「substrate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a single crystal substrate, the method being suitable for manufacturing the single crystal substrate in which a single crystal of a polarity A is formed on at least the surface of a crystal in which parts having different polarities A and B and having opposite structure with respect to the crystal orientation coexist, and a device is fabricated on the single crystal of the polarity A.例文帳に追加

結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal substrate is produced by melting a sintered body formed by heating at a temperature of 1,000°C or higher as a source material, growing a single crystal from the melt, if necessary, in an oxygen atmosphere or an inert gas atmosphere, and then cutting out a piece with the crystallographic orientation {0001} as the substrate face.例文帳に追加

前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 - 特許庁

In the optical control device in which the electrode 11 for control is formed on the crystalline substrate 1 having an electrooptic effect by electrolytic plating, at least one layer of a growth suppression layer 10 of electrode orientation, etc. is provided between the crystalline substrate and the electrode for control.例文帳に追加

電気光学効果を有する結晶性基板１上に、制御用電極１１を電解メッキによって形成する光制御デバイスにおいて、該結晶性基板と該制御用電極との間に、少なくとも１層の電極配向等成長抑制層１０を有することを特徴とする。 - 特許庁

The optical retardation layer laminated body is characterized by comprising a substrate with an orientation function and the optical retardation layer having a liquid crystal material capable of forming a nematic phase, which is formed into a pattern form so as to have a refractive index anisotropy, formed on the substrate.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、配向能を有する基材と、上記基材上に、ネマチック相を形成し得る液晶材料が屈折率異方性を有するようにパターン状に形成された位相差層とを有することを特徴とする位相差層積層体を提供する。 - 特許庁

In the surface acoustic wave device, an interdigital transducer (IDT) 3 is formed on a crystal substrate 2, a ZnO film 6 of c-axis orientation is formed on the crystal substrate 2 so as to cover the IDT 3, and a metallization ratio of the IDT 3 is within the range of 0.25 to 0.45.例文帳に追加

水晶基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３を覆うように水晶基板２上にｃ軸配向のＺｎＯ膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３のメタライゼーション比が０．２５〜０．４５の範囲にある、弾性表面波装置。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium suppressing that the magnetic recording medium is affected by the crystal orientation of a substrate to easily have crystal anisotropy, having extremely reduced coercive force anisotropy and suitable for smoothly dealing with a trend toward the higher recording density, in the magnetic recording medium using a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板を用いた磁気記録媒体において、基板の結晶配向の影響を受け、結晶的に異方性をもちやすくなることを抑制し、保磁力異方性のきわめて少なく、しかも、平滑な高記録密度対応に適した磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

In the color filter substrate, at least a color filter layer having a liquid crystal orientation function to orient a polymerizable liquid crystal compound, and an optical compensation layer formed by applying and curing the polymerizable liquid crystal compound are disposed in this sequence on the substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも重合性液晶化合物を配向させる液晶配向機能を有するカラーフィルタ層と、前記重合性液晶化合物を塗布、硬化させることによって形成した光学補償層と、をこの順に備えることを特徴とするカラーフィルタ基板である。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

According to the method, a dispersion liquid obtained by dispersing the thin wiry structures such as the silicon nanowires 17, is made to flow on a surface of a substrate 11 in the predetermined orientation, and a binding portion (gold nanoparticle 21) at one end of each thin wiry structure is joined to a predetermined binding portion (-SH group) on the surface of the substrate 11.例文帳に追加

シリコンナノワイヤー１７などの細線状構造体を分散させた分散液を基板１１の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位（金ナノ粒子２１）と基板１１の表面の所定の結合部位（−ＳＨ基）とを結合させる。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises: a substrate; a ferromagnetic layer made of a magnetic alloy containing Co, Fe and B formed on the substrate; and polycrystalline MgO with the preferred orientation of a (001) crystal plane as a tunnel barrier layer on the ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯとを有することに特徴がある。 - 特許庁

A substrate which is formed from a langasite (La_3Ga_5SiO_14) single crystal and has a surface orientation defined by Euler angles of -5°<ϕ<5°, 130°<θ<145° and 20°<ψ<40° is used as the piezoelectric substrate for the surface acoustic wave sensor with a working temperature range of ≤150°C.例文帳に追加

