「region」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type channel region 2c is formed between the n^--layer of the drain region 2d and the n^--layer of the source region 2s.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄのｎ^−層とソース領域２ｓのｎ^−層の間にｐ型のチャネル領域２ｃが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 2 has an n-type semiconductor region 21, a p-type semiconductor region 22, and an i-type semiconductor region 23.例文帳に追加

半導体層２は、ｎ型半導体領域２１、ｐ型半導体領域２２、及びｉ型半導体領域２３を有する。 - 特許庁

A first polysilicon electrode 13 is formed within the surface region of an STI region 12b as an element isolation region.例文帳に追加

第１のポリシリコン電極１３は素子分離領域としてのＳＴＩ領域１２ｂの表面領域内に形成されている。 - 特許庁

A current blocking region is not formed in the mesa region M, and the mesa region M is formed so that its diameter is 15 μm or less.例文帳に追加

メサ領域Ｍには電流阻止領域が形成されておらず、メサ領域Ｍのメサ径は１５μｍ以下に形成されている。 - 特許庁

Famous sashiko techniques include "koginzashi" (an old needlework technology) in the Tsugaru region, "hishizashi" (diamond sashiko) in the Nanbu region (Aomori prefecture), and "Shonai sashiko" in the Shonai region. 例文帳に追加

有名な刺し子技法には津軽地方の『こぎん刺し』、南部地方(青森県)の『菱刺し』、庄内地方の『庄内刺し子』がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Compression processing corresponding to the discriminated number of colors of the foreground region is applied to the foreground region, and the foreground region is stored in a data by colors storing part 234.例文帳に追加

判別された前景領域の色数に応じた圧縮処理実行し色別データ格納部２３４に格納する。 - 特許庁

The foam 26 is formed in ≥1 layer of buffer region layer 22 and/or at the boundary between a coating region 16 and the buffer region 22.例文帳に追加

泡は１層以上の緩衝領域層中及び／又は被覆領域と緩衝領域との界面に生成される。 - 特許庁

When manufacturing this device, either of the following methods is conducted: (1) The n^+-type source region 4 is formed by ion implantation in a region different from a facet plane growth region 10.例文帳に追加

▲１▼Ｎ^＋型ソース領域４をイオン注入により、ファセット面成長領域１０と異なる領域に形成する。 - 特許庁

To provide an article which guides light from a first region to a second region and can make the second region emit light.例文帳に追加

第１の領域から第２の領域に光を導き、第２の領域を発光させることができる物品を提供する。 - 特許庁

In response to the respective aperture ratios of the first region and second region, light extracted from the light emitting region 15A to a display surface side is prevented from being spread in the first region as compared with the second region, and light extracted from the light emitting region 15A is spread more widely in the second region as compared with the first region.例文帳に追加

第１領域および第２領域それぞれの開口率の大きさに対応して、第１領域では第２領域と比較して発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり、第２領域では発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

The pressure difference between a first region 80 that is the downstream end of the first gas passage and a second region 82 that is a region nearest the first region between the second gas passage is larger than the pressure difference between a third region 84, that is the upstream end of the second gas passage and a fourth region 86 that is a region nearest the third region out of the first gas passage.例文帳に追加

第１ガス流路の下流端である第１領域８０と、第２ガス流路のうち第１領域に最も近い領域である第２領域８２との差圧は、第２ガス流路の上流端である第３領域８４と、第１ガス流路のうち第３領域に最も近い領域である第４領域８６との差圧より大きい。 - 特許庁

An N- type thin-film source region 11 which is thinner than the source region 5 is so provided as to adjoin the source region 5 by an adjoining part R between the source region 5 and the drain region 6, so that, as shown with an allow Q2, a current path is formed from the drain region 6 to the source region 5 through the thin-film source region 11.例文帳に追加

そして、厚さがソース領域５より薄く、Ｎ^-型の薄膜ソース領域１１が、ソース領域５とドレイン領域６の間にソース領域５に隣接部Ｒで隣接するよう設けられ、矢印Ｑ２で示すようにドレイン領域６から薄膜ソース領域１１を介してソース領域５へ電流経路が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a contact region 18 for connection with the main electrodes 2, a channel semiconductor region 8 which adjoins the contact region 18, a p-type semiconductor region 20 adjacent to the backside of the channel semiconductor region 8, and a drift semiconductor region 12 which adjoins both the channel semiconductor region 8 and the p-type semiconductor region 20.例文帳に追加

