「selection mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask.例文帳に追加

基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a coloring layer CL2, a colored image C2 is expressed in a selection range R21 of mask information M2 selected by performing the same operation as the colored layer CL1 to a section regarding a city area on the map.例文帳に追加

着色レイヤＣＬ２では、地図の市街地に関する区分に対して着色レイヤＣＬ１と同様の操作をして選択されたマスク情報Ｍ２の選択範囲Ｒ２１に着色画像Ｃ２が表出する。 - 特許庁

When a color selection mask is mounted to a nearly rectangular support frame comprising a pair of lateral frames and a pair of longitudinal frames, a press jig 13 for pressing the pair of lateral frames in a direction mutually closing them up is provided.例文帳に追加

一対の横フレームと一対の縦フレームから成る略矩形状の支持フレームに色選別マスクを取り付けるにあたり、一対の横フレームを互いに接近する方向に加圧する加圧治具１３を備える。 - 特許庁

A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K.例文帳に追加

第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To control an etching rate, an in-plane uniformity and a selection ratio by adjusting the flow ratios of two kinds of etching gases, and to form a micro-lens having a desired shape when the micro-lens is formed by etching a lens-material layer and a mask layer.例文帳に追加

レンズ材料層とマスク層とをエッチングしてマイクロレンズを形成するにあたり、２種類のエッチングガスの流量比を調整して、エッチングレートや面内均一性、選択比を制御し、所望の形状のマイクロレンズを形成すること。 - 特許庁

The mask information is prepared based on a distribution of visible areas in the sky, and a selection prohibiting flag "1" is imparted in each invisible area to prohibit the GPS satellite navigating within the area from being selected as a captured object.例文帳に追加

マスク情報は、天空の可視領域の分布に基づき作成されており、不可視領域には、その領域を航行するＧＰＳ衛星を捕捉対象として選択することを禁止するための選択禁止フラグ”１”が付与されている。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

In the case of correcting a plotting position on a sample 317 with a batch graphic selection on a second mask 305, a correction quantity is changed, while depending on the deflection quantities of deflectors 311 and 102 for specifying a selected graphic position and the plotting position.例文帳に追加

第２マスク３０５上の一括図形選択に伴い試料３１７上の描画位置補正を行う際の補正量を、選択した図形位置と描画位置を規定する偏向器３１１，１０２の偏向量に依存して変化させる。 - 特許庁

To provide a plasma etching system in which etching can be carried out with high selection ratio, while sustaining high plasma resistance of the organic mask layer, such as resist layer, eliminating sticking of deposits to electrode effectively, and the plasma density can be controlled.例文帳に追加

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching system capable of etching with a high selection ratio while maintaining the high plasma resistance of an organic mask layer such as a resist layer or the like, and effectively eliminating the adhesion of a deposit to an electrode and, furthermore, controlling plasma density.例文帳に追加

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method capable of making highly accurate working to a fine pattern and working of a high selection rate to a mask and a base layer be compatible without causing charge-up and etching shape abnormalities in a workpiece, and an etching device.例文帳に追加

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which the fall of a resist selection ratio can be prevented and, in addition, no damage is given to a low-dielectric constant interlayer insulating film covered with a resist mask and composed of an SiOCH- or SiOC-based material in dry-etching the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われたＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料の低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、対レジスト選択比が低下することが防止でき、その上、層間絶縁膜にダメージを与えることがないようにする。 - 特許庁

Slit holes 4 extended in the vertical direction of a screen and slot rows 5 with nearly rectangular slot holes 6 aligned in the vertical direction of the screen are alternately arrayed in the horizontal direction of the screen on an effective screen of a color selection mask 2.例文帳に追加

色選別マスク２の有効画面部において、画面垂直方向に延在するスリット孔４と、略長方形のスロット孔６を画面垂直方向に配列してなるスロット列５とが、画面水平方向に交互に配列されている。 - 特許庁

In the production method, by using spherical particulates for an etching mask, a lithography stage is reduced, mask formation is possible in a simple process, and periodic spacing can be controlled at a high precision in accordance with the particle diameter of the particulates, and further, the selection ratio with a base material can be freely controlled and lattice height can be controlled to a high precision in accordance with the material of the particulates.例文帳に追加

エッチングマスクに球状の微粒子を用いることで、リソグラフィ工程を削減し、簡易な工程でマスクの形成ができ、微粒子の粒径で周期間隔を高精度に制御することが可能になるとともに、微粒子の材料により基材との選択比を自由に制御でき、格子高さを高精度に制御することができる製造方法としたものである。 - 特許庁

