「substrate orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an amorphous layer 13 partially on a silicon substrate 11 having a first plane orientation; and irradiating the amorphous layer 13 with microwaves to convert the amorphous layer 13 into a crystal layer having a first plane orientation.例文帳に追加

本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

On a surface of a substrate 11 for semiconductor crystal growth, which is made of Si and has a plane orientation (111) or a plane orientation equivalent to (111), where a semiconductor layer is formed, a mirror-surface part 12 having a small-unevenness surface state and a roughened part 13 having surface roughness larger than the surface roughness of the mirror-surface part 12 are formed.例文帳に追加

Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。 - 特許庁

The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film.例文帳に追加

半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁

A substrate layer comprising a hard material is formed on the surface of the resin substrate and a fragile material is allowed to impinge against the resin substrate by a fine particle beam accumulation method so as to be partially embedded in the resin substrate to form an anchor part to form the polycrystalline fragile material structure substantially having no crystal orientation and not substantially having a grain boundary comprising a glass layer in the mutual interface of crystals.例文帳に追加

樹脂基材表面に硬質材料からなる下地層を形成した後に、その下地層の上に微粒子ビーム堆積法によって脆性材料を衝突させ、一部が下地層に食い込んでアンカー部を形成し、多結晶で実質的に結晶配向性がなく更に結晶同士の界面にガラス層からなる粒界面が実質的に存在しない脆性材料構造物が形成されている。 - 特許庁

The orientation film is formed on a substrate to align liquid crystal, and the alignment film is scanned in a first direction with the atomic beam traveling from above the alignment to a first region of the alignment film to form a first domain in the first region.例文帳に追加

液晶を配向するために基板に配向膜を形成し、配向膜の上部から配向膜の第１領域に向かう原子ビームを配向膜に対して第１方向にスキャンニングして第１領域に第１ドメインを形成する。 - 特許庁

A monocrystal silicon substrate in which the face orientation is inclined at an angle of several degrees from the (111) face toward the <11-2> face is heated in a super-high vacuum, thereby spontaneously forming a stepped structure of a nanoscale uniform in level on the surface thereof.例文帳に追加

面方位が（１１１）面から＜１１−２＞方向へ数度傾斜している単結晶シリコン基板を、超高真空中で加熱処理することにより、その表面に高さのそろったナノスケールの階段構造を自発的に形成させる。 - 特許庁

The rectangular grooves 108a to 108c are formed by the wet etching process using a stacked substrate 105 which is formed by stacking, through silicon oxide films 106a to 106c, the silicon substrates 101 to 104 having the [110] orientation directed to the desired direction.例文帳に追加

シリコン酸化層１０６ａ〜１０６ｃを介して、〈１１０〉方向が所望の方向に向けられたシリコン基板１０１〜１０４を張り合わせた積層基板１０５を用い、矩形溝１０８ａ〜１０８ｃをウエットエッチングによって形成する。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 and a conductive layer 2 are alternately laminated, the rate of change in the degree of orientation before and after the drive of the crystal grain composing the piezoelectric body layer 1 should be within 5%.例文帳に追加

圧電体層１と導体層２とが交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層１を構成する結晶粒子の、駆動前後の配向度の変化率が５％以内であることを特徴とする。 - 特許庁

And, between the substrate 21 and the perpendicular reinforcement layer 26, the base layer 22 for making the perpendicular magnetic recording layer be in the perpendicular orientation may be formed further, which consists of titanium (Ti) or titanium (Ti) alloy and has the thickness of less than 10 nm.例文帳に追加

また、基板２１と垂直補強層２６との間に、チタン（Ｔｉ）またはチタン（Ｔｉ）合金からなり、その層厚が１０ｎｍ未満である、垂直磁気記録層を垂直配向させるための下地層２２をさらに設けてもよい。 - 特許庁

A lyophilization method is employed wherein after coating the polyimide orientation film using the ink jet coating method, a substrate is not heated to dry the solvent but is cooled to freeze and sublimate the solvent in a vacuum condition.例文帳に追加

