「substrate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, an orientation flat OF is formed in the predetermined position of the edge of the nitride semiconductor substrate 20, while using as a reference a direction ST wherein the stripe regions 12 are existent extendedly.例文帳に追加

次に、ストライプ領域１２が延在する方向ＳＴを基準として、窒化物半導体基板２０の縁における所定の位置にオリエンテーションフラットＯＦを形成する。 - 特許庁

A plurality (three) of detecting sensors 316 which detect the orientation flat or notch 200a of the wafer 200 are provided to the peripheral part of the substrate aligning unit supporting the wafers 200.例文帳に追加

この基板位置合わせ装置の各ウェーハを支持する外周部に、ウェーハ２００のオリフラ又はノッチ２００ａを検出する検知センサ３１６を複数個（３個）設ける。 - 特許庁

A thin film of anatase type titanium dioxide having at least one of (004) and (112) faces as a crystal orientation face in a direction perpendicular to the crystal surface is formed on a substrate.例文帳に追加

結晶表面と垂直方向に（００４）及び（１１２）の少なくとも一方の結晶配向面を持つアナターゼ型酸化チタンの薄膜を基材上に形成する。 - 特許庁

At least a longitudinal waveguide section of at least one waveguide is formed in a first substrate region having a first orientation of spontaneous polarization of a first surface.例文帳に追加

少なくとも１本の導波路の少なくとも軸方向導波路区画が第１の表面の第１の自発分極配向を有する第１の基板領域に形成される。 - 特許庁

This facilitates selecting the plane (-111) or (1-1-1), by referring to the orientation flat 1a formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

これにより、半導体基板１に形成されたオリエンテーションフラット１ａを基準として容易に（−１１１）面若しくは（１−１−１）面を選択することが可能となる。 - 特許庁

This easily changes the orientation of the substrate B carried in the process chamber 12 when checking if a defective is produced in a specific process step.例文帳に追加

これにより、特定の処理工程で不良が発生しているか否かを確認したいときに、処理チャンバ１２に搬入されるガラス基板Ｂの向きを容易に変えることができる。 - 特許庁

The transparent electrode 60 and an orientation film 40 are formed on the first transparent substrate 50, the partition 35 and a Fresnel lens 100 are integrally formed in an imprint process as an imprint resin layer 30 on the second transparent substrate 51, and a transparent electrode 41 and an orientation film 61 are formed on the imprint resin layer 30.例文帳に追加

第１の透明基板５０上には透明電極６０と配向膜４０が形成されており、第２の透明基板５１上にはインプリント樹脂層３０として隔壁３５とフレネルレンズ１００がインプリント工程にて一体に形成されており、インプリント樹脂層３０の上に透明電極４１と配向膜６１が形成されている。 - 特許庁

In a magnetic recording medium comprising a substrate, a plurality of foundation layers formed on the substrate, and a magnetic layer containing an alloy having an L1_0 structure as a main component, a plurality of foundation layers are foundation layers comprising an NiO foundation layer and an orientation control layer for making the NiO foundation layer have a (100) orientation.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むからなる下地層であることを特徴とする磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

To provide a vapor growth device capable of preventing the deposition of a reaction product in an opening formed between the orientation flat of a substrate and the inner peripheral surface of a substrate holding recess, capable of minimally suppressing a temperature distribution in a substrate surface, and capable of improving the dispersion of a luminous wavelength distribution.例文帳に追加

基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In this case, rotation is prevented, by using a template drawn in the same pattern shape (with orientation flat (OF)) as the wafer substrate, so that an abrasion is not caused on the wafer substrate reverse, when the piezoelectric oxide monocrystal wafer substrate freely rotates in a recessed part becoming a wafer holding position of the plate.例文帳に追加

この際、圧電性酸化物単結晶ウェーハ基板が、プレートのウェーハ保持位置となる凹部内で自由に回転することによりウェーハ基板裏面に擦れキズが生じないよう、ウェーハ基板と同一形状（オリエンテーションフラット（ＯＦ）付き）に型抜きされたテンプレートを用い、回転を防止する。 - 特許庁

The method has a process of laying out a trench pattern along the <100> orientation of a (100) silicon substrate, a process for forming a trench in the (100) silicon substrate, based on the trench pattern which is subjected to layout and a process for annealing the (100) silicon substrate, wherein the trench is formed in a low-pressure reducing atmosphere.例文帳に追加

（１００）シリコン基板の＜１００＞方向に沿ってトレンチパターンをレイアウトする工程と、レイアウトされたトレンチパターンに基づき、（１００）シリコン基板にトレンチを形成する工程と、トレンチの形成された（１００）シリコン基板を、低圧還元雰囲気中でアニールする工程を備える。 - 特許庁