To provide a selecting method of an exposing method in which selection of an exposing technique corresponding to a real chip layout design is realized and required gate line width control is attained, when the exposing method is selected to perform pattern transfer for a mask pattern by the selected exposing method.例文帳に追加

露光方法を選択し、選択した露光方法によりマスクパターンのパターン転写を行う際、実チップレイアウト設計に対応した露光技術の選択を可能にし、要求されるゲート線幅制御を達成できる、露光方法の選択方法を提供する。 - 特許庁

An access request signals 12 from the DSPs 1-4 are inputted through a mask circuit 7 to a priority encoder 5, and a selection signal 16 is inputted to a control signal generating circuit 6, and an access permission signal 14 is transmitted to a selected DSP among the DSPs 1-4.例文帳に追加

ＤＳＰ１〜４からのアクセス要求信号１２は、マスク回路７およびプライオリティエンコーダ５を介して選択信号１６が制御信号生成回路６に入力され、ＤＳＰ１〜４のうち選択されたＤＳＰにアクセス許可信号１４を送出する。 - 特許庁

Substitution information relating to whether the identification information included in the generated substituted document data should be substituted with the mask data or the partial text data is stored with respect to each piece of rule information about rules for substituting the identification information, and selection of the rule information is accepted.例文帳に追加

識別情報を置換する規則に関する規則情報ごとに、生成した置換文書データに含まれる識別情報をマスクデータ又は部分テキストデータに置換するか否かに関する置換情報を記憶し、規則情報の選択を受け付ける。 - 特許庁

To provide an etching method capable of etching while raising an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si based low dielectric constant film, when a SiC part of a body to be processed is etched by plasma of etching gas by using the organic Si based low dielectric constant film as a mask.例文帳に追加

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

On a coloring layer CL1, a closed region is set up so as to surround a section regarding a mountain on a map displayed on a base layer BL and a colored image C1 is expressed in selection ranges R11 and R12 of mask information M1 selected by operating so as to paint out by a brush function.例文帳に追加

着色レイヤＣＬ１では、基盤レイヤＢＬにおいて表示される地図の山に関する区分を囲むように閉領域を設定したり、ブラシ機能で塗りつぶすように操作して選択されたマスク情報Ｍ１の選択範囲Ｒ１１及びＲ１２に着色画像Ｃ１が表出する。 - 特許庁

The etching speed of a surface-reforming layer 12 is improved, an etching selection ratio for the hard mask layer 7 of the lower electrode layer 5 is improved, and the surface- reforming layer 12 and the lower electrode layer 5 are etched using an O2/Cl2 gas, thus obtaining the lower electrode layer 5 into a prism shape.例文帳に追加

表面改質層１２のエッチング速度が向上し、下部電極層５のハードマスク層７に対するエッチング選択比を向上でき、表面改質層１２および下部電極層５をＯ_2 ／Ｃｌ_2 ガス系を用いてエッチングし、角柱形状の下部電極層５を得る。 - 特許庁

This circuit is composed of a data analysis unit group 3 for outputting a most stable bit position by detecting a signal wider than a designated effective width out of N-bit data and a selection deciding unit group 5 for selecting a bit position within a designated allowable jitter range by using a mask word for decision.例文帳に追加

Ｎビットデータから、指定した有効幅以上の信号を検出し、最も安定したビット位置を出力するデータ解析ユニット群３と、判定用マスクワードを使用し、指定したジッタ許容範囲内でビット位置を選択する選択判定ユニット群５とで構成する。 - 特許庁

In this mask ROM, its overhead is reduced by using a selection transistor being same for two banks, its overhead is reduced by using only one sense amplifier 210 per one block, and the memory cell is divided into plural banks by using word line recorders 220 being of odd numbers and even numbers.例文帳に追加

本マスクＲＯＭは、２つのバンクに同一の選択トランジスタを使用してそのオーバヘッドを減少させ、ブロック当たり１つのセンス増幅器２１０だけを使用してそのオーバヘッドを減少させ、そして奇数及び偶数のワードラインデコーダ２２０を使用してメモリセルを複数のバンクに分割する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern.例文帳に追加

半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるＢＡＲＣなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。 - 特許庁

A data selection switch RSW gives mask data YMD and CMD to display a prescribed image to a post-stage processing circuit to generate a video signal in place of the luminance signal YVD and the color difference signal CVD.例文帳に追加

