「selection mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent mask wrinkles by restraining the stress deflection of a lateral frame due to concentrated load in pressing the frame when a color selection mechanism is manufactured.例文帳に追加

色選別機構の製造に際し、フレーム加圧時の集中荷重による横フレームの応力歪みを抑えてマスクシワの発生を防止する。 - 特許庁

To provide an image display apparatus provided with a vibration preventing mechanism capable of surely reducing vibration of a shadow mask (color selection electrode) at a low cost.例文帳に追加

低コストで確実にシャドウマスク（色選別電極）の振動を低減できる振動防止（防振）機構を備えた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A first selection display layer 27a formed on a base material layer 26 is composed of a first transmission section 28a and a first mask 29a.例文帳に追加

基材層２６上に形成される第１選択表示層２７ａは、第１透過部２８ａと第１マスク部２９ａとから構成されている。 - 特許庁

Grooves or holes are machined thinner than pattern dimensions in a BARC etching step, and etching is made under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2.例文帳に追加

BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method which can improve a selection ratio in etching a silicon layer with respect to an oxide film layer as a mask layer.例文帳に追加

マスク層としての酸化膜層に対するシリコン層のエッチングにおける選択比を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which satisfactory etching work under a high aspect area is realized by obtaining a high selection ratio to a mask.例文帳に追加

より高い対マスク選択比を得ることができ、高アスペクト領域下での良好なエッチング加工が可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching material for carbonic material, which can keep extremely excellent flatness and mask selection ratio without needing special heating, and can get form loyal to the mask form and high etching speed.例文帳に追加

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus for diamond, enabling a high selection ratio of a diamond substrate with respect to a mask, a high etching speed, and a flat etching surface.例文帳に追加

マスクに対するダイヤモンド基材の選択比が高く、エッチング速度が速く、且つエッチング面が平坦になるダイヤモンドのエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The frame 1 is composed of a pair of members 2 supporting the color selection mask, and a pair of connecting members 3 connecting the supporting members 2 to each other.例文帳に追加

フレーム１は色選別マスクを支持する１対の支持部材２と、この両支持部材２の間を結ぶ１対の連結部材３とから構成される。 - 特許庁

An assignment part 56 assigns the pass mask pattern selected by the assigned pattern selection part 55 to the data after the binarization processing by the binarization part 53.例文帳に追加

割り当て部５６は、割り当てパターン選択部５５により選択されたパスマスクパターンを、二値化部５３による二値化処理後のデータに対して割り当てる。 - 特許庁

The growth upper face of an impurity region 7 to be formed in a trench 5 is set below the lower face of a carbon film 2 as a selection mask.例文帳に追加

トレンチ５内に形成される不純物領域７の成長上面が選択マスクとなるカーボン膜２の下面よりも下方となるようにする。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, preferably, a step for removing the mask pattern is performed by using an etching recipe having a selection ratio to the first gate insulating film pattern 115.例文帳に追加

また、マスクパターンを除去する段階は、第１ゲート絶縁膜パターン１１５に対して選択比を有するエッチングレシピを使用して実施することが望ましい。 - 特許庁

The image processor makes the images of high accordance a temporary selection sample image, by using the first mask images in first comparison and verification of the input images with each sample image, performs comparison and verification by using a second mask image corresponding to the temporary selection sample images in a second comparison and verification, and finally determines the sample images.例文帳に追加

入力画像と各サンプル画像との１回目の比較照合で第１マスク画像を利用して一致度の高い画像を仮選択サンプル画像とし、２回目の比較照合ではこの仮選択サンプル画像に対応する第２マスク画像を利用して比較照合を行い、最終的にサンプル画像を定める。 - 特許庁

A ROI selection unit 18 selects the target area of the original image, and a ROI mask generating unit 20 generates a ROI mask for specifying the wavelet transform coefficient (called "ROI transform coefficient"), corresponding to the attention area.例文帳に追加

ＲＯＩ選択部１８は、原画像上の注目領域を選択し、ＲＯＩマスク生成部２０は、注目領域に対応するウェーブレット変換係数（ＲＯＩ変換係数という）を特定するＲＯＩマスクを生成する。 - 特許庁

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high.例文帳に追加

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。 - 特許庁

To provide a method for etching a carbon-based material, which does not require heating in particular, and keeps very excellent flatness and mask selection ratio, and can obtain a shape faithful to the shape of a mask and a high etching rate.例文帳に追加

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is to be masked, the writing of data in memory cells 30 in the memory circuit is stopped by invalidating a column selection signal line with the column selection circuit element 42.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきであるという内容の時、カラム選択回路要素によってカラム選択信号ラインを無効とし、データのメモリ回路内のメモリセルへの書込みを阻止する。 - 特許庁

To provide an inexpensive mask using black silica which is high in air-permeability, makes breathing easy, has the high degree of freedom of tone selection, and is expected to improve pollinosis.例文帳に追加

