意味 | 例文 (973件) |
reaction-tubeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 973件
The reaction tube 26 has a maximum inside diameter of a part 26c located in the cooling section 24, adjusted to be 3 to 20 times that of the part 26b located in the reduction section 23.例文帳に追加
そして、反応管26における冷却部24に位置する部分26cの最大内径を、還元部23に位置する部分26bの最大内径の3乃至20倍とする。 - 特許庁
Since the protection film 8 is formed at the portion where the chemical filled in the light-emitting tube 1a is easily accumulated, the reaction between the quartz glass and the filled matter is suppressed and devitrification is suppressed.例文帳に追加
保護膜8が、発光管1a内部に封入された薬品溜まりやすい部分に形成されているためが石英ガラスと封入物との反応を抑える失透を抑制する。 - 特許庁
Then the substrate is taken out of a reaction tube, and a self-standing GaN substrate 35 is obtained by removing the sapphire substrate 31, the GaN low-temperature buffer layer 32 and a portion of the GaN layer 33.例文帳に追加
次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板31、GaN低温バッファ層32およびGaN層33の一部を除去することにより自立GaN基板35を得る。 - 特許庁
To provide heat treatment equipment capable of performing heat treatment at a high temperature of 1,400°C or above by manufacturing a reaction tube in which problems of a prior art, i.e. a shape, machining accuracy, strength, and the like, are solved.例文帳に追加
従来技術の問題点である形状や加工精度、強度などを解決した反応管を製作し1400℃以上の高温で熱処理ができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁
The similar effect is obtained by alternately packing layers of the methane direct reforming catalyst 3 and layers of the hydrogen storage substance 4 into a reaction tube 2 and catalytically reacting methane.例文帳に追加
また、反応管2にメタン直接改質触媒3の層と水素吸蔵物質4の層を交互に充填してメタンを接触反応させても同様の効果を得ることができる。 - 特許庁
In the cleaning process, cleaning gas containing fluorine gas and chlorine gas is fed into the reaction tube heated to 300°C, and silicon nitride is thereby removed to clean the interior of the heat treatment equipment.例文帳に追加
洗浄工程では、300℃に加熱された反応管内に、フッ素ガスと塩素ガスと窒素ガスとを含むクリーニングガスを供給し、窒化珪素を除去して熱処理装置の内部を洗浄する。 - 特許庁
On a central portion of a tube axis at the rear end of the combustion chamber 10, a neutralizer blowing nozzle 13 is provided for blowing into the combustion chamber 10 a neutralizer which causes neutralizing reaction with SOx.例文帳に追加
燃焼室10の後端の管軸中央部に、燃焼室10にSOxと中和反応させる中和材を吹き込むための中和材吹き込みノズル13が設けられている。 - 特許庁
To provide a substrate processing technique which can form a tungsten-containing film on a substrate with good productivity even in a hot wall type substrate processing apparatus whose reaction tube is made of quartz.例文帳に追加
反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。 - 特許庁
Thereafter, gas in the reaction tube 2 is discharged and ammonia is introduced from an alkaline gas introduction pipe 14 into the inner pipe 3 thus heating the coating film under alkaline atmosphere.例文帳に追加
次に、反応管2内のガスを排出し、アルカリ性ガス導入管14からアンモニアを内管3内に導入して塗布膜を加熱して、塗布膜をアルカリ性雰囲気下で加熱する。 - 特許庁
A vertical rapid cooling furnace, wherein a semiconductor wafer is treated with internal cooling and recirculating gas, comprises a heating wall reaction tube arranged in a cylindrical heating coil array.例文帳に追加
要約すると、半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉が、円筒状の加熱コイル列内に配置された加熱壁反応管を含んでいる。 - 特許庁
