「substrate activation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The fine waterdrops D contained in the high speed hot water mist have high kinetic energy and high heat energy and develop high impact effect and activation effect to the fine pollutant bonded to the substrate W.例文帳に追加

高速の温水ミストに含まれる微小水滴Ｄは、高い運動エネルギーおよび高い熱エネルギーを有しており、基板Ｗに付着した微小な汚染物質に対して大きな衝突効果および活性化効果を発揮する。 - 特許庁

A surface activation treatment is performed by irradiating a surface of a junction part 22a formed on a surface of a substrate 22 and formed of gold with energy waves by plasma in a cleaning part so as to remove an oxide film and the like formed on the surface.例文帳に追加

基板２２の表面に形成された金からなる接合部２２ａの表面に、洗浄部においてプラズマによるエネルギー波を照射し、表面に形成された酸化膜等を除去して表面活性化処理を行う。 - 特許庁

On the contrary, for an XeCl excimer laser beam, e.g., with a wavelength of 308nm, its transmission for a glass substrate is less than 40% with most of the energy absorbed by glass, thus being unable to obtain sufficient energy for the activation.例文帳に追加

これに対し、例えば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は４０％未満であり、ガラス基板にほとんど吸収され、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができない。 - 特許庁

To provide a catalyst CVD apparatus where, even in a constitution where substrates are vertically held or a constitution where substrates are horizontally arranged, deposition species produced by activation or decomposition can be uniformly deposited inside the substrate faces.例文帳に追加

基板を垂直に保持する構成や基板を水平に配置する構成においても活性化あるいは分解によって生成された堆積種を基板面内に均一に堆積させることができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

An inverter circuit for inverting a sense amplifier activation signal or the inversion signal thereof and applying the inverted signal to the substrate of each transistor for precharge is provided, an nMOSFET source terminal of each inverter circuit is connected to an output node of the latch circuit, and reuses substrate leak current caused to flow to the output node from the substrate of each transistor for precharge through an nMOSFET during precharging.例文帳に追加

センスアンプ活性化信号又はその反転信号を反転して各プリチャージ用トランジスタの基板に印加するインバータ回路を備え、各インバータ回路のｎＭＯＳＦＥＴのソース端子はラッチ回路の出力ノードに接続され、プリチャージ時に各プリチャージ用トランジスタの基板からｎＭＯＳＦＥＴを介して出力ノードに流れる基板リーク電流を再利用する。 - 特許庁

To provide a method for hydrolyzing a substrate using hydrolase, with which the active state of hydrolase is retained from the start point to the end point of hydrolysis reaction between the substrate and the hydrolase by effectively using the activation function of the hydrolase in water formed by electrolysis and the hydrolysis reaction is promoted without using a buffer solution in a reaction system.例文帳に追加

電解生成水の加水分解酵素の活性化機能を有効に利用して、基質と加水分解酵素との加水分解反応の開始時点から終了時点までの間、加水分解酵素の活性状態を保持して、反応系に緩衝液を使用することなく、加水分解反応を促進すること。 - 特許庁

The substrate joining device for joining a plurality of the substrates to each other has at least one set of work rollers 310a and 310b for surface activation joining of the plurality of the substrates to each other by holding the plurality of the substrate in-between and pressing the same in the state of superposing the surfaces to be joined of the the substrates 800a and 800b on each other.例文帳に追加

複数の基板同士を接合する基板接合装置は、基板８１０ａ、８１０ｂの接合面同士を重ね合わせた状態で前記複数の基板を挟み込んで押圧して複数の基板同士を表面活性化接合するための少なくとも一組のワークローラ８１０ａ、８１０ｂを有している。 - 特許庁

To efficiently form a high-quality metal film (protection film), especially on the surface of wiring etc. without deteriorating the electric property of the wiring by subjecting a substrate to an activation treatment such as catalyst-imparting treatment using an optimized processing liquid.例文帳に追加

下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜（保護膜）を効率よく形成できるようにする。 - 特許庁

The dummy processing unit is set to standby by for an estimated processing time (estimated processing time of the substrate processing unit), included in simulation data; and thereafter the unit acquires the execution result data, and returns the data as a processing completion notification, to the sequence control part via the driving command activation part.例文帳に追加

