「substrate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An integrated circuit structure provided with a substrate having at least two types of crystal orientation is disclosed.例文帳に追加

少なくとも２タイプの結晶方位を有する基板を備える集積回路構造を開示する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE (DOUBLE SIMOX HYBRID ORIENTATION TECHNIC (HOT) SUBSTRATE)例文帳に追加

集積半導体構造の形成方法（二重ＳＩＭＯＸハイブリッド配向技術（ＨＯＴ）基板） - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR (SEMICONDUCTOR CAPACITOR OF HOT (HYBRID ORIENTATION TECHNOLOGY) SUBSTRATE)例文帳に追加

半導体構造、半導体製造方法（ＨＯＴ（ハイブリッド配向技術）基板の半導体キャパシタ） - 特許庁

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, TRANSPARENT ELECTRODE SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL ORIENTATION FILM USING THIS例文帳に追加

透明導電膜、透明電極基板およびこれを用いた液晶配向膜の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having different surface orientations (namely, hybrid surface orientation).例文帳に追加

別々の表面配向（すなわちハイブリッド表面配向）を有する半導体基板を提供する。 - 特許庁

BIAXIAL ORIENTATION POLYESTER FILM FOR PLANAR SPEAKER SUBSTRATE AND LAMINATING MEMBER FOR PLANAR SPEAKER CONSTITUTED THEREOF例文帳に追加

平面スピーカー基板用二軸配向ポリエステルフィルムおよびそれからなる平面スピーカー用積層部材 - 特許庁

To provide an integrated semiconductor device formed on a substrate having different crystal orientation.例文帳に追加

異なる結晶方位を有する基板上に形成された集積半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

A substrate uses a mirror-polished sapphire (0001) inclined by 0.05 to 0.2 degrees from a <0001> orientation.例文帳に追加

＜０００１＞方向より０．０５°から０．２°傾斜させた鏡面研磨サファイア（０００１）を基板とする。 - 特許庁

A GaN substrate having a main surface composed of (0001)-face has an orientation flat OF1 used for discriminating the <1-100> equivalent direction of the substrate.例文帳に追加

主面が（０００１）面のＧaＮ基板であって、＜１−１００＞等価方向を判別するオリエンテーションフラットＯＦ１を有する。 - 特許庁

To provide a substrate wherein the orientation and the flatness of the surface of a nickel plated layer can be improved, and a method for producing the substrate.例文帳に追加

ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The substrate 2 is constituted of an n^+-type silicon single crystal substrate in which orientation of the upper surface is (100).例文帳に追加

半導体基板２は、その上面の面方位が（１００）面からなるｎ^＋型のシリコン単結晶基板から構成されている。 - 特許庁

The method, in which a CNT vertical orientation film is formed on a substrate surface by a chemical vapor synthesis method, and the CNT aggregate is manufactured from the CNT vertical orientation film, includes forming the CNT vertical orientation film on the substrate, and then removing an upper part of the CNT vertical orientation film by oxygen plasma etching.例文帳に追加

化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate having a semiconductor part of a superior characteristic similar to a case when it is formed in an off substrate generated by inclining a face orientation without previously inclining the substrate from the prescribed face orientation and cutting it.例文帳に追加

基板を所定の面方位からあらかじめ傾けて切り出すことなく、面方位を傾けて作成したオフ基板に作成した場合と同じく優れた特性の半導体部を有する複合半導体基板を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the orientation film 126 at the top of the spacer 125 and the orientation film 118 on the side of the TFT substrate 110 are joined by superimposing the TFT substrate 110 and the facing substrate 120 and heat-treating them at a high temperature with pressurization.例文帳に追加

その後、ＴＦＴ基板１１０と対向基板１２０とを重ね合わせ、加圧しながら高温で熱処理して、スペーサ１２５の頂部の配向膜１２６とＴＦＴ基板１１０側の配向膜１１８とを接合する。 - 特許庁

Provided is a stereoscopic image photographic paper having a transparent substrate and a first and a second orientation membranes existing on a front surface and a back surface of the transparent substrate whose orientation axes are orthogonal to each other.例文帳に追加

透明支持体、並びに該透明支持体の表面及び裏面に、それぞれの配向軸が互いに直交している第１及び第２の配向膜を有する立体画像用印画紙である。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning method that can easily and reliably remove the ionic impurities of the inorganic orientation film provided on a substrate.例文帳に追加

基板に設けられた無機配向膜のイオン性不純物を確実、かつ簡便に除去できる、基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming an Ni/Au/In film 9 on a p-type GaP substrate 8 of a plane orientation (100).例文帳に追加

