例文 (149件) |
substrate activationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 149件
METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY THERMAL ACTIVATION OF LIGHT ELEMENT例文帳に追加
軽元素の熱活性化により半導体基板を処理する方法 - 特許庁
The process (1) is a surface activation process: the surface activation treatment is applied at least to one surface of the substrate.例文帳に追加
工程(1)表面活性化処理工程:基材の少なくとも一面に表面活性化処理を施す工程。 - 特許庁
To improve the activation rate of an impurity layer formed in an Si substrate.例文帳に追加
Si基板に形成される不純物層の活性化率を向上させる。 - 特許庁
A resin substrate is treated with a first ozone solution having the high activation rate, and after that, the resin substrate is treated with a second ozone solution having the activation rate lower than that of the first ozone solution.例文帳に追加
樹脂基板を活性化速度の大きい第1のオゾン溶液で処理した後に、第1のオゾン溶液より活性化速度の小さい第2のオゾン溶液で処理する。 - 特許庁
The gas activation is performed with the porous carbon substrate accumulated between shelf boards that have high thermal conductivity and gas permeability upon the gas activation treatment is applied to the porous carbon substrate.例文帳に追加
多孔質炭素基材にガス賦活処理時に、多孔質炭素基材を高熱伝導性とガス透過性を有する棚板の間に積層してガス賦活を行なうこととする。 - 特許庁
LED epitaxial layer (n-type, p-type, and activation layer) grows on a substrate.例文帳に追加
LEDエピタキシャル層(n−型、p−型、及び活性層)が基板上に成長する。 - 特許庁
After completion of the activation, the anode substrate 211 is crimped (adhered) to a sealing part 23 of the cathode substrate 212 to seal.例文帳に追加
活性化終了後、アノード基板211をカソード基板212のシール部23に圧着(接着)して封止する。 - 特許庁
In the ion activation step, the ions are activated by heating the substrate on which the carbon layer is formed.例文帳に追加
イオン活性化工程では、カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。 - 特許庁
After the ion implantation, a substrate having the above structure is subjected to high temperature activation annealing.例文帳に追加
さらに、前記イオン注入後、この構造を持つ基板に対し、高温活性化アニールを施す。 - 特許庁
In the removal step, the carbon layer and step bunching, which occurs on the surface of the substrate in the ion activation step, are removed by heating the substrate on which the ion activation step is performed under a Si vapor pressure.例文帳に追加
除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をSi蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 - 特許庁
In the ion activation step, the substrate on which the carbon layer is formed is heated to activate the ion.例文帳に追加
前記イオン活性化工程では、前記カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。 - 特許庁
A semiconductor substrate after ion implantation is exposed to high-density plasma and then subjected to heat treatment for activation.例文帳に追加
イオン注入後の半導体基板を、高密度プラズマにさらしてから、活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁
To provide a direct bonding wafer for direct bonding with an opposite side substrate by surface activation bonding.例文帳に追加
表面活性化接合により相手側基板と直接接合するための直接接合用ウェハを提供する。 - 特許庁
The surface of the semiconductor substrate is polished with an abrasive material whose activation energy is 0.55 eV or above at a polishing speed.例文帳に追加
研磨速度の活性化エネルギが0.55eV以上になる研磨剤を用いて、基板の表面を研磨する。 - 特許庁
A lower clad layer 2, an activation layer 3, and an upper clad layer 4 are sequentially stacked on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上に下クラッド層2、活性層3、及び上クラッド層4が順に積層されている。 - 特許庁
To provide a semi-insulating GaAs single crystal substrate having both of high specific resistance and high activation rate.例文帳に追加
高い比抵抗と高い活性化率とを兼ね備えた、半絶縁性GaAs単結晶基板を提供する。 - 特許庁
The GaAs substrate 16 (semiconductor substrate) is immersed in Pd, causing activation of a liquid 28 (palladium chloride) containing Pd ions, and Pd catalyst 30 is made to adhere to a surface of the GaAs substrate.例文帳に追加
Pdイオンを含むPd活性化液28(塩化パラジウム)にGaAs基板16(半導体基板)を浸漬してGaAs基板の表面にPdキャタリスト30を付着させる。 - 特許庁
Hydrogen ions are implanted previously in the major surface of an Si substrate 10, and the Si substrate 10 and the supporting substrate 20 are stuck in the temperature range of 100-400 °C after surface activation processing.例文帳に追加
予めSi基板10の主面に水素イオン注入し、表面活性化処理の後にSi基板10と支持基板20を100〜400℃の温度範囲で貼り合わせる。 - 特許庁
The rotating body for an image forming apparatus is provided with the substrate and the cover layer covering the surface of the substrate, and the surface of the substrate is processed by activation by silicate flames.例文帳に追加
基体と、該基体表面上に被覆された被覆層とを有し、該基体の表面がケイ酸化炎による活性化処理によって処理されている画像形成装置用の回転体。 - 特許庁
A substrate processing apparatus has a processing chamber 1 for processing a substrate 6, and a gas activation section 11 provided outside the chamber 1 and generating plasma.例文帳に追加
基板処理装置は、基板6を処理する処理室1と、処理室1外部に設けられプラズマを発生させるガス活性化部11とを有する。 - 特許庁
