「reaction-tube」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a hydride vapor phase epitaxy apparatus in which crystal growth is not impeded by residual air or moisture flowing in from the downstream of a reaction tube.例文帳に追加

反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In the method of forming a titanium nitride film, first, an inside of a reaction tube 2 accommodating a semiconductor wafer W is heated up to 200-350°C by using a temperature rising heater 7.例文帳に追加

窒化チタン膜の形成方法では、まず、半導体ウエハＷを収容した反応管２内を、昇温用ヒータ７により２００℃〜３５０℃に加熱する。 - 特許庁

A control unit 100 of a thermal processing apparatus 1 heats the inside of a reaction tube 2 stored with a semiconductor wafer W having the natural oxide film formed to 400°C.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

The control section 100 of heat treatment equipment 1 carries a wafer boat 11 holding a plurality of semiconductor wafers W at a specified pitch interval into a reaction tube 2.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、複数枚の半導体ウエハＷを所定ピッチ間隔で保持したウエハボート１１を反応管２内に搬入する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a reaction tube 203 having an inner space sectioned by a barrier wall 236 into a film forming space and a plasma generating space 237.例文帳に追加

基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。 - 特許庁

The reaction tube adopts a structure where a periphery of a susceptor arranging a substrate at least therein is formed with sapphire.例文帳に追加

発明１の反応管は、この目的を達成するために、少なくとも前記サセプタ周辺をサファイアにて形成してあることを特徴とする構成を採用した。 - 特許庁

The tested object with high polarity is ionized in a thermal ionization process inside the heating tube 3, and then is moved to the reaction chamber 3.例文帳に追加

高い極性の被検体は、加熱チューブ３の内部での熱的イオン化過程によってイオン化され、高い極性の被検イオンは反応室３へと進む。 - 特許庁

The method for vapor phase epitaxy includes feeding the press-down gas as well as feeding gas containing the source gas, into the above horizontal type reaction tube of the apparatus for vapor phase epitaxy.例文帳に追加

また、前記気相成長装置の横形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給するとともに押圧ガスを供給して気相成長させる。 - 特許庁

The photocatalyst layer 4 receives the light emitted from the light emitting diode 1 and activates it so as to induce a photochemical reaction of a reactive substance passing through the quartz tube 2.例文帳に追加

発光ダイオード１が発する光を光触媒層４が受けて活性化し、石英チューブ２中を通過する反応物質の光化学反応を誘起する。 - 特許庁

An interior of a reaction tube 1 is partitioned by a baffle plate 2, a part below the baffle plate 2 is assigned as a heat treatment chamber 11, and a part above the baffle plate 2 is assigned as a gas introduction chamber 12.例文帳に追加

反応管１内をバッフル板２で仕切り、このバッフル板２から下を熱処理室１１とし、バッフル板２から上をガス導入室１２とする。 - 特許庁

To provide a vertical heat treatment apparatus which minimizes thermal deformation of a reaction tube caused by annealing, and to prevent occurrence of haze on the surface of a wafer by leakage.例文帳に追加

熱処理による反応管の熱変形を抑制し、また、リークによるウエーハの曇りを発生させることもない縦型の熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The reactor 40 is equipped with a thermocouple 82 serving as a first temperature measuring means for measuring the temperature in the vicinity of the external wall of the reaction tube 42.例文帳に追加

この反応炉４０には反応管４２の外壁近傍の温度を測定する第１の温度測定手段としての熱電対８２が設けられている。 - 特許庁

By a controller 100 of a thermal processing device 1, the inside of a reaction tube 2 is heated at 400°C storing a semiconductor wafer W where a native oxide film is formed.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

The reactor 40 is further equipped with a radiation thermometer 84 as a second temperature measuring means for measuring the external wall temperature of the reaction tube 42.例文帳に追加

また更に、反応炉４０には、この反応管４２の外壁温度を測定する第２の温度測定手段としての放射温度計８４が設けられている。 - 特許庁

A modifier 4 performs the partial oxidation of this mixed gas in a modifying tube 41 and a steam modifying reaction and generates a hydrogen-rich gas.例文帳に追加

改質器４では、この混合ガスに対して改質管４１内で部分酸化並びに水蒸気改質反応を行い、水素リッチなガスを生成する。 - 特許庁

An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加

反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁

The nickel chloride is obtained by heating nickel chloride hexahydrate 1 at 200-500°C in a reaction tube 2 in which the pressure is reduced to ≤133.32 Pa (1 Torr).例文帳に追加

塩化ニッケル六水和物１を反応管２内で１３３．３２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下に減圧し、２００℃以上５００℃の温度に加熱処理して、無水塩化ニッケルを得る。 - 特許庁