擬似処理ユニットでは、シミュレーションデータに含まれる推定処理時間（基板処理ユニットの推定処理時間）待機した後、実行結果データを取得し、これらを、処理完了通知として、駆動コマンド起動部を介して、シーケンス制御部に返す。 - 特許庁

The substrate for the magnetic head characteristically consists of silicon carbide characteristically having ≥10-10 Ω-1cm-1 electric conductivity at 20-250°C and ≤0.1 eV activation energy of the electric conductivity and the silicon carbide preferably comprises 3C type crystal primarily.例文帳に追加

２０〜２５０℃の導電率が１０^-10Ω^-1ｃｍ^-1以上、該導電率の活性化エネルギーが０．１ｅＶ以下であることを特徴とする炭化珪素からなることを特徴とし、特に前記炭化珪素が、３Ｃ型結晶を主体とすることが好ましい。 - 特許庁

Using an antibody reacting with a cleaved site of the substrate cleaved with the enzyme allows detecting the activation of caspase sensitively and even at cell and tissue levels without directly detecting a caspase activity per se.例文帳に追加

カスパーゼ活性そのものを直接検出するのではなく、本酵素により切断された基質の切断部位と反応する抗体を使用することにより、カスパーゼの活性化を高感度に、しかも細胞・組織レベルにおいても検出することが可能となった。 - 特許庁

At the implantation depth heating step S12, after the surface heating step S10, at least the semiconductor substrate 12 at the depth 50 is heated until reaching a temperature of the hydrogen ion outward-diffusion temperature or higher within a hydrogen ion activation-temperature range.例文帳に追加

注入深さ加熱工程Ｓ１２は、表面加熱工程Ｓ１０後に、少なくとも前記深さ５０の半導体基板１２を、水素イオン活性化温度域内にあって水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する。 - 特許庁

A manufacturing method of an electron emitting element having a cathode substrate and an anode substrate disposed in a vacuum via a spacer and an electron emitting source formed on the cathode substrate includes the steps of applying active treatment to a surface of the electron emitting source and burning the electron emitting source in a temperature range of 400 to 500°C after the activation treatment.例文帳に追加

真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a treatment device in which activation treatment can be applied uniformly on each element by energizing a conductive film of respective elements in an atmosphere containing organic compounds and by depositing carbon or a carbon compound on the conductive film even when a substrate area is wide and the number of element is numerous in manufacturing an electron source substrate.例文帳に追加

電子源基板の製造において、基板を有機化合物を含む雰囲気下で各素子の導電性膜に通電し、該導電性膜上に炭素または炭素化合物を堆積させる活性化処理を、基板面積が広く素子数が多い場合であっても、各素子に対して均一に施すことができる処理装置を提供する。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

To provide an activation of an impurity element added to semiconductor film by a heat treatment in a short time without deforming a substrate in a manufacturing process of a semiconductor device using a substrate having a low heat resistance such as a glass or the like, a method for gettering the semiconductor film and a heat treating system capable of such heat treating.例文帳に追加

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Electroless plating S8 is performed on a surface of a glass substrate after successively performing at least an adhesion layer forming treatment S2 for forming an adhesion layer by using a silane coupling agent solution, a catalyst layer forming treatment S3, a catalyst activation treatment S4, and a drying treatment S7 to perform the chemical bond of the silane coupling agent of the adhesion layer on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板表面に、少なくとも、シランカップリング剤溶液を用いて密着層を形成する密着層形成処理Ｓ２、触媒層形成処理Ｓ３、触媒活性化処理Ｓ４、及び前記密着層のシランカップリング剤をガラス基板表面に化学結合させる乾燥処理Ｓ７を順次施した後に、無電解めっきＳ８を施す。 - 特許庁

Then, at least one main surface of the SiGe epitaxial film 11 on which an ion implantation layer is formed and a support substrate 20 is subjected to plasma treatment and ozone treatment for purposes of surface cleaning, surface activation, or the like, and both main surfaces are laminated for bonding.例文帳に追加

続いて、イオン注入層を形成したＳｉＧｅエピタキシャル膜１１と支持基板２０の少なくとも一方の主面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施し、主面同士を密着させて貼り合わせる。 - 特許庁