An integrated section of a biological reaction tube includes: a metastatic film carrier having a base surface; and a metastatic film of the laser capturing microdissection bonded to the base surface of the metastatic film carrier.例文帳に追加
生物学的反応管の一体化部分は、基盤表面を有する転移フィルム担体;及び転移フィルム担体の基盤表面に結合したレーザー捕捉顕微解剖の転移フィルムを含む。 - 特許庁
Ions accelerated by the ion sheath formed through capacitive coupling of the coil antenna 23 collide against etching products trying to adhere to the inner wall of the reaction tube 14 thus diffusing the etching products.例文帳に追加
コイルアンテナ23の容量結合によるイオンシースで加速されたイオンと反応管14内壁に付着しようとしているエッチング生成物は衝突し、エッチング生成物は拡散される。 - 特許庁
The temperature sensor insert apertures 9a, 11a are provided in a position where the temperature sensor can be inserted into the reaction tube 1 in the state where the wafer holding section 7 is loaded on the supports 9, 11.例文帳に追加
温度センサ挿入口9a,11aは支持部9,11にウエハ保持部7が搭載された状態で温度センサを反応管1内に挿入可能な位置に設けられている。 - 特許庁
It is preferable that the synthesized aluminum nitride powder is introduced into the colleting system while it is forcefully cooled by supplying a non-oxidative cooling gas near the jointing part of the collecting system in the reaction tube.例文帳に追加
非酸化性冷却ガスを捕集系接続部近傍の反応管内に供給し、合成された窒化アルミニウム粉末を強制冷却しながら捕集系に導くことが好ましい。 - 特許庁
Cleaning of heat treatment equipment involves a heating process in which the interior of a reaction tube is heated to 300°C; and a cleaning process in which silicon nitride sticking to the interior of the heat treatment equipment is removed.例文帳に追加
熱処理装置の洗浄処理は、反応管内を300℃に加熱する加熱工程と、熱処理装置の内部に付着した窒化珪素を除去する洗浄工程と、を備えている。 - 特許庁
The supplied cleaning gas is activated in the reaction tube 2 and removes extraneous matter adhered to the interior of the thin film formation apparatus 1, thereby cleaning the interior of the thin film formation apparatus 1.例文帳に追加
供給されたクリーニングガスは反応管2内で活性化され、薄膜形成装置1の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置1の内部を洗浄する。 - 特許庁
The substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 203 for forming the treatment chamber 201 inside, and treats a wafer 200 by utilizing plasma generated by the plasma source 250 in the treatment chamber 201.例文帳に追加
基板処理装置は、処理室201を内部に形成する反応管203を備え、処理室201内のプラズマ源250で生成したプラズマを利用してウェハ200を処理する。 - 特許庁
In the surface wave excitation plasma CVD device 100, a material gas comprising silicon element is introduced into a chamber 1 by at least one of an upper surface side introduction tube and a side surface side introduction tube 7, and a process gas which makes material gas cause chemical reaction by activation by surface wave excitation plasma P is introduced into the chamber 1 by a process gas introduction tube 5.例文帳に追加
表面波励起プラズマCVD装置100は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管7の少なくとも一方によりチャンバー1内に導入し、表面波励起プラズマPにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管5によりチャンバー1内に導入する。 - 特許庁
A plastic vacuum blood collection tube not containing silica powder is used as a vacuum blood collection tube, when a supernatant (serum) obtained by coagulating the collected blood is made to react with a reagent reacting specifically with the midkine, after collecting the blood (whole blood) in the vacuum blood collection tube, and when a midkine value in the blood is found using the strength of the reaction product as an index.例文帳に追加
