「source region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the contact area between a source region and a contact plug from being reduced by cell shrink, and to reliably achieve the batting contact of the contact plug to the source region and a body contact region.例文帳に追加

セルシュリンクによるソース領域とコンタクトプラグとの接触面積の縮小を防止するとともに、ソース領域およびボディコンタクト領域に対するコンタクトプラグのバッティングコンタクトを確実に達成する。 - 特許庁

A part of the bit-line sharing cell plate 16 is formed directly on a source/drain region 27, and a region where the bit-line sharing cell plate 16 comes into contact with the source/drain region 27 forms a bit-line contact.例文帳に追加

そして、ビット線兼用セルプレート１６の一部がソース／ドレイン領域２７上に直接形成され、ビット線兼用セルプレート１６とソース／ドレイン領域２７とが接する領域がビット線コンタクトとなる。 - 特許庁

Crystallized crystal particles pass from a region 61 where an MIC source metal of the crystallization source region 60 is deposited by a heat treatment through the filtering channel 63 to crystallize an active layer region.例文帳に追加

熱処理により、結晶化ソース領域６０のＭＩＣソース金属が蒸着された領域６１から結晶化された結晶粒がフィルタリングチャンネル６３を通過し、活性層領域が結晶化される。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device for driving a first region and a second region provided through a capacity to a positive internal power source and a negative internal power source, respectively has a first internal power source generation circuit for driving the first region for the positive internal power source.例文帳に追加

容量を介して設けられる第１の領域と第２の領域を、正の内部電源と負の内部電源にそれぞれ駆動する半導体集積回路装置において、第１の領域を正の内部電源に駆動する第１の内部電源発生回路を有する。 - 特許庁

An extraction section 132 extracts a real image region excepting a margin region from the source image and extracts a specific region that is a region for printing the specific pattern, based on the extracted real image region.例文帳に追加

抽出部１３２は、原画像において、余白領域を除く実画像領域を抽出し、抽出した実画像領域を基に、特定パターンを印刷するための領域である特定領域を抽出する。 - 特許庁

An island-shaped and N-type extension drain region 24 is provided around a drain contact region 21 of a semiconductor substrate 10 so that a channel region 23 may be formed between the drain contact region and a source region 22.例文帳に追加

半導体基板１０のドレインコンタクト領域２１の周囲には、ソース領域２２との間にチャネル領域２３が形成されるように島状で且つＮ型の延長ドレイン領域２４が設けられている。 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

A P^+ region halo-P, with which a P^- type impurity is introduced with high concentration, is provided in contact with the source/drain region except for the N^- region 171 of a low concentration extension region, namely, to the lower part of the N^+ region 172.例文帳に追加

低濃度エクステンション領域のＮ^-領域１７１を除いたソース／ドレイン領域、つまりＮ^+領域１７２下部に接触するように、Ｐ型の不純物が高濃度に導入されたＰ^+領域Halo-Pが設けられている。 - 特許庁

A second p base region 26 doped with high density is formed in the inside of the p base region 6, and a p^+ body region 8 and an n^+ source region 9 are selectively formed in the inside of the second p base region 26.例文帳に追加

ｐベース領域６の内部に高濃度にドープされた第２のｐベース領域２６を形成し、この第２のｐベース領域２６の内部に、ｐ^+ボディ領域８とｎ^+ソース領域９を選択的に形成する。 - 特許庁

The second gate electrode 3a2 shades the low-concentration source region 1b and low-concentration drain region 1c from incident light coming from a light source, such as a backlight, to prevent the incident light from falling onto the source and drain regions 1b and 1c.例文帳に追加

第２ゲート電極３ａ２は、バックライト等の光源から照射された入射光が低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに照射されないように遮光する。 - 特許庁

The semiconductor layer 30A includes a first low concentration region 31A formed between the channel region 33A and the source region 34A and a second low concentration region 32A formed between the channel region 33A and the drain region 35A.例文帳に追加