To prevent defective orientation of liquid crystals from occurring by separation of a conductive adhesive, or by applying stress to a glass substrate or a silicon substrate, by means of stretching of the conductive adhesive, when the glass substrate formed with a counter electrode is connected for potential difference supply to the counter electrode.例文帳に追加

対向電極が形成されたガラス基板が該対向電極の電位差供給によって接続された場合、導電性接着剤の伸縮によって、導電性接着剤が剥離もしくはガラス基板またはシリコン基板にストレスを与え液晶に配向不良を発生させる事を防ぐ。 - 特許庁

The picture display device is provided with a structure which has an array substrate 1 with specified circuit elements disposed thereon, a counter substrate 2 placed opposite to the array substrate 1 and a liquid crystal layer 3 containing liquid crystal molecules with specified orientation sealed in between the array and counter substrates 1, 2.例文帳に追加

所定の回路素子が配置されたアレイ基板１と、アレイ基板１に対して対向配置された対向基板２とを有し、アレイ基板１と対向基板２との間には、所定の配向性を有する液晶分子を含む液晶層３が封入された構造を有する。 - 特許庁

The piezoelectric film 18 is produced through a step of placing the needlelike seed crystals 5 on the substrate 10, a step of determining the orientation of the needlelike seed crystals 5 on the substrate 10 and a step of growing the piezoelectric film 18 from the seed crystals 5.例文帳に追加

圧電膜１８は、基板１０上に針状種結晶５をおく工程、基板１０上の針状種結晶５の向きを定める工程及び種結晶５から圧電膜１８を成長させる工程により作成される。 - 特許庁

To provide a c-axis tilt AIN single crystal laminated substrate which is suitably used for a substrate material for a surface acoustic wave element having high electromechanical coupling factor and improved transmission speed and has improved crystal orientation.例文帳に追加

高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor substrate, by which the warp (plane orientation distribution) of a nitride semiconductor single crystal is restrained and homogeneous crystal growth is carried out, and to provide a method for manufacturing a nitride semiconductor self-standing substrate.例文帳に追加

窒化物半導体単結晶の反り（面方位分布）を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for an electronic device and a method of manufacturing the same which eliminate the need of processing for forming the reconstitution surface or the hydrogen terminal surface, and a buffer layer formed on the substrate is formed by epitaxial growth in (100) orientation.例文帳に追加

基板に再構成表面や水素終端表面を形成する処理が不要で、かつ、基板上に形成したバッファ層が（１００）配向でエピタキシャル成長してなる電子デバイス用基体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film electrode is manufactured by forming a conductive thin film on a (100) orientation plane in a single crystal state having cleavage properties as in the cleavage surface of natural mica, bonding the conductive thin film to the substrate via a polymer adhesive layer, and separating the (100) orientation plane.例文帳に追加

天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。 - 特許庁

When a heater 38 for annealing is divided into a plurality of small heaters 38a, and heated so that both side ridges of the substrate 10 are hotter than the center part, the (111) crystal orientation intensity of the two ridges becomes higher, and the in-plane distribution of the (111) crystal orientation intensity is enhanced.例文帳に追加

アニール用のヒーター３８を複数本の細長ヒーター３８ａに分割し、基板１０の両側辺が中央よりも高温になるよう加熱すると、両側辺の（１１１）結晶配向強度が高くなり、（１１１）結晶配向強度の面内分布が向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric composite substrate by which the single-crystal base material of a piezoelectric material can be reused, a single-crystal thin film is obtained with an even thickness in the orientation of a crystal axis according to the orientation of the single-crystal base material of the piezoelectric material, and microcavities can be formed with high efficiency.例文帳に追加

圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。 - 特許庁

A crystal growth acceleration layer 31, which is effective for enhancing orientation of crystal nucleus, is formed in the region A1 of a pixel electrode 9 on an active matrix substrate 3, and a crystal growth suppression layer 32, which is effective for impeding orientation of crystal nucleus, is formed in the region A2 other than the pixel electrode 9.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板３上の画素電極９の領域A1に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成する。 - 特許庁

The strained silicon wafer is in a structure, having an epitaxial layer with lattice mismatching and a strained Si layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1, and uses an off-cut surface where the crystal surface of the silicon surface inclines by 0.2°-1° to the directions of crystal orientation <100> and <0-10> from a plane orientation of (100) plane.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャル層と歪みＳｉ層の構造を有し、前記シリコン基板の結晶表面が面方位（１００）面から結晶方位＜１００＞方向および＜０−１０＞方向に対して０．２°〜１°傾斜したオフカット面を用いる。 - 特許庁

