「source region」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A p^+-type injector region and an n^+-type source region 14 are formed at an opposite side of the substrate 15 of the drift region 13.例文帳に追加

ドリフト領域１３の基板１５と反対側にはｐ^＋型インジェクタ領域とｎ^＋型ソース領域１４とが形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a source region 16S and a drain region 16D with high concentration are formed under the removed region 11B around the sidewall 15.例文帳に追加

その後、サイドウォール１５の周囲の削除領域１１Ｂ下に、高濃度のソース領域１６Ｓ及びドレイン領域１６Ｄが形成される。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p^+-type source region 126 and a p^+-type drain region 122 are also formed.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐ^+型ソース領域１２６及びｐ^+型ドレイン領域１２２が形成されている。 - 特許庁

Therefore, a non-silicide region 12 is provided in the source-drain region 8 between the first sidewall 7 and the silicide region 11.例文帳に追加

これにより、第１のサイドウォール７とシリサイド領域１１との間のソース・ドレイン領域８に非シリサイド領域１２が設けられる。 - 特許庁

Then, after forming a source/drain region 9 in the logic formation region, the TEOS oxide film 5b of the logic formation region is removed.例文帳に追加

次に、ロジック形成領域にソース・ドレイン領域９を形成した後、ロジック形成領域のＴＥＯＳ酸化膜５ｂを除去する。 - 特許庁

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16 to form an LDMOS (laterally diffused MOS).例文帳に追加

ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁

A channel region of the transistor is formed on a first layer, and a corresponding second source/drain region is formed on the channel region.例文帳に追加

トランジスタのチャネル領域は、第１の層上に形成され、付随した第２のソース／ドレイン領域はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of high-reliability operation without forming a source region and a drain region in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域にソース領域及びドレイン領域を形成せずに、信頼性が高い動作が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enable constituting a gate region getting into underside of a source region, without subjecting the region high-energy ion implantation.例文帳に追加

高エネルギーのイオン注入を行わなくても、ソース領域の下方までゲート領域が入り込んだ構造を形成できるようにする。 - 特許庁

A transistor-type protection device includes: a semiconductor substrate 1; a P well 2; a gate electrode 4; a source region 5; a drain region 6; and a resistive breakdown region 8.例文帳に追加

半導体基板１、Ｐウェル２、ゲート電極４、ソース領域５、ドレイン領域６および抵抗性降伏領域８を有する。 - 特許庁

In this case, the irradiation region 13a of the transmission member 13 is included in a region facing the light source arrangement region 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ここで、透過部材１３の照射領域１３ａは、基板１１の光源配置領域１１ａと対向する領域に含まれる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a plurality of JFETs 10 each having a source region 15, a drain region 17 and a gate region 16.例文帳に追加

半導体装置１は、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ゲート領域１６とを有するＪＦＥＴ１０を複数個備えている。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region (5 and 6) and source/drain regions 3 formed in a region outside the channel region (5 and 6).例文帳に追加

その半導体層は、チャネル領域５，６と、チャネル領域５，６の外側の領域に形成されるソース／ドレイン領域３とを備えている。 - 特許庁

The polysilicon layer 22 has a channel region 22a, a source region 22b and a drain region 22c which constitute a TFT element 14.例文帳に追加

このポリシリコン層２２は、ＴＦＴ素子１４を構成する、チャネル領域２２ａ、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃを有している。 - 特許庁

The field effect transistor 91 includes a gate electrode 40, a source region 23s and a drain region 23d, and a channel region 27.例文帳に追加

電界効果トランジスタ９１は、ゲート電極４０と、ソース領域２３ｓおよびドレイン領域２３ｄと、チャネル領域２７とを含む。 - 特許庁

A contact wiring 120, for electrically connecting one of the n^+-type source/drain region to one of the p^+-type source/drain region, is formed.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース／ドレイン領域の一方とｐ^+ 型ソース／ドレイン領域の一方とを電気的に接続するコンタクト配線１２０が形成されている。 - 特許庁