Then, oxygen radical is supplied into the reaction tube 2 under room temperature to oxidize adsorbed Si, hereby forming a silicon oxide film on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

続いて、室温下の反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Inside of the reaction tube 2 is then settled with a specified pressure and a coating film is heated by introducing hydrogen from an acid gas introduction pipe 13 into an inner pipe 3.例文帳に追加

続いて、反応管２内を所定の圧力で安定させ、酸性ガス導入管１３から水素を内管３内に導入して塗布膜を加熱する。 - 特許庁

The upstream reaction tube is provided with a pair of plate members 21 and 22, and a side wall object 23 made of fluororesin sandwiched between the plate members 21 and 22.例文帳に追加

上流部反応管は、一対の板部材２１，２２と、板部材２１，２２の間に挟持されたフッ素樹脂製の側壁体２３とで構成する。 - 特許庁

A plurality of silicon wafers W contained in the reaction tube 11 of a thermal CVD system 1 are heated directly by electromagnetic induction system without using any carbon susceptor.例文帳に追加

熱ＣＶＤ装置１の反応管１１内に収納された複数のシリコンウェーハＷを、カーボンサセプタを用いずに電磁誘導方式で直接加熱する。 - 特許庁

A process gas which includes a silane gas, a nitrogen gas, an ammonia gas, and a helium gas is introduced from a gas inlet tube 35 into a reaction chamber 10 of a plasma CVD(chemical vapor deposition) apparatus 1.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１の反応炉１０内に、ガス導入管３５からシラン系ガス、窒素ガス、アンモニアガス及びヘリウムガスを含むプロセスガスを導入する。 - 特許庁

A thermocouple 2 is prevented from being contaminated and deteriorated with permeation into its inside of a component by a reaction of the molybdenum oxide, even when the ceramic protection tube 4 is not damaged.例文帳に追加

セラミック保護管４が折損しなくても、酸化モリブデンとの反応により、その成分が内部へ浸透して熱電対２が汚染、劣化するのを防止できる。 - 特許庁

A substrate 1 composed of an alloy (Cu-Ni alloy) of Ni which is a CNT forming catalyst and Cu which is a non-forming catalyst is set in a reaction tube 2.例文帳に追加

反応管２内にＣＮＴ生成触媒であるＮｉと非生成触媒であるＣｕとの合金（Ｃｕ−Ｎｉ合金）からなる基板１を設置する。 - 特許庁

Then, an ammonia radical is supplied into the reaction tube 2 to nitride the formed silicon oxide film, and to form a silicon oxynitride film on the semiconductor wafer W thereafter.例文帳に追加

続いて、反応管２内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

HONEYCOMB-TYPE HYDROGEN PRODUCTION APPARATUS, FUEL BATTERY POWER GENERATOR, ELECTRIC VEHICLE, SUBMARINE, AND HYDROGEN FEED SYSTEM USING THE SAME, AND REACTION TUBE FOR HYDROGEN PRODUCTION CELL例文帳に追加

ハニカム型水素製造装置、それを用いた燃料電池発電装置、電気自動車、潜水船及び水素供給システム、並びに水素製造セル用反応管 - 特許庁

The ion mobility spectrometer, in which a reaction ionizing chamber and/or an ion drift tube is structured with one or more single piece of glass tubes, is disclosed.例文帳に追加

反応イオン化チャンバー及び（又は）イオンドリフト管が一つ又はそれ以上のシングルピースのガラス管にて構成されたイオン移動度スペクトロメータが開示されている。 - 特許庁

The method of packing the solid catalyst comprises packing the solid catalyst containing organic matter into the reaction tube of the temperature x[°C] satisfying a relationship of expression (1) (wherein T is the decomposition temperature [°C] of the organic matter contained in the solid catalyst).例文帳に追加

有機物を含む固体触媒を下記（１）の関係を満足する温度ｘ[℃]の反応管に充填する固体触媒の充填方法。 - 特許庁

Thereby, the outer face of the catalyst tank 31 is cooled and the temperature rise at the outlet side of each tube 37 in response to a weak catalytic reaction can be suppressed.例文帳に追加

これによって、触媒槽３１の外面を冷却してチューブ３７内の出口側の弱い触媒反応に応じた温度上昇を抑制する。 - 特許庁

In a multitubular reactor where a heat medium having a solidifying point of 50-250°C is circulated through fluid outside a tube, gas having a temperature of 100-400°C is introduced into the inside of a reaction tube to raise the temperature of the heat medium, and then the heated heat medium is circulated through the fluid outside the tube.例文帳に追加