Alternatively, the film-forming method comprises the steps of: forming the first dielectric film (PZT thin film 3a) with high orientation on the substrate 1; and forming the second dielectric film (PZT film 5a) with the high orientation inherited from the first dielectric film on the first dielectric film, by the method of spraying the fine particles.例文帳に追加

又は、基板１上に、高配向な第一の誘電体膜（ＰＺＴ薄膜３ａ）を形成した後、前記第一の誘電体膜上に、当該第一の誘電体膜の配向を引き継いだ高配向な第二の誘電体膜（ＰＺＴ膜５ａ）を微粒子吹き付け法によって形成する。 - 特許庁

The functional oxide structure 1 has a functional oxide film 30 having a film thickness of not less than 500 nm and a tetragonal crystalline system formed on a substrate 10, wherein the functional oxide film 30 has a crystalline orientation of (001) single orientation.例文帳に追加

機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method of forming a photovoltaic element, which uses the forming method of a silicon layer for enabling the formation of the silicon layer orientated in a specified plane orientation even on a relatively low- orientation property and low-cost substrate, and to provide a formed photovoltaic element and a semiconductor element.例文帳に追加

相対的に配向性の低い安価な基板上においても、特定の面方位に配向したシリコン層の形成が可能なシリコン層の形成方法を用いた光起電力素子の形成方法、形成された光起電力素子、及び半導体素子を提供する。 - 特許庁

The system includes a loading station having an input spool adapted to support a wounded, unprocessed flexible substrate, a processing station adapted to perform one or more predetermined processes on the flexible substrate, an unloading station having an output spool adapted to receive the processed flexible substrate and a substrate stability subsystem adapted to maintain the flexible substrate in a substantially vertical orientation.例文帳に追加

システムは、巻かれた、処理されていない可撓性基体を支持するインプットスプールを有するローディングステーション；基体にて１又は複数の所定の処理を実施する処理ステーション；処理した基体を受け入れるアウトプットスプールを有するアンローディングステーション；及び基体を１又は複数の処理に付する間に、可撓性基体を略垂直向きに維持する、基体安定サブシステムを含む。 - 特許庁

The microlens substrate is equipped with structure 6 constituted by joining a cover glass substrate 4 on which the microlens 3 is formed by an adhesive material 5 on a base glass substrate 2, a transparent electrode film 8 formed on the cover glass substrate 4, a transparent film 9 formed on the transparent electrode film 8 and an orientation film 10 formed on the transparent film 9.例文帳に追加

ベースガラス基板２に、マイクロレンズ３が形成されたカバーガラス基板４を接着材５にて接合して成る構造体６と、カバーガラス基板４の上に形成された透明電極膜８と、透明電極膜８の上に形成された透明膜９と、透明膜９の上に形成された配向膜１０と、を具備したものである。 - 特許庁

To form an Si crystal thin film whose crystal orientation property is superior on an insulating substrate, and to form a TFT whose characteristics such as mobility are superior by using this Si crystal thin film.例文帳に追加

絶縁性基板上に結晶配向性の優れたＳｉ結晶薄膜を形成し、このＳｉ結晶薄膜を用いて、移動度等の特性に優れたＴＦＴを形成する。 - 特許庁

By the action of the orientation control layer 22, the recording layer 24 grows epitaxially on the base layer 23, and is formed so that a c-axis has a predetermined angle of inclination to a substrate surface.例文帳に追加

配向制御層２２の作用により、記録層２４は下地層２３上にエピタキシャル成長し、ｃ軸が基板面に対して所定の傾斜角をなすように形成される。 - 特許庁

The above problem is solved by that a polymer composition in the fusion state added with the high dielectric constant powder is subjected to electric field-orientation treatment and is made to a solidified high dielectric constant substrate material.例文帳に追加

高誘電率粉体が添加された融体状態のポリマー組成物を、電界配向処理した後、固体化させた高誘電率基板材料とすることによって、解決される。 - 特許庁

To provide a shape-keeping container suitable for producing a colloidal crystal gel having an excellent orientation property on an optional substrate and a method for producing the colloidal crystal gel by using the shape-keeping container.例文帳に追加

任意の基板上に配向性に優れたコロイド結晶ゲルを製造するに好ましい保型容器、および、この保形容器を用いたコロイド結晶ゲルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal device which can accurately align the orientation direction of a liquid crystal, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal device, the liquid crystal device and an electronic device.例文帳に追加