使用温度範囲が１５０℃以上の表面弾性波センサ用の圧電体基板として、ランガサイト（Ｌａ_3Ｇａ_5ＳｉＯ_14）の単結晶で形成され、その表面の方位が、オイラー角表示で（−５°＜φ＜５°、１３０°＜θ＜１４５°、２０°＜ψ＜４０°）の範囲内とされた基板を採用する。 - 特許庁

Concerning an orientation monolayer carbon nanotube bulk structure wherein a plurality of monolayer carbon nanotubes are arranged on a conductor substrate and oriented in a prescribed direction relative to the conductor substrate surface, the redox protein such as hydrogenase is immobilized in an internal space of the bulk structure.例文帳に追加

複数本の単層カーボンナノチューブが導体基板上に配置され、かつ、導体基板面に対して所定方向に配向した配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体であって、当該バルク構造体の内部空間に、ヒドロゲナーゼ等の酸化還元蛋白質が固定化されていることを特徴とする。 - 特許庁

To reduce cost in mass production of an SiCOI construction substrate with regard to a method to grow a cubic silicon carbide (3 C-SiC) crystal film with orientation (100) at relatively low substrate temperature.例文帳に追加

３Ｃ−ＳｉＣによる高周波デバイスやセンサー等の電子デバイスの作製において、ＳｉＣＯＩ構造が知られているものの、３Ｃ−ＳｉＣ膜をＳｉの熱酸化膜上へ直接成長させることによってＳｉＣＯＩ構造を形成する技術はこれまで報告されていない。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

Consequently, when the information about position of straight line, orientation, and expansion measured by the detector unit 16 for each part of the substrate 10 can be transferred to the exposure unit 17, and the substrate is exposed while passing directly under the exposure unit 17, the exposure condition of the part of the substrate to be exposed can be optimized.例文帳に追加

したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 - 特許庁

When the the information about position of straight line, orientation, and expansion measured by the detector unit 16 for each part of the substrate 10 can be transferred to the exposure unit 17, and the substrate is exposed while passing directly under the exposure unit 17, an exposure condition of the part of the substrate to be exposed can be optimized.例文帳に追加

基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 - 特許庁

This method for producing a spinel ferrite thin film with (100) the preferred orientation on a substrate includes: a sputter deposition step of forming a spinel ferrite thin film or a thin film serving as a precursor thereof on the substrate by means of a sputtering method; and a vacuum heating step of heating the substrate in a vacuum.例文帳に追加

基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 - 特許庁

Consequently, linear position, orientation and expansion information, measured by the detector unit 16, for each portion of the substrate 10 can be transferred to the exposure unit 17, so that the exposure conditions for that portion of the substrate can be optimized when the substrate is exposed as it passes underneath the exposure unit 17.例文帳に追加

したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device in which a PMOS transistor 30p and an NMOS transistor 30n are formed at a front surface side of an identical semiconductor substrate, the PMOS transistor 30p is formed in a stuck semiconductor layer 7 consisting of a plane orientation (110) Si different from a surface layer of the semiconductor substrate which is stuck and formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

同一の半導体基板の表面側に、ＰＭＯＳトランジスタ３０ｐとＮＭＯＳトランジスタ３０ｎとが形成された半導体装置において、ＰＭＯＳトランジスタ３０ｐは、半導体基板に貼り合せ形成された半導体基板の表面層とは異なる面方位（１１０）Ｓｉからなる貼り合せ半導体層７に形成されている。 - 特許庁

Consequently, the information about the linear position, orientation, and expansion measured by the detector unit 16 for each part of the substrate 10 can be transmitted to the exposure unit 17, and the exposure conditions for each part of the substrate can be optimized when the substrate is exposed while passing under the exposure unit 17.例文帳に追加

したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 - 特許庁

Among these, the masses 301 and 303 located in the edge are supported by a semiconductor substrate 1 via respective beams B1-B4, respectively in a form permitting displacement with respect to the orthogonal orientation of these connected masses.例文帳に追加

このうち、端部に位置するマス３０１および３０３は、それらマスの連結方向と直交する方向への変位が許容されるかたちで半導体基板１にそれぞれ梁Ｂ１〜Ｂ４を介して支持される。 - 特許庁

The plane orientation of the main surface of the substrate 11 has the off-angle in the direction <1-100> from the (0001) surface, and the device layer 12 has the surface form of stripes, extending nearly in parallel to the off-angle direction.例文帳に追加