通気性が高く呼吸が楽でありながらも色調選択の自由度が高く、また花粉症の改善効果が期待できる、ブラックシリカを用いた安価なマスクを提供する。 - 特許庁

For the dumping wire 13 used for a dumping of a color selection mask, the surface of a primary wire of the dumping wire is covered by metal plating 13b.例文帳に追加

色選別マスクの制振に用いる制振ワイヤー１３において、該制振ワイヤーの原線１３ａの表面が金属メッキ１３ｂで被覆されている制振ワイヤーとするものである。 - 特許庁

To provide a technology of a structure in which vibration can be suppressed without adjusting tensional force to be added to a color selection mask of a tension type having a thin thread element assembly.例文帳に追加

細条素体を有するテンション型の色選別マスクにおいて、それに加える張力を調整することなく、振動を抑制することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To secure a good anisotropic (perpendicular) shape and a high selection ratio with respect to both of a mask and an underlying film when etching an insulating film, and simultaneously to prevent an etching stop.例文帳に追加

絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性（垂直）形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and the like capable of improving selection ratio of a dielectric layer containing silicon to an organic film layer as a mask as compared with a conventional system.例文帳に追加

従来に比べてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。 - 特許庁

An assigned pattern selection part 55 selects an assigned pass mask pattern, on the basis of the combination of ink colors obtained by the used color combination obtaining part 52, by referring to the plurality of pass mask patterns stored in the assigned pattern storage part 54.例文帳に追加

割り当てパターン選択部５５は、割り当てパターン格納部５４に格納されている複数のパスマスクパターンを参照し、使用色組み合わせ取得部５２により取得されたインク色の組み合わせに基づき、割り当てるパスマスクパターンを選択する。 - 特許庁

With the plane cathode ray tube including a tension mask assembly consisting of a tension mask for color selection and a main frame and a sub frame supporting the tension mask and the magnetic field shielding structure preventing deflection distortion of electron beam, the magnetic field shielding structure comprises a main part for shielding the inside of a funnel and a front part decorating the interior of the tension mask assembly.例文帳に追加

本発明は、電子ビームを色選別するように引張マスクと前記引張マスクを支持するメインフレーム及びサブフレームからなる引張マスクアセンブリと、ファンネルの内部に取り付けて電子ビームの偏向歪曲を防止する地磁界遮蔽構造を含む平面陰極線管において、前記地磁界遮蔽構造はファンネル内部を遮蔽するメイン部と、前記引張マスクアセンブリを内装するフロント部とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To achieve a high aspect ratio and microfabrication of an uneven structure by improving a PR selection ratio in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern by executing the plasma processing on the sapphire substrate on which the mask pattern is arranged.例文帳に追加

マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing method for obtaining a selection region at the beginning of design without losing the similarity of a design value even in the transfer of a fined mask pattern.例文帳に追加

微細化されたマスクパターンの転写においても、設計値との相似性を損なうことなく、設計当初の選択領域が得られる半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable manufacturing an IC in a short time even if simple change of contents is performed by enabling selection by changing one mask (aluminum, silicon gate) used at the final stage of manufacturing an IC.例文帳に追加

ＩＣ製造時の最後の方で用いるマスク（アルミ、シリコンゲート）1つの変更によって選択できるようにして簡単な内容変更をしても短時間にＩＣ製造を出来るようにすること。 - 特許庁

Then, in-layer lenses are formed by carrying out dry etching using the resist pattern 30d as a mask with a selection ratio of approximately 1, and by transferring the convex lens shape of the resist pattern 30d to a transparent film 29a.例文帳に追加

そして、このレジストパターン３０dをマスクとして選択比が略１でのドライエッチングを行って、透明膜２９aにレジストパターン３０dの凸レンズ形状を転写して、屋内レンズを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method in which a high mask selection ratio can be realized at a high etching rate in the plasma treatment method in which a hole working at a high aspect ratio to an insulating film is conducted.例文帳に追加

絶縁膜への高アスペクト比のホール加工を行うプラズマ処理方法において、高エッチングレートで高いマスク選択比を実現可能な、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To secure a high selection ratio to an insulation film used as a mask material, while controlling the generation of conical pattern defects, in performing dry etching for processing a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を加工するためのドライエッチングにおいて、円錐状パターン欠陥の発生を抑制しつつマスク材となる絶縁膜に対して高い選択比を確保できるようにする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a selective irradiation process irradiating UV 24 in a state that an UV mask and a resist layer 22 on a substrate 21 are separated only by a distance d (Selection figure (b)).例文帳に追加

当該製造方法は、ＵＶマスクと基板２１上のレジスト層２２との間を距離ｄだけ離間させた状態で紫外線２４を照射する選択照射工程を含む（選択図（ｂ））。 - 特許庁

The electron beam lithography device includes: a mode selection means for selecting a mask drawing mode for superposition exposure as a drawing mode; and a shape selection means for selecting substrates having the same shape from a plurality of substrates used by the mask drawing for superposition exposure in the registration of a drawing pattern when the superposition exposure mode is selected.例文帳に追加