The etching and activation of the synthetic substance substrate are simultaneously performed in a solution comprising one or more etching reagents, an etching activation wetting agent, and a hydrochloric acid, and noble metal ion-containing activator.例文帳に追加
一つ以上の腐食剤、腐食活性浸潤剤、塩酸および貴金属イオン含有活性化剤を含む溶液を合成物質基板の腐食と活性化を同時に行う。 - 特許庁
To provide an activation apparatus for an information display panel, stably connecting an activation electrode and a substrate electrode to reliably activate the information display panel.例文帳に追加
活性化電極と基板電極との接続を安定化して、確実に情報表示用パネルの活性化を行うことができる情報表示用パネルの活性化装置を提供する。 - 特許庁
The liquid droplet discharging device includes: a discharge head capable of moving relative to a substrate in a direction along a predetermined plane, and for discharging liquid droplets curable by activation light; and an irradiation section 48 for irradiating the liquid droplets on the substrate with the activation light.例文帳に追加
基材に対して所定平面に沿う方向に相対移動して、活性光線で硬化する液体の液滴を吐出する吐出ヘッドと、基材上の液滴に活性光線を照射する照射部48とを備える。 - 特許庁
The substrate layer (i) is one containing a thermoplastic resin, subjected to surface activation on either surface (a), and not subjected to surface activation on the opposite surface (b) or subjected to surface activation lighter than the surface activation on the surface (a).例文帳に追加
基材層(i):熱可塑性樹脂を含有する基材層であって、片面(a)に表面活性化処理が施されており、その反対面(b)には表面活性化処理が施されていないか、または、前記片面(a)に施された表面活性化処理よりも低い表面活性化処理が施されている基材層。 - 特許庁
In the method of manufacturing the SOI substrate, a hydrogen ion implantation layer is formed on the front surface of a first substrate as a single crystal silicon substrate, and surface activation processing is applied to at least any one of the surface of a second substrate as a transparent insulative substrate and the surface of the first substrate and both the substrates are laminated.例文帳に追加
単結晶シリコン基板である第1の基板の表面側に水素イオン注入層を形成し、透明絶縁性基板である第2の基板の表面及び第1の基板の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施して両基板を貼り合わせる。 - 特許庁
A surface of the substrate 2 to which the skin 3 is bonded is previously treated by activation by corona discharge or the like.例文帳に追加
表皮3が接着される基板2の表面については、コロナ放電等によって予め活性化処理しておく。 - 特許庁
Since a temperature in a deep region in the surface of the substrate can be raised to an activation temperature or above without overheating a shallow region, activation of junction in the deep region can be carried out without causing warpage or cracking of the substrate.例文帳に追加
これにより、基板表面の浅い領域を必要以上に加熱することなく深い領域をも活性化温度以上に昇温することができ、基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる。 - 特許庁
To provide a method of performing an annealing treatment while suppressing sublimation or the like of an Si substrate during activation annealing of a GaN-based semiconductor on the Si substrate.例文帳に追加
Si基板上のGaN系半導体層の活性化アニールにおいて、Si基板の昇華等を抑制しつつアニール処理することができる方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, by subjecting the amorphized substrate surface to ion supply treatment and activation treatment, extremely shallow impurities can be introduced onto the substrate surface.例文帳に追加
その後、非晶質化された基板表面にイオン供給処理、活性化処理を施すことにより、基板表面に極めて浅い不純物を導入することができる。 - 特許庁
The controller 9 adjusts the activation of the head 3 based on the signal, and controls the thickness of a paint film on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
コントローラ9は、信号に基づいてヘッド3の作動を調整し、半導体基板1上の塗膜の厚さをコントロールする。 - 特許庁
The polysilicon film is etched back until the polysilicon film comes below the main surface of an n-type substrate 100 in the element activation part.例文帳に追加
素子活性部においてポリシリコン膜がn型基板100の主面よりも下になるまで、ポリシリコン膜をエッチバックする。 - 特許庁
To provide a heat treatment method capable of performing activation of junction in a deep region without causing warpage or cracking of a substrate.例文帳に追加
基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁
Further, an evaporator 7 for the activation liquid is formed by covering the middle plate 2 opposed to the concave surface portion 10 of the heat transfer substrate 1.例文帳に追加
また、伝熱基板1の凹面部10に対向して中間板2を覆うことで作動液の蒸発部7を形成する。 - 特許庁
To provide a heat treatment technology that can perform both recovery and activation and also can prevent the generation of cracks at a substrate.例文帳に追加
回復および活性化の双方を行うことができ、しかも基板の割れを防止することができる熱処理技術を提供する。 - 特許庁
In the activation annealing stage, the wafer 3 is heated in a state wherein an SiC substrate 61 is arranged along the principal surface of the wafer 3.例文帳に追加