半導体装置１００は、主電極２に接続するコンタクト領域１８と、コンタクト領域１８に隣接するチャネル半導体領域８と、チャネル半導体領域８の裏面に接しているｐ型半導体領域２０と、チャネル半導体領域８とｐ型半導体領域２０の両者に隣接するドリフト半導体領域１２を備えている。 - 特許庁

An extraction section 132 extracts a real image region excepting a margin region from the source image and extracts a specific region that is a region for printing the specific pattern, based on the extracted real image region.例文帳に追加

抽出部１３２は、原画像において、余白領域を除く実画像領域を抽出し、抽出した実画像領域を基に、特定パターンを印刷するための領域である特定領域を抽出する。 - 特許庁

The light transmitter 31 is formed in a region corresponding to the light emission region 14A, and the metal 32 is formed in a region corresponding to the outer edge region of the light emission region 14A in the semiconductor laminated structure 11.例文帳に追加

光透過部３１は発光領域１４Ａと対応する領域に形成され、金属部３２は半導体積層構造１１のうち発光領域１４Ａの外縁領域と対応する領域に形成されている。 - 特許庁

An IGBT 100 has an n-type floating region 15 that is provided in a p-type body region 14 and parts the body region 14 in a direction for connecting a base region 13 and an emitter region 16.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、ｐ型のボディ領域１４内に設けられており、ベース領域１３とエミッタ領域１６を結ぶ方向においてボディ領域１４を分断しているｎ型のフローティング領域１５を備えている。 - 特許庁

A low concentration region 30c covers the side surfaces and the bottom surfaces of the high concentration region 30a and the intermediate concentration region 30b and isolates the high concentration region 30a and the intermediate concentration region 30b.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度領域３０ｃは、高濃度領域３０ａ及び中濃度領域３０ｂのそれぞれの側面及び底面を覆っており、高濃度領域３０ａと中濃度領域３０ｂを分離している。 - 特許庁

The electronic device comprises in an insulator 101 a first region 102 and a second region 103 formed with metal, and a third region 104 sandwiched by the first region 102 and the second region 103.例文帳に追加

電子装置は、絶縁体１０１の中に、金属で形成された第１領域１０２及び第２領域１０３と、この第１領域１０２と第２領域１０３で挟まれた第３領域１０４を備える。 - 特許庁

Then, the silicide layer 7 and the polysilicon layer 6 are etched through a photo-etching step, and an electric fuse composed of an anode region 1, a cathode region 2, and a link region 3 which connects the anode region 1 and the cathode region 2 is formed.例文帳に追加

次にフォトエッチング工程を経てシリサイド層７、ポリシリコン層６をエッチングし、アノード領域１、カソード領域２及びアノード領域１とカソード領域２を接続するリンク領域３からなる電気ヒューズを形成する。 - 特許庁

A trench region 21 is formed in a drain region 14 of the MOS transistor, the inside of the trench region 21 is filled with an insulator 22, and at the same time, the drain region 14 is extended along the surface of the trench region 21.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのドレイン領域１４にトレンチ領域２１を形成し、そのトレンチ領域２１内を絶縁体２２で埋めるとともに、トレンチ領域２１の表面に沿ってドレイン領域１４を拡張させる。 - 特許庁

An intermediate region setting section 1012 sets an intermediate region in a region intermediate in terms of space and time between the first region of interest and the second region of interest on a frame image included in a motion picture.例文帳に追加

中間領域設定部１０１２は、動画像に含まれるフレーム画像上において、第１の注目領域と第２の注目領域との空間的、時間的な中間の領域内に、中間領域を設定する。 - 特許庁

A region (x1-x2 and x3-x4) subtracting the character inside background region on the inside from the character region candidate is specified to the character region, and thereby, the character region excluding background pixels between strokes of the character inner part is obtained.例文帳に追加

文字領域候補より、その内部の文字内背景領域を除いた領域（ｘ１−ｘ２とｘ３−ｘ４）を文字領域とすることで、文字内部のストローク間の背景画素を除去した文字領域を得る。 - 特許庁

