「substrate activation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This solar cell substrate includes; a transparent substrate; and a transparent conductive film including a zinc oxide (ZnO) thin film formed over the transparent substrate and doped with a dopant, and a surface charge activation layer formed on the zinc oxide (ZnO) thin film by heat treatment.例文帳に追加

本発明による太陽電池基板は、透明基板と、透明基板に形成されるドーパントがドープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜に熱処理によって形成される表面電荷活性化層と、を備えた透明導電膜を含む。 - 特許庁

After producing SERS activation sites 31-33 of the silver nanoparticles 24 on the substrate 18 by this method, the self-assembled monolayer (SAM) 12 is removed from the SERS substrate 18 by oxygen plasma, and the surface of the SERS substrate 18 is cleaned.例文帳に追加

この方法で基板１８上に銀ナノ粒子２４のＳＥＲＳ活性サイト３１〜３３を生成した後、酸素プラズマにより、ＳＥＲＳ基板１８から、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）（１２）を除去するとともに、ＳＥＲＳ基板１８表面を洗浄する。 - 特許庁

The optical elements and electrical element are bonded by surface activation bonding to bonding portions 110, 111 and 112 formed on the substrate 100 and made of a metal material.例文帳に追加

光素子と電気素子とは、基板１００上に形成された金属材料からなる接合部１１０，１１１，１１２に表面活性化接合により接合される。 - 特許庁

To provide a surface modification method for a silicone resin, whereby a biochip substrate which can be kept highly transparent even after the activation of its surface and is excellent in cost performance can be produced.例文帳に追加

基材表面の活性化後も優れた透明性を維持し、コストパフォーマンスに優れたバイオチップを製造できるシリコン樹脂の表面改質方法を提供する。 - 特許庁

A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.例文帳に追加

界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to increase an activation rate of impurities in a field stop layer formed in a region ≥1 μm deep from a backside surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏側の表面から深さ１μｍ以上の深い領域に形成されるフィールドストップ層の不純物の活性化率を高めることが困難である。 - 特許庁

(a)A target value is set of activation depth of a semiconductor substrate in which impurities are added to a surface layer part used for manufacturing an IGBT or a MOSFET.例文帳に追加

（ａ）ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴの製造に用いられる、表層部に不純物が添加された半導体基板の活性化深さの目標値を決定する。 - 特許庁

The activation of an impurity region in a semiconductor substrate is carried out by means of emission of an electromagnetic wave whose principal spectrum peak exists in a wavelength region of 1.1 μm or shorter.例文帳に追加

半導体基板中の不純物領域の活性化を波長１．１μｍ以下の領域に主たるスペクトラムのピークをもつ電磁波の照射で行うようにした。 - 特許庁

A printing method includes: a first process S2 of irradiating a substrate in a heated state with an activation light beam; a second process S3 of cooling the substrate after the first process; and a third process S4 of ejecting a droplet to the cooled substrate to print a predetermined pattern thereon.例文帳に追加

基材を加熱した状態で活性光線を照射する第１工程Ｓ２と、第１工程の後に、基材を冷却する第２工程Ｓ３と、第２工程の後に、冷却された基材に対して液滴を吐出して所定パターンを印刷する第３工程Ｓ４と、を有する。 - 特許庁

Furthermore, the electrode 4 of a functional circuit on the semiconductor device substrate 1 and the electrode 15 provided on the mounting substrate 6 are bonded by eutectic alloy having the eutectic temperature of 300°C or below, by surface activation bonding, or by wire bonding.例文帳に追加

また、半導体素子基板１上の機能回路の電極４と、実装基板６に設けられた電極１５とを、共晶温度が３００℃以下の共晶合金または表面活性化接合またはワイヤボンディングにより接合する。 - 特許庁

To provide a treated copper foil which provides high peeling strength with an insulating resin substrate although it has a low roughness, and after moisture absorption treatment, has the small deterioration rate of the peeling strength after immersion in an activation processing liquid and the small penetration amount after immersion in the activation processing liquid, and which is excellent in etching property.例文帳に追加

低粗度でありながら絶縁性樹脂基材と強固な引きはがし強さが得られ、吸湿処理後、活性処理液浸漬後に引きはがし強さの劣化率が小さく、活性処理液浸漬後にしみ込み量が少なく、エッチング性に優れた処理銅箔を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for preparing a derivative of a polymer having at least one functional group with an activation reagent, which is a method for using such activation reagent for preparing a derivatized polymer, and using the same as a receptor for bonding a substrate of the polymers.例文帳に追加

少なくとも１つの官能基を有するポリマーの誘導体を活性化試薬により調製する方法であり、そのような活性化試薬の誘導体化ポリマーの調製のための使用、及びこれらのポリマーの基体結合のための受容体としての使用方法を提供する。 - 特許庁

