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「selection mask」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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selection maskの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 144



例文

COLOR SELECTION MASK FOR CATHODE-RAY TUBE例文帳に追加

陰極線管用のカラー選択マスク - 特許庁

DAMPING WIRE USED FOR COLOR SELECTION MASK例文帳に追加

色選別マスクに用いる制振ワイヤー - 特許庁

A mask selector writes a mask generation instruction comparison result selection result in a mask register as mask data (updates the mask register) in response to a mask register update instruction.例文帳に追加

マスクセレクタは、マスクレジスタ更新指示に応じて、マスク生成命令比較結果選択結果をマスクデータとしてマスクレジスタに書き込む(マスクレジスタを更新する)。 - 特許庁

To weld in good precision a support member for the color selection electrode and a color selection mask.例文帳に追加

色選別電極用支持部材と色選別マスクとを精度良く溶接する。 - 特許庁

例文

A mask control part outputs a mask generation instruction comparison result selection instruction and a mask register update instruction in response to a mask generation instruction.例文帳に追加

マスクデータ制御部は、マスク生成命令に応じて、マスク生成命令比較結果選択指示とマスクレジスタ更新指示とを出力する。 - 特許庁


例文

A compression section 53 encodes the selection image as a mask.例文帳に追加

圧縮部53は、選択画像をマスクとして符号化する。 - 特許庁

A dither mask for halftone processing is utilized for determining the selection.例文帳に追加

選択決定には、ハーフトーン処理用のディザマスクを利用する。 - 特許庁

COLOR CATHODE-RAY TUBE, COLOR SELECTION MECHANISM, MASK STRUCTURE FOR COLOR SELECTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

カラー陰極線管、色選別機構、及び色選別用マスク構体とその製造方法 - 特許庁

To suppress twisting of a frame for supporting a color selection mask constituting a color selection electrode.例文帳に追加

色選別電極を構成する色選別マスクを支持するフレームのねじれの発生を抑える。 - 特許庁

例文

The support member 21 of the frame 20 faces the color selection mask 10 and comprises a surface 21S to which the color selection mask 10 is welded.例文帳に追加

フレーム20の支持部材21は、色選別マスク10に対面し色選別マスク10が溶接される表面21Sを備えている。 - 特許庁

例文

Thus, it is possible to define selection conditions of the mask columns, accumulation about the mask columns and external reference with respect to the mask conditions.例文帳に追加

これによってマスクコラムの選択条件、マスクコラムに関する集計及びマスク条件に対する外部参照を定義できる。 - 特許庁

Especially, wasteful time at selection of mask opening can be reduced to an absolute minimum, regardless of the size or number of the mask 6 or the number of openings on the mask 6.例文帳に追加

特に、マスク6の大きさ・数量やマスク6上の開口数に関係なく、マスク開口選択時の無駄時間を最低限度に押さえられる。 - 特許庁

To remove delicate deformation caused on the color selection mask, when a color selection mechanism of cathode-ray tube is assembled and to prevent development of winkles on the color selection mask which invites deterioration of the image quality on the display screen.例文帳に追加

陰極線管の色選別機構を組み立てる際に色選別マスクに生じる微妙な変形を取り除き、表示画面の画質悪化を招く色選別マスクのシワの発生を防止する。 - 特許庁

Thereby, the color selection mask 10 point- contacts the surface 21S of the support member 21 (line contact in a plan view from the surface 21S and the color selection mask 10).例文帳に追加

このため、支持部材21の表面21Sに色選別マスク10を、点接触(当該表面21S及び色選別マスク10の平面視においては線接触)している。 - 特許庁

MASK PLATE OF COLOR CATHODE-RAY TUBE AND MANUFACTURE OF COLOR SELECTION MECHANISM USING IT例文帳に追加

カラー陰極線管のマスク板とそれを用いた色選別機構の製造方法 - 特許庁

The image switching control part has a storage part which stores the 1st image, the 2nd image, and a base selection mask having an image area smaller than the mentioned partial area and a selection mask conversion part which converts the base selection mask to the selection mask having the image area of the same size with at least the partial area.例文帳に追加

前記画像切替制御部は、前記第1の画像と、前記第2の画像と、前記少なくとも一部の領域よりも小さな画像領域を有する基選択マスクとを格納する格納部と、前記基選択マスクを前記少なくとも一部の領域と同じサイズの画像領域を有する前記選択マスクに変換する選択マスク変換部とを有する。 - 特許庁

A request mask processing part 370 prevents request information from being output to the selection part 390 based on the mask signal.例文帳に追加

リクエストマスク処理部370は、リクエスト情報を選択部390に出力することをマスク信号に基づいて抑制する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MASK AND MECHANISM FOR COLOR SELECTION FOR CATHODE-RAY TUBE例文帳に追加

陰極線管用色選別マスクおよび陰極線管用色選別機構の製造方法 - 特許庁

To provide a color selection apparatus for providing a fixed distance between the inner surface of a cathode-ray tube panel and the surface of a color selection mask.例文帳に追加