管外流体に凝固点５０〜２５０℃の熱媒を循環させる多管式反応器において、反応管側に温度１００〜４００℃のガスを導入して昇温を開始し、次いで加温した熱媒を管外流体側に循環させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a furnace core tube which controls heat stress, and the reaction with strong alkali components generated from the material to be heat-treated in the furnace core tube, has an extended service life, and is of a high industrial use, and a furnace core tube composite member using the same.例文帳に追加

熱応力を抑制することができると共に炉芯管内で処理される被熱処理材料から発生する強アルカリ成分との反応を抑制し、耐用寿命を長くすることができ、工業上実用性の高い炉芯管及びこれを用いた炉芯管複合部材の提供。 - 特許庁

To provide a refining apparatus for molten steel with which local breakage on the inner wall of an immersion tube is not developed and, even in the case of performing slag refining in the inner part of the immersion tube, a raw material for slag can efficiently be supplied into the refining reaction while restraining the exhaust of the slag to the outside of the immersion tube.例文帳に追加

浸漬管内壁に局部的な破損が生じることがなく、また、浸漬管内部でスラグ精錬を行う場合であってもスラグが浸漬管外へ排出されることを抑制してスラグ原料を効率よく精錬反応に供することができる溶鋼の精錬装置を提供すること。 - 特許庁

In a temperature sensor 16 used in a semiconductor manufacturing device having a vertical reaction chamber 10, the outer diameter of a first protective tube 17 including a temperature measurement part 15 is thinned and the outer diameter of a second protective tube 18 which does not include the temperature measurement part 15 is enlarged, thus realizing different outer diameters of the protection tube.例文帳に追加

縦型の反応室１０を持つ半導体製造装置で使用する温度検出器１６において、温度測定部１５を含む第１の保護管１７の外径を細くし、温度測定部１５を含まない第２の保護管１８の外径を大きくして保護管の外径を異ならせる。 - 特許庁

A continuous film forming apparatus 12 by Plasma CVD comprises an introduction tube 13 for introducing a gas containing a film forming substance, several reaction tubes 5 for decomposing each introduced gas and forming a film on a substance to be treated 1, which are arranged along the substance to be treated 1 which is arranged to face the tube 13, and a buffering box 16 connected among an introduction tube 13 and several reaction tubes 5.例文帳に追加

成膜物質を含有するガスを導入する導入管１３と、対向配置した被処理体１に沿って配置され、導入されたガスをそれぞれ分解して被処理体１上に成膜する複数の反応管５と、導入管１３と複数の反応管５との間に接続された緩衝ボックス１６とを有するプラズマＣＶＤ連続膜形成装置１２。 - 特許庁

The refining apparatus 10 for metallic silicon is provided with a plasma torch 16 for jetting a plasma jet on the molten metal 34 of metallic silicon, a base tube 26 and a feed tube 30 for feeding gaseous argon to the plasma torch 16, and a reaction gas feed tube 32 for adding prescribed amounts of gaseous oxygen and gaseous ammonia to the feed tube 30.例文帳に追加

また、本発明に係る金属シリコンの精製装置１０は、金属シリコンの溶湯３４にプラズマジェットを噴射するためのプラズマトーチ１６と、プラズマトーチ１６にアルゴンガスを供給するための基管２６及び供給管３０と、供給管３０に所定量の酸素ガス及びアンモニアガスを添加するための反応ガス供給管３２とを備えている。 - 特許庁

In this burner introducing combustion gas generated by reaction and combustion of air and fuel compressed by a compressor into a turbine the through a combustion tube 5, a gusset part 14 with a tail tube 5b as a fixing-seat 2a is formed on a side face 5c having the tail tube 5b with an almost rectangular cross section so that it is extended almost over the full length of the tail tube 5b.例文帳に追加

圧縮機によって圧縮された空気と燃料とを反応させて燃焼させ、発生した燃焼ガスを燃焼筒５を通じてタービンに導入する燃焼器において、断面が略矩形をなす尾筒５ｂのある側面５ｃに、尾筒５ｂを固定座２ａするガセット部１４を、尾筒５ｂのほぼ全幅にわたって延在するように設ける。 - 特許庁

To provide a method for stably producing acrolein and acrylic acid in a high yield over a long time which does not suffer troubles such as lowering of catalytic performance such as coking of a catalyst, increase in the differential pressure of a reaction tube, and clogging of the reaction tube even when the air containing much suspended particulate matter is used as an oxygen source.例文帳に追加

浮遊粒子状物質を多く含む大気を酸素源として用いても、触媒のコーキングなどによる触媒性能の低下や、反応管の差圧増大、閉塞などの不具合を被ることなく、高収率で、長時間にわたり安定してアクロレイン及びアクリル酸を製造する方法の提供。 - 特許庁