データ選択スイッチＲＳＷは、マスク制御信号の活性状態期間においては、所定画像を表示するためのマスクデータＹＭＤおよびＣＭＤを、輝度信号ＹＶＤおよび色差信号ＣＶＤに代えて、映像信号を生成するための後段の処理回路に送出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for making an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si low dielectric constant film to be high and etching a SiC part when the SiC part of a body to be processed is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film as a mask.例文帳に追加

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

To provide a material with high etching selection rate and etching speed against resist, a pattern formation method providing an antireflection film layer on a base plate using the material and a pattern formation method using the antireflection film as a hard mask on the base plate processing.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基盤加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

A shadow mask with a skirt part 61 bent, in the tube axis direction while circulating the outer periphery of a perforated region with a large number of color selection apertures in a main face, has a connection part comprising at least two inclined faces, at a boundary part between the perforated region 62 and the skirt part 61 excluding the outer peripheral corner parts of the perforated region 62.例文帳に追加

主面に多数の色選択用開孔を持つ有孔領域6 2の外周を周回して管軸方向に屈折したスカート部61をもつシャドウマスクに、有孔領域6 2とこの有孔領域62の外周のコーナー部を除いたスカート部61との境界部に少なくとも2つの傾斜面からなる連結部を有する。 - 特許庁

At selection of openings 29-40 and 41 on a mask 6, the distance which an electron beam moves and the optimal temporal waiting time corresponding to the opening selecting situation, such as the switching of end batch graphic openings 29-40 and a variable molding graphic opening 41, that is, the irradiation interrupt time or the like is controlled.例文帳に追加

マスク上６の開口２９〜４０、４１を選択する際、電子ビーム９が移動する距離、一括図形開口２９〜４０と可変成形図形開口４１の切り換え等の開口選択状況に応じて最適な整定待ち時間、すなわち照射中断時間等を制御するものである。 - 特許庁

Then, isotropic etching is made by reducing bias output applied to a wafer without containing N_2 or O_2, or etching under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2 for machining the grooves or holes slightly thinner than the pattern dimensions and isotropic etching while reducing bias output applied to the wafer without containing N_2 or O_2 are made periodically.例文帳に追加

その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 - 特許庁

A recording and reproducing device 200 includes an image selection processing part 204 for: separating the fields of the source image signals and the mask image signals from the composite image signals transmitted from the camera device or the composite image signals recorded in a recording medium and reproduced; and selecting the field of one of the separated image signals corresponding to the instruction of a user to output it to the monitor 300.例文帳に追加

記録再生装置２００は、カメラ装置から送信された合成画像信号または記録媒体に記録再生した合成画像信号から原画像信号とマスク画像信号のフィールドを分離して、ユーザーの指示に応じて分離した一方の画像信号のフィールドを選択してモニター３００に出力する画像選択処理部２０４を備える。 - 特許庁

In the color selecting mask 11 for constituting this color selection mechanism 60 of a color cathode ray tube, a contact portion where the element assembly 13 contacts with the damper wires 20 contacting with a surface of the grid element assembly 13, and extended along a direction orthogonal to the grid element assembly 13 to be bridged is joined not to allow moving each other by laser welding.例文帳に追加

カラー陰極線管の色選別機構６０を構成する色選別マスク１１に対して、そのグリット素体１３の表面と接触し、かつグリット素体１３と直交する方向に延在して架張されたダンパー線２０とグリット素体１３との接触箇所をレーザ溶接により互いに移動できないように接合する。 - 特許庁

A routine which replaces the register number of an instruction that performs repetition processing selected by an instruction selection circuit 6 with a new register number generated by a mask number generation circuit 7 based on the value of a register number differential value storage buffer 8 and performs updating is performed until it reaches the number of repeats which is decided by a repeat number deciding circuit 5.例文帳に追加

この発明は、命令選択回路６により選択された繰り返し処理を行う命令のレジスタ番号を、レジスタ番号差分値格納バッファ８の値に基づいてマスク番号生成回路７により生成された新たなレジスタ番号に置き換えて更新するルーチンが、反復回数判定回路５で判定される反復回数に達するまで行われるように構成される。 - 特許庁

The image reproduction part has an image switching control part which generates the display image data by computing 1st and 2nd images by using a specific image selection mask when the image displayed by the image display part is switched from the 1st image to an image having the 2nd image displayed in at least a partial area in the 1st image.例文帳に追加

前記画像再生部は、前記画像表示部で表示される画像を、第１の画像から前記第１の画像の少なくとも一部の領域に第２の画像が表示される画像に切り替える場合に、所定の画像選択マスクを用いて前記第１と第２の画像に演算を施すことによって前記表示画像データを生成する画像切替制御部を有する。 - 特許庁