「silicon oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OXIDATION SUPPRESSION METHOD FOR SILICON CUTTING POWDER, AND OXIDATION SUPPRESSION DEVICE FOR SILICON CUTTING POWDER例文帳に追加

シリコン切削粉の酸化抑制方法およびシリコン切削粉の酸化抑制装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RADICAL OXIDATION OF SILICON例文帳に追加

シリコンをラジカル酸化する方法および装置 - 特許庁

SILICON STEEL SHEET EXCELLENT IN NITRIDING AND INTERNAL OXIDATION RESISTANCES例文帳に追加

耐窒化・耐内部酸化性に優れた電磁鋼板 - 特許庁

LOW TEMPERATURE OXIDATION METHOD OF SILICON USING NITROUS OXIDE例文帳に追加

亜酸化窒素を用いるシリコンの低温酸化方法 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidation processing of the silicon substrate 1 is performed.例文帳に追加

その後、シリコン基板１の熱酸化処理を行う。 - 特許庁

The adsorbent material contains a silicon-aluminum based oxidation intermediate.例文帳に追加

ケイ素−アルミニウム系の酸化中間体を含有する。 - 特許庁

To provide an oxidation method of silicon using oxygen (^1D).例文帳に追加

酸素（^１Ｄ）を用いるシリコンの酸化を提供すること。 - 特許庁

OXIDATION OF SILICON AND PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON OXIDE FILM USING THE SAME例文帳に追加

シリコンの酸化方法及びそれを用いた単結晶シリコン酸化膜の製造方法 - 特許庁

VAPOR-GENERATING DEVICE FOR SILICON OXIDATION AND SILICON SURFACE-OXIDIZING DEVICE UTILIZING THE SAME例文帳に追加

シリコン酸化用水蒸気発生装置およびそれを利用したシリコン表面酸化装置 - 特許庁

To provide a silicon oxidation suppression method substituted for a pH control method using a pH sensor suppressing oxidation of a silicon cutting powder in a coolant liquid and enhancing solid/liquid separation property of the silicon cutting powder and the coolant liquid, and to particularly provide a silicon oxidation suppression method with sufficient responsiveness for a long period of time capable of accurately suppressing oxidation.例文帳に追加

クーラント水中のシリコン切削粉の酸化を抑制し、シリコン切削粉とクーラント水の固液分離性を向上させる、ｐＨセンサーを用いたｐＨ制御法に代わるシリコン酸化抑制方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

PLASMA OXIDATION TREATMENT METHOD, AND METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

プラズマ酸化処理方法およびシリコン酸化膜の形成方法 - 特許庁

OXIDATION TREATMENT METHOD OF SILICON-BASED TREATMENT OBJECT, OXIDATION TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

シリコン系被処理物の酸化処理方法、酸化処理装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

A silicon layer is arranged for a base of a silicon oxidation film and the silicon layer is used as an etching stopper to form a desired trench shape beforehand by selectively etching the silicon oxidation film.例文帳に追加

シリコン酸化膜の下地にシリコン層を配置し、このシリコン層をエッチングストッパとして使用してシリコン酸化膜を選択的にエッチングして所望のトレンチ形状をあらかじめ作製する。 - 特許庁

A silicon oxidation film 7 is deposited on only the side of a silicon nitriding film 6 of a peripheral area, a first gate material 5 and a gate oxidation film 4, and next the silicon oxidation films 6, 7 form a trench 9 as a mask to remove the silicon oxidation film 7.例文帳に追加

周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４の側面上のみにシリコン酸化膜７を堆積し、次いでこのシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜６をマスクとしてトレンチ９を形成し、シリコン酸化膜７を除去する。 - 特許庁

On a silicon carbide semiconductor substrate 2, an oxidation silicon 5 with a thickness of 0.5 to 2 nm is formed by a thermal oxidation method.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板２上に、熱酸化法により、０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内の厚みを有する酸化珪素５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for oxidation treatment of a silicon based material capable of carrying out anisotropic oxidation of a silicon based treated material such as a silicon substrate at a temperature lower than 1000°C.例文帳に追加

シリコン基板のようなシリコン系被処理物を１０００℃より低い温度で異方性の酸化を実行し得るシリコン系被処理物の酸化処理方法を提供する。 - 特許庁

After a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film is formed on the surface of a silicon substrate by thermal oxidation or thermal oxidation and nitriding (step S1), plasma nitriding is performed on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film (step S2).例文帳に追加

シリコン基板表面に熱酸化または熱酸窒化によってシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成した後（ステップＳ１）、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化膜表面にプラズマ窒化処理を施す（ステップＳ２）。 - 特許庁

The anodic oxidation film 32 is covered with a silicon dioxide film 26.例文帳に追加

陽極酸化膜３２は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。 - 特許庁

Afterwards, the silicon oxide films 10, 10a are formed by thermal oxidation method.例文帳に追加

その後、熱酸化法によりシリコン酸化膜１０，１０ａを形成する。 - 特許庁

An anode oxidation film 34 is covered with a silicon dioxide film 26.例文帳に追加

陽極酸化膜３４は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。 - 特許庁

After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed.例文帳に追加

シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。 - 特許庁

An insulating film (40) which contains silicon oxide or silicon oxynitride is formed on a semiconductor substrate by thermal oxidation.例文帳に追加

半導体基板上に、熱酸化により酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む絶縁膜(40)を形成する。 - 特許庁

Next, a silicon thermal oxide film 5 is formed on the surface of the silicon nitride film 4 by executing the thermal oxidation process to the silicon oxide film 4.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜４に熱酸化処理を施すことにより、シリコン窒化膜４の表面にシリコン熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

The deposition and thermal oxidation processing of the amorphous silicon layer is repeated so that multilayer multicrystalline silicon/silicon dioxide laminated layers are formed.例文帳に追加