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing.例文帳に追加

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。 - 特許庁

Consequently, the plasma is generated in the chamber 12 and then chlorine which causes organic substance removal, surface activation, and ion migration is removed to improve the reliability of IC chip joining for the resin-based substrate 9.例文帳に追加

これにより、チャンバ１２内にてプラズマを発生させると、基板９に対する有機物除去、表面活性化およびイオンマイグレーションの原因となる塩素の除去が行われ、樹脂系の基板９に対するＩＣチップ接合の信頼性を向上することが実現される。 - 特許庁

For example, for an Nd: YLF/SHG (pulsed oscillation with a wavelength of 527nm) laser beam that is an Nd: YLF laser beam converted to a secondary higher harmonic wave, its transmission factor for a glass substrate is so high as being equal to or more than 90%, thus obtaining sufficient energy for activation.例文帳に追加

例えば、Ｎｄ：ＹＬＦレーザビームを２次高調波に変換したＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は９０％以上と十分に高く、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for measuring the activity of receptor kinase by recovering receptor kinase in a state in which a stereostructure formable in the activation of receptor kinase is retained and detecting phosphorylation of a substrate by enzyme activity of the receptor kinase.例文帳に追加

膜貫通型キナーゼが活性化の際に形成しうる立体構造を保持した状態で回収し、この膜貫通型キナーゼの酵素活性による基質のリン酸化を検出することにより、膜貫通型キナーゼの活性を測定することのできる方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor module comprises: a plurality of semiconductor chips 12 each of which includes a reset terminal 30R to which a reset signal RST is supplied and internal circuits 31, 32 to be reset in response to activation of the reset signal RST; and a module substrate 11 on which the plurality of semiconductor chips 12 are mounted.例文帳に追加

リセット信号ＲＳＴが供給されるリセット端子３０Ｒ及びリセット信号ＲＳＴの活性化に応答してリセットされる内部回路３１，３２をそれぞれ含む複数の半導体チップ１２と、複数の半導体チップ１２が搭載されたモジュール基板１１とを備える。 - 特許庁

The formation of a silicon oxide film 14 using a reduced CVD method is conducted within a reaction furnace at a temperature lower than 850°C and the impurity activation annealing of a compensation regions 17, which are formed in a substrate under the bottom of contact holes 16, is conducted through RTA(rapid thermal annealing) at a temperature lower than 1,000°C.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４の成膜は、８５０℃未満の反応炉（ファーネス）内で行い、コンタクト・ホール１６の底面の基板内に形成される補償領域１７の不純物活性化アニールは、１０００℃未満のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）で行う。 - 特許庁

To provide a coating method in which a coating film with high adhesive performance can be formed on a carbon atom-containing substrate, the activation state of an activated resin surface is retained for a long time, ununiformity of treatment is not also generated and environment load is also small, and a coating pre-treatment method therefor.例文帳に追加

炭素原子含有基材上に付着性の高い塗膜を形成することが可能であり、しかも活性化された樹脂表面の活性状態が長時間保持され、処理ムラも発生せず、環境負荷も小さい塗装方法、並びにそのための塗装前処理方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The method for forming a circuit pattern includes steps of: exfoliating resist by dissolving the resist film on the circuit board after forming patterns by an exfoliating solution including dodecylbenzenesulfonic acid; surface activating the surface of a substrate by cyanide sodium after alcohol-defatting the substrate after the resist exfoliation step; and cleaning the circuit board with its surface activated by the surface activation step.例文帳に追加

ドデシルベンゼンスルホン酸を含む剥離液により、パターン形成工程後の回路基板に対し、レジスト膜を溶解するレジスト剥離工程、上記レジスト剥離工程後の回路基板をアルコール脱脂した後、青化ソーダにより基板表面を活性化する表面活性化工程、上記表面活性化工程により表面の活性化された回路基板を洗浄する洗浄工程、により回路パターンを形成する。 - 特許庁

In the sense amplifier circuit including a latch circuit formed by connecting two inverters, and two transistors for precharge inserted between a bit line and each output node of the latch circuit to perform precharge operation in response to a sense amplifier activation signal, precharge operation is accelerated by applying predetermined voltage between a substrate and a source of each transistor for precharge, using a substrate bias effect of the transistor and lowering threshold voltage.例文帳に追加