A region of x<0 is excluded from a ground color mask region 41 determined by adding the rectangular region 44 and additional region together, and a predetermined margin is set for the ground color mask region 41 to perform ground color masking processing.例文帳に追加

方形領域４４と付加領域とを合わせて決定される地色マスク領域４１のうち、ｘ＜０の領域を除外し、さらに地色マスク領域４１に所定のマージンを設定して地色マスク処理を施す。 - 特許庁

The region extract section 2 outputs to a slideshow generating section 1 an extraction OK signal when the region extract section 2 can extract the specific region and an extraction NG signal when the region extract section 2 cannot extract the specific region.例文帳に追加

領域抽出部２は、特定領域を抽出できた場合は抽出ＯＫ信号を、特定領域を抽出できなかった場合は抽出ＮＧ信号をスライドショー生成部１に出力する。 - 特許庁

The front and rear waist members 20, 30 each include a first region 71 superimposed on the front and rear flaps 46, 47, a second region 72 adjacent to the first region 71 and a third region 73 adjacent to the second region 72.例文帳に追加

前後ウエスト部材２０，３０は、前後フラップ４６，４７に重なる第１領域７１と、第１領域７１に隣接する第２領域７２と、第２領域７２に隣接する第３領域７３とを含む。 - 特許庁

A voltage holding region 60 of an IGBT 10 includes an n-type reverse portion diffusion region 62, an n-type intermediate portion diffusion region 64, a p-type intermediate portion diffusion region 66, and a top portion diffusion region 68.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。 - 特許庁

The conductive layer includes a wiring region 26 serving as an inductor, a first end region 22 to which one end of the wiring region 26 is connected, and a second end region 24 to which the other end of the wiring region 26 is connected.例文帳に追加

導電層は、インダクタとなる配線領域２６と、配線領域２６の一端が接続される第１端部領域２２と、配線領域２６の他端が接続される第２端部領域２４を備えている。 - 特許庁

A region setting means sets a region, wherein the mask region 112 after the correction by the position correction means is removed from the inspection target region 111 after the correction by the position correction means, on the inspection image as an inspection region 110.例文帳に追加

領域設定手段は、位置補正手段による補正後の検査対象領域１１１から同じく補正後のマスク領域１１２を除いた領域を、検査領域１１０として検査画像上に設定する。 - 特許庁

In addition, a III-V compound semiconductor region 31 is located between a second region 21c of the second conductivity type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 19, and moreover, a tunnel semiconductor region 23 is embedded therein.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体領域３１は、第２導電型半導体領域２１の第２のエリア２１ｃと第１導電型半導体領域１９との間に位置し、またトンネル半導体領域２３を埋め込む。 - 特許庁

An island-shaped and N-type extension drain region 24 is provided around a drain contact region 21 of a semiconductor substrate 10 so that a channel region 23 may be formed between the drain contact region and a source region 22.例文帳に追加

半導体基板１０のドレインコンタクト領域２１の周囲には、ソース領域２２との間にチャネル領域２３が形成されるように島状で且つＮ型の延長ドレイン領域２４が設けられている。 - 特許庁

Each region is provided with a pixel region PXD, a gate line driving circuit region GCR for driving the pixel, a signal line driving circuit region DCR, and a terminal region ELD where a connection terminal is formed.例文帳に追加

各領域には、画素領域ＰＸＤと画素を駆動するゲート線駆動回路領域ＧＣＲおよび信号線駆動回路領域ＤＣＲ、さらに接続端子が形成される端子領域ＥＬＤが設けられている。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is patterned to form a filtering channel 63 for connecting an active layer region containing a crystallization source region 60, a source region 64, a channel region under a gate electrode 65, and a drain region 66.例文帳に追加

アモルファスシリコン層をパターニングし、結晶化ソース領域６０とソース領域６４、ゲート電極６５下部のチヤネル領域、及びドレイン領域６６を含む活性層領域を連結するフィルタリングチャンネル６３を形成する。 - 特許庁

A second STI region is formed while the second STI region extends between the first STI region and the collector region, and undercuts a part of an active base region with an undercut angle of about 90° or less.例文帳に追加