インクジェット塗布法を用いて、ポリイミド配向膜を塗布した後、基板を加熱して溶剤を乾燥するのではなく、基板を冷却し、溶剤を凍結させ真空中で溶剤を昇華させる凍結真空乾燥法を採用した。 - 特許庁

An orientation adjusting film 2 is formed on a surface-textured nonmetallic substrate 1, the surface of the film 2 is oxidized or nitrided and a nonmagnetic base film 3 and a magnetic film 4 are formed on the film 2.例文帳に追加

表面にテクスチャ加工を施した非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理し、その上に非磁性下地膜３および磁性膜４を形成する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium at least includes: a seed layer composed of amorphous ceramics; a crystalline orientation control layer; and a magnetic layer composed of a material containing a FePt alloy as a main component in this order on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上に少なくとも、非晶質のセラミックスからなるシード層、結晶性の配向制御層及びＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順に備える垂直磁気記録媒体である。 - 特許庁

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

ＡｌＮ単層バッファーを介したＳｉ基板上のＧａＮ薄膜結晶が、１μｍ以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁

To obtain a particulate structure having desired characteristics by controlling the direction and the plane direction of the particulate structure in the substrate plane and forming the particulate structure having a face centered cubic structure except for the (111) orientation.例文帳に追加

微粒子構造体の基板面内での方向および面方位を制御し、（１１１）配向以外の面心立方構造を有する微粒子構造体を形成することによって所望の特性が得られる微粒子構造体を得る。 - 特許庁

About one member, a plurality of stripe-shaped one electrodes 14 each formed by combining a light reflection film 10 and a transparent conductive film 11 are arranged to be parallel to each other on a glass substrate 4 and an orientation film 8 is further formed.例文帳に追加

一方部材については、ガラス基板４上に光反射膜１０と透明導電膜１１とを組合せてなるストライプ状の一方電極１４を多数平行に配列形成し、さらに配向膜８を形成する。 - 特許庁

To increase the nozzle density by making an inclination angle of an inclined portion of a nozzle hole to be not restrained by the crystal orientation and to provide a method for manufacturing a nozzle substrate having a stable ejection property by optimizing the property of a fluid channel of the nozzle hole.例文帳に追加

ノズル孔の傾斜部の傾斜角は結晶方位に拘束されることがなくノズル密度を高めることができ、ノズル孔の流路特性が最適化されて安定した吐出特性を有するノズル基板の製造方法。 - 特許庁

The anisotropic polymer having uniform orientation is formed by coating a supporting substrate with a polymerizable liquid crystal composition containing a compound expressed by formula (1) and having a benzyl ester skeleton in a minor axis direction of the molecule, and polymerizing the compound.例文帳に追加

分子の短軸方向にベンジルエステル骨格を有する式（１）で表される化合物を含有する重合性液晶組成物を支持基板上に塗布し、これを重合することによって、均一な配向を有する異方性ポリマーを得る。 - 特許庁

To provide a substrate for a solar battery, which never disturbs the formation of a thin film of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation when forming a thin-film solar battery where a fine crystal silicon film is applied to a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板を得ること。 - 特許庁

Thus, an austenitic stainless steel foil having crystal orientation properties preferable for a vapor deposition substrate of a high-temperature superconducting material is produced, while greatly reducing the production cost of the material.例文帳に追加

これにより、高温超伝導材料の蒸着基板として望ましい結晶配向性を有するオーステナイト系ステンレス鋼箔を製造することが可能になり、高温超伝導材料の製造コストを大幅に低減することが可能になる。 - 特許庁

To decrease variations in characteristic and to improve reliability of a piezoelectric element 20 by forming a piezoelectric substrate layer 3 comprising a perovskite type oxide excellent in crystallinity and a (001) face crystal orientation of the piezoelectric element 20.例文帳に追加

圧電素子２０において結晶性及び（００１）面結晶配向性の良好なペロブスカイト型酸化物からなる圧電体層３を形成して、この圧電素子２０の特性ばらつきを低減するとともに、信頼性を向上させる。 - 特許庁