陰極線管パネルの内面と色選別マスクの面との距離を一定にできる色選別装置を提供すること。 - 特許庁

A mask selection vector quantizing unit 14 determines the mask number of a mask having the largest calculated differencde as a quantized value of an extraction target area of the basic feature information.例文帳に追加

マスク選択ベクトル量子化部14は、算出した差分の最大のマスクのマスク番号を基本特徴情報の抽出対象領域の量子化値とする。 - 特許庁

The device permits selection of mask frame by using the controls (922a, 922h) on the user interface, and this reduces a time for selecting a mask frame, compared with selection operation by using function keys.例文帳に追加

ユーザインターフェース上のコントロール(922g、922h)を用いてマスクフレームの選択を行うことができ、ファンクションキーを用いた選択操作に比べて、手間の軽減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method for patterning a surface which can keep the etching selection ratio of a substrate to a mask high irrelevantly to a mask opening rate.例文帳に追加

マスク開口率によらずにマスクに対する基板のエッチング選択比を高く保つことができる表面パターニング方法を提供する。 - 特許庁

A comparison result selector outputs comparison result data stored in a comparison result storage register corresponding to the mask generation instruction as a mask generation instruction comparison result selection result in response to a mask generation instruction comparison result selection instruction.例文帳に追加

比較結果セレクタは、マスク生成命令比較結果選択指示に応じて、マスク生成命令に対応する比較結果格納レジスタに格納されている比較結果データをマスク生成命令比較結果選択結果として出力する。 - 特許庁

To provide a plotting support system, a plotting support method, a mask manufacture support system, and a mask manufacture support method, with which a customer can control the manufacture schedule of a mask and the selection of a mask manufacturing device, etc.例文帳に追加

マスクの製造スケジュール及びマスク製造装置の選択等を顧客が制御することができる描画支援システム、描画支援方法、マスク製造支援システム、及びマスク製造支援方法を提供すること。 - 特許庁

A write-in mask information signal WRMSK- is applied to the central column selection circuit element 42 in a memory circuit.例文帳に追加

書込みマスク情報信号はメモリ回路内の中央カラム選択回路要素に与えられる。 - 特許庁

Porous regions having slit regions 21 and bridge regions 22 are installed at the color selection mask.例文帳に追加

スリット領域21とブリッジ領域22とを有する有孔領域を色選別マスクに設ける。 - 特許庁

In an etching processing process in a process (3), the mask layer 3 is removed by selection etching.例文帳に追加

その後、工程(3)のエッチング処理工程にて、マスク層3を選択エッチング処理にて除去する。 - 特許庁

To provide a mask structure for color selection producible by being arranged side by side in n-lines even if the size of the mask structure for color selection slightly exceeds 1/n of effective etching width, to provide its manufacturing method, and to provide a color selection mechanism, and a color cathode-ray tube.例文帳に追加

色選別用マスク構体のサイズが、有効エッチング幅の1/nを少々超えても、n列に並べて生産できるようにした、色選別用マスク構体及びその製造方法、色選別機構、カラー陰極線管を提供するものである。 - 特許庁

A color selection mask for cathode-ray tube, including a mask to select color that is under a tension on the support frame, and a means that the frame/mask assembly prevents the mask under the tension from vibration, when receiving an external vibration.例文帳に追加

本発明は、カラーを選択し、支持フレーム上で張力が加えられたマスクを含み、フレーム/マスク組立体は、外部振動を受けて張力が加えられたマスクが振動することを阻止する手段を含むカラー陰極線管である。 - 特許庁

Two kinds of 1st and 2nd mask layers 1 and 2 which have a large etching selection ratio are laminated and cut along the laminating direction to form a mask substrate and the 1st mask layer 1 is selectively etched by using a resist pattern as an etching mask to form a mask having a mask opening (beam transmission part) C determined by the film thickness d1 of the 1st mask layer 1.例文帳に追加

エッチング選択比の大きい2種類の第1および第2のマスク層1,2を積層し、積層方向に沿って切断することによりマスク基板を形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして第1のマスク層1を選択的にエッチングすることで、第1のマスク層1の膜厚d1によって決まるマスク開口(ビーム透過部)Cを有するマスクが形成される。 - 特許庁

MASK BLANKS SELECTION METHOD, CALCULATION METHOD FOR BIREFRINGENCE INDEX, LITHOGRAPHIC METHOD, MASK BLANKS SELECTING DEVICE, BIREFRINGENCE INDEX CALCULATION DEVICE AND PROGRAM THEREFOR例文帳に追加

マスクブランクス選定方法、複屈折性指標の算出方法、リソグラフィ方法、マスクブランクス選定装置、複屈折性指標算出装置およびそのプログラム - 特許庁

The progress selection part 28 transmits the scheduled price and the scheduled delivery date to the person expected to purchase the mask to make him or her select whether the production of the mask should be advanced or not.例文帳に追加