血液(全血)を真空採血管に採ったのち、採った血液を凝固させて得られる上清(血清)と、ミッドカインに特異的に反応する試薬とを反応させて、その反応物の強さを指標として血中ミッドカイン値とする場合は、前記真空採血管としてシリカ粉末を含まないプラスチック製真空採血管を用いて行う。 - 特許庁
Provided is a method for producing acrylic acid whereby, in a method for producing acrylic acid by gas-phase catalytic oxidation of acrolein, a reaction tube is separated into two or more catalyst layers, and the catalyst is loaded from the raw gas inlet side of the reaction tube to the outlet side in the order of catalyst activity increase, and reacted.例文帳に追加
アクロレインを気相接触酸化してアクリル酸を製造する方法において、反応管を2以上の触媒層に分割し、反応管の原料ガス入口側から出口側に向けて活性の大きい触媒を順次充填して反応するアクリル酸の製造方法であって、触媒の活性調整方法が下記の方法であることを特徴とするアクリル酸の製造方法。 - 特許庁
The method for performing a gas-phase exothermic reaction by supplying raw materials to a fluidized bed reactor having a plurality of heat removal tubes thereinside, the heat removal tubes including a heat removal tube for passing water and a heat removal tube for passing steam, includes: adjusting the reaction temperature by controlling the flow rate of the steam so that the ratio of maximum flow rate/minimum flow rate is 3-10.例文帳に追加
内部に複数の除熱管を有する流動層反応器に原料を供給し、気相発熱反応させる方法であって、 前記除熱管が水を通ずる除熱管と水蒸気を通ずる除熱管とからなり、前記水蒸気の流量を最大流量/最小流量の比が3〜10となるよう操作して反応温度の調整を行うことを含む方法。 - 特許庁
In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加
反応管内に設置した化合物半導体基板1を加熱し、その反応管内にIII族−V族の原料を流してその基板1上に目的とする素子構造のエピタキシャル層2,3を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層2の成長を行う直前に、その基板1をCH_3Clでクリーニングする。 - 特許庁
In this manufacturing device of the coated fuel particles for the high-temperature gas-cooled reactor equipped with the fluidized bed reaction tube for forming the plurality of coating layers on the surface of the fuel kernel formed by sintering uranium dioxide, and one or more graphite heaters disposed on the periphery of the fluidized bed reaction tube, the graphite heater is formed by combining a plurality of exchangeable partial division heater members.例文帳に追加
二酸化ウランを焼結した燃料核の表面に、複数層の被覆層を形成するための流動床反応管と、流動床反応管の周囲に配設された1つ以上の黒鉛ヒーターとを備えた高温ガス炉用被覆燃料粒子の製造装置において、前記黒鉛ヒーターが、交換可能な部分分割ヒーター部材を複数個結合してなるもの。 - 特許庁
This reformer comprises a reforming reaction tube for reforming hydrocarbon-based fuel, a burner for burning combustible materials to produce a combustion gas, and an exhaust pipe connected to the burner and provided with a plurality of exhaust holes for exhausting the combustion gas on the wall of the pipe, where the exhaust pipe is located at a position where the reforming reaction tube can be heated by the combustion gas exhausted from the exhaust holes.例文帳に追加
炭化水素系燃料を改質する改質反応管と、可燃物を燃焼させて燃焼ガスを発生させるバーナーと、このバーナーに接続された、燃焼ガスを排気する複数の排気孔を管壁に有する排気管とを有し、排気管が、排気孔から排出される燃焼ガスによって改質反応管を加熱可能な位置に配置された改質器。 - 特許庁
This manufacturing method includes a process for forming a coating film of a material gas chemically converted on the surface of a plurality of glass bulbs 1, by arranging them in a reaction tube 7 and passing the material gas, and a shielding member 23 is arranged between a supply port 8 for supplying the reaction tube 7 with the material gas, and the glass bulb nearest to the supply port 8.例文帳に追加
