「substrate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DEVICE FOR PROCESSING ORIENTATION FILM AND SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

配向膜処理装置、及び基板の製造方法 - 特許庁

ORIENTATION SUBSTRATE FOR FILM FORMATION, SUPERCONDUCTING WIRE MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD OF ORIENTATION SUBSTRATE FOR FILM FORMATION例文帳に追加

膜形成用配向基板および超電導線材ならびに膜形成用配向基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING ORIENTATION OF GOLD NANOROD, AND SUBSTRATE OBTAINED BY THE SAME, OR THE LIKE例文帳に追加

金ナノロッドの配向制御方法とその基板等 - 特許庁

An input module 13 receives a horizontally oriented substrate and rotates the substrate in a vertical orientation, and an output module 23 receives the vertically oriented substrate and rotates the substrate in a horizontal orientation.例文帳に追加

入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。 - 特許庁

This film is a polyester film the substrate layer of which is subjected to biaxial orientation.例文帳に追加

基材層が２軸延伸が施されたポリエステルフィルムである。 - 特許庁

OPTICAL ORIENTATION SUBSTRATE, OPTICAL ANISOTROPIC OBJECT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

光配向性基板、光学異方体及び液晶表示素子 - 特許庁

To form an intermediate layer having high in-plane orientation without having an influence on the orientation of a substrate.例文帳に追加

基板の配向性に影響を与えることなく高い面内配向性を有する中間層を形成する。 - 特許庁

To minimize a polarized light irradiation device for photo orientation upon imparting orientation control performance to an orientation layer of a liquid crystal device substrate by using polarized light.例文帳に追加

液晶表示素子基板の配向膜に、偏光を用いて配向制御能を付与する際の光配向用偏光照射装置の小型化を図る。 - 特許庁

The insulating layer 40 is located on a substrate 10 with <110> crystal orientation.例文帳に追加

絶縁層４０は、結晶方位が＜110＞の基板１０上に位置している。 - 特許庁

In this substrate processing apparatus, a substrate 2 is transported in the horizontal orientation through a processing chamber by a transport mechanism 3.例文帳に追加

基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。 - 特許庁

The substrate 1 uses a Si (110) substrate, having a crystal axis in the orientation (110).例文帳に追加

半導体基板１として、結晶軸が＜１１０＞方向であるＳｉ（１１０）基板を用いる。 - 特許庁

To provide an SiC substrate whose plane orientation is made distinct, and a method of manufacturing the SiC substrate.例文帳に追加

面方位を明確にしたＳｉＣ基板およびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for a solar cell which allows an operator to easily check the position of the substrate and determine the orientation of the substrate in the manufacturing process, which prevents occurring defects due to the orientation of the substrate.例文帳に追加

基板の位置を容易に確認でき、製造工程において基板の向きの判別が可能となり、基板の向きが原因で発生する不良が抑制される太陽電池用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a liquid crystal film with extremely few liquid crystal orientation defects caused by an orientation substrate.例文帳に追加

配向基板に起因する液晶の配向欠陥の極めて少ない液晶フィルムが得られる方法を提供する。 - 特許庁

This is a cleaning method of the substrate 10 provided with the inorganic orientation film 16.例文帳に追加

無機配向膜１６が設けられた基板１０の洗浄方法である。 - 特許庁

HIGH STRENGTH ORIENTATION MULTICRYSTAL METAL SUBSTRATE AND OXIDE SUPERCONDUCTIVE WIRE MATERIAL例文帳に追加

高強度配向多結晶金属基板および酸化物超電導線材 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EVALUATING ORIENTATION CONDITION OF LIQUID CRYSTAL SUBSTRATE, DEVICE FOR MONITORING MANUFACTURE OF THE LIQUID CRYSTAL SUBSTRATE, AND THE LQUID CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

液晶基板の配向状態評価方法とその装置、並びに液晶基板製造モニタリング装置および液晶基板 - 特許庁

CLADDING ORIENTATION METAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL THIN FILM FORMATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

エピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor substrate 100 is provided with a silicon wafer 10 having orientation (100).例文帳に追加

半導体基板１００は，面方位（１００）のシリコンウェハ１０を有している。 - 特許庁

To provide an orientation substrate for film formation and a superconducting wire rod having a high strength while maintaining a superior orientation.例文帳に追加

良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供する。 - 特許庁

The zinc oxide thin film exhibits c-axial orientation mainly in the substrate side and a-axial orientation in the surface side to have piezoelectric property.例文帳に追加

この酸化亜鉛薄膜は、基板側において主としてｃ軸配向し、表面側でａ軸配向が現れ、圧電性を有する。 - 特許庁

An upper substrate 10 disposed with an upper orientation control layer 18 which is formed on an upper electrode 14 and is subjected to orientation treatment and a lower substrate 12 disposed with a lower orientation control layer 20 which is formed on a lower electrode 16 and is subjected to orientation treatment in the same orientation direction as that of the layer 18 are stuck together.例文帳に追加

上電極１４上に形成され配向処理が施された上配向制御層１８が配設された上基板１０と、下電極１６上に形成され上配向制御層１８と同じ配向方向に配向処理が施された下配向制御層２０が配設された下基板１２とを貼り合わせる。 - 特許庁

Multiple light re-orientation elements 4 are arranged on the first light-transmissive substrate.例文帳に追加

複数の光再配向エレメント４が、該第１の光透過性基板に配置される。 - 特許庁

In this manufacturing method, A heat oxidation film serving as an etching mask is formed for an Si substrate having <100> crystal orientation.例文帳に追加

＜１００＞Ｓｉ基板に対して、エッチングマスクとなる熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal orientation agent having vertical orientation properties of liquid crystals, high voltage holding rates and good coating properties to a substrate.例文帳に追加