進行選択部28は、予定価格及び予定納期をマスク購入予定者に伝達し、マスクの製作を進行させるか否かを選択させる。 - 特許庁

Control circuits 11-13 generate selection signals from the operation mode and mask bits accompanying each operand.例文帳に追加

制御回路11〜13は演算モードと各オペランドに付随するマスクビットとから選択信号を生成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device improving a selection ratio between a compound semiconductor and a mask.例文帳に追加

化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A selection ratio K is acquired from the etching amount of the first semiconductor region and the etching amount of the first mask layer.例文帳に追加

第1の半導体領域のエッチング量および第1のマスク層のエッチング量から選択比Kを得る。 - 特許庁

This mask structure 30 for color selection has a mask part 69 for color selection and a peripheral ineffective part 41, and is so structured that both sides 41A and 41B or the one side 41B of the ineffective part in the extension direction of the mask part 69 are or is formed into an uneven shape.例文帳に追加

色選別用マスク構体30としては、色選別用マスク部分69と周辺の無効部分41とを有し、色選別用マスク部分69の架張方向における無効部分の両辺側41A,41B又は一辺側41Bが凹凸状に形成された構成とする。 - 特許庁

A blue noise mask processing unit 192 applies blue noise mask processing to the pixel values of each pixel to be processed, and outputs the processed pixel values to the output selection unit 193.例文帳に追加

ブルーノイズマスク処理部192は、処理対象の各画素の画素値にブルーノイズマスク処理を行い、処理済みの画素値を出力選択部193へと出力する。 - 特許庁

Since the semiconductor layer itself is oxidized to make a selection growth mask, no insulation film as a mask is needed, preventing influence of auto- doping as much as possible.例文帳に追加

半導体層自身を酸化させて選択成長マスクとするため、絶縁膜のマスクレスとなり、上記オートドーピングの影響を極力抑制することが可能になる。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that the present write-in operation is to be masked, the column selection circuit element 42 invalidates a redundant column selection signal line.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきであるという内容の時、カラム選択回路要素は、冗長カラム選択信号ラインを無効とする。 - 特許庁

A hard mask layer is patterned through self-organization of a block copolymer, by which a micropattern is formed in the hard mask layer, and at the same time the hard mask layer can be formed as a mask having a high etching selection ratio to a thin-film layer.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層をブロックコポリマーの自己組織化を用いてパターニングを行うことにより、ハードマスク層に微細パターンを形成するのと同時に、ハードマスク層を薄膜層に対して高いエッチング選択比を備えたマスクとして形成することが出来る。 - 特許庁

To provide an apparatus and etching method allowing increase of mask selection ratio, improving anisotropy and enabling a deeper etching.例文帳に追加

マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To enable high-speed etching by simultaneously improving mask selection ratio and shape of anisotropy in the etching process of Si.例文帳に追加

Siのエッチングにおいて、マスク選択比および異方性形状を同時に向上させ、高速エッチングも可能とすること。 - 特許庁

An area (a connection component) CA continuously connected from the selection pixel P, comprising a pixel wherein a difference to hue of the selection pixel P is within a prescribed value is extracted on a mask image.例文帳に追加

選択画素Pから連続的に連結され、選択画素Pの色相との差が所定値以内の画素からなる領域(連結成分)CAをマスク画像上において抽出する。 - 特許庁

To prevent any 3C-SiC defect from mixing in an impurity region, and to surely remove a selection mask.例文帳に追加

不純物領域に3C−SiC欠陥が混入しないようにすると共に、選択マスクを着実に除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a color cathode ray tube in which a damper line for preventing oscillating of a color selection mask cannot be easily recognized on a screen.例文帳に追加

色選別マスクの振動防止のためのダンパー線が画面上で認識されにくいカラー陰極線管を提供する。 - 特許庁

The mask layer 30b and the substrate 10 are simultaneously removed, e.g. by dry etching under conditions which make selection ratios to the substrate 10 and the mask layer 30b nearly equal to each other to transfer the shape of the mask layer 30b to the substrate 10 and to obtain the shape of the optical lens.例文帳に追加

基板10とマスク層30bに対する選択比が略同等となる条件のドライエッチング処理などによりマスク層と基板を同時に除去することで、マスク層30bの形状を基板10に転写し、光学レンズの形状とする。 - 特許庁

To prevent the generation of microtrenches to improve a vertically worked shape and a mask selection ratio in silicon etching treatment.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which ensures a higher etching rate and mask selection ratio of an etching object portion and also suppresses the etching stop.例文帳に追加

エッチング対象部のエッチングレートおよび対マスク選択比が高く、かつ、エッチングストップを抑えたプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon structure, capable of simultaneously attaining an anisotropic etching profile of high verticality and high mask selection ratio.例文帳に追加

垂直性の高い異方性エッチング形状と高いマスク選択比を同時に達成するシリコン構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクに匹敵する被エッチング材料(例えば金属からなる被エッチング膜)とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁




  
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