２個のインバータを接続してなるラッチ回路と、ビット線とラッチ回路の各出力ノードとの間に挿入されセンスアンプ活性化信号に応答してプリチャージ動作する２個のプリチャージ用トランジスタとを備えたセンスアンプ回路において、各プリチャージ用トランジスタの基板−ソース間に所定の電圧を印加してトランジスタの基板バイアス効果を利用してしきい値電圧を低下させることによって、プリチャージ動作を高速化する。 - 特許庁

To provide a novel hard activated carbon adsorbent of which the substrate is a porous substance having sufficient strength as the skeletal structure and needing no activation treatment and a method for producing the adsorbent, by reexamining a conventional activated carbon having a skeletal structure formed of carbon in view of problems in activated carbon and its production method by a conventional technique.例文帳に追加

従来技術による活性炭とその製造方法における問題点に鑑み、従来の炭素を骨格とする活性炭を見直し、骨格として強度があり、しかも賦活処理をする必要のない多孔質の物質を基体とする新たな硬質活性炭吸着剤とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A void detector 1 has: a semiconductor substrate on which a plurality of activation regions 11 and a plurality of ditch-type element isolation regions 25 are alternately formed in a striped shape; a plurality of electrodes 41 connected to the surface of the ditch-type element isolation regions 25; and a plurality of interconnections 12a and 12b connected to each of the electrodes 41.例文帳に追加

ボイド検出装置１は、複数の活性化領域１１と、複数の溝型素子分離領域２５とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域２５の表面に接続される複数の電極４１と、電極４１の各々に接続される複数の配線１２ａ及び１２ｂを備える。 - 特許庁

After resin 22 which contains a filler of 30-50 wt.% and has a flux activation function is supplied to a region expected to mount a semiconductor chip 2 of a wiring board 3 having a plurality of substrate side terminals 12a; the semiconductor chip 2 having a plurality of solder bumps 2a is placed on the board 3, and then thermal treatment takes place.例文帳に追加

複数の基板側端子１２ａを有する配線基板３の半導体チップ２搭載予定領域に、フィラーを３０〜５０重量％含有しフラックス活性機能を有する樹脂２２を供給してから、複数の半田バンプ２ａを有する半導体チップ２を配線基板３上に配置した後、熱処理を行う。 - 特許庁

This catalytic apparatus is provided with a catalyzing part 1 having a catalyst layer deported on an electrically insulating substrate and an ultraviolet irradiating part 2 for irradiating the part 1 with ultraviolet rays for efficiently decomposing a malodorous substance or a toxic substance by enhancing the activation degree of a catalyst much more and making the power consumption very small.例文帳に追加

絶縁性基材上に設けた触媒層を有する触媒部１と、この触媒部１に紫外線を照射する紫外線照射部２とを備え、触媒の活性化度を一層高めて、悪臭物質あるいは有害物質を効率的に分解でき、消費電力が非常に少ない触媒装置としているものである。 - 特許庁

After a protection film 7 which suppresses the outward diffusion of impurities included in a source layer 6a and a drain layer 6b is formed on the entire face of a semiconductor substrate 1, activation annealing of impurities introduced into the source layer 6a and the drain layer 6b is performed, thereby reducing a resistance in the source layer 6a and the drain layer 6b.例文帳に追加

ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに含まれる不純物の外方拡散を抑制する保護膜７を半導体基板１上の全面に形成してから、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに導入された不純物の活性化アニールを行うことにより、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂを低抵抗化する。 - 特許庁

When the core part 94 is formed by selectively radiating an activation energy light beam or the like on a core layer 9 by using a mask 20, the positioning is performed by relatively moving the substrate 2 on which the element 1 has been mounted two dimensionally with respect to the mask 20 so that the point A of the mask 20 coincides with the position of the light emitting part 101.例文帳に追加