At the same time, for source or drain regions 7, 6, voltage of the reverse direction is applied to a first well region comprising a source or drain region.例文帳に追加

同時にソース又はドレイン領域７，６に対して逆方向の電圧をソース又はドレイン領域を含む第１ウエル領域９に印加する。 - 特許庁

An insulation region 26 is interposed between the two source/drain regions.例文帳に追加

絶縁領域２６が、２つのソース／ドレイン領域の間に挿入される。 - 特許庁

The device includes a source electrode in contact with a source region of the MOSFET, a control electrode in a base region, and an SBD electrode in contact with the SBD.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域に接するソース電極と、ベース領域に制御電極と、ＳＢＤに接するＳＢＤ電極とを備える。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELEVATED SALICIDE SOURCE/DRAIN REGION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

エレベイテッドサリサイドソース／ドレイン領域の形成方法、および半導体素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR RAISED SOURCE/DRAIN(S/D) REGION IN DEVICE例文帳に追加

デバイス内の隆起したソース／ドレーン（Ｓ／Ｄ）領域を製造する方法 - 特許庁

The source resistance RS that the source region 16 shows fulfills the relation of (1/gm)>RS to the mutual inductance gm of the channel region 18 itself.例文帳に追加

ソース領域１６が示すソース抵抗Ｒ_Sがチャネル領域１８自体の相互コンダクタンスｇ_mに対して（１／ｇ_m）＞Ｒ_Sなる関係を満たしている。 - 特許庁

The tubular light source is located outside the effective light emission region without overlapping the effective light emission region 71 of the flat light source device 70.例文帳に追加

管状光源は、面光源装置の有効発光領域７１と重複することなく、有効発光領域の外側に設けられている。 - 特許庁

A second laser radiation source 11 produces a laser beam in the infrared region.例文帳に追加

第２のレーザ光源１１が、赤外領域のレーザビームを発生する。 - 特許庁

A second region is exposed to the radiation source through a second photomask.例文帳に追加

第２の領域が第２のフォトマスクを通じて発光源に露出される。 - 特許庁

In this case, the source region of the source side selective transistor 9 and the conductive layer 11 are directly connected.例文帳に追加

この時、ソース側選択トランジスタ９のソース領域と導電層１１とは直接接続している。 - 特許庁

Through these contact holes, the above-mentioned source electrode is electrically connected to the source region 14.例文帳に追加

これらのコンタクト孔を介して、前記ソース電極が、ソース領域１４に電気的に接続されている。 - 特許庁

PROTUBERANT SILICIDE SOURCE/DRAIN TYPE MOS TRANSISTOR WITH EXPANDED SOURCE/DRAIN CONTACT REGION AND METHOD例文帳に追加

拡張されたソース／ドレインコンタクト領域を有する隆起シリサイドソース／ドレイン型ＭＯＳトランジスタおよび方法 - 特許庁

In a region near a pad 66 for a source, the through-hole 73 for a source is disposed more roughly than in other portions.例文帳に追加

ソース用パッド６６の近くでは、ソース用スルーホール７３は他の部分よりも粗く配置してある。 - 特許庁

To provide a thin surface light source element with a wide light emission region and a production method for this surface light source element.例文帳に追加

本発明は、薄型で発光領域の広い面光源素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

This source interconnect layer is connected to a source electrode formed in the transistor region immediately above the trench.例文帳に追加

このソース配線層は、トレンチの直上で、トランジスタ領域に形成されたソース電極と接続される。 - 特許庁

The first dope region is formed on the base plate neighbored to the control gate and the second dope region is formed at a place below the first dope region and neighbored to the stray gate while the second dope region serves as a source region and a drain region together with the first dope region.例文帳に追加

第一ドープ領域は制御ゲートに隣接する基板に形成され、第二ドープ領域は第一ドープ領域の下で、浮遊ゲートに隣接するところに形成され、第一ドープ領域と共に、ソース領域とドレイン領域となる。 - 特許庁

A lightly-doped region 10a and a heavily-doped region 12a as the drain region D, and a lightly-doped region 10b and a heavily-doped region 12b as a source region S are formed on the well region.例文帳に追加