反応管7内に複数のガラスバルブ1を配置し、反応管7内に原料気体を流通させることにより、ガラスバルブ1の表面に、原料気体が化学的に変化してなる被膜を形成する工程を含み、反応管7に原料気体を供給するための供給口8と、この供給口8に最も近いガラスバルブ1との間に遮蔽部材23を配置する。 - 特許庁
This target substance detection substrate 1 includes: a target substance reaction part 3 obtained by arranging a plurality of composites of a target binding substance specifically bound to a target substance and a carbon nano-tube in an irregular mesh; and two electrodes 2 and 2 electrically bound to the target substance reaction part 3.例文帳に追加
標的物質検出基板1は、標的物質と特異的に結合する標的結合物質とカーボンナノチューブとの複数の複合体を不規則な網目状に配置した標的物質反応部3と、標的物質反応部3と電気的に結合された二つの電極2、2と、を含む。 - 特許庁
To provide a gas-liquid reaction method and apparatus which can improve ozone use efficiency from a standpoint of equipment engineering paying attention to a flow behavior of ozone microbubbles in an air-lift type gas-liquid reaction apparatus by installing a particular draft tube or partition plate in the apparatus.例文帳に追加
エアリフト式気液反応装置において、特定のドラフトチューブあるいは仕切り板を設置することによって、装置内でのオゾンマイクロバブルの流動挙動に着目した装置工学の観点から、オゾンの利用効率を高めることを可能とした気液反応方法および気液反応装置の提供。 - 特許庁
To provide a compacted hydrogen production device where the increase of the efficiency in a reaction is attained, only the unit of a reaction tube having nonconformity can partially be exchanged rapidly by simple operation, and hydrogen of high purity can be produced while reducing the cost.例文帳に追加
本発明は、装置のコンパクト化及び反応の効率化を図り、簡単な作業で迅速に不具合を有する反応管のユニットのみを部分的に交換でき、コストを低減させながら高純度の水素を製造することが可能な水素製造装置を提供することにある。 - 特許庁
Alternatively, the reactive agent in which the powder for thermit reaction is diffused in the volatile solvent is applied to an outer surface of the tube, the volatile solvent in this reactive solvent is evaporated, and the metallic ring is externally fitted to the applied portion, and the ring is welded to the outer circumference by the thermit reaction.例文帳に追加
あるいは、テルミット反応用の粉末を揮発性溶媒中に分散させた反応剤を管の外面に塗布し、この反応剤における揮発製溶媒を蒸発させるとともにその塗布部に金属製のリングを外ばめして、テルミット反応によりリングを管の外周に溶着させる。 - 特許庁
To suppress that, in a vertical tube processing device, a reaction gas ejected from a gas supply port provided to an uppermost part of a gas supply nozzle flows into a space above an upper surface of a wafer boat, which causes the change in the flow rate and the flow quantity of the reaction gas in a processing chamber.例文帳に追加
縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。 - 特許庁
Preferably formation of a ≥21C wax product is remarkably suppressed and an about 5C-20C liquid hydrocarbons are efficiently produced by a continuous reaction in the same reaction tube using a ruthenium-based FT catalyst and a ruthenium or palladium/zeolite catalyst.例文帳に追加
好ましくは、ルテニウム系FT触媒と、ルテニウム又はパラジウム/ゼオライト触媒を同一反応管で連続的に反応させることにより、炭素数21以上のワックス生成物の生成を著しく抑制し、炭素数5から20程度の液体炭化水素を効率よく製造する。 - 特許庁
To provide a fixed bed multitubular reactor that is designed so that the reaction tube equipped with a temperature measurement apparatus for measuring the temperature of catalyst layer, especially the temperature of hot spot, represents the temperature of the catalyst layer of the whole reaction tubes in a fixed bed multitubular reactor packed with a catalyst.例文帳に追加
触媒を充填した固定床多管式反応器において、触媒層の温度、特にホットスポット温度を計測するために温度計測装置を設置した反応管が、全ての反応管の触媒層温度を代表するように設定された固定床多管式反応器を提供する。 - 特許庁