To solve a problem of improving a joint between the flange of a reaction tube and a quartz cap in airtightness, where a large number of semiconductor wafers are loaded into the above vertical quartz reaction tube, and the silicon surface of a wafer is subjected to an oxidation treatment by the use of oxidizing gas containing hydrogen chloride gas.例文帳に追加

縦型の石英製の反応管内に多数の半導体ウエハを搬入し、塩化水素ガスを含む酸化用のガスを用いてウエハ上のシリコン表面部を酸化処理するにあたって、反応管のフランジ部と石英製のキャップ部との接合では気密性が不十分である点を解決すること。 - 特許庁

The hydrogen production apparatus 3 comprises a raw material supply system 6 for generating a mixed steam of a fuel containing hydrogen and water, a reaction tube 4 containing a catalyst for producing hydrogen from the mixed steam from the raw material supply system 6, and a recovery system 7 for recovering hydrogen produced in the reaction tube 4.例文帳に追加

水素製造装置３は、水素を含む燃料と水との混合蒸気を発生させる原料供給系６と、触媒を含み、原料供給系６からの混合蒸気から水素を生成させる反応管４と、反応管４内で生成された水素を回収する生成ガス回収系７とを備えている。 - 特許庁

To provide a gas-phase growth apparatus capable of carrying out stable film growth by stabilizing the material-gas flow on a wafer surface, wherein the gas flow stabilization is achieved by keeping the gap between a tray on which the wafer is held and a hole formed in the reaction tube uniform through highly precise position alignment between the tray and the hole in the reaction tube.例文帳に追加

ウェハを保持するトレイと反応管に設けた孔との位置合わせを精度良く行い、トレイと反応管の孔との隙間を均一に保つことにより、ウェハ表面における原料ガスの流れを安定させて、安定した成膜を行うことが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In reduction of a catalyst composed of ruthenium supported on active carbon, oxidation activity of the reduced ruthenium is suppressed by carrying out reduction processing with an ammonia gas or an ammonia-containing gas in a reaction tube, and thereafter successively flowing the ammonia gas or the ammonia-containing gas through the reaction tube to adsorb ammonia on the reduced ruthenium.例文帳に追加

活性炭にルテニウムを担持してなる触媒の還元において、反応管内にてアンモニアガスまたはアンモニア含有ガスで還元処理を行った後、引き続き同反応管にアンモニアガスまたはアンモニア含有ガスを流通し、還元されたルテニウムにアンモニアを吸着させ、還元されたルテニウムの酸化活性を抑制する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a nearly cylindrical reaction tube 203 wherein a processing chamber 201 is provided inside to process a substrate while holding a plurality of substrates by a substrate holding jig so that they may be vertical to the processing face of the substrate, and a nearly cylindrical heater that is provided surrounding the outer periphery of the reaction tube 203.例文帳に追加

基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室２０１を内部に有する略筒状の反応管２０３と、該反応管２０３の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the CNT, an iron salt as a main catalyst 16 and a molybdate as an auxiliary catalyst 18 are placed inside a reaction tube 12, and a carbon source is passed through the reaction tube 12 together with an inert gas and reacted at a prescribed temperature to perform vapor deposition of the carbon nanotube (CNT).例文帳に追加

本発明に係るＣＮＴの製造方法は、反応管１２内に、主触媒１６として鉄塩を、副触媒１８としてモリブデン酸塩を配置し、炭素源を不活性ガスと共に反応管１２内に流して、所要温度で反応させて、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を気相成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The gas introduction means 6b introducing the reaction gas has at least one gas tube 61b elongating to the arranging direction of each target, and this gas tube is arranged so as to be separated from each target at the back side of each target arranged in parallel, and further has an injection port 610 injecting the reaction gas toward each target.例文帳に追加

反応ガスを導入するガス導入手段６ｂは、各ターゲットの並設方向に延びる少なくとも１本のガス管６１ｂを有し、このガス管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、ターゲットに向かって反応ガスを噴射する噴射口６１０を有する。 - 特許庁

An output of a plazma jet P is controlled so that a temperature in a reaction tube 18 is detected and the temperature in the reaction tube 18 is to become a prescribed value by increasing/decreasing at least either an amount of working gas G supplying to a plazma jet torch 12 or an amount of electric power supplying to the torch 12 in accordance with the detected value of temperature.例文帳に追加

反応筒18内の温度を検出すると共にこの温度検出値に応じてプラズマジェットトーチ12に送給する作動ガスGの量または該トーチ12に供給する電力量の少なくとも一方を増減させて反応筒18内の温度が所定の値となるようにプラズマジェットPの出力を制御する。 - 特許庁