液晶の配向方向を精度良く位置合わせすることができる液晶装置用基板および液晶装置の製造方法、並びに液晶装置、電子機器を提供すること。 - 特許庁

Because of the pulse laser deposition, a priority oriented film wherein a c-axis direction is directed vertical to the surface of a substrate can be formed even on a film having an amorphous structure without orientation property.例文帳に追加

パルスレーザ蒸着法により配向性を有さないアモルファス構造の膜上でも結晶のｃ軸方向が基板面に対して垂直に向いた優先配向膜を形成できる。 - 特許庁

The nitride semiconductor substrate 101 is GaN having (11-20) plane as a principal orientation plane and density of a threading dislocation 104 including a helical component is 1×10^5 cm^-2.例文帳に追加

窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。 - 特許庁

A light-emitting diode device is transparent to emission light and has relatively high thermal conductivity, and a substrate 11 made of n-type GaN where the orientation of a main surface has (0001) face.例文帳に追加

発光ダイオード装置は、発光光に対して透明で且つ比較的高い熱伝導率を有し、主面の面方位が（０００１）面であるｎ型ＧａＮからなる基板１１を有している。 - 特許庁

The table 26 is connected to the arm 26 through a rotary mechanism 25 which turns the table 26 to change the transport orientation to the process chamber 12 for the substrate B mounted on the table 26.例文帳に追加

回転機構２５によりテーブル部２６を回転させることにより、テーブル部２６上に載置されるガラス基板Ｂの処理チャンバ１２に対する搬入向きを変えることができる。 - 特許庁

A NiFe based alloy alignment controlling layer 3 is provided between the non-magnetic substrate 1 and the base layer 4, so that the crystal orientation state of the base layer 4 is controlled.例文帳に追加

また、非磁性基板１と下地層４との間に、ＮｉＦｅ系合金配向制御層３を備えるようにして下地層４の結晶配向状態を制御するようにした。 - 特許庁

To reduce the occurrence of end cracks in a group-III nitride semiconductor layer from the vicinity of the orientation flat, when the group-III nitride semiconductor layer is grown heteroepitaxially on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させた場合に、オリフラ近傍からＩＩＩ族窒化物半導体層中に発生する端部クラックを低減する。 - 特許庁

The shape, material and orientation of the elongated members combine to both support the electronic device 12 and absorb mechanical force transmitted from the substrate to the support frame.例文帳に追加

細長い部材の形状、材料および方向は、電子デバイス１２を支持することと、基盤から支持フレームへ伝播する機械的応力を吸収することの両方を結合する。 - 特許庁

After forming the orientation notch 32 and the auto dope preventing film 34, a surface of the p-type semiconductor substrate 10 is made to carry out epitaxial growth of a semiconductor layer 36 of a p-type or an n-type.例文帳に追加

オリエンテーションノッチ３２及びオートドープ防止膜３４を形成した後に、ｐ型半導体基板１０の表面にｐ型又はｎ型の半導体層３６をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 and a silicon nitride film 13 are successively formed on a silicon substrate 11, having a surface orientation (100), and the silicon nitride film 13 is patterned and then serves as a mask for the formation of a trench 14.例文帳に追加

面方位（１００）のシリコン基板１１にシリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１３を順次形成し、パターニングしたシリコン窒化膜１３をマスクとして、トレンチ１４を形成する。 - 特許庁

To cleanly maintain the orientation flat of a mirror finished surface without a process that forms and removes a new protective film in growing an epitaxial layer on a substrate.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル層を成長させる際、新たな保護膜の形成や除去の工程を必要とすることなく、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。 - 特許庁

Anisotropic etching depending on orientation is performed to a silicon substrate whose surface is a (100) plane, thus forming the horn with the (100) plane as a bottom surface and four (111) planes as sloped sides.例文帳に追加

表面が（１００）面のシリコン基板に対して面方位に依存する異方性エッチングを施して、（１００）面を底面とし、４つの（１１１）面を傾斜側面とするホーンを形成する。 - 特許庁

An upright landing tip (222) is configured to contact the membrane over the second cavity in the substrate portion of the mirror plate, to stop the rotation of the mirror plate at a predetermined orientation.例文帳に追加

垂直着地チップ（２２２）は、ミラープレートの基板部分における第２のキャビティ上の膜と接触し、所定の方向にてミラープレートの回転を停止させるように構成されている。 - 特許庁

The markers are etched on the substrate using anisotropic etching process, the markers are those such that their apparent positions after they are etched depend on their orientation to the crystal axis.例文帳に追加

マーカは、異方性エッチング・プロセスを使用して基板にエッチングされ、マーカは、エッチングの後でそれらの見掛けの位置が結晶軸に対するそれらの方位に依拠するようなものである。 - 特許庁