When oxygen in a crude argon gas 32 is removed by a catalytic reaction by passing the gas 32 through each tube 37, the tubes 37 are cooled by flowing cooling water 44 to a space between the outer face of each tube 37 of a strong cooling part 41 and the inner face of the catalyst tank 31.例文帳に追加
粗アルゴンガス32を各チューブ37を通過させ、この際の触媒反応によりガス中酸素を除去する場合に、冷却水44を強冷却部41のチューブ37の外面と触媒槽31の内面との空間へ流入してチューブ37を冷却する。 - 特許庁
A feedwater preheating zone 4 which preheats water used in a reforming reaction is formed in a circular tube shape on the outer periphery of the down passage 7 and a raw material preheating zone 9 which preheats water-added gaseous raw material is formed in a circular tube shape on the inner periphery of the down passage 7.例文帳に追加
燃焼排ガスの下降通路7の外周には、改質反応に用いられる水を予熱する給水予熱部4が円管状に形成され、また下降通路7の内周には、加水原料ガスを予熱する原料予熱部9が円管状に形成されている。 - 特許庁
This is a method provided for measuring high temperature of process flow, by using a thermocouple installed in a thermometer protective tube, where the thermometer protective tube is at least partially covered with a catalyst material layer actively reacting at least to a certain endothermal reaction.例文帳に追加
本発明は、温度計保護管内に設置された熱電対によってプロセス流の高温を測定する方法であって、前記温度計保護管が、少なくとも一種の吸熱性反応に活性を示す触媒材料の層によって少なくとも部分的に覆われている、上記方法を提供する。 - 特許庁
In a reaction tube for semiconductor wafers, a plurality of cylindrical projections for supporting wafers inside a flat tube body with spaces for accommodating semiconductor wafers inside, and an insertion part for inserting a temperature sensor from the outside is formed inside the plurality of projections.例文帳に追加
本発明の半導体ウェーハ用反応管においては、内部に半導体ウェーハを収納する空間を有する偏平状のチューブ本体の内部に上記ウェーハを支持する複数の筒状突起を設け、この複数の突起の内部に外部よりの温度センサーを挿入する挿入部を形成する。 - 特許庁
A gaseous metal chloride feeding tube 5 for transferring and feeding the gaseous metal chloride generated in the chlorinating chamber 1A to the reaction chamber 1B is passed through the chlorinating chamber 1A, and the extensionally existing part of the feed tube 5 to the chlorinating chamber 1A is provided with a gaseous metal chloride introducing port 7.例文帳に追加
塩化室1Aで発生した金属塩化物ガスを反応室1Bに移送して供給するための金属塩化物ガス供給管5を塩化室1Aに貫通し、該供給管5の塩化室1Aへの延在部に、金属塩化物ガス導入口7を設ける。 - 特許庁
A monomer mixture is supplied to a reaction vessel 11 through the first supply tube 12, a radical polymerization initiator is supplied to the vessel 11 through the second supply tube 13, thereby both are supplied to the vessel 11 without coming into contact with each other.例文帳に追加
単量体混合物を第1供給管12を経て反応容器11に供給し、ラジカル重合開始剤を第2供給管13を経て反応容器11に供給することにより、両者は互いに接触することなく反応容器11に供給される。 - 特許庁
In the cleaning step, at least one of the inside of the reaction tube 2 and the inside of the exhaust tube 16, which has been heated, is supplied with cleaning gas containing oxygen gas and hydrogen gas, and thus the cleaning gas is heated to the predetermined temperature, whereby the oxygen gas and hydrogen gas contained in the cleaning gas are activated.例文帳に追加
洗浄工程では、加熱された反応室2内と排気管16内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させる。 - 特許庁
In this liquid radiopharmaceutical injecting method and device, the injector 7 is changed by utilizing the air-lock phenomenon of the membrane filter 5 mounted on the transfer tube 4 in a case when the liquid radiopharmaceutical 2 in a reaction vessel 1 is supplied to the injector 7 through the transfer tube 4.例文帳に追加