非晶質シリコン層の堆積及び熱酸化処理は繰り返され、複数層の多結晶シリコン／二酸化シリコン積層膜を形成する。 - 特許庁

When a thermal oxidation method is performed, only the lower part of a thinned part in the silicon nitride layer for partial oxidation 4 is oxidized, and a partial silicon oxide layer 5 is formed.例文帳に追加

次に、熱酸化法を行うと局所酸化用窒化シリコン層がシニングした部分の下方のみが酸化され、局所酸化シリコン層５が形成される。 - 特許庁

To prevent residual of hydrogen intruding into a silicon-containing film by performing selective oxidation of the silicon-containing film while preventing oxidation of a metal-containing film.例文帳に追加

金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。 - 特許庁

A silicon oxidation film 4 is interposed on the silicon oxidation film 3, and arranged so that an IOB line 12 is overlapped on the IO line 11 in a plane.例文帳に追加

そのシリコン酸化膜３上にシリコン酸化膜４を介在させてＩＯＢ線１２がＩＯ線１１の上に平面的にオーバーラップするように配置されている。 - 特許庁

A surface oxide film 4 is formed on a silicon substrate 1 with a hot oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板１に熱酸化法により表面酸化膜４を形成する。 - 特許庁

For example, the silicon oxide layer 102 can be formed by a thermal oxidation process.例文帳に追加

例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。 - 特許庁

A silicon oxidation film 3 is formed so as to bury the IO line.例文帳に追加

そのＩＯ線１１を埋めるようにシリコン酸化膜３が形成されている。 - 特許庁

The oxidation film forming method is provided, in which, beforehand, the surface roughness of a silicon wafer and/or the crystallinity of the surface layer of the silicon wafer is measured, the oxidation conditions of the silicon wafer is adjusted according to the measured value, and the oxidation film is formed in the silicon wafer under the adjusted oxidation conditions.例文帳に追加

シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、測定値よりシリコンウェーハの酸化条件を調整して、調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成するシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 functions as an oxidation preventive film which prevents the titanium oxide film 6 from oxidation when the surface of the substrate 1 is subjected to the thermal oxidation in the next process.例文帳に追加

窒化シリコン膜７は、次の工程で基板１の表面を熱酸化する時に酸化チタン膜６が酸化されるのを防ぐ酸化防止膜として機能する。 - 特許庁

To enhance reusability of silicon carbide sintered compact by improving oxidation resistance of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。 - 特許庁

This method comprises repeating the following processes several times: a process for forming a silicon film by depositing either one of polysilicon, epitaxial silicon or amorphous silicon on a silicon substrate or on a silicon dioxide film formed on the silicon substrate by a thermal oxidation treatment; and a process for converting the above film into the silicon dioxide film by the thermal oxidation treatment.例文帳に追加

シリコン基板上に、あるいは熱酸化処理によりこのシリコン基板上に形成された二酸化シリコン膜上に、ポリシリコン、エピタキシャルシリコンあるいはアモルファスシリコンのいずれかを堆積しシリコン膜を形成する工程と、この膜を熱酸化処理し二酸化シリコン膜にせしめる工程とを複数回繰り返す。 - 特許庁

A plasma oxidation method or a radical oxidation method is used for forming the silicon oxide film.例文帳に追加

そして、酸化シリコン膜の形成に、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いる半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成する。 - 特許庁

The silicone compound is removed from the gas by oxidizing the silicone compound contained in the gas with an oxidation catalyst to obtain silicon oxide and sticking the silicon oxide to the oxidation catalyst.例文帳に追加

ガス中に含まれるシリコン化合物を酸化触媒によって酸化ケイ素とし、前記酸化触媒に付着させて、ガス中からシリコン化合物を除去する。 - 特許庁

When a silicon nitride layer for partial oxidation 4 is formed after a trench insulating layer 2 is formed, thinning occurs in the silicon nitride layer for partial oxidation 4 near a hollow.例文帳に追加

トレンチ絶縁層２を形成した後に局所酸化用窒化シリコン層４を形成すると、局所酸化用窒化シリコン層４も、その窪み近傍でシニングが生じる。 - 特許庁

A hard mask material 2 such as a silicon oxidation film is formed on an aluminum alloy film 3.例文帳に追加

アルミ合金膜３の上にシリコン酸化膜などのハードマスク材２を形成する。 - 特許庁

A content of silicon in the oxidation intermediate is larger than an amount of stoichiometry.例文帳に追加

酸化中間体におけるケイ素の含有量が化学量論量よりも大きい。 - 特許庁

The silicon dioxide layer is subjected to remote plasma nitriding, so that a silicon oxide/nitride layer 106 of oxidation resistance is formed.例文帳に追加

二酸化シリコン層のリモート・プラズマ窒化が行われ、酸化に対する耐性を有するシリコン酸化窒化物層（１０６）をつくる。 - 特許庁

On the front surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed in the thickness of about 50 nm with hot oxidation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、膜厚が約５０ｎｍのシリコン酸化膜１１０を熱酸化によって形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a pat oxide film 2, an amorphous silicon or polycrystalline silicon film 17 and an oxidation preventing film 3 are deposited on a silicon substrate 1, and these films are patterned ((a) to (f)).例文帳に追加

シリコン基板１上に、パット酸化膜２、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコン膜１７、酸化防止膜３を堆積し、パターニングする（（ａ）〜（ｆ））。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a silicon-carbide oxide film, with which a silicon-carbide oxide film can be formed efficiently by subjecting a silicon carbide substrate to anodic-oxidation.例文帳に追加

炭化ケイ素基板に対して、陽極酸化により効率的に酸化膜を形成可能な酸化膜製造方法および装置を提供することにある。 - 特許庁