マスク２０を用いてコア層９に活性エネルギー光線等を選択的に照射しコア部９４を形成する場合、マスク２０の箇所Ａが発光部１０１の位置に一致するよう、素子１搭載済みの基板２をマスク２０に対し２次元方向に相対的に移動して位置合わせする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing an alignment mark used for overlapping in a manufacturing process from being deformed asymmetrically in a heat-treatment process, such as activation annealing treatment and epitaxial growth in a manufacturing process in the semiconductor device using SiC for a substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置において、製造工程の重ね合わせに用いるアライメントマークが、製造工程中の活性化アニール処理やエピタキシャル成長などの熱処理工程で非対称に変形することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The photosensitive transfer material having at least the thermoplastic resin layer, the intermediate layer and the photosensitive recording layer on the temporary substrate in this order is characterized in that the thermoplastic resin layer is subjected to surface activation treatment by at least either of corona discharge treatment, plasma treatment, flame treatment and UV treatment.例文帳に追加

仮支持体上に、少なくとも熱可塑性樹脂層、中間層及び感光性記録層をこの順に有してなる感光性転写材料において、前記熱可塑性樹脂層が少なくともコロナ放電処理、プラズマ処理、火炎処理、UV処理のいずれかにより表面活性化処理されていることを特徴とする感光性転写材料である。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a platen roller which can suppress a drop in adhesive force of a thermally active gelatinization layer that is seen when recording and thermal activation are performed to a thermally active gelatinization sheet with the thermally active gelatinization layer at a rear face side of a recording face of a sheet-like substrate, and to provide its manufacturing method, a recorder equipped with the platen roller, and a label printer for sticking.例文帳に追加

シート状基材の記録面の裏面側に熱活性糊化層を有する熱活性糊化シートに対して記録及び熱活性化を施す際に見られる、熱活性糊化層の粘着力の低下を抑制可能なプラテンローラ及びその製造方法、並びにそのプラテンローラを具備する記録装置、及び貼着用ラベルプリンタを提供すること。 - 特許庁

On a transparent electrode 2 formed on a support substrate 1, porous electrodes 4 are formed of a composite of a conductive polymer and nanoparticles or a composite of metal alkoxide or metal halide and nanoparticles, and after the composite is subjected to activation processing, organic EC coloring matter is carried to form a display electrode structure 11.例文帳に追加

支持基板１に形成された透明電極２に、導電性高分子とナノ粒子によって形成された複合体、或いは、金属アルコキシド又は金属ハロゲン化物とナノ粒子によって形成された複合体よりなる多孔質電極４が形成され、この複合体が活性化処理された後、有機ＥＣ色素３が担持され、表示電極構造体１１が形成される。 - 特許庁

When an electron emission element having conductive films 4 containing electron emission parts 5 between element electrodes 2, 3 is manufactured, the electron emission part 5 made of a high resistance part is formed in the conductive film 4, and a substrate 1 is heated in a mixed gas of olefinic hydrocarbon and nitrogen, and at the same time, voltage is applied to the element electrodes 2, 3 as activation treatment.例文帳に追加

素子電極２，３間に、電子放出部５を含む導電性膜４を有する電子放出素子の製造に際し、導電性膜４に高抵抗部からなる電子放出部５を形成した後、オレフィン系炭化水素と窒素から構成される混合気体中で、基板１を加熱しながら素子電極２，３間に電圧を印加して活性化処理を施す。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for a heterobipolar transistor, including a collector layer 3, a base layer 4, and an emitter layer 5 on a semi insulating InP substrate 1, hydrogen atoms contained into the base layer 4 are consumed and the activation rate of carbon impurity is improved by using an organic phosphorous compound, such as trimethylphosphate as the raw material for epitaxial growth of all or a part of the emitter layer 5.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板１上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含むヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、エミッタ層５のすべてまたは一部のエピタキシャル成長の原料として、トリメチルリン等の有機リン化合物を用いることにより、ベース層４に取り込まれた水素原子を消費し、炭素不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

When the magnetic recording medium is manufactured by successively film-depositing a magnetic recording layer and a hard film consisting essentially of carbon on one surface of a non-magnetic substrate 10 and further forming the lubricant layer, the hard film is subjected to a surface activation treatment by electrodes at at least two parts for performing the surface treatment using different kinds of discharge gases after the hard film is film-deposited.例文帳に追加

非磁性支持体１０の一方の面上に、磁気記録層と、炭素を主成分とする硬質膜とを順次成膜し、さらに潤滑層を形成して磁気記録媒体を製造するに際し、硬質膜の成膜後に、夫々異なる種類の放電ガスを用いて表面処理を行うための、少なくとも２箇所の電極により、硬質膜の表面活性化処理を行う。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