液晶の垂直配向性、高い電圧保持率および基板への良好な塗布性を備えた液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁

To provide an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate having flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats) as a marker of a plane orientation to facilitate discrimination of a plane orientation.例文帳に追加

面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance CMOS SOI device on a hybrid crystal orientation substrate.例文帳に追加

ハイブリッド結晶方位基板上の高性能ＣＭＯＳ ＳＯＩデバイスを提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING FACE ORIENTATION DEPENDENCE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体基板の面方位依存性評価方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁

The N--type semiconductor substrate 101 has an orientation (111) and a sheet resistance ≤500 Ω/square.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１は面方位（１１１）、シート抵抗５００Ω／□以下である。 - 特許庁

An orientation notch 32 is formed in a part of an outer periphery of a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。 - 特許庁

The total axial orientation of the substrate 1 by the X-ray diffraction measurement is ≥50%.例文帳に追加

基板１のＸ線回折測定による全軸配向度が５０％以上である。 - 特許庁

This substrate has an orientation film contacting on the substrate, the relation of the surface roughness Ra of the substrate and the molecular length to form the orientation film is Ra ≤ molecular length, and the thickness of the orientation film is 8 nm or less.例文帳に追加

基材上に接触した配向膜を有する基板であって、基材の表面粗さＲａと配向膜を形成する分子長の関係がＲａ≦分子長であり、かつ、配向膜の厚さが８ｎｍ以下であることを特徴とする基板を提供する。 - 特許庁

The resistance element 60 is formed in a cross shape on the semiconductor substrate 50 in such a way as to be along both a crystal orientation <100> and a crystal orientation <110> of the semiconductor substrate 50 having a surface orientation (110).例文帳に追加

抵抗素子６０は、面方位（１１０）を有する半導体基板５０の結晶軸方向＜１００＞及び結晶軸方向＜１１０＞の双方に沿うように、半導体基板５０上にて十字形状に形成されている。 - 特許庁

To provide a film forming device where occurrence of foreign matters is controlled at the time of forming an orientation film on a substrate and the orientation film can sufficiently be formed.例文帳に追加

基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for coating an orientation-controlled zeolite crystal on a substrate regardless of the type thereof, to provide the substrate having the particle layer of the zeolite crystal controlled in orientation, and also to provide a zeolite membrane with both selectivity and flux characteristic.例文帳に追加

基材の種類によらず、ゼオライト結晶を配向制御してコーティングできる方法を提供し、配向制御されたゼオライト結晶粒子層を有する基材を提供する。 - 特許庁

The vertical orientation liquid crystal display panel 2 includes: a TFT substrate 20 provided with a pixel electrode 25 and an orientation layer 26; an opposite substrate 30 provided with an opposite electrode 34, an orientation layer 35 and a CF layer 32; and a liquid crystal layer 40 sandwiched between the TFT substrate 20 and an opposite substrate 30.例文帳に追加

垂直配向型の液晶表示パネル２は、画素電極２５および配向膜２６を備えたＴＦＴ基板２０と、対向電極３４、配向膜３５およびＣＦ層３２を備えた対向基板３０と、ＴＦＴ基板２０と対向基板３０との間に挟持された液晶層４０とを備えている。 - 特許庁

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100).例文帳に追加

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。 - 特許庁

The SiC substrate has a first orientation flat 12 parallel with a <11-20> direction, and a second orientation flat 13 which is directed to cross the first orientation flat 12 and different in length from the first orientation flat 12.例文帳に追加

ＳｉＣ基板は、＜１１−２０＞方向に平行な第１のオリエンテーションフラット１２と、第１のオリエンテーションフラット１２に交差する方向であって、かつ第１のオリエンテーションフラット１２と長さが異なる第２のオリエンテーションフラット１３とを備えている。 - 特許庁

The method for transferring a substrate includes a step of rotating the substrate disposed on the end effector and detecting the mark of orientation of the substrate.例文帳に追加

他の実施の形態では、基板を移送する方法は、エンドエフェクターに配置された基板を回転し、基板の向きのしるしを検出するステップを有する。 - 特許庁

There is provided an expression formula of a substrate surface capacitance and a substrate surface potential that can be applied even when the orientation or impurity concentration of an Si substrate is changed.例文帳に追加

Ｓｉ基板の面方位、不純物濃度が変わっても適用可能な基板表面容量と基板表面電位の表現式を提案した。 - 特許庁

In the substrate cover, a region contacting the semiconductor substrate may have a shape which is complementary to a notch of the semiconductor substrate or an orientation flat.例文帳に追加

また、上記基板カバーは、半導体基板に対して接する領域は、半導体基板のノッチまたはオリエンテーションフラットと相補的な形状を有してもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic device in which orientation to a direction of (001) plane of a magnetic layer is improved irrespective of the orientation of a substrate.例文帳に追加

基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A source drain region 103 with its plain orientation of the surface as a (111) plain is selectively formed on the upper layer of the silicon substrate 100 with its plain orientation as (100) plain.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板１００の上層部に表面の面方位が（１１１）面のソース・ドレイン領域１０３が選択的に形成される。 - 特許庁

To provide a dielectric layer, having a crystal structure of preferred orientation or uniaxial orientation on a dielectric layer manufacturing general-purpose substrate.例文帳に追加

誘電体層を製造するための汎用基板上に優先配向あるいは一軸配向の結晶構造を有する誘電体層を設けること。 - 特許庁

In the actuator 10, the degree of orientation of the piezoelectric/electrostrictive body 30 can be increased regardless of the orientation of the substrate on which the piezoelectric/electrostrictive body is formed.例文帳に追加

このアクチュエータ１０では、圧電／電歪体が形成される基体の配向性などにかかわらず、圧電／電歪体３０の配向度を高めることができる。 - 特許庁