The substrate processing method for generating plasma by incurring magnetron discharge within a processing vessel by an electric field and a magnetic field, and for performing plasma processing on a substrate using the plasma includes the steps of: carrying the substrate into the processing vessel; forming a film on the substrate through activation using plasma by feeding gases into the processing vessel; and carrying the treated substrate out of the processing vessel.例文帳に追加

電界と磁界とにより処理容器内にマグネトロン放電を起こしてプラズマを生成し、このプラズマを用いて基板をプラズマ処理する基板処理方法であって、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内にガスを供給してプラズマにより活性化させ、基板上に膜を形成する工程と、処理後の基板を処理容器から搬出する工程とを備える。 - 特許庁

In the carbon layer removal step, the substrate to which the ion activation step is performed is heated at a temperature of 1500°C or more and 2300°C or less under an Si vapor pressure to remove the carbon layer.例文帳に追加

前記カーボン層除去工程では、前記イオン活性化工程が行われた前記基板を１５００℃以上２３００℃以下のＳｉ蒸気圧下で加熱して前記カーボン層を除去する。 - 特許庁

The etching and activation of a synthetic substance substrate are performed by a common operation stage in a first solution comprising at least one inorganic acid-containing etching reagent and an ionogen activator.例文帳に追加

、合成物質基板の腐食と活性化を共通の操作工程で行い、少なくとも一つの無機酸含有腐食剤とイオノゲン活性化剤を含む第一溶液中で行う。 - 特許庁

The activation of the impurity is performed by radiating an impurity injected semiconductor substrate 3 inserted into chambers 1 and 2 with an incoherent light using a flash lamp 8 for a short time.例文帳に追加

チャンバー１、２内部に挿入された不純物注入後の半導体基板３にフラッシュランプ８を用いてインコヒーレントな光を短時間照射することにより不純物の活性化を行う。 - 特許庁

In this configuration, an ion implantation method is not used for introducing impurities deeply, so that impurities contained in the extensions are not thermally diffused into the substrate in activation annealing.例文帳に追加

この構造では深くまで不純物を導入するイオン注入を用いないので、その活性化アニールによりエクステンション部内の不純物が基板側に熱拡散することがない。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a substrate, an ion is doped to the semiconductor layer, the semiconductor layer where the ion is doped is heated, the ion is activated, and the semiconductor layer is hydrogenated after activation.例文帳に追加

基板上に半導体層を形成し、半導体層にイオンをドーピングし、イオンがドーピングした半導体層を加熱して、イオンを活性化し、活性化の後、半導体層を水素化する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser irradiation device which can make light intensity distribution uniform satisfactorily even if a laser with high coherence is employed as a laser light source, and which can be used for an impurity activation procedure that can activate impurities in the depths from a substrate surface of a semiconductor substrate with the impurities added.例文帳に追加

表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法に用いることができるレーザ照射装置を提供する。 - 特許庁

If the date and time of the activation is later than the date and time of the first exposure, the types of software-functionality are not mixed on a single lot or substrate, but an old software-functionality is used for that lot or substrate.例文帳に追加

アクティベーションの日付および時刻が第１の露光の日付および時刻よりも後である場合、ソフトウェア機能のタイプは１つのロットまたは基板上に混在することはなく、そのロットまたは基板については古いソフトウェア機能が使用される。 - 特許庁

A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device includes: a process in which ions are implanted on a silicon carbide single crystal substrate or a substrate on which a silicon carbide single crystal epitaxial film is formed; a process in which a carbon film containing nitrogen is formed on the substrate; and a process in which activation heat treatment of implanted ions is performed.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 - 特許庁

If, on the other hand, the date and time of activation of the software-functionality update is earlier than the first exposure of the substrate or lot, then, for the lot or substrate, an updated, new software-functionality may be used to control the pattern transfer of all of the substrate layers without being affected by the old software-functionality.例文帳に追加

一方、ソフトウェア機能アップデートのアクティベーションの日付および時刻が基板またはロットの第１の露光より前である場合、そのロットまたは基板は古いソフトウェア機能の影響を受けず、すべての基板層のパターン転写の制御に、アップデートされた新しいソフトウェア機能を使用することができる。 - 特許庁

A value obtained by subtracting an LAP value (B) in the case using a synthetic substrate as a substrate from an LAP value (A) in the case using L-leucineamide or its salt as a substrate is used as an aminopeptidase active value which is not dependent on allylamidase activity and the aminopeptidase active value is used as an index of activation and/or cell death of lymphocyte.例文帳に追加