そして、活性化アニール工程では、ウェハ3の主面に沿って、SiC基板61が配置された状態で、ウェハ3が加熱される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for piezoelectric vibrators which subjects a piezoelectric substrate to activation processings, without making an exposed exciting electrode etched and allows the piezoelectric substrate and other constituent members to be bonded directly.例文帳に追加
露出された励振電極エッチングされることなく圧電基板が活性化処理され、圧電基板と他の構成部材とが直接接合可能な圧電振動子の製造方法。 - 特許庁
The equalization is performed at high speed by controlling the substrate bias potential of the transistor, and the increases of leak current when waiting and when activation are prevented.例文帳に追加
上記トランジスタの基板バイアス電位を制御することにより高速にイコライズし、かつ、待機時及び活性化時のリーク電流増加を防ぐ。 - 特許庁
To realize highly efficient annealing treatment and activation treatment by light irradiation, without generating bending or deformation of a TFT glass substrate.例文帳に追加
TFTガラス基板の反り、変形を発生させることなく、光照射処理による高効率アニール処理、活性化処理を実現すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device, capable of suppressing surface roughness during activation annealing performed on a substrate including silicon carbide.例文帳に追加
炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A single-crystal Si substrate 10 subjected to plasma processing for surface activation is bonded to a quartz substrate 20 at low temperature, external impact is given to it, and a silicon film is mechanically peeled from the bulk of a single-crystal silicon, thus obtaining a semiconductor substrate (SOI substrate) with a silicon film (SOI film) 12.例文帳に追加
プラズマ処理して表面活性化させた単結晶Si基板10と石英基板20を低温で貼り合わせ、これに外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルクからシリコン膜を機械的に剥離してシリコン膜(SOI膜)12を備えた半導体基板(SOI基板)を得る。 - 特許庁
A first substrate 1 made of glass is bonded to a second substrate 11 made of silicon by surface activation bonding between materials of the same kind with a thin film silicon film 2, previously formed on a surface, interposed.例文帳に追加
ガラスから成る第1基板1を、その表面に予め形成した薄膜シリコン層2を介して、シリコンから成る第2基板11に同種材料間の表面活性化接合により接合する。 - 特許庁
In a lithographic apparatus that transfers a pattern onto a substrate, the date and time of the activation of a software upgrade is compared with the date and time of exposure of a first layer of a substrate or a "lot" of substrates.例文帳に追加
基板にパターンを転写するリソグラフィ装置において、ソフトウェアアップグレードのアクティベーションの日付および時刻が、基板または基板の「ロット」の第1の層の露光の日付および時刻と比較される。 - 特許庁
A substrate voltage control circuit changes the substrate voltage from a first voltage to a second voltage when the internal power supply voltage that rises by the activation of the power supply on signal exceeds a target voltage.例文帳に追加
基板電圧制御回路は、電源オン信号の活性化により上昇する内部電源電圧が目標電圧を超えたときに、基板電圧を第1電圧から第2電圧に変更する。 - 特許庁
To enable the sufficient diffusion of impurities in a gate electrode and the sufficient activation of impurities in a diffusion region while inhibiting the damage of an Si substrate due to a stress applied to the Si substrate by a heat treatment.例文帳に追加
熱処理によりSi基板にかかるストレスによるSi基板の損傷を抑えつつ、ゲート電極の不純物の十分な拡散、拡散領域の不純物の十分な活性化ができるようにする。 - 特許庁
To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus, allowing for an excellent activation of an implanted impurity while preventing a crack of a substrate.例文帳に追加
基板の割れを抑制しつつ、注入された不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁
The pressure-sensitive adhesive laminate is composed of the following substrate layer (i) and the following pressure-sensitive adhesive layer (ii) laminated on that surface thereof which is subjected to surface activation.例文帳に追加
下記の基材層(i)の表面活性化処理が施された片面(a)に下記の粘着剤層(ii)が積層されてなる粘着用積層体。 - 特許庁
To effectively perform a thermal treatment such as activation treatment of impurities in a substrate such as a thick silicon wafer with large thermal capacity by laser annealing.例文帳に追加
熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの基板において不純物の活性化処理などの熱処理をレーザアニールにより効果的に行うことを可能にする。 - 特許庁
That is, an activation of the impurities and the removal of a defect in the layer 14 are simultaneously performed without damaging the substrate 10 due to the heat.例文帳に追加
すなわち、基板10を熱により損傷することなく不純物の活性化と絶縁層14中の欠陥の除去とが同時に行われる。 - 特許庁
The optical switch 1 is formed by layering a reflection layer 12 having high reflectance, an activation film 14 and a reflection layer 16 having low reflectance on a substrate 10 in this order.例文帳に追加
光スイッチ1は、基板10上に、高反射率の反射層12と、活性膜14と、低反射率の反射層16とをこの順に積層してなる。 - 特許庁
A carbon nanofiber sheet is obtained by carrying out carbonization and activation of a nanofiber sheet formed by carrying out charge spinning onto a substrate composed of an active carbon fiber precursor.例文帳に追加
活性炭素繊維前駆体からなる基材上に荷電紡糸で形成されたナノファイバーシートを炭化・賦活して得られるカーボンナノファイバーシートを提供する。 - 特許庁
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