そのウェル領域には、ドレイン領域Ｄとしての低濃度不純物領域１０ａおよび高濃度不純物領域１２ａと、ソース領域Ｓとしての低濃度不純物領域１０ｂおよび高濃度不純物領域１２ｂとが形成されている。 - 特許庁

In the surface area of an N-type drain drift region 20, an N^+- type drain region 17 and a P-type well region 18 surrounding an N^+-type source region are formed.例文帳に追加

Ｎ形ドレインドリフト領域２０の表面領域にＮ^＋型のドレイン領域１７と、Ｎ^＋形のソース領域を包囲するＰ形のウェル領域１８を形成する。 - 特許庁

The horizontal semiconductor device 10 having a trench gate 40 includes: a first body contact region 21; a source region 23; a second body contact region 24; and a drain region 26.例文帳に追加

トレンチゲート４０を有する横型半導体装置１０は、第１ボディコンタクト領域２１とソース領域２３と第２ボディコンタクト領域２４とドレイン領域２６を備えている。 - 特許庁

At least one of the two-layered insulating films is patterned to overlap with the lightly doped region and the channel region except for the source region and the drain region.例文帳に追加

２層の絶縁膜の少なくとも一方は、パターニングされてソース領域及び前記ドレイン領域を除いた低濃度ドーピング領域及びチャネル領域と重畳している。 - 特許庁

On a second doped region, there is formed a third dope region having a conduction type opposite to that of the second dope region and forming a source/drain region.例文帳に追加

第２のドープ領域の上に、第２のドープ領域の導電型と相対する導電型を有し、ソース／ドレイン領域を形成する第３のドープ領域が形成される。 - 特許庁

In this crystallized region, a source region and a drain region are formed so that the cross-section of a direction of current flow in a channel region may be the (001) face.例文帳に追加

この結晶化領域には、ソース領域とドレイン領域とが、チャネル領域内で電流の流れる方向の断面が前記（００１）面となるように形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a first region 12; a source region 20; a second region 14; a drain region 30; a gate insulation layer 60; a field insulation layer 50; and a gate electrode 40.例文帳に追加

半導体装置は、第１領域１２、ソース領域２０、第２領域１４、ドレイン領域３０、ゲート絶縁層６０、フィールド絶縁層５０、ゲート電極４０を具備する。 - 特許庁

A high concentration body region 27 is formed in a region that is near a source region 35, which is formed to have a depth not reaching the insulating layer 15, and is opposite to a channel region 39.例文帳に追加

絶縁層１５に達しない深さで作り込まれたソース領域３５の、チャネル領域３９とは反対側の領域に、高濃度ボディ領域２７を形成する。 - 特許庁

A p-type gate contact region 104 is provided on a position separated from the source region 107 and the drain region 106 in order to connect the gate region 103 to an interconnect.例文帳に追加

ゲート領域１０３を配線に接続するためにＰ型ゲートコンタクト領域１０４がソース領域１０７及びドレイン領域１０６から離れた位置に設けられている。 - 特許庁

Moreover, since the n-type impurity region is provided continuously up to the lower part of drain region from the lower part of source region, a resistance value of the current path in this region can almost be equalized.例文帳に追加

またソース領域下方からドレイン領域下方まで連続して設けることにより、この領域における電流経路の抵抗値を略均一にできる。 - 特許庁

The source region 36 is formed at a position out of the inside of a horizontal plane wherein the drain region 32, the body region 38 and the body contact region 37 are arrayed in the horizontal direction.例文帳に追加

ソース領域３６が、ドレイン領域３２とボディ領域３８とボディコンタクト領域３７が横方向に並んでいる水平面内から外れた位置に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a source drain region 24 is formed respectively in the region Tr1, region Tr2 and region Tr3, using a gate electrode 21 and a side wall spacer 23 as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１、側壁スペーサ２３をマスクに、領域Ｔｒ１、領域Ｔｒ２及び領域Ｔｒ３に、それぞれソース・ドレイン領域２４を形成する。 - 特許庁