、浮上面保護膜７，８を形成し、続いてレール加工を行う。 - 特許庁

Information about the tilting of an objective lens when a signal characteristic of a push-pull signal becomes the prescribed value is obtained (step 451-463) at a region of a recording plane including at least the neighborhood of an object region of access in accordance with an access request for an information recording medium.例文帳に追加

情報記録媒体に対するアクセス要求に応じて、アクセスの対象領域の少なくとも近傍を含む記録面の領域で、プッシュプル信号の信号特性が所定値となるときの対物レンズの傾きに関する情報が取得される（ステップ４５１〜４６３）。 - 特許庁

A diffusion member 110 is arranged in a space SP taken by eight suction nozzles 83, an LED lighting part 120 is arranged in a region on one side of a virtual vertical plane VP, and an imaging part 130 is arranged in a region on the other side.例文帳に追加

８本の吸着ノズル８３で取り込まれた空間ＳＰに拡散部材１１０が配置されるとともに、仮想鉛直面ＶＰに対して一方側の領域にＬＥＤ照明部１２０が配置される一方、他方側の領域に撮像部１３０が配置されている。 - 特許庁

In a laminated chip varistor 1, an external electrode 51 has a first region 61 to which a drawn out portion 33a of a second internal electrode 33 is connected, and a second region 62 to which a solder electrode 53 is connected, both of which are formed on the same plane where they do not overlap each other.例文帳に追加

積層チップバリスタ１では、外部電極５１において、第２の内部電極３３の引出部分３３ａが接続される第１の領域６１と、ハンダ電極５３が接続される第２の領域６２とが同一の平面部において互いに重ならない位置に形成されている。 - 特許庁

In this case, since the mesh-like channels 16 are provided spreadly over the whole region of the predetermined region 12 so as to have anisotropy when viewed in a plane, sufficient energy absorption amount can be obtained while ensuring required rigidity when compared with a case where many parallel channels are simply provided.例文帳に追加

その場合に、平面視において異方性を有するように網目状の溝１６が所定範囲１２の全域に分布して設けられているため、単純に多数の平行溝を設ける場合に比較して、必要な剛性を確保しつつ十分なエネルギー吸収量を得ることができる。 - 特許庁

A partial blank region 234 having no negative pole material 231 attached thereon is formed on at least one or more portions in an electrode plane of a negative pole 23 opposite to a positive pole 21, and a metal lithium 41 for preparatory absorption is stuck on the blank region 234.例文帳に追加

正極２１と対向する負極２３の電極面内に、負極材２３１が添着されていない部分的な空白領域２３４を少なくとも１個所以上に形成するとともに、この空白領域２３４に予備吸蔵用の金属リチウム４１を貼着する。 - 特許庁

The discharge opening 13 is arranged in a region on an upper side of heating part, a region higher than a virtual plane vertical to the direction of gravity passing through the center 22 of the maximum heating part of the heater 20, and the lead-in opening 12 is arranged on a lower side of the discharge opening 13 in the direction of gravity.例文帳に追加

ヒータ２０の最高発熱部中心２２を通る重力方向に垂直な仮想平面より上側の領域である加熱上側領域に排出口１３が配置され、排出口１３より重力方向下側に導入口１２が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for stably, inexpensively and automatically obtaining a discrimination between a normal state of maintaining region of an imaging target plane having a gloss and positively reflecting an illumination light and a region to be abnormal state due to a process and a deterioration at the predetermined accuracy in a short time without a troublesome work.例文帳に追加

光沢のあり照明光を正反射する被撮像面の正常状態維持領域と加工又は劣化等により非正常状態になった領域を区別することを、手間をかけないで安定的に、所定の精度で、短時間に、低いコストで、且つ自動的に得る方法を提供する。 - 特許庁

The irregular light scattering pattern is the one obtained for example by forming a prescribed number of dots 16' composing the light scattering pattern 8' in each region having the same area on the virtually divided main plane 7 and by irregularly disposing the dots 16' in the region.例文帳に追加

不規則な光散乱パターンとは、例えば、光散乱パターン８’を構成するドット１６’を、仮想的に区切った主平面７上の同一面積の領域内に、それぞれ所定の数だけ形成すると共に、その領域内でドット１６’を不規則に配置させることをいう。 - 特許庁

In the transflective liquid crystal device of the in-plane switching mode, a liquid crystal layer is interposed between an element substrate and a color filter (CF) substrate and the liquid crystal layer in a transmission display region has a phase difference of λ/2 and the liquid crystal layer in a reflection display region has a phase difference of λ/4.例文帳に追加

液晶装置は、半透過反射型の横電界方式の液晶装置であり、素子基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板との間に液晶層を挟持してなり、透過表示領域の液晶層はλ／２の位相差を、反射表示領域の液晶層はλ／４の位相差を有する。 - 特許庁

The depth of a p-base region, between R-S which corresponds to the circular-arc section of the gate electrode 38, is shallower than the depth of a p-base region between Q-R which corresponds to the linear section of the gate electrode 38 in cross-section configurations in cutting-plane lines Q-R-S passing the gate electrode 38.例文帳に追加

ゲート電極３８を通る切断線Ｑ−Ｒ−Ｓにおける断面構成において、ゲート電極３８の弧状部分に対応するＲ−Ｓ間のｐベース領域の深さは、ゲート電極３８の直線状部分に対応するＱ−Ｒ間のｐベース領域の深さよりも浅い。 - 特許庁

In a semiconductor in which an n-type transistor and a p-type transistor are formed on a (551) plane of silicon, a thickness of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the n-type transistor is smaller than that of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the p-type transistor.例文帳に追加

ｎ型トランジスタおよびｐ型トランジスタがシリコンの（５５１）面に形成された半導体装置において、前記ｎ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さが前記ｐ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さよりも薄い。 - 特許庁

The wiring board has at least one conductor layer and resin insulating layer each stacked on at least the one principal surface of the core layer, and a slit is formed in a plane conductor region provided in a non-wiring region of the conductor layer.例文帳に追加

コア層の少なくとも一方の主面において、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも一層積層されてなる配線基板であって、前記導体層の非配線領域に設けられたプレーン状導体領域にスリットを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

Then, a lower piezoelectric layer 40 and an intermediate piezoelectric layer 41 other than a first active section R1 in a region overlapped with the first active region R1 from its plane view are moved from the lower piezoelectric layer 40 (face side separated from the first active section R1), and through-holes 40a and 41a are formed (removal process).例文帳に追加

そして、平面視で第１活性部Ｒ１と重なる領域にある第１活性部Ｒ１以外の、下部圧電層４０及び中間圧電層４１を下部圧電層４０側（第１活性部Ｒ１から離れた面側）から除去し、貫通孔４０ａ、４１ａを形成する（除去工程）。 - 特許庁