（１００）面方位のｐ型ＧａＰ基板８上にＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a surface acoustic wave sensor having a surface orientation suitable for a surface acoustic wave sensor.例文帳に追加

表面弾性波センサに好適な表面方位を有する表面弾性波センサ基板を提供する。 - 特許庁

A formation method of an intermediate layer for a tape-like oxide superconducting thin film wire includes: bending a tape-like orientation metal substrate which is unwound from an unwinding reel; forming the intermediate layer on an inner bent surface side; and then winding, around a winding reel, the orientation metal substrate with the intermediate layer formed while unbending the orientation metal substrate.例文帳に追加

巻出しリールから巻出されたテープ状の配向金属基板を湾曲させ、内曲げ面側に中間層を形成し、その後、湾曲を解消させながら、中間層が形成された配向金属基板を巻取りリールに巻取るテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。 - 特許庁

An oxide film 10 of 1 nm or less is formed on a surface of a silicon substrate 1 of a (100) plane in plane orientation.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。 - 特許庁

An epitaxial layer 41 is formed directly on a first substrate 40 whose surface having the plane orientation [011].例文帳に追加

表面の面方位が｛０１１｝の第１の基板４０の直上に、エピタキシャル層４１を形成する。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATION SUBSTRATE AND FORMATION METHOD THEREFOR (HIGH-PERFORMANCE CMOS SOI DEVICE)例文帳に追加

ハイブリッド結晶方位基板上の集積回路構造及び形成方法（高性能ＣＭＯＳＳＯＩデバイス） - 特許庁

A mirror-polished sapphire (0001) inclined by 0.05 to 0.2° from <0001> orientation is used as the substrate 201.例文帳に追加

＜０００１＞方向より０．０５°から０．２°傾斜させた鏡面研磨サファイア（０００１）を基板２０１とする。 - 特許庁

To deposit a film having high orientation on a substrate by controlling the energy of sputtering particles.例文帳に追加

スパッタ粒子のエネルギを調節することによって基板上に配向性の高い膜を形成すること。 - 特許庁

In this particular embodiment, the substrate is oppositely oriented in the integrated circuit, relative to a conventional orientation.例文帳に追加

この特定の実施形態では、基板は、集積回路内で従来の向きとは逆の向きに置かれる。 - 特許庁

Gate electrodes 11 are disposed in parallel or vertical to a specified crystal orientation of a substrate 11.例文帳に追加

ゲート電極１１は、基板１１の特定の結晶面方位に平行又は垂直に配置されている。 - 特許庁

Gamma-Al_2O_3 thin film 6 is formed to be orientation-controlled on an upper face of a silicon substrate 4.例文帳に追加

シリコン基板４の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３薄膜６が配向制御され、形成されている。 - 特許庁

To provide a grinding device which preventing chipping, breaking and orientation nonuniformity of a liquid crystal panel substrate.例文帳に追加

液晶パネル基板の欠け、割れ、および配向ムラを防止することが可能な研削装置を提供する。 - 特許庁

In this invention, a nano wire 1 is formed on a silicon crystal substrate 3 and composes silicides extending along a crystal orientation on the substrate from an insular nickel 2 arranged on the above substrate 3.例文帳に追加

本発明のナノワイヤ１は、シリコン結晶基板３に形成され、基板３に配置された島状ニッケル２から基板の結晶方位に沿って延びるシリサイドからなる。 - 特許庁

The off-angle, formed by the main surface of the GaN substrate and a (0001) face, is set at a value range of 0.05° to 2° in <1-100> orientation, and at a value from 0° to 1° in <11-20> orientation.例文帳に追加

また、ＧａＮ基板の主面と（０００１）面とのなすオフ角が、＜１−１００＞方向に０．０５°以上２°以下であり、＜１１−２０＞方向に０°以上１°以下とする。 - 特許庁

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that a recess having a face orientation (001) is formed in the surface of a silicon substrate having a crystal orientation <111> by alkali etching, and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used.例文帳に追加

結晶方位＜１１１＞のシリコン基板表面に、アルカリエッチングにより、面方位（００１）を有する窪みを形成した後、前記シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

The liquid crystal device includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 arranged mutually oppositely, a liquid crystal layer 40 sandwiched between the element substrate 10 and the counter substrate 20, and an orientation film 34 and an orientation film 36 provided on each facing side to the liquid crystal layer 40 of the element substrate 10 and the counter substrate 20.例文帳に追加

液晶装置は、互いに対向して配置された素子基板１０および対向基板２０と、素子基板１０および対向基板２０の間に挟持された液晶層４０と、素子基板１０および対向基板２０のそれぞれの液晶層４０に面する側に設けられた配向膜３４と配向膜３６と、を備えている。 - 特許庁