描画モードとして、前記重ね合わせ露光用マスク描画モードを選択するモード選択手段と、この重ね合わせ露光モードが選択されると、描画パターンの登録時に、この重ね合わせ露光用マスク描画で使用される複数の基板のうち、同種の形状を有するものを選定する形状選定手段とを備えた電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

A data mask control circuit 16e sets a mask control signal MS to an active state on the basis of storage contents of the setting value circuit 16h in timing when a luminance signal YVD and a color difference signal CVD corresponding to the set display position are fed to a data selection switch YSW.例文帳に追加

データマスク制御回路１６ｅは、設定値回路１６ｈの記憶内容に基づいて、設定された表示位置に対応する輝度信号ＹＶＤおよび色差信号ＣＶＤがデータ選択スイッチＹＳＷに伝達されるタイミングにおいて、マスク制御信号ＭＳを活性状態に設定する。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a magnetic recording head having a reverse tapered shape, with which the retreat of a mask layer scarcely occurs in processing, and little engraving of an insulating underlayer occurs, by making a selection ratio of a wider range with respect to the mask layer and the insulating underlayer than that in the conventional technique available.例文帳に追加

従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。 - 特許庁

A single mask table by a single formation processing becomes available despite of a selection condition of a nozzle used out of a plurality of nozzles mounted in the sub-scanning direction in order to correspond to sub-scanning direction registration processing, which realizes simplification and speeding up of a mask table formation processing.例文帳に追加

これにより、副走査方向レジストレーション処理に対応すべく副走査方向に複数搭載されたノズルからの使用ノズルの選択状態などによらず、単一の生成処理による単一のマスクテーブルが使用可能となり、マスクテーブル生成処理の簡素化および高速化が達成できる。 - 特許庁

In more particularly disclosed procedure, the etching selection ratio at each position corresponding to the pattern is obtained in accordance with the pattern to be formed on a substrate, the figure of the resist pattern is determined based on the etching selection ratio, and a gray scale mask pattern resulting the resist pattern is determined.例文帳に追加

手順をより細かく分解すると、基板上に形成すべきパターンの形状に応じて、そのパターンに対応する各場所でのエッチング選択比を求め、このエッチング選択比を元に、レジストパターンの形状を決定し、そのレジストパターンを与えるようなグレースケールマスクパターンを決定する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of the thin-film magnetic head which can make an etching speed fast and improve a mask selection ratio without corroding a magnetic layer, and further a device used for the implementation of the method.例文帳に追加

磁性層に腐食を発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用する装置を提供する。 - 特許庁

While etching the first layer 5, the second layer 6 is formed of a material having an etching selection ratio where the second layer 6 functions as a mask of the first layer 5.例文帳に追加

そして、前記第一層５に対するエッチングの間は前記第二層６が当該第一層５のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層６を形成する。 - 特許庁

A hard mask layer HM is formed by reforming an exposed front surface region RS exposed in the second metal film 521 into a material having a different etching selection ratio for the first metal film 511.例文帳に追加

第２金属膜５２１において露出された露出表面領域ＲＳを、第１金属膜５１１に対してエッチング選択比が異なる材料に変質させてハードマスク層ＨＭを形成する。 - 特許庁

Then a selection device 21 selects a mask blanks based on the distribution of the calculated RBI and on the allowable value of dimensional fluctuation in a pattern transferred onto a photoresist film formed on a wafer.例文帳に追加

そして、算出したＲＢＩの分布とウエハに形成されたフォトレジスト膜に転写される転写パターン寸法のばらつきの許容値に基づいて選定装置２１がマスクブランクスを選定する。 - 特許庁

Clock failure alarm mask means 32 masks a clock failure detection signal 211 which is reported from a clock selection/distribution unit 2 while a clock output of an active-system clock generating device is stopped.例文帳に追加

クロック障害アラームマスク手段３２は、現用系クロック生成装置のクロック出力がストップされている時間にクロック選択／分配部２から報告されるクロック障害検出信号２１１をマスクする。 - 特許庁

The identification information included in the substituted document data is substituted with the mask data or the partial text data on the basis of the substitution information extracted with the rule information for which the selection has been accepted, as key information.例文帳に追加

選択を受け付けた規則情報をキー情報として抽出した置換情報に基づいて、置換文書データに含まれる識別情報をマスクデータ又は部分テキストデータに置換する。 - 特許庁

To provide treatment conditions in which highly precise etching can be realized by a high selection ratio without generating an ArF resist damage in a low dielectric constant film (low-k film, SiOCH) corresponding to an ArF resist mask.例文帳に追加

ＡｒＦレジストマスク対応の低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜、ＳｉＯＣＨ）において、ＡｒＦレジストダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。 - 特許庁