半導体層３０Ａは、チャネル領域３３Ａとソース領域３４Ａとの間に形成された第１低濃度領域３１Ａ、および、チャネル領域３３Ａとドレイン領域３５Ａとの間に形成された第２低濃度領域３２Ａとを有する。 - 特許庁

Regions of a gate insulating film 16 that are to be on a source region 12 and a drain region 13 of an active layer 5 constitute thin-film sections 18.例文帳に追加

活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分上のゲート絶縁膜16を薄膜部18とする。 - 特許庁

To avoid conduction between a source region and a drain region accompanying microfabrication of a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、微細化にともなうソース領域およびドレイン領域の導通を回避できるようにする。 - 特許庁

The thin-film transistor includes a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and channel forming regions 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

This reduces light leak currents flowing through the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c.例文帳に追加

これにより、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに流れる光リーク電流が低減される。 - 特許庁

In the top face of the p well 131, an n^+-type drain region 137 and an n^+-type source region 133 are formed.例文帳に追加

ｐウェル１３１の上面内に、ｎ^+型ドレイン領域１３７及びｎ^+型ソース領域１３３が形成されている。 - 特許庁

Bit lines BL-1 to BL-4 are formed on the active region 210, and electrically connected to the region of source and drain.例文帳に追加

アクティブ領域210上にビット線ＢＬ−１〜ＢＬ−４を形成し、ソースとドレインの領域と電気的に接続する。 - 特許庁

A gate extending region is provided outside the source extending region, and the gate electrode and a gate interconnect layer are connected.例文帳に追加

ゲート引き出し領域は、ソース引き出し領域の外側に設けられ、ゲート電極とゲート配線層とが接続される。 - 特許庁

An N-type source region 10 and an N-type drain region 11 are arranged opposite to each other in the second direction.例文帳に追加

N形ソ−ス領域１０とN形ドレイン領域１１とは第２の方向において互いに対向配置されている。 - 特許庁

The second component light source includes an LED to emit the light in a blue spectrum region and a yellow spectrum region.例文帳に追加

前記第２の成分光源は、青色スペクトル領域および黄色スペクトル領域で光を発するＬＥＤを備える。 - 特許庁

When the data region for determination is 0, the region of the calendar data is not updated even when the control power source 11 is input.例文帳に追加

判断用データ領域が０ならば、制御電源１１が投入されてもカレンダーデータ領域を更新しない。 - 特許庁

In a conventional semiconductor device, depths of a drain region and a source region are shallower (thinner) than a thickness of an active layer.例文帳に追加

従来の半導体装置では、ドレイン領域やソース領域の深さが活性層の厚みよりも浅く(薄く)なっていた。 - 特許庁

For the entire element region on the source side of the gate electrode 15 a signal storage region 13 of a photodiode is arranged.例文帳に追加

ゲート電極１５のソース側の素子領域の全体には、フォトダイオードの信号蓄積領域１３が配置される。 - 特許庁

The source region 13 is electrically connected to the first semiconductor region 23 between the first and second deep trenches 6, 20.例文帳に追加

そして、第１、第２ディープトレンチ６，２０間の第１半導体領域２３をソース領域１３に電気的に接続する。 - 特許庁

In an FeRAM 1, an N-type drain region 6 and a source region 7 are formed with an interval each other.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ１では、Ｎ型のドレイン領域６およびソース領域７が互いに間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

The interlayer connection member is electrically connected to both the source region and the well tap region via the metal silicide layer.例文帳に追加

層間接続部材は、金属シリサイド層を介して、ソース領域とウェルタップ領域との双方に電気的に接続される。 - 特許庁

A p^- type diffusion layer 6 is formed, so as to be extended to the lower layer from the inner side (channel side) of a source region 4 or a drain region 5.例文帳に追加

ソース領域４又はドレイン領域５の内側（チャネル側）から下層にかけてｐ^-型拡散層６を延設する。 - 特許庁

A source region 403 and a drain region 404 are formed in the fin at the opposite sides of the gate electrode 363.例文帳に追加