A method for positioning a substrate comprises transferring a substrate along a path intersecting a plane of a sensor beam, determining a center point and an orientation indicator of the substrate utilizing signals from the sensor beam, and positioning a substrate.例文帳に追加

基板の位置付け方法は、センサビームの平面を横切る経路に沿って基板を動かし、レシーバからの信号を用いて基板の中心点及び方向インジケータを決め、基板を位置決めすることを含む。 - 特許庁

At least one of the orientation film ORI1 of a TFT substrate SUB1 and the orientation film ORI2 of a CF substrate SUB2 constituting a liquid crystal display panel has a liquid crystal orientation control capability given by the irradiation of light, and the number average molecular weight of the remaining element is 3,500 or more.例文帳に追加

液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板ＳＵＢ１の配向膜ＯＲＩ１とＣＦ基板ＳＵＢ２の配向膜ＯＲＩ２の少なくとも一方に光の照射により付与された液晶配向制御能を有し、その残存分子の数平均分子量が３５００以上とした。 - 特許庁

The first type of transistor is located on the first part of the substrate having an crystal orientation of the first type, and the second type of transistor is located on the second part of the substrate having an crystal orientation of the second type.例文帳に追加

第１のタイプのトランジスタは、第１のタイプの結晶方位を有する基板の第１の部分の上に位置し、第２のタイプのトランジスタは、第２のタイプの結晶方位を有する基板の第２の部分の上に位置する。 - 特許庁

A substrate (1) is scanned by a linearly polarized light beam radiated obliquely from a light beam radiation device (20) so as to provide an oriented film applied to the substrate, with orientation characteristics arranging the orientation direction of liquid crystals.例文帳に追加

光ビーム照射装置（２０）から斜めに照射された直線偏光の光ビームにより基板（１）を走査して、基板に塗布された配向膜に液晶の配列方向を整える配向特性を付与する。 - 特許庁

The light modulation element 30 is provided with a transparent substrate 31, a lower electrode 32, an orientation film 33, a light modulation layer 34, an orientation film 35, an upper electrode 36, and a transparent substrate 37 in that order from the reflecting plate 40 side (Fig.1).例文帳に追加

光変調素子３０は、透明基板３１、下側電極３２、配向膜３３、光変調層３４、配向膜３５、上側電極３６および透明基板３７を反射板４０側から順に備える（図１）。 - 特許庁

To align a notch or orientation flat to arbitrary position without contaminating the rear surface of a semiconductor substrate by a method wherein when a spindle means is rotated, the semiconductor substrate held by a holding means is also rotated around its axial line.例文帳に追加

裏面を汚染することなく，半導体基板の位置合わせすることが可能なアライナー装置および方法を提供する。 - 特許庁

The TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are subjected to rubbing to define an initial orientation direction and a pretilt angle of liquid crystal molecules.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１００および対向基板２００には液晶分子の初期配向方向とプレティルト角を決めるラビングが施されている。 - 特許庁

The semiconductor device is deposited on the substrate having a surface orientation of an angle of 0.05°or more different from a (0001) surface of GaN or AlN.例文帳に追加

半導体素子をGaNまたはAlNの(0001)面より0.05度以上角度の異なる面方位の基板上に堆積する。 - 特許庁

Secondly, the substrate is heated and AlRu and CrMo are film-deposited as a seed layer 3 and a orientation controlling layer 4, respectively.例文帳に追加

次に、基板を加熱し、シード層３としてＡｌＲｕを、配向制御層４としてＣｒＭｏを成膜した。 - 特許庁

A Cu electrode film (or Cu alloy electrode film) 22 having tri-axis orientation is provided onto a piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

圧電基板２上に、３軸配向を有するＣｕ電極膜（又はＣｕ合金電極膜）２２を配設する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method of the embodiment further comprises a process of bonding a second substrate 2 with the insulation film 8 of the first substrate 1 such that crystal orientation of the photodiode layer 4 agrees with crystal orientation of the second substrate 2.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate using a gallium oxide substrate where a buffer layer preferable for growth of the nitride semiconductor is formed in the surface orientation other than the surface orientation (0001), and also to provide a manufacturing method of the same nitride semiconductor growth substrate.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板を用い、このガリウム酸化物基板上に窒化物半導体を成長させるのに好ましいバッファ層として、（０００１）の面方位以外の面方位に形成した窒化物半導体成長基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate which enables a user to exactly perform positioning or stock number verification of the glass substrate when corner cut parts or orientation flat parts of the glass substrate are irradiated with laser light.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板のコーナーカット部又はオリフラ部にレーザー光を照射した際におけるガラス基板の位置決め、品番確認を正確に行うことができるガラス基板を提供する。 - 特許庁