To raise crystallinity of a lower electrode formed on a substrate and to raise crystal orientation of piezoelectric thin film formed on the lower electrode in order to raise an electromechanical coupling coefficient when a bulk elastic wave element is used as a resonator.例文帳に追加

バルク弾性波素子を共振子として用いた場合の電気機械結合係数を向上させるため、基板上に形成される下電極の結晶性を高め、その上に形成される圧電薄膜の結晶配向性を高める。 - 特許庁

In a method of manufacturing an integrated circuit, active channel regions for NMOS and PMOS transistors are selectively formed on a substrate parallel to <100> crystal orientation, so that source/drain regions of the NMOS transistor including a carbon impurity are selectively formed.例文帳に追加

<100>結晶オリエンテーションに平行に基板上にNMOS及びPMOSトランジスターのためのアクティブチャンネル領域を選択的に形成し、炭素不純物を含むNMOSトランジスターのソース/ドレーン領域を選択的に形成する集積回路の製造方法。 - 特許庁

To provide an SiC/carbon nanotube composite material which is a composite material having a region where carbon nanotubes with high orientation are densely formed on an SiC substrate and which shows high wear resistance and/or shock absorption characteristics.例文帳に追加

ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。 - 特許庁

A positive lead 121r is joined to a crossing peripheral part (a first end part 121t) containing a crossing periphery (a first side 121m) crossing with the orientation direction Y of the resin fibers 121b out of peripheries of the positive electrode substrate 121k.例文帳に追加

正極リード１２１ｒは、正極基板１２１ｋの周縁のうち樹脂繊維１２１ｂの配向方向Ｙと交差する交差周縁（第１辺１２１ｍ）を含む交差周縁部（第１端部１２１ｔ）に接合されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for molding capable of molding a disc substrate having a small deformation by heat stress and molecular orientation for example and excellent in transfer property by controlling a surface region temperature of a mold stamper and cavity side.例文帳に追加

金型のスタンパおよびキャビティ側の表面部位の温度を制御し、例えば熱応力や分子配向歪みが少なく、転写性に優れたディスク基板の作成を可能とする成形装置および成形方法を提供する。 - 特許庁

The alignment substrate for film formation 5A is composed of a non-magnetic first metal layer 1 without orientation, and a second metal layer 2 stuck on the first metal layer 1 of which, at least surface layer has an oriented aggregation structure.例文帳に追加

膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method includes intermittently moving the mother substrate 35 at a predetermined distance interval to expose the mother substrate 35 to the evaporation material 302 side through the slit hole 210 and to make a vapor-deposited film having a predetermined shape and an oblique orientation arrayed on the mother substrate 35 at a predetermined space.例文帳に追加

蒸着材料３０２とマザー基板３５との間に、スリット孔２１０が形成されたマスク２００を配設し、マザー基板３５を所定の距離間隔で間欠的に移動させて、スリット孔２１０を介してマザー基板３５を蒸着材料３０２側に露出することで、マザー基板３５上に一定間隔で配列された所定形状の斜方配向蒸着膜を形成する。 - 特許庁

The single crystal sapphire inclined substrate inclining at a specified angle with a specified crystal axis of single crystal sapphire oriented toward a specified orientation is the step bunch single crystal sapphire inclined substrate 1 having a step bunch formed by bunching steps 2 by controlling heat treatment duration and a heating temperature in accordance with the inclined angle θ of the principal plane of the single crystal sapphire inclined substrate.例文帳に追加

単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の傾斜角度θに応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップ２をバンチングさせて形成されたステップバンチを備えたステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１である。 - 特許庁

The semiconductor element includes: a substrate 11 made of a material differing from a GaN semiconductor, a growth mask 12 provided directly or indirectly on the substrate 11 and having one or a plurality of striped openings 12a; and one or a plurality of island-like GaN semiconductor layers 13 grown on the substrate 11 in the (0001) plane orientation by using the growth mask 12.例文帳に追加