ゲート電極３６３の両側においてフィン内にソース領域４０３及びドレイン領域４０４が形成される。 - 特許庁

The nickel silicide film 16 is formed on the gate electrodes 6a and 6b, the source region and the drain region.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極６ａ、６ｂ、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜１６を形成する。 - 特許庁

The source region or the drain region uses an oxide semiconductor layer without containing SiOx or an oxynitride film.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域は、ＳｉＯｘを含まない酸化物半導体層または酸窒化物膜を用いる。 - 特許庁

A source 13a and a drain 13d are formed on both sides of the channel region 7 on the surface of the n-well region 5.例文帳に追加

Ｎウエル領域５表面部のチャネル領域７の両側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが形成されている。 - 特許庁

Impurities in the diffusion source layer 12 are diffused into the predetermined region to disorder the active layer 5 in the region.例文帳に追加

拡散源層１２中の不純物を所定の領域に拡散させてその領域の活性層５を無秩序化させる。 - 特許庁

On the surface of the semiconductor substrate, a first source/drain region 23 sandwiching a region below the first insulating film is formed.例文帳に追加

半導体基板の表面には、第１絶縁膜下方の領域を挟む第１ソース／ドレイン領域２３が形成される。 - 特許庁

The semiconductor layer comprises a conductive MIC region corresponding to the region exposed in the source/drain contact hole.例文帳に追加

前記半導体層は、前記ソース/ドレインコンタクトホール内に露出した領域に対応する導電性MIC領域を備える。 - 特許庁

In this case, the semiconductors 8 on the source region 4 and the drain region 5 rise higher than the top surface of the air gap 6.例文帳に追加

ここで、ソース領域４とドレイン領域５上の半導体８はエアギャップ６上面よりもせり上がっている。 - 特許庁

The forming region of source/drain region 4 on a silicon substrate 2 is removed by etching to form an SiGe layer selectively.例文帳に追加

シリコン基板２のソース／ドレイン領域４の形成領域をエッチングで除去し、ＳｉＧｅ層を選択的に形成する。 - 特許庁

A floating gate 204a is formed on the semiconductor substrate between the cell source region 218s and the drain region 218d.例文帳に追加

ソース領域２１８ｓ及びドレイン領域２１８ｄの間の半導体基板上に浮遊ゲート２０４ａが形成される。 - 特許庁

To restrain defects generated in the source region or the drain region of a field-effect transistor formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された電界効果トランジスタのソース領域やドレイン領域に生じる欠陥を抑制する。 - 特許庁

On the surface of the semiconductor substrate, second source/drain region 23 sandwiching a region below the second insulating film is formed.例文帳に追加

半導体基板の表面には、第２絶縁膜下方の領域を挟む第２ソース／ドレイン領域２３が形成される。 - 特許庁

A transistor TR having a source-drain region 11 is formed in a substrate region adjacent to the storage node electrode 5.例文帳に追加

ストレージノード電極５に隣接した基板領域に、ソース・ドレイン領域１１を有するトランジスタＴＲを形成する。 - 特許庁

To uniform a potential distribution between a first impurity region and a second impurity region (for example, a source and a drain).例文帳に追加

第１不純物領域−第２不純物領域間（たとえば、ソース−ドレイン間）の電位分布を均一にすること。 - 特許庁

An n^+ gate contact region and an n^+ source region are formed simultaneously, and the impurity distribution of them are set to be identical.例文帳に追加

また、ｎ^＋ゲートコンタクト領域とｎ^＋ソース領域を同時に形成し、両者の不純物分布を同一とする。 - 特許庁

The FET 40 includes a source/drain region 42, an SD extension region 43, a gate electrode 44, and a sidewall 46.例文帳に追加

ＦＥＴ４０は、ソース・ドレイン領域４２、ＳＤ extension領域４３、ゲート電極４４およびサイドウォール４６を含んでいる。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