基質としてＬ−ロイシンアミドまたはその塩を用いた場合のＬＡＰ値（Ａ）から、基質として合成基質を用いた場合のＬＡＰ値（Ｂ）を差し引いた値をアリルアミダーゼ活性に依存しないアミノペプチダーゼ活性値とし、該アミノペプチダーゼ活性値をリンパ球の活性化および／または細胞死の指標として用いる。 - 特許庁

To achieve an optical laminate excellent in thinness and lightness and durability by laminating a polarizing plate and a liquid crystal cell substrate via an activation energy ray curable adhesive, and to allow activation energy rays applied from the polarizing plate side to be consumed at a stage for curing the adhesive.例文帳に追加

偏光板と液晶セル基板とを、活性エネルギー線硬化性の接着剤を介して積層することにより、薄型軽量性及び耐久性能に優れる光学積層体とするとともに、偏光板側から照射される活性エネルギー線が、その接着剤を硬化させる段階で消費されるようにする。 - 特許庁

In a transferring mold 190a, a part of the layer 150 i.e. the part consisting of the same material as a substrate 210 forming the material of the mold 100 is brought into contact with the surface of the substrate 210, and they are bonded together by a method such as direct bonding according to surface activation.例文帳に追加

転写用モールド１９０ａは、層１５０の部分、即ち、モールド１００の材料となる基板２１０と同じ材料からなる部分が、基板２１０の表面に接するようにし、界面活性化による直接接合等の方法で貼り合わせる。 - 特許庁

The process (3) is a pressure fixing process: the activation treated surface of the substrate obtained in the process (1) is brought in contact with the ozonized surface of the film-like extrusion laminated resin to be fixed by pressure.例文帳に追加

工程（３）圧着工程：工程（１）で得られた基材の表面活性化処理面と、工程（２）で得られたフィルム状の押出ラミネート樹脂のオゾン処理面とを接触させ、圧着する工程。 - 特許庁

To provide heat treatment equipment that not only carries out good impurity activation by allowing a substrate surface to be heated at higher temperature but also suppresses contamination of an inner wall surface of a chamber.例文帳に追加

基板表面をより高温に昇温して良好な不純物活性化を行うことができるとともに、チャンバーの内壁面の汚染を抑制することのできる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the middle plate 2 has a concave surface portion 11 on a surface opposite to the surface side in contact with the heat transfer substrate 1, and by covering this concave surface portion 11 with the fin installation part 4B, the activation liquid tank 3 is formed.例文帳に追加

さらに、中間板２は伝熱基板１との接触面側の反対面に凹面部１１を有しており、この凹面部１１をフィン取付け部４Ｂで覆うことにより作動液槽３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate, in which an impurity doped into a semiconductor is activated, and a shape of a surface thereof is made uniform by the activation to achieve good properties for use as an imaging element.例文帳に追加

半導体に注入された不純物を活性化するとともに該活性化によって表面性状を一様なものにして撮像素子などとして使用する際に、良好な特性を得る。 - 特許庁

The chewing material for dental care of a pet is obtained by drying a mixture including a propagation-inhibiting component of the pathogen of periodontal disease, a cell activation component, and a substrate comprising the paste of animal skin.例文帳に追加

歯周病の原因菌の繁殖抑制成分と、細胞活性化成分と、動物皮のペーストから成る基材とを含む混合物を乾燥して得られるペットのデンタルケア用チューイング材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device that suppresses warpage of a substrate and has smoother surface of silicon carbide than before, while keeping high activation of impurities.例文帳に追加

基板の反りが抑制され、高い不純物の活性化率を保ちつつ従来よりも平滑な炭化珪素の表面を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a cold joining device with improved reliability having a detection sensor capable of detecting an attraction state of a substrate to an electrostatic chuck without being influenced by impurities caused by activation.例文帳に追加

活性化することに起因する不純物の影響を受けず、静電チャックへの基板の吸着状態を検知できる検知センサを備えた、信頼性の向上した常温接合装置を提供する。 - 特許庁

The film substrate 34, onto which the wiring pattern is formed, is peeled from the film carrier tape 64 by conducting the irradiation of ultraviolet rays and the irradiation or heating of activation energy rays to the adhesive layer 66.例文帳に追加

そして、粘着層６６に対して、紫外線の照射、活性エネルギー線の照射、または加熱を行って、配線パターンが形成されたフィルム基板３４をフィルムキャリアテープ６４から剥離する。 - 特許庁

To provide a thermal processing apparatus and a thermal processing method, capable of performing both of activation of implanted impurities and restoration of introduced defects while suppressing damages to be given to a substrate.例文帳に追加

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing a substrate comprises a step for coating the pattern forming face of a substrate 100 with silane coupling to form a silane coupling film 101, a step for forming a mask 102 matching a pattern on the silane coupling film 101, and an activation step for producing a polar group by applying energy to the silane coupling film 101 from above the mask 102.例文帳に追加