基板１１の主面の面方位は（０００１）面から晶帯軸の＜１−１００＞方向にオフ角を有し、素子層１２は、該オフ角の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film electrode having improved adhesion properties to a substrate, improved light transmission properties, advanced smoothness and orientation properties at low costs by a simple process using an inexpensive manufacturing apparatus.例文帳に追加

基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

A core layer 12 of an optical waveguide 3 is composed of an electro-optic material exhibiting a rhombohedral structure, and the electro-optic material is grown and formed as a film grown and formed on a substrate whose crystal orientation of the principal surface is (100).例文帳に追加

光導波路３のコア層１２が、菱面体構造を示す電気光学材料からなり、主面の結晶方位が（１００）である基板上に成長形成した膜として成長形成されている。 - 特許庁

To provide a vertical diffusion furnace in which, even if a plurality of semiconductor substrates of orientation flat are loaded on a boat, the stream of a reactive gas is made uniform, so that an oxide film formed on a semiconductor substrate 10 becomes uniform.例文帳に追加

縦型拡散炉において、オリフラ１０ａのある複数の半導体基板１０をボ−トに積載しても反応ガスの流れを一様にし半導体基板１０に形成される酸化膜を均一にするようにする。 - 特許庁

To provide a large diameter GaN single crystal substrate, in which the plane orientation of a main plane is other than (0001) and (000-1) and the dislocation density in the main plane is substantially uniform, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a large diameter GaN single crystal substrate, in which the plane orientation of a main plane is other than (0001) and (000-1) and the carrier concentration distribution in the main plane is substantially uniform, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate contains at least a laminated nonwoven fabric prepared by crossing the orientation direction of mutual filaments in two drawn nonwoven fabrics in which the filaments are oriented and drawn in the same or different directions and laminating the two drawn nonwoven fabrics.例文帳に追加

基材は、同一または異なる一方向にフィラメントが配列され延伸された２枚の延伸不織布を互いのフィラメントの配列方向を交差させて積層した積層不織布を少なくとも含んでいる。 - 特許庁

Further, the 1st or 2nd electrode and pixel electrode are electrified to produce so called a side electric field in a direction nearly parallel to the substrate plane and the orientation of an electrooptical substance such as liquid crystal is controlled.例文帳に追加

第１又は第２の電極と画素電極に通電することにより、基板平面に略平行な方向にいわゆる横方向電界が発生し、液晶などの電気光学物質の配向が制御される。 - 特許庁

The authenticity judgment medium 1 is produced by laminating on a substrate 2 an orientation film 3, a light selection reflecting pattern layer 4, a light reversing pattern layer 5 and a light selection reflecting layer 6.例文帳に追加

基材２上に配向膜３、光選択反射パターン層４、光反転パターン層５および光選択反射層６を積層して真偽判定用媒体１とすることにより課題を解決することができた。 - 特許庁

While aligning the orientation of the edge 69a of a breaking device 69 with the extension direction of the edge 71b, the edge 69a of a breaking device 69 is pressed against the substrate product SP from a direction intersecting a second face 63b.例文帳に追加

エッジ７１ｂの延在方向にブレイキング装置６９のエッジ６９ａの向きを合わせて、第２の面６３ｂに交差する方向からブレイキング装置６９のエッジ６９ａを基板生産物ＳＰに押し当てる。 - 特許庁

The optical semiconductor device comprises an optical semiconductor element having an element region on a compound semiconductor substrate wherein an angle of 5-85° is set between the dicing direction of the optical semiconductor element and the orientation of cleavage surface of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体基板上に素子領域が形成された光半導体素子を備え、光半導体素子のダイシング方向と、化合物半導体の割れ結界面方位との角度を５〜８５度とする。 - 特許庁

Further, the optically anisotropic film 23 on the optically transparent substrate wafer 22 has an orientation flat showing one of the ordinary and extraordinary light-beam directions.例文帳に追加

また、光学的透明基板ウェハー２２上の光学的異方性膜２３は、該光学的異方性膜がその常光線方向もしくは異常光線方向のいずれか一方の方向を示すオリエンテーションフラットをもつことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the carbon fiber involves a growing step to grow the carbon fiber 5 on a substrate 1 in which a step to expose an orientation material 4 containing cobalt oxide to a gas containing carbon is involved.例文帳に追加