第２のＳＴＩ領域が形成され、この第２のＳＴＩ領域は、第１のＳＴＩ領域とコレクタ領域との間に延在し、約９０°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a cell region, a high voltage region, and a low voltage region, wherein a mask is used that exposes the cell region and part of a device isolation film of the high voltage region.例文帳に追加

本発明の製造方法によると、セル領域、高電圧領域、低電圧領域を有する半導体基板において、セル領域と高電圧領域の素子分離膜の一部とを露出させるマスクを用いる。 - 特許庁

The photomask 1 includes a pattern forming region 3, an annular region 4 having a prescribed width surrounding the pattern forming region, and a non-transfer pattern forming region 5 outside the annular region 4, on a glass substrate 2.例文帳に追加

フォトマスク１において、ガラス基板２上には、パターン形成領域３と、これを取り囲む所定幅の環状領域４と、環状領域４の外側の非転写パターン形成領域５とが設定されている。 - 特許庁

A pixel region has a transmissive region T and a reflective region R wherein thickness dr of the liquid crystal layer 30 in the reflective region R is less than thickness dt of the liquid crystal layer 30 in the transmissive region T.例文帳に追加

絵素領域は、透過領域Ｔと、反射領域Ｒとを有し、反射領域Ｒ内の液晶層３０の厚さｄｒは、透過領域Ｔ内の液晶層３０の厚さｄｔよりも小さい。 - 特許庁

The optical control layer 3 is formed in a region corresponding to the peripheral region of the light emitting region 14A in the semiconductor laminated structure 11, and has an opening 3A in the region corresponding to the light emitting region 14A.例文帳に追加

光制御層３は、半導体積層構造１１のうち発光領域１４Ａの周辺領域と対応する領域に形成され、発光領域１４Ａと対応する領域に開口部３Ａを有する。 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

The bipolar transistor includes: (1) a collector region 15 located at least in-part within a semiconductor substrate; (2) a base region 16 contacting the collector region; and (3) an emitter region 24 contacting the base region.例文帳に追加

バイポーラ・トランジスタは、（１）半導体基板内に少なくとも部分的に位置決めされたコレクタ領域１５と、（２）コレクタ領域に接触するベース領域１６と、（３）ベース領域に接触するエミッタ領域１６Ａとを含む。 - 特許庁

An image joining unit 41 generates the wide region images by turning at least a part other than the important region of interest in the overlapping region to a joining region and joining the plurality of single region images.例文帳に追加

画像接合部４１は、重複領域のうちの重要関心領域以外の少なくとも一部を接合領域として複数の単体領域画像を接合することにより広領域画像を生成する。 - 特許庁

The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加

素子活性部１０１は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域１０５およびドレイン領域１０６と、ソース領域１０５とドレイン領域１０６との間に介在するチャネル領域１０７とを含む。 - 特許庁

A vertical semiconductor device 100 has an n-type semiconductor region 5, a body region 8, a channel region 14, a first connection region 26, a second connection region 12, a gate electrode 18, and trench electrodes 22 and 24.例文帳に追加

縦型の半導体装置１００は、ｎ型半導体領域５とボディ領域８とチャネル領域１４と第１接続領域２６と第２接続領域１２とゲート電極１８とトレンチ電極２２,２４を備えている。 - 特許庁

The excessive Si at the uppermost portion of the embedded thick oxide region and the thin oxide region is ground and removed until the thick oxide region is reached and thus an active device region is formed on the thin oxide region.例文帳に追加

埋め込まれた厚い酸化物領域と薄い酸化物領域の最上部の過剰なＳｉは厚い酸化物領域まで研磨して落として薄い酸化物領域の上に活性デバイス領域を形成する。 - 特許庁

A substrate 170 of a color filter includes a transmissive region and a reflective region 158 adjacent to the transmissive region, and the thickness of a portion corresponding to the transmissive region is different from the thickness of a portion corresponding to the reflective region.例文帳に追加

カラーフィルタにおいて、基板１７０は透過領域及び該領域に隣接する反射領域１５８を含み、透過領域に対応する部分の厚さが、反射領域に対応する部分の厚さと異なる。 - 特許庁