基台(100)のパターン形成面にシランカップリング剤を塗布しシランカップリング膜(101)を形成する工程、パターンに合わせたマスク(102)をシランカップリング膜(101)上にかける工程、およびシランカップリング膜(101)にマスク(102)の上からエネルギーを与えて活性化させ極性基を生じさせる活性化工程、を備える。 - 特許庁

By the CVD method, a layer 8 whose main component is SiO_2 having 2% or less of an element ratio of N is formed on a base body 1 to obtain a substrate 10, and on the substrate, there are formed element electrodes 2, 3 and conductive film 4, and furthermore, a carbon film 6 is deposited by an activation treatment.例文帳に追加

基体１上にＣＶＤ法によって、Ｎの元素比率が２％以下であるＳｉＯ_2を主成分とする層８を形成して基板１とし、その上に素子電極２，３、導電性膜４を形成し、さらに、活性化処理によってカーボン膜６を堆積させる。 - 特許庁

Subsequently, in an annealing treatment process, an annealing treatment is carried out to the silicon oxide film (241a) under the temperature condition that a treatment temperature is set at a temperature of a distortion point of the glass substrate (210) or less, and at an annealing temperature of an activation temperature of a semiconductor layer to be formed on the glass substrate (210) or higher.例文帳に追加

次に、アニール処理工程では、ガラス基板（２１０）の歪み点温度以下であり、且つ、ガラス基板（２１０）上に形成されるべき半導体層の活性化温度以上の温度であるアニール温度に処理温度が設定された温度条件下で、シリコン酸化膜（２４１ａ）にアニール処理を施す。 - 特許庁

When a processing start instruction (S501) from a sequence control part is received in substrate processing equipment, a driving command activation part sends the processing start instruction to the dummy processing unit, when a dummy mode is set and sends this instruction to a substrate processing unit, when the dummy mode is not set.例文帳に追加

シーケンス制御部からの処理開始指令（ステップ５０１）を受信すると、駆動コマンド起動部は、擬似モードが設定されている場合には、擬似処理ユニットに対し、処理開始指令を送り、擬似モードが設定されていない場合には、基板処理ユニットに対し、処理開始指令を送る。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus which has a gas activation means activating a raw material gas for treating a substrate, realizes improvement of use efficiency of a raw material and reduction of power consumption, is cleaned with gas and has an excellent maintainability, high working rate and high throughput.例文帳に追加

基板処理用の原料ガスを活性化するガス活性化手段を備えた基板処理装置であって、原料ガスの使用効率向上と消費電力の低減を実現し、かつ、ガスクリーニングが可能な保守性に優れた高稼働率、ハイスループットの基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The method for selecting the collagen gel contraction promoter or the skin condition improving agent includes following steps of: adding a test material to a substrate having a mechanosensor; measuring an activation or expression of the mechanosensor; and evaluating a promotion effect on the collagen gel or improvement effect on the skin condition based on the activation or expression.例文帳に追加

以下の工程を含む、コラーゲンゲル収縮促進剤又は皮膚状態改善剤の選択方法：メカノセンサーを有する基質に試験物質を添加する工程；当該メカノセンサーの活性又は発現を測定する工程；及び、当該活性又は発現に基づいて当該試験物質のコラーゲンゲル収縮促進効果又は皮膚状態改善効果を評価する工程。 - 特許庁

To provide an impurity activating method which increases the activation depth of a plurality of laser pulses each irradiated in suitable conditions onto a substrate including a semiconductor layer with an impurity added to its surface layer.例文帳に追加

表層部に不純物が添加された半導体層を含む基板に、複数のレーザパルスをそれぞれ適切な条件で照射して、活性化深さを深めることができる不純物活性化方法を提供する。 - 特許庁

In the air cathode 10 having a multilayer structure and a manufacturing method thereof, an air cathode has a multilayer structure composed of at least one substrate 11, two diffusion layers 12, and three activation layers 13.例文帳に追加

多層構造を備えた空気負極１０及びその製造方法は、少なくとも一片基礎台１１、二片の拡散層１２と三片の活化層１３から構成された多層構造の空気負極である。 - 特許庁

A seed comprising nickel/iron alloy is formed on the surface of substrate and a seed surface is activated (activation pretreatment process) and, thereafter, the seed surface is covered with an oxide film including bivalent iron ion (surface oxidizing treatment process).例文帳に追加

基板表面にニッケル／鉄合金からなるシードを形成し、シードの表面を活性化（活性化前処理工程）した後、シード表面を２価の鉄イオンを含む酸化膜で被覆する（表面酸化処理工程）。 - 特許庁