半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。 - 特許庁

A liquid crystal discharge nozzle is located in the proximity of a substrate, and liquid crystal is applied to the substrate by coating a long ellipse-shaped liquid crystal on the substrate while not dripping the liquid crystal like droplets, thereby preventing the damage to an orientation layer during liquid crystal application and deterioration of the display performance caused by flecks, and manufacturing display panels with a better display performance.例文帳に追加

液晶が吐き出されるノズルを基板に近接して位置させた状態で、液晶を滴状に滴下して塗布する方式でなく、基板に付ける形態で長い楕円形状に塗布して、液晶塗布時に発生する配向膜の損傷を防止し、斑点の発生などにより表示性能が低下する問題を解決して、より優れた表示性能を有するディスプレイパネルを製作する。 - 特許庁

In this sliding member obtained by coating a prescribed substrate surface with a silicon carbide film composed of silicon carbide, the silicon carbide film is composed of a crystal orientation film based on X-ray diffraction, and further, the maximum slant of the growing direction of the crystals to a direction vertical to the substrate surface is ≤30 degrees.例文帳に追加

所定の基体表面に炭化珪素からなる炭化珪素膜を被覆してなる摺動部材において、前記炭化珪素膜がＸ線回折に基づく結晶配向膜からなるとともに、該結晶の成長方向の前記基体表面に垂直な方向に対する最大傾きが３０度以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device has: a substrate 101 composed of silicon whose principal plane orientation is a (100) plane; and a semiconductor laminate 120 formed on the substrate 101 and constituted of a plurality of semiconductor layers each composed of a nitride of groups III-V, which include a multiple quantum well active layer 107.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、主面の面方位が｛１００｝面であるシリコンからなる基板１０１と、該基板１０１の上に形成され、それぞれがIII-Ｖ族窒化物からなり、多重量子井戸活性層１０７を含む複数の半導体層により構成された半導体積層体１２０とを有している。 - 特許庁

The silicon substrate having a (111) plane which has orientation flat, in a direction in which the <110> direction rotates counterclockwise about the rotation axis of the <111> direction by an angle ϕ of 30°, 90°, and 150° as a principal surface is used as the substrate for heteroepitaxial growth; and a buffer layer made of the group-III nitride semiconductor is formed.例文帳に追加

＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 - 特許庁

An oxide superconducting thin film includes a substrate and a superconducting layer containing: an oxide superconductor formed on one principal plane of the substrate and oriented along the c-axis in the vertical direction relative to the one principal plane; and a different phase particle having crystal orientation different from that of the oxide superconductor and having an average particle size of 100 nm or more and 500 nm or less.例文帳に追加

基板と、基板の一主面上に形成され、一主面に対して垂直方向にｃ軸配向した酸化物超電導体と、酸化物超電導体とは異なる結晶配向を有して平均粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の異相粒と、を含有した超電導層と、を備える。 - 特許庁

A nonmagnetic substrate 1 is provided thereon with at least a soft magnetic base film 2, an orientation control film 3 for controlling the orientability of a film right above the same, a perpendicular magnetic recording film 5 oriented in the axis of easy magnetization mainly perpendicularly to the substrate and a protective film 6, and the film 3 consists of an alloy containing at least Cr and C.例文帳に追加

非磁性基板１上に、少なくとも、軟磁性下地膜２と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板に対して主に垂直に配向した垂直磁気記録膜５と、保護膜６とが設けられ、前記配向制御膜３が少なくともＣｒとＣを含む合金からなる。 - 特許庁

To provide a separation method, without causing generation of defects, such as transfer residues of liquid crystal high polymer, cracks or the separation and wrinkles or the like of a film, in a method for manufacturing of optical elements by transferring a liquid crystal polymer layer formed on an orientation substrate film from a long laminated film to a transmissive substrate film.例文帳に追加

長尺の積層フィルムから配向基板フィルム上に形成した液晶性高分子層を透光性基板フィルム上に転写して光学素子を製造する方法における液晶性高分子の転写残り、クラック、剥がれなどの欠陥やフィルムのしわ等を発生させずに、剥離する方法を提供する。 - 特許庁