本発明による液状放射性薬剤注入方法及び装置は、反応容器(1)内の液状放射性薬剤(2)を移送用チューブ(4)を介してインジェクタ(7)に供給する場合、この移送用チューブ(4)に設けたメンブランフィルタ(5)のエアーロック現象を用いてインジェクタ(7)の切替えを行う構成である。 - 特許庁
A control section 100 of a heat treatment apparatus 1 removes stain stuck inside the apparatus by supplying a cleaning gas from a treatment gas introducing pipe 17 in a state in which an inside of reaction tube 2 is heated at 350°C.例文帳に追加
熱処理装置1の制御部100は、反応管2内を350℃に加熱した状態で処理ガス導入管17からクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去する。 - 特許庁
To prevent the reaction of glass components with a filler component in sealing glass and to unnecessitate long-time evacuation when the lower end of a cathode-ray tube is joined to the inside of a frame-shaped member.例文帳に追加
陰極線管の下端を枠状部材の内部に接合する際に、封止用ガラス中のガラス成分とフィラー成分との反応を防止し、長時間の真空引きを行う必要性をなくすこと。 - 特許庁
To provide a uniform transportation reaction tube of raw material gas for semiconductor wafer vapor-phase growth, capable of uniformly supplying a raw material gas to the surface of a semiconductor wafer in a vapor-phase growth process of semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェハの気相成長工程において、原料ガスを半導体ウェハの表面へ均一に供給できる、半導体ウェハ気相成長用の原料ガス均一輸送反応管を提供する。 - 特許庁
After the coating film is heated under acid atmosphere, temperature in the reaction tube 2 is raised to a specified level by means of the temperature rising heater 12 and the coating film of the semiconductor wafer 10 is heated under acid atmosphere.例文帳に追加
塗布膜を酸性雰囲気下で加熱した後、昇温用ヒータ12により、反応管2内を所定の温度に昇温するとともに、半導体ウエハ10の塗布膜を酸性雰囲気下で加熱する。 - 特許庁
A sensor material 5 and the test object solution that are coloration selective adsorbents are uniformized by slightly shaking a whole detecting tube and, when a heavy metal ion subject to the detection is detected, it shows a color reaction.例文帳に追加
呈色性選択吸着剤であるセンサ材5と被試験液は,検出管全体を軽く振ることで均一となり、対象とする重金属イオンが検出できれば呈色反応を示す。 - 特許庁
To replace a part most easily affected by the reaction of halide in a standard ceramic metal halide arc tube structure, and to minimize the thermal stress between a new electric penetrating means and a PCA.例文帳に追加
標準的なセラミックメタルハライドアーク管構造においてハロゲン化物の反応を最もこうむり易い部分を替えると共に、新しい電気貫通手段とPCAとの間の熱応力を最小にする。 - 特許庁
Steam 1 fed from a steam feed port and activated carbon fed from an activated carbon feed port 2 are held to the upper part of a porous plate 8 installed in the lower part of a reaction tube 9.例文帳に追加
蒸気供給口から供給された蒸気1と、活性炭供給口2から供給された活性炭とは、反応管9の下部に設置された多孔板8の上部に保持される。 - 特許庁
The sensor is a detection tube 1 filled with a material discoloring by a reaction with the environmental atmosphere, and the measuring means is one reflection type photosensor 2 for measuring the length of the discoloring layer of the sensor.例文帳に追加
センサは環境雰囲気との反応によって変色する物質を充填した検知管1であり、測定手段は、センサの変色層の長さを測定する一つの反射型フォトセンサ2である。 - 特許庁
In the device for producing semiconductors 1 where the wafers 12 loaded on a boat 10 are processed in a reaction tube 5 heated by means of a heater 16, an auxiliary heater 39 is provided inside the heater.例文帳に追加
ヒータ16により加熱される反応管5の内部でボート10に装填されたウェーハ12がプロセス処理される半導体製造装置1に於いて、前記ヒータの内側に補助加熱ヒータ39を設けた。 - 特許庁
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