基体１上に炭素繊維５を成長させる成長工程を含む炭素繊維の製造方法において、前記成長工程が酸化コバルトを含む配向物質４を炭素含有ガスに晒す工程を含む。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium that has excellent dispersibility, especially dispersibility of ultrafine particle alloy powder, excellent filling properties, orientation, durability of magnetic layer, abrasion resistance, heat resistance, adhesiveness to a nonmagnetic substrate, etc.例文帳に追加

分散性、特に超微粒子合金粉末の分散性に優れ、充填性、配向性、かつ磁性層の耐久性、耐摩耗性、耐熱性、非磁性支持体との接着性等に優れた磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The crystallinity of the titanium film 1 is changed from unidirectional to bidirectional orientation by heating, and the titanium film 1 is increased in crystal density and improved in barrier properties to anisotropic etchant such as KOH used for etching a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

チタン膜１の結晶性は加熱により一方位配向から二方位配向へと変化し、また結晶密度も増加してＫＯＨなど半導体基板１０の異方性エッチャントに対するバリア性が向上する。 - 特許庁

To provide a metal oxide structure and a method for producing the structure which includes rod-shaped crystals formed on a substrate with high orientation and high density, and is useful as a light emitting element and a highly sensitive sensor, and the like, and to provide a light-emitting element.例文帳に追加

棒状結晶が基板上に高配向且つ高密度で形成され、発光素子、高感度のセンサー、などとして有用な金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに発光素子の提供。 - 特許庁

The optical component includes a substrate (1) or a cell having two spaced-apart substrates, one or more orientation layers (2) on the substrates and one or more anisotropic layers (3) of cross-linked liquid crystalline monomers or oligomers.例文帳に追加

光学素子が、基板(1)又は２つの間隔をおいた基板からなるセルと、基板上の１つまたはそれ以上の配向層(2)と、架橋した液晶モノマー又はオリゴマーの１つまたはそれ以上の異方性層(3)とを有する。 - 特許庁

The color filter 10 is arranged in a matrix form opposite to a drive pixel section (not shown), where a plurality of filter elements 11 having a specific color material on a light-transmitting substrate drive and control the orientation of a liquid crystal.例文帳に追加

カラーフィルタ１０は、光透過性の基板上に所定の色材を有する複数のフィルタエレメント１１が液晶の配向を駆動制御する駆動画素部（図示せず）に対向してマトリクス状に配列されている。 - 特許庁

A cleaved and separated surface 80 is formed by cleavage along the crystal orientation surface of the substrate 1 so as to cross the path of light passing through the first slab waveguide 3 to separate by cleaving the first slab waveguide 3.例文帳に追加

基板１の結晶方位面に沿って劈開形成した劈開分離面８０を第１のスラブ導波路３を通る光の経路と交わるように形成して第１のスラブ導波路３を劈開分離する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to control generation of static electricity and dust due to conventional rubbing treatment and quantitative orientation treatment, by contriving a method for forming an alignment film on a substrate.例文帳に追加

基板に対する配向膜の形成方法を工夫することで、従来のラビング処理による静電気や塵の発生、定量的な配向処理の制御が困難であるという問題点の解決を可能とする。 - 特許庁

To deposit a ferroelectric film excellent in crystalline and crystalline orientation at comparatively low temperature without neither using an expensive substrate nor going through complicated processes concerning a method for manufacturing a ferroelectric element.例文帳に追加

強誘電体素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、比較的低温で、結晶性及び結晶配向性に優れた強誘電体膜を成膜する。 - 特許庁

To prevent generation of uneven cell gap due to concentration of load to a part of spacer particles and disturbance of orientation of liquid crystal due to movement of spacer particles in a liquid crystal panel using a color filter substrate.例文帳に追加

カラーフィルター基板を用いた液晶パネルにおいて、一部のスペーサー粒子への集中荷重によってセルギャップを不均一にしたり、スペーサー粒子の移動によって液晶配向を乱したりすることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film and its manufacturing method capable of obtaining a quasi-single crystal semiconductor thin film having a controlled crystal orientation on a substrate, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に結晶方位が制御された擬単結晶半導体薄膜を得ることが可能となる半導体薄膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconductor which realizes high biaxial or triaxial orientation at high reproducibility without passing through a melting-solidifying stage by precise temperature control and a thin film growing stage on a highly oriented substrate.例文帳に追加

精密な温度制御による溶融凝固過程や高配向性基体上の薄膜成長過程を経ることなしに、高い２軸もしくは３軸配向性を高い再現性で実現する超伝導体の提供。 - 特許庁