The light transmission type image recognition sensor has a first transparent substrate, where a plurality of transparent pixel electrodes are formed in a two-dimensional array shape on a surface, a second transparent substrate where a transparent counter electrode is formed on the surface, and visual pigment kind protein orientation array film and transparent insulating layers, arranged between both the electrodes.例文帳に追加

表面に複数の透明画素電極が２次元配列状に形成された第１透明基板、表面に透明対向電極が形成された第２透明基板、ならびに両電極間に配された視物質類似蛋白質配向配列フィルム層および透明絶縁層を備えている。 - 特許庁

The epitaxial multilayer film comprising titanium and copper or titanium and cobalt, being expected to be high in the reflectivity, is formed on a sapphire single crystal substrate excellent in heat resistance and chemical stability by a vacuum vapor deposition method for titanium, cobalt, copper or the like under ultra-high vacuum while controlling the crystal orientation, the substrate temperature and the vapor deposition speed.例文帳に追加

超高真空下でチタン、コバルト、銅などの真空蒸着法により、高反射率が期待されるチタンと銅、及びチタンとコバルトのエピタキシャル多層膜を耐熱性、化学的安定性に優れたサファイア単結晶基板上に結晶方位、基板温度、蒸着速度を制御して作製する。 - 特許庁

A device structure 13 is formed by growing an epitaxial crystal layer of a compound semiconductor on a circular single crystal substrate 1 according to a vapor growth process, and the orientation flat 20a is formed for the circular substrate 20 after the formation of the device structure 13 by naturally cleaving a periphery thereof at a specific crystal plane.例文帳に追加

円形の単結晶基板１上に気相成長法により化合物半導体のエピタキシャル結晶層を成長してデバイス構造１３を形成し、そのデバイス構造１３が形成された後の円形の基板２０に対し、周辺の一部を特定の結晶面で自然劈開してオリエンテーションフラット２０ａを形成する。 - 特許庁

The retardation film is provided, which includes a transparent substrate, a shield layer formed on the transparent layer and made of a transparent inorganic substance, an orientation layer formed on the shield layer and provided with orientation regulation force for the liquid crystal material, and the retardation layer formed on the alignment layer and including the liquid crystal material.例文帳に追加

本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、透明無機物質からなる遮蔽層と、上記遮蔽層上に形成され、液晶材料に対する配向規制力を備える配向層と、上記配向層上に形成され、液晶材料を含む位相差層とを有することを特徴とする位相差フィルムを提供することにより上記課題を解決するものである。 - 特許庁

To provide a substrate for an oxide superconductor having a layer desirable as a foundation of an intermediate layer such as IBAD-MgO used as a forming base of the oxide superconductor layer excellent in crystal orientation and in superconductive characteristics, and having a structure for further improving the crystal orientation degree of the intermediate layer such as IBAD-MgO.例文帳に追加

本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。 - 特許庁

The perovskite structure oxide thin film having a tetragonal crystal structure and a single crystal orientation of (001), (101) or (111) on the (111) face or the (100) face of a substrate which has a metal fluoride having a fluorite-type crystal structure as the main component is produced (here, the case is excluded where it has the single crystal orientation of (001) on the (100) face).例文帳に追加

蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.例文帳に追加

表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second substrate layer 4 made of NiFeCr or NiCr is made to have (110) orientation of the bcc structure to make crystal grain size of a spin bulb film large and to improve (111) orientation of fcc structure and thereby thermal and magnetic high stability can be obtained, improvement of magnetic conversion characteristic such as high change rate of magnetoresistance and linearity of magnetoresistance change can be attained.例文帳に追加

ＮｉＦｅＣｒ又はＮｉＣｒからなる第２下地層をｂｃｃ構造の（１１０）配向させて、スピンバルブ膜の結晶粒径を大きくし、ｆｃｃ構造の（１１１）配向を向上させるため、熱的・磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性の向上を達成することができる。 - 特許庁